Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2
Опубликовано: 05-06-2018
Автор(ы): Cheng-Kuo Lin, Rong-Hao SYU, Shu-Hsiao TSAI, Yi-Ling Liu
Принадлежит: WIN Semiconductors Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for production of compound semiconductor devices

Номер патента: CA1277779C. Автор: Masaru Miyazaki,Akihisa Terano,Yoshinori Imamura,Hiroshi Yanazawa,Nobutoshi Matsunaga. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1990-12-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A SeOI INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: WO2021204580A1. Автор: Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen,Trong HUYNH-BAO. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20190393215A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20180374845A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for manufacturing monolithic three-dimensional (3d) integrated circuits

Номер патента: US20200098749A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Apparatus and method for placing stressors on interconnects within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US09455220B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: US20240113040A1. Автор: Stefan Landis,Yorrick Exbrayat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: US20240096668A1. Автор: Stefan Landis,Yorrick Exbrayat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for making interconnects and diffusion barriers in integrated circuits

Номер патента: US20020094673A1. Автор: Valery Dubin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: US20240128119A1. Автор: Stefan Landis,Yorrick Exbrayat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating a JFET transistor within an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US10361188B2. Автор: Jean Jimenez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-07-23.

Method for fabricating a jfet transistor within an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20170179113A1. Автор: Jean Jimenez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Method for producing multilayer wiring for semiconductor integrated circuits

Номер патента: DE69027508D1. Автор: Masahiro Abe,Toshihiko Katsura,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-07-25.

Method for producing multilayer wiring for semiconductor integrated circuits

Номер патента: DE69027508T2. Автор: Masahiro Abe,Toshihiko Katsura,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-12.

Method for forming a fast bipolar transistor for integrated circuit structure

Номер патента: EP0209985A1. Автор: Mammen Thomas,Matthew Weinburg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-01-28.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: US20240063058A1. Автор: Nicolas Posseme,Stefan Landis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-22.

Device and method for a LDMOS design for a FinFET integrated circuit

Номер патента: US9418993B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US12048257B2. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Nanoscale-aligned three-dimensional stacked integrated circuit

Номер патента: US12094775B2. Автор: Sidlgata V. Sreenivasan,Ovadia Abed,Shrawan Singhal,Mark McDermott,Paras Ajay,Jaydeep Kulkarni,Aseem SAYAL. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming self-aligning local interconnects in integrated circuits

Номер патента: EP2592649B1. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US20230247919A1. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-03.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTERCONNECTION STRUCTURE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: FR2770028B1. Автор: Shih Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-30.

Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes

Номер патента: WO2001015220A1. Автор: Suvi P. Haukka,Kai-Erik Elers,Karen Maex,Ville Antero Saanila,Pekka Juha Soininen,Alessandra Satta. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2001-03-01.

Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes

Номер патента: AU6800300A. Автор: Suvi P. Haukka,Kai-Erik Elers,Karen Maex,Ville Antero Saanila,Pekka Juha Soininen,Alessandra Satta. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2001-03-19.

Fabrication method for sell aligned Cu diffusion barrier in integrated circuit

Номер патента: CN1369112A. Автор: H·钟. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes

Номер патента: US6852635B2. Автор: Suvi P. Haukka,Kai-Erik Elers,Karen Maex,Ville Antero Saanila,Pekka Juha Soininen,Alessandra Satta. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2005-02-08.

Method for manufacturing low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: CN1167107C. Автор: ��Τ����˹,���ء����߸�,��³˹�����ס�����,布鲁斯·埃伦·布克,杰夫·托马斯·韦策尔,特里·格兰特·斯巴克斯. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

Method for fabricating low leakage interconnect layers in integrated circuits

Номер патента: TW200618175A. Автор: Chintamani Palsule,Jeremy A Theil,John H Stanback,Jay Meyer,Mark D Crook,Kirk A Lindahl. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-06-01.

METHOD FOR FABRICATING A JFET TRANSISTOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170179113A1. Автор: Jimenez Jean. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD FOR FABRICATING A JFET TRANSISTOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190296007A1. Автор: Jimenez Jean. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2019-09-26.

