Multi-layered source and drain contacts for a thin film transistor (tft) structure
Номер патента: US20230369426A1
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Abhishek Anil Sharma, Afrin Sultana, Albert B. CHEN, Deepyanti Taneja, Kamal H. Baloch, Mark Armstrong, Moshe Dolejsi, Shailesh Kumar Madisetti, Timothy JEN, Travis W. LaJoie, Van H. Le, Vishak Venkatraman
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Abhishek Anil Sharma, Afrin Sultana, Albert B. CHEN, Deepyanti Taneja, Kamal H. Baloch, Mark Armstrong, Moshe Dolejsi, Shailesh Kumar Madisetti, Timothy JEN, Travis W. LaJoie, Van H. Le, Vishak Venkatraman
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Asymmetric source and drain contacts for a thin film transistor (tft) structure
Номер патента: US20230369503A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Akash Garg,Christopher M. PELTO,Abhishek Anil Sharma,Moira C. Vyner,Timothy JEN,Caleb Barrett,Albert B. CHEN,Forough Mahmoudabadi,Shokir A. Pardaev,Thiruselvam Ponnusamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.