Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Manufacturing method of organic thin film transistor

Номер патента: US20190157592A1
Опубликовано: 23-05-2019
Автор(ы): BO Liang, Wei Wang
Принадлежит: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Manufacturing method of organic thin film transistor

Номер патента: US20190157593A1. Автор: Wei Wang,BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Manufacturing method of organic thin film transistor

Номер патента: US20180337356A1. Автор: Wei Wang,BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Organic thin film transistor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2006915A9. Автор: Takashic/o C.R.D.L. Pioneer Corporation CHUMAN. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured using the method, and flat panel display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US20060103773A1. Автор: Min-chul Suh,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326551A1. Автор: Hui Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE EQUIPPED WITH THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: JP5400019B2. Автор: 光淑 金,鎭成 朴. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Manufacturing method and apparatus of organic thin film transistor

Номер патента: US20180033981A1. Автор: Zhe Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140138668A1. Автор: Joon-hoo Choi,Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Display unit, display unit manufacturing method and organic light emitting diode display device

Номер патента: US20210359040A1. Автор: Ming Xiang,Shoucheng Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method, display panel and display device

Номер патента: US20220352283A1. Автор: Xue Liu,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Display panel, manufacturing method thereof and display device including the same

Номер патента: US20210066657A1. Автор: Ting Chen,Mei Chen. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4435832A1. Автор: Xuechao Ren. Владелец: Tcl China Star Optoelectronics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor

Номер патента: US20070090349A1. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140124751A1. Автор: Yang-Wan Kim,Jung-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220208903A1. Автор: Jaeyoung Oh,Heechul Woo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: GB2602552A. Автор: OH JaeYoung,Woo Heechul. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Display panel and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240224629A1. Автор: Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240032338A1. Автор: Xuechao Ren. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11171187B2. Автор: Hee Ra KIM,Suk Hoon KANG,Hong Yeon Lee,Min-Jae Kim,Beom-Soo Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190229162A1. Автор: Hee Ra KIM,Suk Hoon KANG,Hong Yeon Lee,Min-Jae Kim,Beom-Soo Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Display substrate comprising silicon organic glass layer, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US12075664B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Zhen Song,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film active element group, thin film active element array, organic light emitting device, display apparatus, and thin film active element manufacturing method

Номер патента: US20100258803A1. Автор: Tomonori Matsumuro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20170237028A1. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200075698A1. Автор: Taegyun Kim,YongHoon Yang,Minsuk KO,Sikwang Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US12082450B2. Автор: Taegyun Kim,YongHoon Yang,Minsuk KO,Sikwang Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230247887A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010892B2. Автор: Lei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of fabricating an organic thin film transistor

Номер патента: US7919396B2. Автор: Min-chul Suh,Yeon-Gon Mo,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of fabricating an organic thin film transistor

Номер патента: US20090170291A1. Автор: Min-chul Suh,Yeon-Gon Mo,Taek Ahn. Владелец: Taek Ahn. Дата публикации: 2009-07-02.

Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus

Номер патента: US7462372B2. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus

Номер патента: US20020030443A1. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Organic thin film transistor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080023695A1. Автор: Bo Sung Kim,Keun Kyu SONG,Seung Hwan Cho,Tae Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US20210184142A1. Автор: Eijiro Iwase,Hiroki Sugiura,Koji Tonohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: WO2014162287A3. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2014-12-24.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US6107117A. Автор: Yi Feng,Ananth Dodabalapur,Venkataram Reddy Raju,Zhenan Bao. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Manufacturing method of organic display panel and organic display panel

Номер патента: US20240172544A1. Автор: Wei Lu,Jiexin Zheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of producing a single-crystal thin film of an organic semiconductor compound

Номер патента: US20100213448A1. Автор: Takashi Kato,Tatsuya Igarashi,Toshihiro Shimada,Yui Ishii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device

Номер патента: KR20230057017A. Автор: 함석규,윤영준,정종원,야스타카 쿠즈모토. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-28.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Display panel, manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20230413618A1. Автор: Wei Li,Jun Liu,Jun Cheng,Jingang Fang,Luke Ding. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120169229A1. Автор: Joon-hoo Choi,Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Electroluminescent display substrate, manufacturing method thereof, and electroluminescent display device

Номер патента: US12041808B2. Автор: Song Zhang,Ziyu ZHANG,Chunyan Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method, display panel and display device

Номер патента: US12041825B2. Автор: Xue Liu,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196666A1. Автор: Byung Yong Ahn,Won So Son,Chang Hyeon Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and cmos inverter

Номер патента: US20210366989A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing magnesium diboride superconducting thin film wire and magnesium diboride superconducting thin film wire

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Toshiaki Kusunoki,Ryoko Sugano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240215379A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175095A1. Автор: Mu-Hyun Kim,Jin-Goo Kang,Jae-Bok Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2348529A3. Автор: Mu-Hyun Kim,Jin-Goo Kang,Jae-Bok Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-23.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240215314A1. Автор: Younghyun KO,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Display device and manufacturing method of display device

Номер патента: US20230413643A1. Автор: Yuko Matsumoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20120146060A1. Автор: Chun-Gi You,Sang-ho Moon. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Thin-film transistor substrate and method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20240215315A1. Автор: Jun Tanaka,Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US6429585B1. Автор: Kazuhiro Mizutani,Eiichi Kitazume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Manufacturing method for the high resolution organic thin film pattern

Номер патента: KR101108162B1. Автор: 최원석,서민철,이신두,김민회. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2012-01-31.

Novel asymmetric arylamine derivatives for organic electroluminescent element, manufacturing method of the same, organic thin layer material and the organic electroluminescent element employing the same

Номер патента: KR101688230B1. Автор: 김세훈,오용호,김상동. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP3848977A1. Автор: Eijiro Iwase,Hiroki Sugiura,Koji Tonohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor film, oxide fine particle dispersion, method of manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: JP6275441B2. Автор: 真之 鈴木,淳 田中,田中　淳,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

A kind of preparation method of big crystal grain perovskite thin film

Номер патента: CN108054284A. Автор: 蔡颖,王世荣,李祥高,肖殷. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-18.

Semiconductor thin-film and manufacturing method thereof, thin-film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20190067609A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-02-28.

Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor

Номер патента: KR100719546B1. Автор: 김성진,서민철,구재본. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of fabricating an organic thin film transistor and method of surface treatment for gate insulating layer

Номер патента: TWI394305B. Автор: Chung Hwa Wang,Jenn Chang Hwang,Hsiao Wen Zan,Cheng Wei Chou,Li Shiuan Tsai,Wen Chieh Wang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2013-04-21.

Method of manufacturing pentacene organic thin film transistor

Номер патента: KR100824045B1. Автор: 최종호,정선화,스예드 아브타지르 피.,서훈석. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: CN102396085A. Автор: T·库勒. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate

Номер патента: US5141918A. Автор: Shinichi Hirano. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-25.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US10050200B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US9728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Efficient and stable perovskite thin film prepared at room temperature, solar cell and preparation method of efficient and stable perovskite thin film

Номер патента: CN111987218A. Автор: 李刚,陈志亮. Владелец: Shenzhen Research Institute HKPU. Дата публикации: 2020-11-24.

Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the organic thin film transistor, method of manufacturing the organic thin film transistor, method of manufacturing the flat panel display apparatus

Номер патента: KR100647704B1. Автор: 김성진,이헌정,정종한. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Producing method of high-performance organic thin film transistor using oxidation and selective reduction of organic semiconductor materials

Номер патента: KR101221761B1. Автор: 한정석,이상윤,구본원,김도환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-01-11.

Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.

Flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375947A1. Автор: Jing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Display substrate, a manufacturing method thereof and a display device

Номер патента: US20190131586A1. Автор: Yun Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150014648A1. Автор: Chi-Wook An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region

Номер патента: US5612228A. Автор: Chan-Long Shieh,Donald E. Ackley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP3843128A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

A method of manufacturing an organic thin film transistor including a multilayer thin film and an organic thin film transistor

Номер патента: KR101045783B1. Автор: 박정주,조진한. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-07-04.

Organic semiconductor sturcture and methodd of manufacturing the same organic thin film transistor using the organic semiconductor sturcture and method of manufacturing the organic thin film transistor and display apparatus using the same

Номер патента: KR101279296B1. Автор: 김민주,최낙봉. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-06-26.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the organic thin film transistor, and display apparatus using the same

Номер патента: US20070242180A1. Автор: Nack Bong Choi,Min Joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of making an organic thin film transistor and article made by the method

Номер патента: TW399338B. Автор: Zhe-Nan Bao. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-21.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US20160043315A1. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-02-11.

Manufacturing method of organic semiconductor element, organic semiconductor element, growth method of organic single crystal thin film, organic single crystal thin film, electronic device, and organic single crystal thin film group

Номер патента: US20140312335A1. Автор: Osamu Goto,Yosuke Murakami,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Organic thin film photovoltaic device, fabrication method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US9496513B2. Автор: Yoichi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Organic thin film photovoltaic device, fabrication method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US9728736B2. Автор: Yoichi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film photovoltaic device, fabrication method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20170025628A1. Автор: Yoichi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of manufacturing an organic thin film transistor

Номер патента: US20130137212A1. Автор: Chang Sup Ryu,Sang Won HA,ll Sub Chung,Jin Hee Heo,Kyo Hyeok Kim,Jung Min KWON,Kyu Hag Eum,Sang ll Yim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Methods of fabricating semiconductor devices having thin film transistors

Номер патента: US20050221544A1. Автор: Myang-Sik Han,Sung-jin Kim,Jong-Hyuk Kim,Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Kun-Ho Kwak,Byung-Jun Hwang,Won-Seok Cho,Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components

Номер патента: US20110008915A1. Автор: Jason Reid,Jean Pierre Nozieres. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-01-13.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US9105794B2. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-08-11.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-03-20.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US10099476B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Manufacturing method of composite sheet material using ultrafast laser pulses

Номер патента: US20060267211A1. Автор: Xinbing Liu,Kazuo Nishimura,Atsushi Sogami,Chen-Hsiung Cheng. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Heteropyrene-based semiconductor materials for electronic devices and methods of making the same

Номер патента: US20090001353A1. Автор: Deepak Shukla,Douglas R. Robello,Ann L. Carroll-Lee,Wendy G. Ahearn,Thomas R. Welter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Organic thin film transistor

Номер патента: US20110193065A1. Автор: Tri-Rung Yew,Yu-Ping Wang,Heng-Wen Ting,Chung-Min Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-08-11.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP2113944A1. Автор: Takeshi Hakii. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2009-11-04.

Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor

Номер патента: US20100019234A1. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Saito,Hiroaki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Compound and organic thin film transistor

Номер патента: US7795443B2. Автор: Noriyuki Doi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method and system for reducing device performance degradation of organic devices

Номер патента: US8822984B2. Автор: Lucile C. Teague. Владелец: SAVANNAH RIVER NUCLEAR SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2014-09-02.

Method and system for reducing device performance degradation of organic devices

Номер патента: US20130134327A1. Автор: Lucile C. Teague. Владелец: SAVANNAH RIVER NUCLEAR SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2013-05-30.

Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20110084260A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Bo Sung Kim,Yong-Uk Lee,Min-Seong Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-14.

Organic thin film transistor and process for manufacturing same

Номер патента: US7598116B2. Автор: Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-10-06.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: EP2789026A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Organic thin film transistor with contact hole and method for fabricating the same

Номер патента: US20070057252A1. Автор: Cheng-Chung Hsieh,Jia-Chong Ho,Tarng-Shiang Hu,Ming-Chun Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-15.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240224592A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic tft array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US20120298972A1. Автор: Xuehui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Organic Thin Film Transistor, Method of Fabricating the Same, and Gate Insulating Layer Used in the Same

Номер патента: US20100230662A1. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung--Hua Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-09-16.

Organic semiconductor and organic thin-film transistor

Номер патента: US20100213444A1. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Tetrathiafulvalene derivatives and organic thin-film transistor

Номер патента: US8304762B2. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-11-06.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

Manufacturing method of an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device

Номер патента: US20060280859A1. Автор: Kenichi Oota,Takahisa Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Display panel, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US12041839B2. Автор: Liang Ma,Shengrong Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

A method of improving the charge injection to organic films in organic thin film devices

Номер патента: CA2573593A1. Автор: PING Wang,Chuan-Fan Ding. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Organic thin-film transistor and method for producing organic thin-film transistor

Номер патента: EP3920238A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12052909B2. Автор: Min Woo Kim,Jae Min Shin,Won Sang Park,Jong Ho Hong,Gun Mo Kim,Hye Jin Joo,Seung Bae Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

Method of making an organic thin film transistor, and article made by the method

Номер патента: CA2160394C. Автор: Ananth Dodabalapur,Howard Edan Katz,Luisa Torsi. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1999-04-13.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Manufacturing method for igzo active layer and oxide thin film transistor

Номер патента: US20190305116A1. Автор: Wei Wu,Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Thin-film transistor substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus employing the thin-film transistor substrate

Номер патента: US20230395728A1. Автор: Dongmin LEE,Jongjun Baek,Jongoh Seo,JangHyun KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming a polysilicon film, thin film transistor including a polysilicon film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139919A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device

Номер патента: EP3588596A1. Автор: Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Joo Young Kim,Byong Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-01.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230268120A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Aluminum alloy film, method of producing the same, and thin film transistor

Номер патента: US11935936B2. Автор: Ryouta Nakamura,Yasuhiko Akamatsu,Tomohiro Nagata,Junichi Nitta,Motoshi Kobayashi,Yasuo Nakadai,Yuusuke UJIHARA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: US11980083B2. Автор: Seung-Ha Choi,Kap Soo Yoon,Keum Hee LEE,Woo Geun Lee,Jiyun HONG,Joongeol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US11682680B2. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-06-20.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US20220208807A1. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of depositing layers of a thin-film transistor on a substrate and sputter deposition apparatus

