Thin film transistor and manufacturing method thereof
Номер патента: US20080009107A1
Опубликовано: 10-01-2008
Автор(ы): Han-Tu Lin, Kuo-Yuan Tu, Wen-Ching Tsai, Yeong-Shyang Lee
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-01-2008
Автор(ы): Han-Tu Lin, Kuo-Yuan Tu, Wen-Ching Tsai, Yeong-Shyang Lee
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Polysilicon thin-film transistor using silicide and manufacturing method thereof
Номер патента: KR100252926B1. Автор: 류재일,이정하,장진. Владелец: 론 위라하디락사. Дата публикации: 2000-04-15.