DEVICE AND METHOD FOR A LDMOS DESIGN FOR A FINFET INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150035053A1. Автор: SINGH Jagar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for manufacturing a schottky diode and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20240030357A1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming metal-insulator-semiconductor structure and integrated circuit fabrication

Номер патента: TW201700764A. Автор: 謝琦,湯福,麥克尤金 吉文斯,雅各赫夫曼 伍德魯夫,強威廉 梅斯. Владелец: Ａｓｍ Ｉｐ控股公司. Дата публикации: 2017-01-01.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US20160240479A1. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: WO2009094376A3. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20090184375A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20110133287A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method of forming copper interconnections for semiconductor integrated circuits on a substrate

Номер патента: EP1466352A1. Автор: Hyung-Sang Park,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTIONS OF A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE COMPRISING IN PARTICULAR A MITSET

Номер патента: FR2555364A1. Автор: Osamu Tsuchiya,Shigeru Shimada,Shozo Hosoda,Akihiro Tomozawa,Yoshiaki Yoshiura,Nozomi Horino,Tomozawa Yoku Kaino Shigeru Shimada Nozomi Horino Yoshiaki Yoshiura Osamu Tsuchiya Et Shozo Akihiro,Yoku Kaino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-05-24.

Integrated circuit insulators and related methods

Номер патента: US20070141832A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5715127A. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit and layout method for standard cell structures

Номер патента: US20200327274A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chung-Te Lin,Li-Chun Tien,Ho Che Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Substrate-transferred single-crystal dielectrics for quantum integrated circuits

Номер патента: US20190123097A1. Автор: Garrett Cole,Christoph Deutsch,David Follman,Paula Heu. Владелец: Crystalline Mirror Solutions GmbH. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit structure and method for forming a recessed isolation structure for integrated circuits

Номер патента: EP0073370B1. Автор: Richard Carleton Joy,Bernard Michael Kemlage,John Lester Mauer Iv. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

Integrated circuit structure and method for forming a recessed isolation structure for integrated circuits

Номер патента: EP0073370A3. Автор: Richard Carleton Joy,Bernard Michael Kemlage,John Lester Mauer Iv. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-06-11.

METHOD FOR PRODUCING A MOS TRANSISTOR AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2888665B1. Автор: Philippe Coronel,Claire Gallon,Beranger Claire Fenouillet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-10-19.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

System and method for improving solder joint reliability in an integrated circuit package

Номер патента: EP1548824A2. Автор: Anthony M. Chiu,Tong Yan Tee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5712753A. Автор: Ta-Lee Yu,Yang-Sen Yeh,Kow-Liang Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Methods of forming a masking pattern for integrated circuits

Номер патента: EP2353172A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Polishing method, wire forming method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TW487985B. Автор: Seiichi Kondo,Noriyuki Sakuma,Yoshio Honma,Masashige Fujimori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-21.

Methods for fabricating a multilevel interconnection for an integrated circuit device utilizing a selective overlayer

Номер патента: TW465106B. Автор: Steven Alan Lytle,Daniel Joseph Vitkavage,Roby Mary Drummond. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

INTEGRATED CMOS CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC INSULATION ZONES IN THIS INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2569055A1. Автор: Pierre Jeuch. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1986-02-14.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: FR3112895A1. Автор: Nicolas Posseme,Stefan Landis,Hubert Teyssedre. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-28.

Method for forming an interconnection structure for ic metallization

Номер патента: US7291557B2. Автор: Chin-Chiu Hsia,Wen-Kai Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Method for forming titanium tungsten local interconnect for integrated circuits

Номер патента: US5376585A. Автор: Johnson J. Lin,David R. Wyke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

A method for forming an interconnect structure

Номер патента: EP4312252A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for forming a conductive interconnect in an integrated circuit

Номер патента: US5420072A. Автор: Robert W. Fiordalice,Hisao Kawasaki,Johnson O. Olowolafe. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Method for achieving uniform chemical mechanical polishing in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20070264827A1. Автор: Yi Ding,Xinyu Zhang,Wee-chen Gan. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: FR3112893A1. Автор: Nicolas Posseme,Stefan Landis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-28.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: FR3112895B1. Автор: Nicolas Posseme,Stefan Landis,Hubert Teyssedre. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-12-16.

Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Номер патента: US3370995A. Автор: Carl J Lowery,Billy B Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-02-27.

Methods for making nearly planar dielectric films in integrated circuits

Номер патента: US20040061196A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: FR3129749A1. Автор: Nicolas Posseme,Stefan Landis,Hubert Teyssedre,Aurelien Sarrazin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-02.

Method for manufacturing an aligned opening in an integrated circuit

Номер патента: US5795822A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Method for achieving uniform chemical machnical polishing in integrated circuit manufacturing

Номер патента: TW200743151A. Автор: Yi Ding,Xin-Yu Zhang,Wee-Chen Richard Gan. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Method for the fabrication of contacts in an integrated circuit device

Номер патента: KR100373193B1. Автор: 오민석,머찬트세일레시만신,구이엔푸빈. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for forming an electrical contact in an integrated circuit

Номер патента: US4631248A. Автор: Nicholas Pasch. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1986-12-23.