Номер патента: US20240102152A1. Автор: Jung Bae Kim,Marcus Bender,Jürgen Grillmayer,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI,Rodney Shunleong LIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Multi-layer wiring, method of manufacturing the same and thin film transistor having the same

Номер патента: US20060113670A1. Автор: Je-Hun Lee,Chang-Oh Jeong,Yang-Ho Bae,Beom-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: EP4122001A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-01-25.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: WO2021187982A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-23.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US11763989B2. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of preparing metal chalcogenide nanoparticles and method of producing light absorption layer thin film based thereon

Номер патента: US20190259889A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200321213A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: WO2007117909A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Thin film comprising zinc and nitrogen method of fabricating the same, and thin film transistor comprising the same

Номер патента: KR102071768B1. Автор: 박진성,이현모,정현준,옥경철. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-01-31.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230335579A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200295154A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of controlling structural quality of thin films for light-absorbing solar cell layers and device for its implementation

Номер патента: RU2631237C2. Автор: Вячеслав Николаевич Павловский,Илья Евгеньевич Свитенков,Евгений Викторович Луценко,Геннадий Петрович Яблонский,Александр Викторович Мудрый,Вадим Дмитриевич Живулько,Ольга Николаевна Бородавченко,Михаил Васильевич Якушев. Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению". Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20210043452A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11869768B2. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing pzt-based ferroelectric thin film

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method of production of zinc oxide thin film using the solution

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of forming improved interfaces and thin film by using high-density radical

Номер патента: US20240177989A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US20210110975A1. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of forming colloidal nanocrystal-based thin film devices

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Aaron T. Fafarman,Cherie R. Kagan,Christopher B. Murray,Yuming LAI,Sung-Hoon Hong,Sangameshwar Rao Saudari,Soong Ju Oh,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi,Weon-kyu Koh. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

Method of production of cis-based thin film solar cell

Номер патента: US20120258562A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yoshiyuki Chiba,Hideki Hakuma,Tetsuya Aramoto. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2012-10-11.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US20230172067A1. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods of making pn CdTe/CdS thin film solar cells

Номер патента: US5304499A. Автор: Karlheinz Jager,Beate Henrichs,Hilmar Richter,Dieter Bonnet. Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1994-04-19.

A method of manufacturing solar cells, particularly thin film solar cells, and solar cells obtained by using such a method

Номер патента: WO1999010932A1. Автор: Petrus Joseph Cornelis Van Der Vleuten. Владелец: Free Energy Europe B.V.. Дата публикации: 1999-03-04.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200350165A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Mao Minoura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11342178B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11881399B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers

Номер патента: US4876219A. Автор: Fumitake Mieno,Takuya Watanabe,Yuji Furumura,Takashi Eshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US6624010B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Flexible substrate, manufacturing method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US20210143234A1. Автор: Chao Kong,Zhaowei YU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Manufacturing method and structure of thin film transistor backplane

Номер патента: US20160240599A1. Автор: Longqiang Shi,Hejing ZHANG,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

Organic electro-luminescence display device and manufacturing method of an organic electro-luminescence display device

Номер патента: US20180294445A1. Автор: Toshihiko Itoga,Hiroki NAKAIE. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Display panel and manufacturing method of display panel and electronic device

Номер патента: US20210098739A1. Автор: Seungkyu Choi,Wenjing Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device including semiconductor circuit made from semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100038651A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Mask plate and manufacturing method thereof, and manufacturing method of organic light emitting diode display

Номер патента: US20180375027A1. Автор: Xiaochuan Chen,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US20210143316A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US11895920B2. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method and system for patterning material in a thin film device

Номер патента: US20050148196A1. Автор: Thomas Anthony,Manish Sharma,Hoon Lee. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: US11856858B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of etching or depositing a thin film

Номер патента: EP4367707A1. Автор: Andrew Newton,Matthew LOVEDAY,Sean Cho,Andrew GOODYEAR. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of manufacturing an oxide superconductor thin film

Номер патента: EP0567159A1. Автор: Kiyoshi c/o Superconductivity Res. Lab. Yamamoto,Nobuyuki c/o Superconductivity Res. Lab. Sugii,Koichi c/o Superconductivity Res. Lab. Kubo,Michiharu c/o Superconductivity Res.Lab Ichikawa,Hisao c/o Superconductivity Res.Lab Yamauchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-27.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US20240164216A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US11864463B2. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Compound for organic thin film transistor and organic thin film transistor using the same

Номер патента: US20110220883A1. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Saito,Hiroaki Nakamura. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: EP3846231A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US12063864B2. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor

Номер патента: EP2006931A2. Автор: Masatoshi Saito,Hiroaki Nakamura,Tetsuo Tsutsui,Takeshi Yasuda. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2008-12-24.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200411567A1. Автор: Chuanbao LUO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8889496B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US20170077307A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180033981A1. Автор: Liu Zhe. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-02-01.

Electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200006404A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Display panel with color organic light-transmissive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US11937482B2. Автор: WENXU Xianyu,Wenliang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230157118A1. Автор: WENXU Xianyu,Wenliang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semi Conductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US9166059B2. Автор: Won Seok Kim,Pil Seok KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240188370A1. Автор: WENXU Xianyu,Wenliang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing large-sized thin film transistor liquid crystal display panel

Номер патента: US5472889A. Автор: Dong G. Kim,Chul S. Park,Sin C. Park,Hyung M. Park,Gyeong L. Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-12-05.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TW200403861A. Автор: Yoshio Kurosawa,Kazushige Hotta. Владелец: Fujitsu Display Tech. Дата публикации: 2004-03-01.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and thin film transistor

Номер патента: US9653608B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898A3. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Electronic device including thin-film transistor and manufacturing method thereof (Manufacturing of electronic devices comprising thin-film transistors)

Номер патента: KR960702949A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-05-23.

Method of manufacturing epitaxy oxide thin film, and epitaxy oxide thin film of enhanced crystalline quality manufactured thereby

Номер патента: US20230145077A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Jung Ho Yoon,Seong Keun Kim,Ji-Soo Jang,Hyung-Jin Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Sung Hoon HUR,Seung Hyub BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-11.

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL

Номер патента: US20150049276A1. Автор: Kim Bo Sung,Choi Tae-Young,Park Jae Woo,Lee Young-Wook,BYEON Hee Jun,CHOI MOON-KEUN. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-19.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device having the thin film transistor

Номер патента: TWI623045B. Автор: Eiji Takahashi,Yukiharu Uraoka,Haruka Yamazaki,Mami Fujii. Владелец: National Univ Corporation Nara Institute Of Science And Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor (TFT), its manufacturing method and the display device including the thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN110034191A. Автор: 卢智龙,白朱爀,尹弼相,张宰满. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

Thin-film transistor, manufacturing method therefor, and electronic device using a thin-film transistor

Номер патента: US8436355B2. Автор: Kazunori Komori,Takaaki Ukeda,Sadayoshi Hotta,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Thin Film, Thin Film Transistor, Manufacturing Method Thereof and Device for Manufacturing Semiconductor Thin Film

Номер патента: KR100915160B1. Автор: 토루 타케구치,신스케 유라. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-09-03.

Thin-film transistor, manufacturing method therefor, and electronic device using a thin-film transistor

Номер патента: US20100320467A1. Автор: Kazunori Komori,Takaaki Ukeda,Sadayoshi Hotta,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND ARRAY SUBSTRATE INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140312349A1. Автор: Jiang Chunsheng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-23.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display substrate using the thin film transistor

Номер патента: KR101600879B1. Автор: 윤필상,이우근,이영욱. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2016-03-09.

MANUFACTURING METHOD OF POLYSILICON LAYER, AND POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Wang Zuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Etchant for wire, method of manufacturing wire using etchant, thin film transistor array panel including wire and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200403743A. Автор: Hong-Sick Park,Sung-Chul Kang,Hong-Je Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-01.

Manufacturing method of metal mesh, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047863A1. Автор: Feng Wang,Jian Zhou,Feng Qu,YuJu CHEN. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203387A1. Автор: I-hun Song,Chang-Jung Kim,Dong-hun Kang,Young-soo Park,Stefanovich Genrikh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070141767A1. Автор: Byoung-Keon Park,Keun-soo Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Manufacturing method of indium gallium zinc oxide thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: CN110438472B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US20230387313A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US11923459B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Display panel and rework method of gate insulating layer of thin film transistor

Номер патента: TW201113955A. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsu Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-16.

Selective dissolution of thin film layers in series interconnection of thin film photovoltaic modules

Номер патента: WO2024151518A1. Автор: John Devin Mackenzie,William Heins,Tanka RANA. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of analyzing strain of thin film by using stc method

Номер патента: US20210372869A1. Автор: Wonjae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: EP1872389A1. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: WO2006110871A8. Автор: Philipp Steinmann,Eric W Beach. Владелец: Eric W Beach. Дата публикации: 2007-04-12.

METHOD OF MAKING AN ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20170092859A1. Автор: JURCHESCU Oana Diana,DIEMER Peter James. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Method of making an organic thin film transistor, and article made by the method

Номер патента: EP0716458A2. Автор: Ananth Dodabalapur,Howard E. Katz,Luisa Torsi. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-06-12.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

METHOD OF MAKING AN ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180159036A1. Автор: JURCHESCU Oana Diana,DIEMER Peter James. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Thin film transistor, method of manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: KR101540127B1. Автор: 후미히코 모치즈키,유키 나라,겐이치 우메다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-28.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Lead salt thin films, devices, and methods of manufacture

Номер патента: US20230087030A1. Автор: Binbin Weng. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2023-03-23.

Method of forming low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TW200501425A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-01.

a manufacturing method of a photo-mask for thin film transistor panels

Номер патента: KR100601174B1. Автор: 김동규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

Manufacturing method of coplanar oxide semiconductor TFT (Thin Film Transistor) substrate

Номер патента: CN104112711B. Автор: 曾志远,李文辉,张合静,苏智昱,吕晓文,石龙强,胡宇彤. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-03.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods of filling a set of interstitial spaces of a nanoparticle thin film with a dielectric material

Номер патента: WO2008073767A2. Автор: Maxim Kelman,Pingrong Yu,David Jurbergs,Francesco Lemmi,Homer Antoniadis,Elena V. Rogojina. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200358040A1. Автор: CHOI Seung-Ha,LEE Woo Geun,YOON Kap Soo,Kim Joongeol,Hong Jiyun,LEE Keum Hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: KR20200130778A. Автор: 최승하,이우근,윤갑수,홍지윤,김준걸,이금희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-20.

Mask and manufacture method thereof and make the method for thin-film transistor with it

Номер патента: CN1761033A. Автор: 金东范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-19.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210013435A1. Автор: Kim Joo Young,PARK Jeong II,JUNG Jiyoung,SONG Byong Gwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method for igzo active layer and oxide thin film transistor

Номер патента: US20190305116A1. Автор: Wei Wu,Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Manufacturing method for low-temperature poly-silicon TFT (thin film transistor) array substrate and structure thereof

Номер патента: CN105552035A. Автор: 赵瑜,张占东. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Manufacturing method for LTPS (low temperature poly-silicon) thin film transistor

Номер патента: CN105489499A. Автор: 张占东. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TWI315103B. Автор: Hotta Kazushige,Kurosawa Yoshio. Владелец: Sharp Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Organic el material-containing solution, method for synthesizing organic el material, compound synthesized by the synthesizing method, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device

Номер патента: WO2008056652A1. Автор: Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Solution containing organic el material, method for synthesis of organic el material, compound synthesized by the synthesis method, method for formation of thin film of organic el material, thin film of organic el material, organic el element

Номер патента: WO2008081823A1. Автор: Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2008-07-10.

Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for forming thin film of organic electroluminescence material, thin film of organic electroluminescence material and organic electroluminescence device

Номер патента: US20080113101A1. Автор: Chishio Hosokawa,Masakazu Funahashi,Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device

Номер патента: WO2008056722A1. Автор: Chishio Hosokawa,Masakazu Funahashi,Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device

Номер патента: WO2008056723A1. Автор: Chishio Hosokawa,Kiyoshi Ikeda,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Preparing method of large-area perovskite thin film

Номер патента: US10840028B2. Автор: Nam Gyu Park,Dong Nyuk JUNG. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2020-11-17.

MANUFACTURING METHOD OF LOW-k PLASMA POLYMERIZED THIN FILMS AND LOW-k THIN FILMS MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: KR100697669B1. Автор: 이성우,정동근,양재영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for Making Ferroelectric Material Thin Films

Номер патента: US20170236955A1. Автор: Peter K. Davies,Jonathan E. Spanier,Andrew M. Rappe,Ilya Grinberg,Liyan Wu,Andrei R. Akbasheu. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-08-17.

Crystalline semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100384499B1. Автор: 스즈키고지,히라마츠마사토. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-05-22.

Precursor liquid of indium gallium zinc oxide thin film and preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: CN112018191A. Автор: 周航,孙荷静,邱恒达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Fabrication Methods of Patterned Metal Film Layer, Thin Film Transistor and Display Substrate

Номер патента: US20200126809A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Zhang Yang,WANG Dongfang,DING Luke,FANG Jingang,CHENG Leilei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

ALUMINUM ALLOY FILM, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210226028A1. Автор: NAKAMURA Ryouta,Nagata Tomohiro,Nitta Junichi,NAKADAI Yasuo,AKAMATSU Yasuhiko,KOBAYASHI Motoshi,UJIHARA Yuusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Chung Jong Won,Bao Zhenan,Xu Jie,LEE Sangyoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

INK DROPLET VOLUME MEASURING APPARATUS AND INK DROPLET VOLUME MEASURING METHOD USING THE SAME, AND THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS USING THE MEASURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY APPARATUS USING THE THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200395543A1. Автор: Han Jeongwon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Forming method of channel polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: KR100208447B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Preparation method of patterned metal film layer, thin film transistor and display substrate

Номер патента: CN109378271B. Автор: 刘军,李伟,王东方,张扬,方金钢,丁录科,程磊磊. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: AU2003269049A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-02.

