Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device
Номер патента: US11791418B2
Опубликовано: 17-10-2023
Автор(ы): Heesung LEE, JeeHo PARK, Jeongsuk YANG, Mincheol Kim, Seoyeon IM, Seungjin Kim, Sohyung Lee
Принадлежит: LG Display Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-10-2023
Автор(ы): Heesung LEE, JeeHo PARK, Jeongsuk YANG, Mincheol Kim, Seoyeon IM, Seungjin Kim, Sohyung Lee
Принадлежит: LG Display Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE
Номер патента: US20150091010A1. Автор: Wang Lei,Tian Xueyan,IM Jang Soon. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.