Preparation method of graphene conductive film and thin film transistor

Номер патента: CN110323270B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: CN100480420C. Автор: 郑宽旭,梁成勋,洪完植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-22.

Polysilicon thin film, method of fabricating the same and thin film transistor non-dependancy on active channel direction

Номер патента: KR100534579B1. Автор: 박지용,박혜향. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2005-12-07.

The preparation method of low-temperature polysilicon film, thin-film transistor and display unit

Номер патента: CN103489788B. Автор: 王磊,田雪雁,任章淳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films by changing the shape, size, or laser beam

Номер патента: TW200939481A. Автор: James S Im. Владелец: Univ Columbia. Дата публикации: 2009-09-16.

Manufacturing method for electronic member having metal chalcogenide thin film and electronic device including electronic member having metal chalcogenide thin film manufactured by the same

Номер патента: KR20190095003A. Автор: 박성규,김명길. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-08-14.

APPARATUS FOR AND METHOD OF CRYSTALLIZING ACTIVE LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150348782A1. Автор: Ahn Sang-hoon,CHEONG Byoung-Ho,CHO Joo-Woan,CHOO Byoung-Kwon,Cho Hyun-Jin,HAN Soo-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

A kind of preparation method of IGZO active layers, oxide thin film transistor

Номер патента: CN108461391A. Автор: 吴伟,武岳. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

A kind of preparation method of p-type metal oxide thin-film transistor

Номер патента: CN106952828A. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱慧慧,孟优. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD OF FORMING METAL WIRE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL USING THE SAME

Номер патента: US20140024206A1. Автор: PARK Hong-Sick,Kim Sang-tae,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,JIN Young-Jun,LEE Joon-Woo,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,JANG Sang-Hoon,LEE Wang Woo,KUK In Seol,SHIM Keyong Bo,YOON Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

ETCHANT, METHOD OF MANUFACTURING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE ETCHANT

Номер патента: US20150004758A1. Автор: PARK Hong-Sick,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,YOON Young-Jin,Kuk In-Seol,Nam Gi-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD OF FABRICATING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160035765A1. Автор: Jeong Yu-Gwang,BAE Su-Bin,YOON SEUNG-HO. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Etchant composition and methods of fabricating metal wiring and thin film transistor substrate using the same

Номер патента: US20150087148A1. Автор: Won-Guk SEO,Sam-Young Cho,Seung-Yeon HAN,Gyu-Po Kim,Hyun-Cheol Shin,Ki-Beom Lee,Jong-Hyun Choung,Hongsick PARK,Youngmin Moon,In-Bae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A BARRIER LAYER DEPOSITED BY THE ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20140239295A1. Автор: YOON Sang-Won,Park Jae-Woo,Kim Do-Hyun,KIM Dong-Jo,Lee Yong-Jin,JEON WOO-SEOK,LEE Yoon-Gyu,Park Ju-Ok,Sohn In-Sung,Lee Gun-Hyo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD OF MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150221496A1. Автор: TAI Chien-Pang,HUANG Jun-Yao,PENG Yu-Chin,HUANG Ke-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD OF FORMING METAL WIRE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL USING THE SAME

Номер патента: US20150259598A1. Автор: PARK Hong-Sick,Kim Sang-tae,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,JIN Young-Jun,LEE Joon-Woo,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,JANG Sang-Hoon,LEE Wang Woo,KUK In Seol,SHIM Keyong Bo,YOON Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES COMPRISING THIN FILM TRANSISTORS INCLUDING OXIDE SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Torek Kevin J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Etchant and method of fabricating metal wiring and thin film transistor using the same

Номер патента: KR100415617B1. Автор: 조규철,채기성,황용섭. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-01-24.

Method of forming top gate type Thin Film Transistor substrate

Номер патента: KR100697262B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of forming top gate type Thin Film Transistor

Номер патента: KR100697263B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-21.

The preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN107293493A. Автор: 李松杉. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR20130047331A. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2013-05-08.

Method of manufacturing an amorphous silicon thin film transistor

Номер патента: KR910009039B1. Автор: 요시아끼 와다나베,사까에 다나까. Владелец: 요꼬야마 유우이찌. Дата публикации: 1991-10-28.

Etchant composition, and method of fabricating metal pattern and thin film transistor array panel using the same

Номер патента: US7968000B2. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Sun-Young Hong,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Ky-Sub Kim,Seung-Yong Lee,Young-Joo Choi,Nam-Seok Suh,Joon-Woo Lee,Young-Chul Park,Young-Jun JIN,Seung-Jae YANG,Hyun-Kyu Lee,Sang-Hoon JANG,Min-Ki LIM. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-28.

Method of maufacturing amorphous ZnO based Thin Film Transistor

Номер патента: KR101345377B1. Автор: 김창정,박영수,강동훈,송이헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of manufacturing a dual-gate thin film transistor

Номер патента: US9825176B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication methods of low-temperature CMOS polycrystalline thin film transistor

Номер патента: KR101500866B1. Автор: 장성근. Владелец: 청운대학교 인천캠퍼스 산학협력단. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of manufacturing an amphorous-silicon thin film transistor

Номер патента: KR910009040B1. Автор: 요시아끼 와다나베,사까에 다나까. Владелец: 요꼬야마 유우이찌. Дата публикации: 1991-10-28.

Preparation method of flat blocking type TFT (thin film transistor) anodized aluminum insulating layer

Номер патента: CN108505051B. Автор: 陈文彬,陈赞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-12-10.

Method of fabricating low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US20050059191A1. Автор: Hui-Chu Lin. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of forming Polycrystalline Silicon type Thin Film Transistor

Номер патента: KR100737910B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of manufacturing electronic device including thin film transistor

Номер патента: JPH11514152A. Автор: ナイジェル デヴィッド ヤング. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1999-11-30.

Fabrication method of low-temperature poly-silicon thin film transistor and product

Номер патента: CN105789052A. Автор: 段志勇,周茂清,魏朝刚. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin film transistor

Номер патента: GB8829344D0. Автор: . Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1989-02-01.

Method of fabricating nanoenergetic meterials and thin film transistor using metal-oxide nanowire

Номер патента: KR101102143B1. Автор: 김도경,김현재,배중현. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-01-02.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858257B1. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Method of fabricating an entirely selfaligned thin film transistor using a laser

Номер патента: KR100200350B1. Автор: 박운용,최시원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898B1. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-05-13.

Thin film capacitor, manufacturing method thereof, and electronic circuit board including thin film capacitor

Номер патента: KR20220116559A. Автор: 켄이치 요시다,유키 야마시타,요시히코 야노,다이키 이시이. Владелец: 티디케이가부시기가이샤. Дата публикации: 2022-08-23.

Plugged pinhole thin film and method of making same

Номер патента: CA1165016A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Monosolar Inc. Дата публикации: 1984-04-03.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230260697A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Manufacturing method of BI layer structure ferroelectric thin film

Номер патента: KR100295870B1. Автор: 마사미치 마츠모토,유코 호치도,히데키미 가도쿠라,고지 아리타,마사미치 아즈마,다츠오 오츠키. Владелец: 호치도 요코. Дата публикации: 2001-10-24.

Manufacturing method of semiconductor sebstrate having flat thin film

Номер патента: KR950011015B1. Автор: 강진영,정귀상,안근영. Владелец: 재단법인한국전자통신연구소. Дата публикации: 1995-09-27.

Manufacturing method of the see-through type thin film solar cell

Номер патента: KR102383037B1. Автор: 김원목,박종극,정증현,유형근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2022-04-06.

manufacturing method of low-k plasma polymerized thin films and semiconductor devices using them

Номер патента: KR100371691B1. Автор: 정동근. Владелец: 정동근. Дата публикации: 2003-02-06.

Manufacturing method of self-organized nano-structured thin films by using agglomeration phenomenon

Номер патента: KR101174321B1. Автор: 정우 구,재근 하,마사오 가미코,재민 김. Владелец: 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20160005774A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Flexible transparent thin film

Номер патента: US20180291498A1. Автор: Bin Zhang,Kwok Keung Paul Ho,Chien Chung,Chung Pui Chan,Wing Hong Choi,Lai Fan LAI,Chun Pong Lee. Владелец: New Asia Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of forming carbon-containing thin film and method of manufacturing semiconductor device by using the method

Номер патента: US20150130027A1. Автор: Se Jun Park,Dohyung Kim,Jaihyung Won,Ho Jun Kim,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20170005133A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Methods of solid phase recrystallization of thin film using pulse train annealing method

Номер патента: TW201112314A. Автор: Stephen Moffatt,Aaron Muir Hunter,Bruce E Adams. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US11827650B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US20200339617A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: US20100330785A1. Автор: Byoung-Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: US8017507B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

An integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: WO2015022109A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US10043869B2. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US20200006660A1. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing quantum-dot thin film, quantum-dot substrate, and display panel

Номер патента: US20230407512A1. Автор: Lixuan Chen,Jinyang ZHAO,Zhiqing Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US20170221997A1. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US10726966B2. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-07-28.

Ultrafast formation and transfer of organic and inorganic thin-films utilizing spontaneous spreading effect

Номер патента: KR101687491B1. Автор: 이정용,정선주,노종현. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2016-12-16.

Manufacturing Method and Usage of Crystallized Metal Oxide Thin Film

Номер патента: US20080035898A1. Автор: Akio Watanabe,Tetsuo Tsuchiya,Toshiya Kumagai,Tomohiko Nakajima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for forming region-selective thin film using selectivating agent

Номер патента: US20230366080A1. Автор: Ha Na Kim,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming and transferring thin film using soi wafer and heat treatment process

Номер патента: US20210005457A1. Автор: Chang Hwan Choi,Yu Rim JEON,Hoon Hee HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods of manufacturing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US20050241931A1. Автор: Byung Ahn,Ji Eom. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-11-03.

Area-selective emthod for forming thin film by using nuclear growth retardation

Номер патента: US20240068091A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Ji Yeon Han,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: AU2416784A. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1984-08-02.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: WO1984002804A1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals. Дата публикации: 1984-07-19.

Low leakage thin film capacitors using titanium oxide dielectric with conducting noble metal oxide electrodes

Номер патента: US20220102483A1. Автор: Henning Braunisch,Kaan OGUZ,Aleksandar Aleksov,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart,I-Cheng Tung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Magnetoresistive thin film magnetic element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head including the magnetoresistive thin film magnetic element

Номер патента: JP3607850B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

thin film deposition composition containing germanium derivative, the germanium-containing thin film prepared by using the same and the method of producing a germanium-containing thin film using the same

Номер патента: KR101745344B1. Автор: 이상익,김명운,이강용,전상용,장홍석,김민성,신형수,김도연,석장현. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin-film type solar cell and method of manufacturing the same, and thin-film type solar cell module and power generation system using the thin-film type solar cell

Номер патента: DE102009058794A1. Автор: Chang Kyun Seongnam-si Park,Hyung Dong Yongin-si Kang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of fabricating see-through thin film solar cell

Номер патента: US20210135041A1. Автор: Won Mok Kim,Jong Keuk PARK,Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for annealing a thin film photovoltaic cell device

Номер патента: US20150340544A1. Автор: Simon Hänni,Laura Ding. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Buffer layer of CIGS (copper indium gallium selenide) thin-film solar cell chip, preparation method of buffer layer and CIGS thin-film solar cell chip

Номер патента: CN110752266A. Автор: 刘闯,曲铭浩,黄昭雄,蔡爱玲,汝小宁,蒋宗佑,袁渝. Владелец: Lingfan New Energy Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

Номер патента: KR101559102B1. Автор: 강진규,양기정,심준형,손대호. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2015-10-13.

Method of forming ohmic contacts

Номер патента: CA1208372A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Sohio Commercial Development Co. Дата публикации: 1986-07-22.

Method of manufacturing high density CIS thin film for solar cell and method of manufacturing thin film solar cell using the same

Номер патента: US8569102B2. Автор: Ki-Bong Song,Ara Cho,Se-Jin Ahn,Jae-Ho Yun,Ji-hye Gwak,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,Seoung-Kyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2013-10-29.

Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions

Номер патента: US20080022897A1. Автор: Klaus Kunze,James Cleeves,Vladimir Dioumaev,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Cleeves James M. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming a microcrystalline silicon thin film and method of fabricating a thin-film silicon solar cell using the same

Номер патента: KR100387982B1. Автор: 이창현,임굉수. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2003-06-18.

METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE AND MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Yamamoto Hiroyuki,KUSUNOKI Toshiaki,SUGANO Ryoko. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2018-03-08.

HIGH PURITY PIEZOELECTRIC THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING ELEMENT USING SAME THIN FILM

Номер патента: US20220149802A1. Автор: An Sang Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHODS OF FORMING DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA MOCVD AND RELATED DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS

Номер патента: US20200111949A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.,Geiss Arthur E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20150155475A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20160339702A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: KR100385194B1. Автор: 사또요시미,가와까미아쯔시,다께우찌요시유끼. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-05-27.

Preparation method of ci(g)s-based thin film with decreased carbon layers, ci(g)s-based thin film prepared by the same, and solar cell including the same

Номер патента: KR101388451B1. Автор: 조아라,박주형,박상현,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of transferring layer-by-layer thin films using adhesion difference, and photoreflective transferred thin film manufactured by the same

Номер патента: KR102181145B1. Автор: 정아름,염봉준,하나리. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-20.

Preparation method of a(c)igs-based thin film using core(se)-shell(ag2se) nanoparticles, a(c)igs-based thin film prepared by the same, and tandem solar cell containing the same

Номер патента: KR101352861B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-18.

Thin film type Solar Cell and method of manufacturing the smae, and Thin film type solar cell module and Power generation system using the same

Номер патента: KR101031246B1. Автор: 박창균,강형동. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-04-29.

Insulating material, substrate covered with an insulating film, method of producing the same, and thin-film device

Номер патента: KR100378276B1. Автор: 기지마다께시,마쯔나가히로노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-29.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: US20060144293A1. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,Yoshimi Sato. Владелец: Yoshimi Sato. Дата публикации: 2006-07-06.

Boron-doped polycrystalline silicon thin film with high piezoresistance characteristics and preparation method of boron-doped polycrystalline silicon thin film

Номер патента: CN105140105A. Автор: 王宙,董桂馥,付传起,雍帆,骆旭梁. Владелец: Dalian University. Дата публикации: 2015-12-09.

Improved method of producing two or more thin-film-based interconnected photovoltaic cells

Номер патента: KR20140105522A. Автор: 레베카 케이 파이스트,마이클 이 밀스. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2014-09-01.

Radiation-Emitting Thin-Film Semiconductor Chip and Method of Producing a Radiation-Emitting Thin Film Semiconductor Chip

Номер патента: US20110121322A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-26.

Method of fabricating ZnS(O,OH) thin film and thin film solar cell using the same

Номер патента: KR101575658B1. Автор: 이홍기,전호영,유성구,류시옥. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-08.

CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20030054638A1. Автор: Masayuki Saito,Junichi Taniuchi,Hiroaki Suzuki,Koji Okamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-03-20.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHODS OF FORMING GROUP III PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA REMOVAL OF PORTIONS OF FIRST SPUTTERED MATERIAL

Номер патента: US20220352456A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

A kind of preparation method of CZTSSe absorption layer of thin film solar cell

Номер патента: CN105470113B. Автор: 张超,王赫,杨立,徐睿,乔在祥,赵彦民,杨亦桐,邓朝文. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2018-07-10.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CA1177582A. Автор: Michael J. Lee. Владелец: National Research Development Corp of India. Дата публикации: 1984-11-06.

CHALCOGENIDE-CONTAINING PRECURSORS, METHODS OF MAKING, AND METHODS OF USING THE SAME FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Gatineau Julien,ISHII Hana,Minoura Mao. Владелец: L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

DIALKYLZINC PARTIAL HYDROLYSATE-CONTAINING SOLUTION AND METHOD OF PRODUCTION OF ZINC OXIDE THIN FILM USING THE SOLUTION

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Naka Toshio,Toyota Kouji,Inaba Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Organic display panel, organic display device, organic light emitting device, method of manufacture of these, and thin film formation method

Номер патента: US20140312336A1. Автор: Yuuki Abe,Kenichi NENDAI,Naoko Mizusaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20190259889A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20170288075A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6235649B1. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6448191B2. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-10.

Method of making an array of thin film photodiodes

Номер патента: DE19838373C2. Автор: Reinhold Buchner,Melanie Sax. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-01-31.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110571155B. Автор: 陈明,钟国华,杨兵,李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,罗海林,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-12.

METHOD OF ISOLATING PATTERNS FORMED IN THIN FILM OF OXYDABLE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2879020B1. Автор: Maud Vinet,Jean Charles Barbe,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-04.

Method of fabricating Micropatterns of Platinum Thin Films by Fluoride-Based Inductively Coupled Plasma Eching

Номер патента: KR101574250B1. Автор: 김남영,왕종,요소,이양. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-04.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110957393B. Автор: 李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-19.

A composition for oxide semiconductor, preparation methods thereof, methods of forming the oxide semiconductor thin film, methods of fomring an electrical device and an electrical device formed thereby

Номер патента: KR101415748B1. Автор: 김현재,김동림,임현수,임유승. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same comprising thin film containing low concentration of hydrogen

Номер патента: US7045818B2. Автор: Tsutomu Yamada,Shiro Nakanishi,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda,Kyoko Hirai,Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: US20070235876A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of heterogeneous growth of SiC thin film on silicon substrate

Номер патента: TW201015621A. Автор: Jian-Cheng Chen,Wei-You Chen,zhi-fang Huang,Zhen-Chang Huang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-04-16.

Method of Making Metal/Semiconductor Compound Thin Film

Номер патента: US20140011355A1. Автор: ZHANG Wei,Wu Dongping,Zhu Zhiwei,Zhang Shili. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering

Номер патента: US20200013948A1. Автор: SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD OF FORMING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20210020438A1. Автор: PARK Taejin,SHIN Hyeonjin,BYUN Kyung-eun,KIM Hyoungsub,KIM Hoijoon,AHN Wonsik,LEEM Mirine,CHO Yeonchoo. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD OF MANUFACTURING TRANSITION METAL CHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20160035568A1. Автор: Han Won Seok,CHUNG Yong-Duck,Lee Woo Jung,CHO Daehyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD OF FORMING TIN OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150064839A1. Автор: Mo Yeon-gon,KIM HYUN-JAE,Choi Chaun-Gi,LIM Hyun-Soo,KIM Si-Joon,JUNG Tae-Soo,RIM You-Seung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20210074831A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140256085A1. Автор: LEE Sang-Yoon,Bao Zhenan,GIRI Gaurav,MANNSFELD Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

ELECTRIC OUTPUT PROMOTING AND FABRICATING METHOD OF PIEZOELECTRIC/CONDUCTIVE HYBRID POLYMER THIN FILM

Номер патента: US20150188032A1. Автор: Hong Chien-Chong,LIOU Tong-Miin,Lin Kai-Lun. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2015-07-02.

PHOTORESIST STRIPPING APPARATUS, AND METHODS OF STRIPPING PHOTORESIST AND FORMING THIN FILM PATTERN USING THE SAME

Номер патента: US20180203360A1. Автор: Kim Sung Chul,JEONG Beung Hwa,Choung Jong Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Preparation methods of low temperature poly-silicon thin film and transistor and laser crystallization apparatus

Номер патента: US20170207086A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaowei Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140345669A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140360554A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200295154A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHOD OF MAKING A CZTS/SILICON THIN-FILM TANDEM SOLAR CELL

Номер патента: US20160322532A1. Автор: Chaudhari Ashok. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

METHODS OF MODULATING RESIDUAL STRESS IN THIN FILMS

Номер патента: US20160329206A1. Автор: Qian Jun,Kang Hu,LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHODS OF FORMING COLLOIDAL NANOCRYSTAL-BASED THIN FILM DEVICES

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Murray Christopher B.,Hong Sung-Hoon,Kagan Cherie R.,Fafarman Aaron T.,KIM David K.,OH Soong Ju,CHOI JI-HYUK,KOH WEON-KYU,LAI YUMING,SAUDARI SANGAMESHWAR RAO. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200321213A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200350165A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200395469A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: US5932281A. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Yukoh Hochido, deceased,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 1999-08-03.

Method of forming copper interconnections and thin films using chemical vapor deposition with catalyst

Номер патента: KR100465982B1. Автор: 고원용,이지화,박형상. Владелец: 지니텍 주식회사. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of fabricating liquid for oxide thin film

Номер патента: KR100876947B1. Автор: 김경호,김현재,신현수,김건희,정태훈,최윤정,박원준,이가영. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of manufacturing mask assembly for thin film deposition

Номер патента: KR102072679B1. Автор: 이상신,고정우,강택교. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-02-04.

High speed deposition method of amorphous and crystalline sige thin film by reactive atmospheric pressure chemical vapor deposition

Номер патента: KR101177057B1. Автор: 이석호,박주영,임철현,하나쥰이치,야스타케키요시,히로아키 카키우치. Владелец: 재단법인 서남권청정에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-08-24.

Method of fabricating an impurity-doped thin film

Номер патента: KR100266006B1. Автор: 양정식. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of manufacturing multi-crystallized silicon thin film

Номер патента: KR100270618B1. Автор: 이재원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of fabricating liquid for oxide thin film

Номер патента: US9353433B2. Автор: Kyung Ho Kim,Hyun Jae Kim,Gun Hee Kim,Tae Hoon Jeong,Hyun Soo Shin,Won Jun Park,Yun Jung Choi,Ka Young Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of forming preferentially oriented platinum thin film using oxygen and device manufactured by the method

Номер патента: JP2974006B2. Автор: 朴東衍,李東洙,禹賢廷,全東一,尹義▲俊▼. Владелец: TOYO SEMENTO KK. Дата публикации: 1999-11-08.

Method of depositing transition metal nitride thin films

Номер патента: EP1242647B1. Автор: Kai-Erik Elers,Suvi Päivikki HAUKKA,Ville Antero Saanila,Sari Johanna Kaipio,Pekka Juha Soininen. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-08-13.

Method of manufacturing multi-level metal thin film and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: KR101334221B1. Автор: 박영훈,이정욱. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2013-11-29.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: CA2205189A1. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki,Yukoh Hochido (Deceased). Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 1997-11-14.

Method of fabricating CIS or CIGS thin film

Номер патента: US8647394B2. Автор: Jeong-Dae Suh,Myung-Ae Chung,Ki-Bong Song,Jung-Min CHO,Eun-Jin Bae. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-11.

Substrate, method of manufacturing the same, and thin film structure

Номер патента: JPWO2003012853A1. Автор: 牧夫 堀川,美香 奥村,清志 石橋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film resistor

Номер патента: JP2932940B2. Автор: 幹昌 鈴木,眞喜男 飯田,大川　　誠. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-08-09.

Method of manufacturing a Silicon-based thin-film-photoelectric conversion device

Номер патента: EP1524703B1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Katsuhiko Nomoto,Yusuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of forming at least one thin film device

Номер патента: US7202179B2. Автор: Ping Mei,Carl P. Taussig,Han-Jun Kim. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of manufacturing semiconductor single crystal thin film

Номер патента: KR19990087419A. Автор: 히토시 하부카. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-12-27.

Crystallization method of polycrystalline for Amorphous silicon thin film

Номер патента: KR101493600B1. Автор: 임재원,유영동,장명식. Владелец: 주식회사 에프에스티. Дата публикации: 2015-02-13.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: US20090029502A1. Автор: Soo Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Apparatus for plasma activated vapour deposition and method of making multi-junction silicon thin-film modules and solar cell panels

Номер патента: RU2454751C1. Автор: Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА,Мохд АСЛАМИ. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of forming silicon-contained crystal thin film

Номер патента: US20010019877A1. Автор: Kiyoshi Ogata,Koji Miyake. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of making a CZTS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US10062792B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-08-28.

Preparation method of triggering agent used for thin-film battery texturing technology

Номер патента: CN105633179A. Автор: 钱根来. Владелец: Wuxi Yichen Mould Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of producing at least one thin-film field-effect transistor , and transistor obtained

Номер патента: DE3568669D1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-04-13.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: SG55315A1. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki,Yukoh Hochido. Владелец: Kojundo Chemical Lab Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-21.

Method of forming a aluminum oxide thin film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356473B1. Автор: 김경민,유용식,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of fabricating a multi-layered thin film by using photolysis chemical vapor deposition

Номер патента: US7081418B2. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-25.

Rapid Deposition and Substrate Cleaning Apparatus and Method of High-Quality Amorphous Silicon Thin Films for TFT-LCD Using Pulsed ECR Plasma

Номер патента: KR970060411A. Автор: 박상국,이주현,정동근,심천만,박성,이강렬. Владелец: 박성. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: EP0137043B1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1992-04-01.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: TW200908363A. Автор: Soo-Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US20030113958A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via sputtering

Номер патента: US20220344576A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of fabricating a poly-silicon thin film

Номер патента: TW200722560A. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Jia-Xing Lin. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-06-16.

A method of manufacturing solar cells, particularly thin film solar cells, and solar cells obtained by using such method

Номер патента: AU8889498A. Автор: Petrus Joseph Cornelis Van Der Vleuten. Владелец: Free Energy Europ Bv. Дата публикации: 1999-03-16.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US11004659B2. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-11.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US20190122862A1. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-04-25.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: EP1653494A3. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-22.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: US20060087716A1. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of synthesizing conductive polymer and method of fabricating conductive polymer thin film

Номер патента: EP4015560A1. Автор: Yong Hyun Kim,Joo Won Han. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2022-06-22.

Transparent conductive element, manufacturing method therefor, input apparatus, electronic device, and thin-film patterning method

Номер патента: CN104054139A. Автор: 福田智男,井上纯一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Solid-state thin film capacitor

Номер патента: WO2011011736A2. Автор: Hooman Hafezi. Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Fabrication of nanostructured palladium thin film for electrochemical detection of hydrazine

Номер патента: US20200274135A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-08-27.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US20160086721A1. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US11705550B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US11677063B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US20220376221A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-24.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US20220367844A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-17.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

A superconducting oxide thin film material, a superconducting oxide thin film wire, and a method of producing an oxide superconductor thin film

Номер патента: DE112017007199T5. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Genki Honda,Takanori Motoki,Jun-Ichi Shimoyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140295197A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Thin film coil and method of forming the same, and thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7319572B2. Автор: Fujimi Kimura,Daisuke Iitsuka. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-01-15.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US11817551B2. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Lei Cheng,Aram Yang,Tim Holme,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20230207868A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20240204245A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

LITHIUM-STUFFED GARNET THIN FILMS AND PELLETS HAVING AN OXYFLUORINATED AND/OR FLUORINATED SURFACE AND METHODS OF MAKING AND USING THE THIN FILMS AND PELLETS

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Holme Tim,Huang Tommy,Cheng Lei,Yang Aram,MEHROTRA Amal,CHAO Cheng-Chieh,DEKMEZIAN Christopher,HO Tiffany. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Method of producing flat panels for display of film transistor or plasma

Номер патента: CN100529168C. Автор: S·克拉斯尼策尔,W·哈尔格,P·格吕宁菲尔德,U·施文德纳,M·施勒格尔. Владелец: Austria Lovell Likang Trade Co Ltd (te Lui Bach). Дата публикации: 2009-08-19.

Method of manufacturing highly conductive polymer thin film including plurality of conductive treatments

Номер патента: US20210054217A1. Автор: Dae Hun Kim,Tae Whan Kim,Na Hyun PARK. Владелец: Industry University Cooperation Founddation Hanyang University. Дата публикации: 2021-02-25.

METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Sakurai Hideaki,Watanabe Toshiaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Lee Joo Young,Yoo Young Zo,Kim Seo Hyun,Yoon Gun Sang,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Myong Woon,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun,PARK Jongse. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD OF MANUFACTURING COIL UNIT IN THIN FILM TYPE FOR COMPACT ACTUATOR

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Kwon Joung Sek. Владелец: EneBrain Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A Crystall ization method of lithium transition metal oxide thin films by plasma treatm ent

Номер патента: KR100341407B1. Автор: 박성철,이호,이재영,강윤선,강용묵. Владелец: 윤덕용. Дата публикации: 2002-06-22.

Crystallization method of lithium transition metal oxide thin film by plasma treatment

Номер патента: JP3486166B2. Автор: ジャイ・ヨン・リー,ヨゥン・ソン・カン,ホ・リー,スン・チュル・パク,ヨン・モーク・カン. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-01-13.

APPARATUS AND METHOD OF USE FOR PLASMA-ASSISTED THIN FILM FORMATION

Номер патента: FR2589168A1. Автор: Jacques Schmitt. Владелец: Solems SA. Дата публикации: 1987-04-30.

NTC thermistor, chip type NTC thermistor, and method of manufacturing temperature-sensitive resistive thin-film element

Номер патента: JP3489000B2. Автор: 賢二良 三原,祐一 高岡. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-19.

Method of fabricating a high frequency thin film coil element

Номер патента: US6298544B1. Автор: Canon Hsu. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Preparation method of novel nano-silver conductive thin film

Номер патента: CN106683790A. Автор: 司荣美,潘中海,刘彩风. Владелец: Tianjin Baoxingwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Composition for organic thin film transistor, organic thin film transistor formed by using the same, and method of forming the organic thin film transistor

Номер патента: KR100975913B1. Автор: 유인규,구재본,김동유,노용영,백강준. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2010-08-13.

Ink droplet volume measuring apparatus and ink droplet volume measuring method using the same, and thin film layer forming apparatus using the measuring apparatus, and manufacturing method of display apparatus using the thin film layer forming apparatus

Номер патента: US20240251648A1. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Organic semiconductor compound, organic thin film including the organic semiconductor compound electronic device including the organic thin film and method of manufacturing the organic thin film

Номер патента: KR20130057951A. Автор: 이방린,박정일,정종원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-06-03.

Organic semiconductor compound, organic thin film including the organic semiconductor compound and electronic device including the organic thin film, and method of manufacturing the organic thin film

Номер патента: US8853347B2. Автор: Jeong Il Park,Bang Lin Lee,Jong Won Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for synthesizing organic electroluminescence material, compound synthesized by the method, method for forming thin film of organic electroluminescence material, thin film of organic electroluminescence material and organic electroluminescence device

Номер патента: US20080210905A1. Автор: Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND USE OF ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: JP5252508B2. Автор: 和男 瀧宮,栄吾 宮碕. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2013-07-31.

Piezoelectric thin film and manufacturing method thereof, piezoelectric element including the piezoelectric thin film, ink jet head using the piezoelectric element, and ink jet recording apparatus including the ink jet head

Номер патента: JP4875827B2. Автор: 伊策 神野,良一 高山,健 鎌田,秀雄 鳥井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Piezoelectric thin film and manufacturing method thereof, piezoelectric element including the piezoelectric thin film, ink jet head using the piezoelectric element, and ink jet recording apparatus including the ink jet head

Номер патента: JPWO2002029129A1. Автор: 神野　伊策,鳥井　秀雄,鎌田　健,高山　良一. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: WO2022232674A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Manufacturing method of high-performance high-frequency thin-film mechanical wave resonator

Номер патента: CN115242214A. Автор: 陈立均,代文亮,赵佳豪,吴浩昱. Владелец: Shanghai Sinbo Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Method of recording electrical signals

Номер патента: GB940096A. Автор: . Владелец: Gretag AG. Дата публикации: 1963-10-23.

Method of forming single-crystalline thin film

Номер патента: US5372089A. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1994-12-13.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: EP3004416A1. Автор: Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-13.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via mocvd and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: WO2020232458A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Luminescent compounds and methods of making and using same

Номер патента: CA2278198C. Автор: Wang Liu,Suning Wang,Abdi Hassan. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of treatment for water repellency, thin film forming method and method of manufacturing organic EL device using this method, organic EL device, and electric device

Номер патента: TW589918B. Автор: Hidekazu Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays

Номер патента: CA2469500A1. Автор: Dave Lovell,Terry Hunt. Владелец: Terry Hunt. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming indium tin oxide thin film including a seed layer and a bulk layer utilizing an optimized sequential sputter deposition

Номер патента: KR100514952B1. Автор: 조준식,고석근,백영환,한영건. Владелец: 주식회사 피앤아이. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays

Номер патента: AU2002347164A1. Автор: Dave Lovell,Hunt Terry. Владелец: iFire Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080173873A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20180083050A1. Автор: Cuili Gai,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Ferroelectric zao(zirconium aluminium oxide) compound, manufacturing method thereof, ferroelectric thin film transistor including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290862A1. Автор: Jin Jang,Islam Md Mobaidul. Владелец: University Industry Cooperation Group Ofkyung Hgee University. Дата публикации: 2024-08-29.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing methods of thin film transistors and manufacturing methods of array substrates

Номер патента: US20180301481A1. Автор: Xiaolong CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of thin film transistor and display array substrate using same

Номер патента: US20150056761A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Wei-Chih Chang,I-Min Lu,I-Wei Wu,Hui-Chu Lin. Владелец: Ye Xin Technology Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Manufacturing method of polysilicon semiconductor layer,thin film transistor and manufacturing method

Номер патента: US20200006524A1. Автор: Ming-Jen Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Array substrate and manufacturing method therefor, flat panel detector, and imaging device

Номер патента: EP3627554A1. Автор: Haibo Guo,Xiaohui Zhu,Huigang JIANG,Jianjian GAO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190140106A1. Автор: Yung-Hui Yeh,Chun-Hung Chu,Hsiao-Chiang Yao,Tai-Jui Wang,Jui-Wen Yang. Владелец: Intellectual Property Innovation Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20160027927A1. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Thin film transistor substrate and display apparatus using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187406A1. Автор: Chi-Che Tsai,Po-Ching Lin,Wei-Yen WU. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US6387738B2. Автор: Hye-dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20210043708A1. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520419B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Thin-film-transistor (tft) array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170148822A1. Автор: Guoren HU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Manufacturing method for array substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US20190371832A1. Автор: Hongyuan Xu,Maoxia ZHU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Manufacturing method of oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150236137A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US11183546B2. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Thin film transistor, display apparatus including the same, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210013281A1. Автор: Jihwan Kim,Dongmin LEE,Byungsoo So,Seunghyun JANG,Jongoh Seo,Jonghoon Choi,Dongsung Lee,Yeonhee Jeon,Byungkyu Son. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

A manufacturing method of a thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US20150349098A1. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof and touch display panel

Номер патента: US20170235396A1. Автор: Qiang Gong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311230A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Thin Film Transistor Sensor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180114931A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20210043658A1. Автор: Zhenli Song. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190229133A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US11728416B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110095300A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Dae-Cheol Kim,Sang-Youn Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Manufacturing method for electronic device

Номер патента: US20200266381A1. Автор: Hiroshi Kita,Yoshiyuki Suzuri,Hideo Taka,Yukihiro MAKISHIMA,Lina YOSHIDA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-08-20.

Photoelectric detector, manufacturing method thereof, and detection device

Номер патента: US20200052031A1. Автор: Jiapeng Li,Haisheng ZHAO,Hongxi XIAO,Xiaoguang PEI,Huigang JIANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20160329356A1. Автор: Yucheng CHAN,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20220392926A1. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Tft array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20180197896A1. Автор: NI YANG,WEI Hu,Xin Liu,Shaoru LI,Zhijian Qi,Keke Gu,Yusong HOU. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282760A1. Автор: Min Woo Kim,Jin Woo Choi,Dae ho Song,Hyung II Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel

Номер патента: US20160300858A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Liang Sun,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Array substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel

Номер патента: US20220317490A1. Автор: Haijun Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180095B2. Автор: Toshihiko Itoga,Makoto Ohkura,Takuo Kaitoh,Takahiro Kamo. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Array substrate and control method thereof, manufacturing method thereof and electronic paper display device

Номер патента: US20240234437A9. Автор: Junhong CAO,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Test substrate and manufacturing method therefor, test method, and display substrate

Номер патента: US12058924B2. Автор: Lei Fan,Zheng BAO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method

Номер патента: US20080150044A1. Автор: Katsura Hirai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2008-06-26.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US12038660B2. Автор: Qian Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120199838A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Sang Gab Kim,Jeong Min Park,Je Hyeong Park,Jung-Soo Lee,Dong-Won WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048883A1. Автор: Takaaki Ukeda,Akihito Miyamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100148182A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate, and display device

Номер патента: US20220223745A1. Автор: ZHI Wang,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Feng Guan,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184017A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Display substrate, manufacturing method and display device

Номер патента: US20240237367A1. Автор: Changhan HSIEH. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20180204898A1. Автор: Yanzhao Li,HU Meng,Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248866A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9105733B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Thin film transistor substrate, display device, and manufacturing method for thin film transistor substrate

Номер патента: US20230120056A1. Автор: Takashi Terauchi,Ryuji Matsumoto,Kazunari Sasaki,Kimihiko HAYASHI. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display deviceice

Номер патента: US20210223644A1. Автор: Jun Wu,Jianjun Wang,Qi SANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US20160351724A1. Автор: Xufei Xu,Na Zhao,Gaofei Shi. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Thin-film transistor having a floating gate between a control gate and a gate electrode, manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US10680113B2. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Thin film transistor, display panel and preparation method therefor

Номер патента: EP4407684A1. Автор: Minggang Liu,Nian Liu,Macai Lu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20190221673A1. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display module

Номер патента: US20200335527A1. Автор: Wei Wang,Qing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (tft) and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027807A1. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Thin film transistor and manufacturing method for thin film transistor

Номер патента: US20230335648A1. Автор: Jin Jang,Hae Su Hong. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-10-19.

Carbon nanotube thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358569A1. Автор: Guanbao HUI,Fangzhen Zhang,Haiyan Zhao,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Qiuping YAN,Lianmao Peng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Thin film transistor (tft) array substrates and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180331132A1. Автор: Mian Zeng,Xiaodi LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Thin film transistor liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080227231A1. Автор: Jia-Fam Wong. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-09-18.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190378881A1. Автор: Seung-Jin CHU,Tae Jin Kong,Won Tae Kim,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Thin film fabricating apparatus and manufacturing method of organic light emitting device using the same

Номер патента: US9780303B2. Автор: MIYAZAKI Hiroshi,HAMAMOTO Nobuo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Substrate for Digital X-Ray Detector, Digital X-Ray Detector Including the Same and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190187305A1. Автор: Jinpil Kim,Hanseok Lee,Youngyoung Chang,Youngjin Yi,Hyeji JEON,Younghun HAN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210257391A1. Автор: Zhihai ZHANG,Kui Gong,Xianxue Duan,Biliang Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US8541288B2. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20130164908A1. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US20040135236A1. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Fujitsu Display Technologies Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Thin film transistor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010022361A1. Автор: Takashi Miyamoto,Takatoshi Tsujimura,Mitsuo Morooka,Osamu Tokuhiro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Pixel structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190107760A1. Автор: Cheng-Yen Yeh. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Thin film transistor structure, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210057549A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Array substrate and manufacturing method thereof, touch display panel, touch display apparatus

Номер патента: US10788913B2. Автор: Jun Fan,Fuqiang Li,Mingchao Ma. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Array substrate and manufacturing method thereof, touch display panel, touch display apparatus

Номер патента: US20190212853A1. Автор: Jun Fan,Fuqiang Li,Mingchao Ma. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: EP3748687A1. Автор: Lin Chen,Ji Zhang,Jincheng GAO,Huiming WANG. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Photoelectric conversion device and its manufacturing method

Номер патента: US20110127593A1. Автор: Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769783B2. Автор: Moonsoo KANG,Minsuk KONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20160247833A1. Автор: Cuili Gai,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: US20180053836A1. Автор: Joosun Yoon,Yongjae Jang,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US7394098B2. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240266367A1. Автор: Feng Li,Lei Yao,Jingyi Xu,Jian Sun,Yongqiang Zhang,Aiyu Ding. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method for thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20180350843A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US20190252629A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US10804479B2. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing method of flexible thin film solar cell module and the flexible thin film solar cell module using the same

Номер патента: US20210135029A1. Автор: Jeung-Hyun Jeong,Won Mok Kim,Hyeonggeun Yu,Jong-Keuk Park,Eunpyung CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device and method for detecting an ion concentration

Номер патента: US20200355645A1. Автор: Xiaochen MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US8558226B2. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20230230983A1. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2020042521A1. Автор: Guoqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Transflective type liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8040487B2. Автор: Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US7655510B2. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2010-02-02.

Displaying base plate and manufacturing method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240162247A1. Автор: Zheng Fang,Zhen Zhang,Zhenyu Zhang,Fuqiang Li,Lizhong Wang,Chenyang ZHANG,ce Ning,Jiahui HAN,Yawei Wang,Chengfu XU,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Display Device And Manufacturing Method Of The Same

Номер патента: US20100327287A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190244982A1. Автор: Wei Tang,Jiawei Zhang,Gaiping LU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US20080036987A1. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240290889A1. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120305911A1. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Номер патента: US20160035984A1. Автор: Masaru Kinoshita,Yuki Hirai,Koji Takaku,Wataru Sotoyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110084283A1. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20210288082A1. Автор: Tingting Zhou,Bin Zhang,Xiaolong He,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20230209913A1. Автор: Junyan Hu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: US20240274678A1. Автор: Jin Jang,Seongbok Kang. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Light transmission type-solar cell module, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213387A1. Автор: Soon Yong Lim,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Tae Woo Eom,Chan Seon LEE. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of pixel structure

Номер патента: US20140030831A1. Автор: Chih-Hung Lin,Wu-Liu Tsai,Chuan-Sheng Wei,Maw-Song Chen,Chau-Shiang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20230411528A1. Автор: Liang Hu,Bin Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010050363A1. Автор: Haruhiko Ono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076503A1. Автор: Shuhei Takahashi,Kazuko Ikeda,Masayuki Sakakura,Tomoya Futamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method, and display panel

Номер патента: US20240222265A1. Автор: Xinghua Wang,Qiankun XU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Array substrate, liquid crystal display device and drive method of liquid crystal display device

Номер патента: US20180046000A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Thin-film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: EP3507834A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Zhenfei Cai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-10.

Thin film transistor type display device, method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040256622A1. Автор: Mutsumi Kimura,Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of designing thin film transistor

Номер патента: US20240005077A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Wenfeng Jiang,Jiawei Wang,Nianduan Lu,Di GENG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150179460A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Low-temperature polysilicon (ltps) thin film transistor (tft) and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20200273999A1. Автор: Guoxia YI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20200295048A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials

Номер патента: US20190372041A1. Автор: Yang Yang,QI Chen,Huanping Zhou. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-12-05.

Active matrix substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030008436A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hiroyuki Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital x-ray image-capturing apparatus

Номер патента: US20130320338A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Thin film transistor gas sensor

Номер патента: US20200088674A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Color conversion layer and manufacturing method

Номер патента: US20220113625A1. Автор: Yongwei Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Thin film deposition method and manufacturing method of electronic device applying the same

Номер патента: US20230268184A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Sung Hwan Jo,Do Han LEE,Ngoc le TRINH,Abu Saad Aqueel Ahmad Ansari. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Display device, thin-film transistor used for display device, and method of manufacturing thin-film transistors

Номер патента: US20130001572A1. Автор: Genshirou Kawachi,Takahiro Kawashima,Eiichi Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device

Номер патента: US20100187535A1. Автор: Hideomi Suzawa,Yumiko Saito,Koji Dairiki,Takafumi Mizoguchi,Mayumi MIKAMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20230255096A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Display Device and Method of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20150346565A1. Автор: Kazunori Okumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Fabricating Method of Optical Sensing Device

Номер патента: US20170352764A1. Автор: Ching-Wen Chen,An-Thung Cho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-12-07.

Flexible conductive thin film based on silver powder and pdms, and preparation method therefor

Номер патента: US20220076858A1. Автор: Lei Wang,HUI Li,Jinjie Zhang. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-03-10.

Product method of thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, and fingerprint recognition unit

Номер патента: US10720512B2. Автор: Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Mask for forming a thin-film transistor, thin-film transistor substrate manufactured using the same and method of manufacturing a thin-film transistor substrate using the same

Номер патента: US20080073718A1. Автор: Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Youn-Hee Cha,Jung-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20240268207A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8648976B2. Автор: Takeshi Sakai,Takuo Kaitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-11.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: WO2009107686A1. Автор: Shigeki Komori. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-09-03.

Bottom gate type thin film transistor, its manufacturing method and liquid crystal display device using the same

Номер патента: WO2002001603A3. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: Teizo Yukawa. Дата публикации: 2002-08-08.

Bottom gate type thin film transistor, its manufacturing method and liquid crystal display device using the same

Номер патента: EP1297568A2. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-04-02.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240210775A1. Автор: Chia-Hao Tsai,Ming-Jou TAI,Wei-Yen Chiu,Yi-Shiuan CHERNG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120161136A1. Автор: Ze-Yu Yen,Ke-Chih Chang,Kuo-Yu Huang,En-Yung Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-06-28.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351717A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Display device comprising spacer and manufacturing method thereof

Номер патента: GB2624979A. Автор: LEE KyoungMook. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160118419A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Sung Kyun Park,Jeong Min Park,Jun Chun,Jung-Soo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019293A1. Автор: Young Bin Kim,Dong Wan Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2005076367A1. Автор: Bo-Sung Kim,Tae-Young Choi,Yong-Uk Lee,Min-Seong Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-18.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9263590B2. Автор: Min-Jung Lee,Jung-kyu Lee,Sung-Eun Lee,Do-hyun Kwon,Moo-Soon Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084644A1. Автор: Wan-Soon Im,Hyung June Kim,Sang Hyun Kang,Hyun-Woong BAEK,Hyung Joo JEON,Jang-Bog Ju,Kang Wook HEO,Min Jae BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274719A1. Автор: Chih-Hung Tsai,Ya-Qin HUANG,Yi-Da HE. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US8405234B2. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120193626A1. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Display device comprising spacer and manufacturing method thereof

Номер патента: GB2626088A. Автор: LEE KyoungMook. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Thin film transistor, display device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10707235B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Pixel circuit, driving method of pixel circuit, and display device including pixel circuit

Номер патента: US12062320B2. Автор: Wookyu Sang,Hyoungsik Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150301377A1. Автор: Tae Woo Lim,Sun Hwa Lee,Kwang-Chul Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170025447A1. Автор: Se Young Song,Jun Hyun Park,Sung Hwan Kim,Kyoung Ju Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027802A1. Автор: Seung Sok SON,Jung Ouck AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149046A1. Автор: Takashi Okada,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi,Arichika Ishiba. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110685A1. Автор: Chung Hwan Lee,Hong Ro LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20220406820A1. Автор: Yang Lv. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film

Номер патента: US7956361B2. Автор: Tatsuya Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Thin film transistor and preparation method therefor, array substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP3621120A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Thin Film Transistor and Manufacturing Method Thereof, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180308984A1. Автор: WEI Liu,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Pixel circuit, display panel, and compensation method of reference voltage of pixel circuit

Номер патента: US20210407416A1. Автор: Xiang Xiao,Yan Xue. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Display substrate, method of forming the same, display panel and display device including sub-channel portions

Номер патента: US12021087B2. Автор: Chenyu CHEN,Yongfu DIAO,Wenkang WANG,Zhongliu Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Bonded substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130341763A1. Автор: Kiyoshi Mitani,wei feng Qu,Fumio Tahara,Tsuyoshi Ohtsuki,Yuuki OOI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Electron emitter, manufacturing method thereof, display, and electronic apparatus

Номер патента: US20060217026A1. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Lithium metal anode, manufacturing method thereof, and lithium metal battery

Номер патента: EP4394910A1. Автор: Seong Jin Park,Na Eun YOON. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Lithium metal anode, manufacturing method thereof, and lithium metal battery

Номер патента: US20240222639A1. Автор: Seong Jin Park,Na Eun YOON. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of forming a MOCVD-TiN thin film

Номер патента: US20020022089A1. Автор: Hyung-Seok Kim,Byoung-Youp Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225555A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of manufacturing a multiple track thin film recording head

Номер патента: US5546650A. Автор: Richard H. Dee. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of laser ablation for uniform thin film deposition

Номер патента: US5411772A. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Fabrication method of blue light emitting ZnO thin film phosphor

Номер патента: US6699371B2. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-03-02.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of Fabricating Metal Nitrogen Oxide Thin Film Structure

Номер патента: US20100283179A1. Автор: Chih-Hung Wu,Zih-Sian Lu,Keng-Shen Liu,Wen-Biing Ou Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2010-11-11.

N-type semiconductor materials for thin film transistors

Номер патента: EP1943691A2. Автор: Deepak Shukla,Diane Carol FREEMAN,Shelby Forrester Nelson,Wendy G. Ahearn,Jeffrey Todd Carey. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-07-16.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20050087745A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-28.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20040209388A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-21.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: EP3671878A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

N-type semiconductor materials in thin film transistors

Номер патента: EP2266150A1. Автор: Deepak Shukla,Thomas Robert Welter. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-12-29.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Organic thin film transistors comprising thienyl oligomers and their use as gaseous phase sensors

Номер патента: US20100140597A1. Автор: Luisa Torsi,Pier Giorgio Zambonin,Francesco Palmisano,Francesco Naso,Francesco Babudri,Gianluca Maria Farinola,Maria Cristina Tanese,Omar Hassan Omar,Ludovico Valli. Владелец: Universita degli Studi di Bari Aldo Moro. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film element

Номер патента: US7089636B2. Автор: Masami Murai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Manufacturing of organic-inorganic complex halide films

Номер патента: AU2021409749A1. Автор: Nikolai Andreevich BELICH,Alexey Borisovich TARASOV,Ugene Alekseevich GOODILIN,Pavel Andreevich IVLEV. Владелец: Federalnoe Gosudarstvennoe Byudzhetnoe Obrazovatelnoe Uchrezhdenie Vysshego Obrazovaniya <<moskovskij. Дата публикации: 2023-09-28.

Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin-film transistor

Номер патента: EP2430678A1. Автор: Junji Kido,Yohei Hashimoto,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Ken-ichi Nakayama,Yong-Jin Pu. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Organic semiconductor material and organic thin-film transistor

Номер патента: US20120001162A1. Автор: Shuzi Hayase,Shuichi Nagamatsu,Katsuhiro Mizoguchi,Keiichi Kaneto,Tatsuo Okauchi,Wataru Takashima,Tetsuji Moriguchi. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20120056166A1. Автор: Junji Kido,Yohei Hashimoto,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Ken-ichi Nakayama,Yong-Jin Pu. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Thin film board, circuit element, manufacturing method of circuit element, and electric signal transmission method

Номер патента: US20210368624A1. Автор: Kota Kuramitsu. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Manufacturing method of piezoelectric components

Номер патента: US20020175601A1. Автор: Nobuyuki Hori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

Polishing method of soft magnetic layer in thin-film magnetic head, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070230064A1. Автор: Hiroshi Kamiyama,Hiroshi Yamazaki,Makoto Hasegawa,Atsuhiro Nonaka,Teruhisa Shindo,Kazukiko Maejima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of forming organic thin film and exposure method

Номер патента: US20110189617A1. Автор: Yoshihiro Naka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Organic thin film transistor with protic group on source and drain electrodes for determining presence and/or concentration of ester

Номер патента: WO2020152453A1. Автор: Pascal Cachelin. Владелец: SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of manufacturing cell-nanoscale thin film composite

Номер патента: US20190127693A1. Автор: Toshiaki Abe,Nobuhiro Nagai,Jin Suzuki,Hirokazu Kaji. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-05-02.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film and titanium oxide thin film manufactured by the method

Номер патента: KR20120069093A. Автор: 김진호,황종희,임태영,이미재,김세기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Manufacturing Method of Graphene Coated Carbon Ultra-Thin Film and Graphene Coated Carbon Ultra-Thin film by same the method

Номер патента: KR102219873B1. Автор: 박지웅,남준식,샴슈딘 모하메드. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2021-02-25.

Patterning method of transparent conductivity film and thin film transistor substrate for display device using the same and fabricating method thereof

Номер патента: KR100538326B1. Автор: 안병철. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-22.

A contact structure of a wires and a method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010105973A. Автор: 김상갑. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of removing surface protrusions from thin films

Номер патента: US20020058455A1. Автор: James Alwan,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of measuring electroconductivity of thin metal films

Номер патента: RU2697473C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Сергей Федорович Дмитриев,Владимир Николаевич Маликов,Александр Олегович Катасонов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-14.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Manufacturing method of citrus concentrate using centrifugal thin film evaporator and pulsed electric field, and citrus concentrate manufactured thereby

Номер патента: KR101978432B1. Автор: 남영주,최혁준,한복경. Владелец: 주식회사 비케이바이오. Дата публикации: 2019-05-14.

A kind of integrated device and preparation method of pliable pressure sensor and thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN105841849B. Автор: 周涛,全勇,陈志�,刘腾飞,魏雄邦,肖伦. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-15.

Method of producing a poly-Si thin film transistor by using a layer of CeO2 and an A/R coating layer

Номер патента: KR100367638B1. Автор: 유진수,준 신 이,김도영,이인,안병재. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2003-01-10.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR HAVING BARRIER LAYER DEPOSITED USING THE SAME

Номер патента: US20130341181A1. Автор: Kim Do-Hyun,PARK JaeWoo,LEE Yongjin,Sohn InSung,KIM Dongjo,JEON WOO-SEOK,PARK JUOK,YOON SANGWON,LEE GUNHYO,LEE YOONGYU. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of making thin-film humidity sensor

Номер патента: RU2682259C1. Автор: Иван Михайлович Филиппов,Павел Васильевич Винокуров,Айыысхан Иванович Алексеев,Альберт Николаевич Капитонов,Светлана Афанасьевна Смагулова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-03-18.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858256B1. Автор: 양진석,이경호,김성훈. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Methods of manufacturing interferometric modulators with thin film transistors

Номер патента: US20070275491A1. Автор: Clarence Chui,Stephen Zee. Владелец: IDC LLC. Дата публикации: 2007-11-29.

Thin film multilayer substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display having thin film multilayer substrate

Номер патента: TW200727490A. Автор: Shinji Kawabuchi,Takafumi Hashiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

Manufacturing method of roll for winding metallic thin film and winding roll using the same

Номер патента: KR102275292B1. Автор: 황수일. Владелец: 주식회사 용진. Дата публикации: 2021-07-09.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Growth inhibitor for forming pellicle-protective thin film, method of forming pellicle-protective thin film using growth inhibitor, and mask fabricated by method

Номер патента: US20230251565A1. Автор: Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seung Chul DO,Ho Lim WANG. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Additive manufacturing method, method and equipment for preparing gradient thin film material

Номер патента: CN107433330B. Автор: 李达,王松,杨先锋. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2020-01-17.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

A kind of organic perovskite monocrystal thin films grower of growth in situ

Номер патента: CN107400918B. Автор: 王晨,王一,苏晓,刘正浩,赵晋津,孔国丽,欧云,甄云策. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2019-07-19.

Manufacturing method for pre-coated precursor layers of thin-film solar cell

Номер патента: TW201225310A. Автор: Bae-Heng Tseng. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2012-06-16.

Novel molybdenum compound, method of producing the same, and method of producing molybdenum-containing thin film including the same

Номер патента: WO2024019487A1. Автор: Young Jin Kim,Mi Jung Han,Kang Yong Lee,Jin Mook Lim,Han Sang Song. Владелец: M Chemicals Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of depositing low stress hafnium thin films

Номер патента: US4056457A. Автор: John Louis Vossen, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Soft magnetic film, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head using the soft magnetic film

Номер патента: JP3396455B2. Автор: 光雄 川崎,久幸 矢澤,吉弘 金田,光博 後藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US20210172065A1. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-10.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US11753721B2. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-12.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140287251A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

Precursor for depositing zinc oxide-based thin film, method of fabicating thereof and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101366630B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박준형,박태정,백일희,유영조,윤근상,이현희,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-03-17.

Controlling method of the thickness of a thin film when forming that film

Номер патента: EP0451329B1. Автор: Susumu Komoriya,Masataka Shiba,Yashuhiko Hachimanyama Apt. 233 Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-01-28.

A method of preparing metal phthalocyanine monocrystal thin films in the grapheme modified substrate of copper film

Номер патента: CN107747130B. Автор: 窦卫东. Владелец: University of Shaoxing. Дата публикации: 2018-09-11.

Cover method of thin film recording head and method of providing bonding pad on thin film recording head

Номер патента: JPH11328618A. Автор: Wei Pan,ウェイ・パン,Ann Kang,アン・カン,Jerome Marcelino,ジェローム・マルセリノ. Владелец: MKE QUANTUM COMPONENTS LLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Structure for thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head

Номер патента: JP5005274B2. Автор: 芳高 佐々木,浩幸 伊藤,和夫 石崎,雄大 堀中. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-08-22.

Method of depositing a ruthenium metal thin film or ruthenium oxide thin film

Номер патента: US9347133B2. Автор: Jun Young Kim,Jung Woo Park,Kwang Deok Lee,Whee Won Jin. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of manufacturing aluminum - carbon composite thin film and aluminum - carbon composite thin film

Номер патента: KR20230014414A. Автор: 최현주,심기동,오인종,김호장. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-01-30.

Cadmium-free CuInGaSe thin film solar cell assembly and preparing method of zinc sulfide buffer layer thin film thereof

Номер патента: CN102254998A. Автор: 卢兰兰,刘壮,肖旭东,贺凡. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-23.

COATING LIQUID FOR DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD OF DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: JP2004339057A. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,善美 佐藤,Yoshimi Sato,敦史 川上,義行 竹内. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6558516B1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6641984B2. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

TOUCH PANEL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, OPTICAL THIN FILM SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160109971A1. Автор: Suzuki Toshihiro,Kubo Masashi,Matsumoto Masahiro,HARADA Manabu,ARAI Makoto,IHORI Atsuhito,YANAGITSUBO Hidenori. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming by ALD a thin film of formula MYx

Номер патента: US20150211112A1. Автор: Martin François,THIEULEUX Chloe,CADOT Stéphane,QUADRELLI Elsje. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

A kind of preparation method of silicon carbide-containing nanoparticulate thin films material

Номер патента: CN106498364A. Автор: 向鹏,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-03-15.

A kind of GaFeO3The preparation method of ceramic target and nano thin-film

Номер патента: CN107056271A. Автор: 赵世峰,白玉龙,邬新,陈介煜,肖忠睿. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2017-08-18.

A kind of preparation method of nano combined polyvinyl fluoride thin film

Номер патента: CN106280143A. Автор: 吴迪,邹宇帆,许博伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Frame plating method and method of forming magnetic pole of thin film magnetic head

Номер патента: JP3355175B2. Автор: 聡史 上島. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

A kind of preparation method of chitosan-polyurethane anti-fog thin film

Номер патента: CN107987304A. Автор: 姚伯龙,谈敏,徐颖聪. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-04.

Method of determining properties of patterned thin film metal structures using transient thermal response

Номер патента: EP1573267A1. Автор: Michael Gostein,Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

A kind of preparation method of two-dimentional tungsten sulfide thin-film material

Номер патента: CN107043922A. Автор: 冯奕钰,封伟,郑楠楠. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of accurately measuring compositions of thin film shape memory alloys

Номер патента: US6620634B2. Автор: A. David Johnson,Valery Martynov. Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2003-09-16.

A kind of method of purifying carbon nano-tube thin film

Номер патента: CN106477550A. Автор: 方英,李红变,史济东. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2017-03-08.

For the preparation method of the silver/titanium dioxide thin-film material of blue light Hologram Storage

Номер патента: CN104810031B. Автор: 韩强,刘益春,张昕彤,付申成. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2017-07-04.

A kind of preparation method of Zr Cu metal glass thin film

Номер патента: CN104532190B. Автор: 张倩,张博. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2017-03-15.

ZINC OXIDE PRECURSOR CONTAINING ALKYL ZINC HALIDE AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130129923A1. Автор: Yoo Young Zo,Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130171341A1. Автор: Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Yoo YoungZo,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD OF FABRICATING LIQUID FOR OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20140000480A1. Автор: Kim Hyun Jae,KIM Kyung Ho,Kim Gun Hee,SHIN Hyun Soo,Choi Yun Jung,LEE Ka Young,Jeong Tae Hoon,Park Won Jun. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD OF MANUFACTURING MASK ASSEMBLY FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20140239049A1. Автор: KANG Taek-Kyo,Lee Sang-Shin,Ko Jung-Woo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: US20060207503A1. Автор: Daniel Smith,Ali Shajii,Paul Meneghini,William Clark. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Alkyl zinc halide zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101357595B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박태정,유영조,윤근상,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Preparation method of composite inorganic-organic hybrid thin film based on ALD (atomic layer deposition) technology

Номер патента: CN103510074A. Автор: 吴迪,李爱东,曹燕强,曹正义. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-15.

Preparation method of molybdenum dioxide nanowire/nanosheet thin film array with good electrocatalytic hydrogen evolution performance

Номер патента: CN110359061B. Автор: 王岩,张勇,吴玉程,崔接武,舒霞,秦永强,刘志民,魏浩山. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: CN101171368A. Автор: A·沙吉,D·史密斯,W·克拉克,P·梅内吉尼. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

Method of forming indium tin oxide thin film using magnetron negative ion sputter source

Номер патента: TW539752B. Автор: Steven Kim,Daeil Kim. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams

Номер патента: EP2431120A1. Автор: Gediminas Raciukaitis,Mindaugas Gedvilas,Bogdan Voisiat. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2012-03-21.

The method of manufacturing a cubic yba2cu3ox thin film

Номер патента: KR100248081B1. Автор: 서정대,성건용. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2000-04-01.

Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams

Номер патента: EP2431120B1. Автор: Gediminas Raciukaitis,Mindaugas Gedvilas,Bogdan Voisiat. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2017-07-05.

Method of Preparing Ionic Crosslinked Polymer Thin Films Using Initiated Chemical Vapor Deposition

Номер патента: KR101746632B1. Автор: 오명석,임성갑,주문규. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2017-06-14.

Method of manufacturing glass sheet with thin film and the glass sheet

Номер патента: US20050144981A1. Автор: Toru Yamamoto,Masahiro Hirata,Masato Hyodo,Koichiro Kiyohara,Kiyotaka Ichiki. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: US11597198B2. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-07.

Low-temperature preparation method of metal nanowire transparent conducting thin film

Номер патента: CN106563632A. Автор: 吴欣凯,连璐,何谷峰,奚馨. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of producing a microcrystal semiconductor thin film

Номер патента: AU756834B2. Автор: Jinsho Matsuyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of manufacturing a combination type thin film magnetic head

Номер патента: US6296776B1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Method of preparing nanocrystalline cobalt metal thin film using electrodeposition

Номер патента: KR100635302B1. Автор: 정광덕,민선기,주오심,하비브 엠. 파탄. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of depositing Ge-Sb-Te thin film

Номер патента: TW200709279A. Автор: Jung-Wook Lee,Ki-hoon Lee,Tae-Wook Seo,Byung-Chul Cho. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Full-non-vacuum process preparation method of copper-zinc-tin-sulfur thin film solar cell

Номер патента: CN103078010A. Автор: 向勇,张海涛,谢梦,张庶. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-05-01.

Method of depositing Ge-Sb-Te thin film

Номер патента: US20070048977A1. Автор: Jung-Wook Lee,Ki-hoon Lee,Tae-Wook Seo,Byung-Chul Cho. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of synthesizing organometallic compound and thin film using thereof

Номер патента: KR20220145619A. Автор: 김형준,이유진,박정우,박미라,석장현,서진형,남태욱. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2022-10-31.

Method of producing compound nanorods and thin films

Номер патента: US20080292808A1. Автор: Bing Liu,Yong Che,Zhendong Hu. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: US20220105719A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Improving method of molybdenum electrode exfoliation for thin film solar cell

Номер патента: TW201248866A. Автор: Yi-Cheng Lin,Wang-Lin Liu,jia-huang Shen,Yan-Chao Wang,xiao-jun Zhu. Владелец: Prec Machinery Res & Dev Ct. Дата публикации: 2012-12-01.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US7639340B2. Автор: Meng-Chi Liou,Hsiao-Fen Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-12-29.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20080096300A1. Автор: Hsiao-Fen Chen,Meng-Chi Liu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Liquid Crystal Panel, Liquid Crystal Display Device and Manufacturing Method of Array Substrate Thereof

Номер патента: US20130278864A1. Автор: Yangling Cheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080204617A1. Автор: Kunio Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing electrophoretic display having organic thin film transistor control circuit and electrophoretic display manufactured using the method

Номер патента: US20080204848A1. Автор: Arthur Mathea,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Ultraviolet ray mask and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210080821A1. Автор: Wanchun WU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Treatment method of metallic surfaces by means of carboxylation, application of this method for temporary protection against corrosion and manufacturing method of deformed and carboxylated sheet

Номер патента: RU2384653C1. Автор: Эрве ДЕРУЛЬ,Лидия РАШИЕЛЬ,Софи ЖАК,Николь ЖЕНЕТ,Жан СТЕЙНМЕТЦ,Эмманюэль РОККА. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2010-03-20.

Bioresorable biological matrix for substitution of bone tissue defects and method of its obtaining

Номер патента: RU2665962C1. Автор: Владимир Георгиевич Нестеренко,Алексей Владимирович Веремеев,Роман Николаевич Болгарин,Антон Геннадиевич КУТИХИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Матрифлекс". Дата публикации: 2018-09-05.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US8098462B2. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20100321822A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240168326A1. Автор: Yue Yang,Jianhua Huang,Seungmin Lee,Jiantao Liu,Dongchuan CHEN,Qiujie Su,Yanping Liao,Ting Dong,Yingying Qu,Lingdan BO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of active mass of cadmium electrode of alkaline nickel-cadmium accumulator

Номер патента: RU2462796C2. Автор: Александр Николаевич Степанов,Иван Алексеевич Казаринов,Вячеслав Александрович Решетов,Марина Михайловна Бурашникова,Антон Сергеевич Кочармин,Вячеслав Александрович Решетов (RU),Александр Николаевич Степанов (RU),Антон Сергеевич Кочармин (RU),Иван Алексеевич Казаринов (RU),Марина Михайловна Бурашникова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2012-09-27.

Quantification method of functional groups of organic layer

Номер патента: WO2010036038A3. Автор: Tae Geol Lee,Dae Won Moon,Hyegeun Min. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science. Дата публикации: 2010-07-22.

Array substrate for a reflective liquid crystal display device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7652734B2. Автор: Hyun-Suk Jin,Su-Seok Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-26.

Pixel circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240265886A1. Автор: Yanxi Ye,Yichen BAI,Hongquan Wei. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of rod with optical thin film and rod block for use in the method

Номер патента: US7154685B2. Автор: Hodaka Norimatsu. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Coated article with in-series activated low-emission coating and/or its manufacturing method

Номер патента: RU2725209C2. Автор: Алексей КРАСНОВ,Жан-Марк ЛЕММЕР,Херберт ЛАГЕ. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик (С.Р.В.С.) Сарл. Дата публикации: 2020-06-30.

Manufacturing methods of anti-glare covers, anti-glare covers, and display panels

Номер патента: US20180348407A1. Автор: Yong Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Thin film magnetic head comprising conductive pad including two insulating protective layers and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030165030A1. Автор: Kiyoshi Sato,Toru Takahashi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-04.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US20240264533A1. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Writing panel and manufacturing method therefor, and writing board

Номер патента: US20230185143A1. Автор: Yang Ge,HAO Yan,Yu Zhao,Jian Wang,Xiaojuan Wu,Jiaxing Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of identifying diethylamine and isopropyl alcohol in gas mixtures

Номер патента: RU2601216C1. Автор: Татьяна Анатольевна Кучменко,Евгения Викторовна Дроздова,Михаил Александрович Чернышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО ВГУИТ).. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacture of high-temperature thin-film resistor

Номер патента: RU2326460C1. Автор: Игорь Валерь нович Волохов,Игорь Валерьянович Волохов,Евгений Владимирович Песков,Дмитрий Валентинович Попченков. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-06-10.

The method of production of devices with thin film superconducting junctions

Номер патента: RU2442246C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Леонид Сергеевич Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of forming aluminum gate of thin film transistor

Номер патента: TW410383B. Автор: Ding-Jang Jang,Bo-Sheng Shr,Du-Ren Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-01.

Method of Making an Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20120037915A1. Автор: Kugler Thomas. Владелец: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-02-16.

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND, ORGANIC THIN FILM INCLUDING THE ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE ORGANIC THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC THIN FILM

Номер патента: US20130137848A1. Автор: Lee Bang Lin,Park Jeong il,Chung Jong Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin-film transistor.

Номер патента: SG19094G. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe. Владелец: Seikosha Co Limited. Дата публикации: 1994-06-10.

Method of fabricating low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TWI283070B. Автор: Shih-Lung Chen,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-06-21.

Ferroelectric thin film material, manufacturing method of ferroelectric thin film material, manufacturing method of dielectric bolometer using ferroelectric thin film material, dielectric bolometer, and infrared detection element using the same

Номер патента: JP3683095B2. Автор: 実 野田,和彦 橋本,雅則 奥山,久保　　竜一,華平 許. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明 小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Sputtering target material, manufacturing method of sputtering target material, and manufacturing method of laminated substrate with piezoelectric thin film

Номер патента: JP7022853B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,文正 堀切. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Inorganic thin-film transfer material and manufacturing method thereof, and molded article with inorganic thin-film and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2009113476A. Автор: 和彦 田中,Nobuaki Takane,信明 高根,正人 西村,Masato Nishimura,Kazuhiko Tanaka,Tomomi Kawamura,智巳 川村. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120052609A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE SAME

Номер патента: US20120322187A1. Автор: Park Ji-Young,CHOI Shin Il,Kim Sanggab,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,SONG Jeanho,LEE Suckjun,PARK Youngchul,YU Inho,JIN Youngjun,KWON O byoung,JANG Sanghoon,LIM Minki. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing array substrate and thin film transistor array panel

Номер патента: CN100399134C. Автор: 廖达文. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-02.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564B. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2013-05-01.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564A. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2011-08-17.

Laser recrystallization method of low temperature polycrystalline silicon thin film transistor active layer

Номер патента: JP3942100B2. Автор: 葉清發,陳添富,羅正忠. Владелец: 國立交通大學. Дата публикации: 2007-07-11.

Manufacturing method and device of organic el device as well as organic el device, electronic equipment and drop discharge device

Номер патента: JP2003243158A. Автор: Takayuki Hayashi,高之 林. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

Method of forming orientation organic thin film

Номер патента: JPS6278200A. Автор: Shuzo Hattori,Shinzo Morita,Masahiro Tawada,服部　秀三,慎三 森田,昌弘 多和田. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-04-10.

Manufacturing method of planar electric heater by thin film printing to prevent dust adhesion

Номер патента: JP3418124B2. Автор: 友康 石川,哲治郎 久保. Владелец: 東商開発株式会社. Дата публикации: 2003-06-16.

Method of regulating resistance value of thin film resistance element

Номер патента: JPS5630705A. Автор: Yasuo Kitahata,Yuuzou Ozaki. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1981-03-27.

Method of forming pattern of hybrid thin film integrated circuit

Номер патента: JPS5544753A. Автор: Susumu Okamoto,Masao Kiyouno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Manufacturing method and device of organic electroluminescent element

Номер патента: JP2005310410A. Автор: Koji Takeshita,Yuko Abe,Takahisa Shimizu,耕二 竹下,貴央 清水,Hajime Yokoi,肇 横井,優子 阿部. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-04.

Formation and apparatus of organic EL material thin film

Номер патента: JP4910144B2. Автор: 裕之 岡田,茂樹 中. Владелец: Toyama University. Дата публикации: 2012-04-04.

The structure of organic thermal infrared thin film lens, design and preparation method thereof

Номер патента: CN109917500A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Beijing Yida Intellectual Property Services Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

A method of growing a silicon carbide thin film on a (111) silicon substrate

Номер патента: TW201042709A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Jui-Min Liu,Wei-Yu Chen,Wei-Cheng Lai,Chih-Fang Hwang,Shao-How Lu. Владелец: Prec Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of making low dielectric constant thin film

Номер патента: TWI231000B. Автор: Ming-Sheng Yang,Neng-Huei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-11.

Method of making ni-w-p thin-film resistors

Номер патента: PL288130A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of making ni-co-p thin-film resistors

Номер патента: PL288129A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM LAMINATED BODY AND PRODUCTION METHOD OF SAME, AND SILICON-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120024381A1. Автор: Abe Yoshiyuki,Nakayama Tokuyuki. Владелец: Sumitomo Metal Mining., Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY CIS THIN FILM FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20130045565A1. Автор: Yoon Kyung-Hoon,Shin Kee-Shik,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Ahn Se-Jin,Ahn Seoung-Kyu,SONG Ki-Bong,Gwak Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Method of manufacturing optical thin film and method of manufacturing substrate having optical thin film

Номер патента: JP3404346B2. Автор: 健 川俣. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

METHOD OF PRODUCING POROUS VALVE METAL THIN FILM AND THIN FILM PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20130017115A1. Автор: Komukai Tetsufumi,Osako Toshiyuki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Nano honeycomb titanium dioxide structure thin film with rough surface and preparation method of nanohoneycomb titanium dioxide structure thin film

Номер патента: CN102418133A. Автор: 何春年,赵乃勤,师春生,刘恩佐,李家俊,杜希文,初飞. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-18.

A kind of preparation method of bottom gate self alignment zino oxide film transistor

Номер патента: CN102593008B. Автор: 王薇,王亮亮,张盛东,王漪,康晋锋,刘晓彦,蔡剑,韩德栋,任奕成,耿友峰. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Holographic method of determination of characteristics of thin films of thermoplastic media

Номер патента: SU1555696A1. Автор: Борис Николаевич Тюшкевич,Михаил Николаевич Нижник. Владелец: Институт электроники АН БССР. Дата публикации: 1990-04-07.

METHOD OF PRODUCTION OF CIS-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120258562A1. Автор: . Владелец: SHOWA SHELL SEKIYU K. K.. Дата публикации: 2012-10-11.

Method of x-ray diffractometry of thin films

Номер патента: SU1536284A1. Автор: Виталий Васильевич Аристов,Леонид Григорьевич Шабельников. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР. Дата публикации: 1990-01-15.

A kind of preparation method of chemical modification wood fibre thin-film material

Номер патента: CN105061789B. Автор: 施庆珊,陈铭杰. Владелец: Guangdong Institute of Microbiology. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of electric-spark application of thin-film coatings

Номер патента: SU730522A1. Автор: Михаил Константинович Мицкевич,Алла Ивановна Бушик,Иван Алексеевич Бакуто,Владимир Анатольевич Шилов,Жорж Адамович Мрочек. Владелец: Физико-технический институт АН Белорусской ССР. Дата публикации: 1980-04-30.

Method of making magnetic cores of thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1683066A1. Автор: Сергей Викторович Павлов,Леонид Николаевич Герасимук,Василий Андреевич Сагайдак,Елена Андреевна Шейгас,Игорь Михайлович Брызгин. Владелец: Предприятие П/Я В-8071. Дата публикации: 1991-10-07.

Holographic method of determination of thermoplastic media thin film rheological characteristics

Номер патента: SU945846A1. Автор: Андрей Андреевич Козак,Николай Григорьевич Находкин,Святослав Иванович Сорока,Иван Иванович Ляшко,Юрий Маркович Барабаш,Николай Георгиевич КУВШИНСКИЙ. Владелец: Киевский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Т.Г.Шевченко. Дата публикации: 1982-07-23.

Method of measuring the thickness of thin films on substrates

Номер патента: SU684299A1. Автор: Владимир Афанасьевич Конев,Николай Николаевич Пунько,Николай Васильевич Любецкий. Владелец: Центральное Конструкторское Бюро С Опытным Производством. Дата публикации: 1979-09-05.

A kind of preparation method of high tuning rate BMNT thin-film material

Номер патента: CN104087904B. Автор: 许丹,李玲霞,董和磊,金雨馨,于士辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of preparation method of Konjac Glucomannan and the thin-film evaporator adopted thereof

Номер патента: CN103193896B. Автор: 刘敏,李进伟,李云霄,张林峰,肖湘,罗立新,朱维维,罗天瑞. Владелец: WUHAN KONIFIBER BIOTECHNOLOGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of measuring elastic modulus of thin film type optical path control device

Номер патента: KR19980069193A. Автор: 김성욱. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-10-26.

METHOD OF PREPARATION OF HIGH-CONDUCTIVE THIN FILMS BASED ON Cu6PS5I IODIDE-PENTATHYPHOSPHATE AS A MATERIAL FOR SOLID-ELECTROLYTIC GELGER

Номер патента: UA112612U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2016-12-26.

METHOD OF FABRICATING CIS OR CIGS THIN FILM

Номер патента: US20120051998A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacturing laterally coupled BAW thin films

Номер патента: US20120086523A1. Автор: . Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of Soldering to High Efficiency Thin Film Solar Panels

Номер патента: US20120088327A1. Автор: WANG FEI,Kress Markus,Brand Adam,Chang Inchu,Liu Kuo-Wei,Straub Axel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

METHOD OF PRODUCING COMPOUND NANORODS AND THIN FILMS

Номер патента: US20120148756A1. Автор: . Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

METHODS OF AND HYBRID FACTORIES FOR THIN-FILM BATTERY MANUFACTURING

Номер патента: US20120312474A1. Автор: Haas Dieter,NALAMASU Omkaram,Kwak Byung-Sung,Bangert Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140093997A1. Автор: LEE Sang-Yoon,JIN Yong-wan,Chung Jong Won,Bao Zhenan,KOO Bon Won,GIRI Gaurav. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Forming method of nitrogen-doped silicon carbide thin film

Номер патента: CN102097304B. Автор: 周鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Magnetic detection element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head using the magnetic detection element

Номер патента: JP3774375B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of manufacturing and structure for thin film infrared sensor

Номер патента: KR970005149B1. Автор: 이돈희. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 1997-04-12.

Preparation method of Bi-based chalcogenide thermoelectric thin film

Номер патента: CN102337524B. Автор: 陈立东,陈喜红,刘付胜聪,孙正亮. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-17.

Method of manufacturing pole pieces for thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1203580A1. Автор: Георгий Николаевич Розоринов,Сергей Николаевич Миронов,Андрей Александрович Снарский. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1986-01-07.

Method of producing stannic oxide transparent thin film fluorescent su bstance

Номер патента: JPS5271394A. Автор: Kiyotaka Wasa,Shigeru Hayakawa,Takao Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-14.

Preparation method of nitrogen-doped titanium oxide thin film

Номер патента: CN103160802A. Автор: 万军,陈波,李超波,夏洋,黄成强,饶志鹏,石莎莉,赵柯杰,吕树玲. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Preparation method of polymer-stabilized liquid crystal thin film material with wide wave reflection

Номер патента: CN103275736B. Автор: 王玲,陈兴武,宋平,阮云芳. Владелец: ZHEJIANG XINGXING OPTICS MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Deposition method of gas barrier silicon oxide thin film by CVD method

Номер патента: JP4595487B2. Автор: 浩人 鹿島,敏明 掛村,功 森本. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Production method of exposure light shield and thin film graphic pattern layer

Номер патента: CN101271267B. Автор: 王宇宁,周景瑜,陈健宏. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287B. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Method of preparing cyclotron targets and thin-film radioactive irradiation sources

Номер патента: SU878080A1. Автор: Б.Л. Жуйков,В.М. Плотко,И.И. Звара. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований. Дата публикации: 1983-10-15.

Preparation method of rare earth red-light thin film with PMMA as substrate

Номер патента: CN104045954A. Автор: 李川,何健,杨朝龙,尚明勇,王国霞,刘少君,姜郭庆. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2014-09-17.

Method of forming low stress metal thin film

Номер патента: JP2613646B2. Автор: 幸夫 飯村. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1997-05-28.

Preparation method of low-stress tantalum-nitrogen thin film

Номер патента: CN102361006A. Автор: 林宏. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Preparation method of hybridized hierarchical structure sensitive thin-film sensing device based on two-dimensional material

Номер патента: CN104597082A. Автор: 蒋亚东,谢丹,朱宏伟,王靖,李娴,朱淼,向兰,徐建龙,戴睿轩,赵远帆. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-06.

Method of transmitting electromagnetic signals through thin-film medium

Номер патента: SU1689925A1. Автор: Виктор Васильевич Сидоренков,Владимир Вениаминович Толмачев,Виталий Васильевич Савичев. Владелец: Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики МГТУ им.Н.Э.Баумана. Дата публикации: 1991-11-07.

Method of forming insulating layer on thin film multilayer substrate

Номер патента: JP2866180B2. Автор: 徳一 尾崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-03-08.

Preparation method of vanadium dioxide nano rodlike thin film

Номер патента: CN103556198A. Автор: 李永祥,刘志甫,孙大志,屈钰琦. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2014-02-05.

Preparation method of thorn-ball photochromic MoO3 thin film

Номер патента: CN103288138A. Автор: 李珍,沈毅,鄢鹏,胡凤萍,阳雅丽,肖伊琳. Владелец: China University of Geosciences. Дата публикации: 2013-09-11.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287A. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Method of and apparatus for producing thin films and products thereof

Номер патента: CA462302A. Автор: Alfred Chavannes March. Владелец: Individual. Дата публикации: 1950-01-10.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Chip resistor manufacturing method

Номер патента: RU2552630C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacturing method of thin-film pressure sensor

Номер патента: RU2489693C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Валентина Николаевна Вологина,Нина Евгеньевна Белозубова,Наталья Владимировна Дементьева,Людмила Михайловна Елизарова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2013-08-10.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Manufacturing method of rotor of electrostatic gyroscope

Номер патента: RU2498224C1. Автор: Борис Ефимович Ландау,Вадим Павлович Вейко,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Александр Яковлевич Буцык,Вячеслав Алексеевич Валетов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2013-11-10.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2571456C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-12-20.

Manufacturing method of resistive strain-gauge pressure sensor based on thin-film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2498249C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2013-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.