Semiconductor integrated circuit and method for making wiring layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6013924A. Автор: Takashi Iida,Shigenori Ichinose,Noboru Yokota,Masashi Takase,Toru Osajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for interconnecting solid state devices such as integrated circuit chips

Номер патента: US3606679A. Автор: Jon M Schroeder. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Apparatuses and methods for coupling a waveguide structure to an integrated circuit package

Номер патента: EP3739684A1. Автор: Antonius Johannes Matheus De Graauw,Hendrikus Jozef Kamphuis,Sander Jacobus Geluk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-18.

Method for producing a compound semiconductor, and thin-film solar cell

Номер патента: US09899561B2. Автор: Stefan Jost,Robert Lechner,Thomas Dalibor,Patrick ERAERDS. Владелец: CNBM Bengbu Design and Research Institute for Glass Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming insulating film and for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030008523A1. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Takahashi,Hiroaki Uchida,Toshio Nagata,Hirotaka Mori,Katsuji Yoshida,Hidetsugu Uchida,Yoshirou Tsurugida,Akihiko Ohara,Takashi Ohsako. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for passivating a compound semiconductor surface and device having improved semiconductor- insulator interface

Номер патента: CA1283490C. Автор: Peter D. Hoh,Alessandro C. Callegari,Douglas A. Buchanan,Dianne L. Lacey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-04-23.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Manufacture method for ZnO based compound semiconductor crystal and ZnO based compound semiconductor substrate

Номер патента: US20070152233A1. Автор: Hiroyuki Kato,Takafumi YAO,Hiroshi Yoneyama,Katsumi Maeda,Michihiro Sano,Meoung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US09625325B2. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Compound semiconductor substrate manufacturing method and compound semiconductor substrate

Номер патента: EP3544045A1. Автор: Hiroki Suzuki,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2019-09-25.

Method for producing compound semiconductor epitaxial substrate having PN junction

Номер патента: US20090031944A1. Автор: Kazumasa Ueda,Masahiko Hata,Kenji Kohiro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for producing a support element for an integrated circuit (ic) component

Номер патента: AU2501501A. Автор: Rüdiger MENTZER,Carsten Senge,Mathias Staudt. Владелец: Orga Kartensysteme GmbH. Дата публикации: 2001-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING BIPOLAR TRANSISTOR IN A CMOS INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2828331A1. Автор: Guillaume Bouche,Olivier Menut,Herve Jaouen. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-02-07.

Method for forming metal silicide regions in an integrated circuit

Номер патента: US20040053485A1. Автор: Yuanning Chen,Maxwell Lippitt,William Moller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Method for attaching optical components onto silicon-based integrated circuits

Номер патента: US8313962B2. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledentsov,James A. Lott. Владелец: CONNECTOR OPTICS LLC. Дата публикации: 2012-11-20.

Method for selecting from a standardized set of integrated circuit mask features

Номер патента: WO2002082564A2. Автор: . Владелец: Hoel, Jeffrey, H.. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for thinning and polishing the die of integrated circuits

Номер патента: WO2002072311A3. Автор: Chun-Cheng Tsao,John Valliant. Владелец: Schlumberger Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for Realizing Heterogeneous III-V Silicon Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20160327759A1. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Shahram Keyvaninia. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for realizing heterogeneous III-V silicon photonic integrated circuits

Номер патента: US09772447B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Shahram Keyvaninia. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for smoothing a current consumed by an integrated circuit and corresponding device

Номер патента: US09678525B2. Автор: Jimmy Fort,Nicolas Demange,Thierry Soude. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-06-13.

Structures and methods for high efficiency compound semiconductor solar cells

Номер патента: KR20140138817A. Автор: 파완 카프르,메드다드 엠. 모슬레히. Владелец: 솔렉셀, 인크.. Дата публикации: 2014-12-04.

Compound semiconductor substrate, a pellicle film, and a method for manufacturing a compound semiconductor substrate

Номер патента: US11626283B2. Автор: Hidehiko Oku,Ichiro Hide. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-04-11.

Method for locating active support circuitry on an integrated circuit fabrication die

Номер патента: US6137181A. Автор: Dzung Nguyen,Youssef Yassine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for the mitigation of hot spots in integrated circuits chip

Номер патента: EP1750303A3. Автор: Shih-Chia Chang,Poh-Seng Lee. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-10.

Pressure sense die pad layout and method for direct wire bonding to programmable compensation integrated circuit die

Номер патента: EP2248168A1. Автор: Ian Bentley,Alistair D. Bradley. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A CAPACITIVE ELEMENT, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200286896A1. Автор: Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for oxidizing a substrate surface using oxygen

Номер патента: US09837486B2. Автор: Pekka Laukkanen,Marko Punkkinen,Jouko LÅNG,Marjukka Tuominen,Veikko Tuominen,Johnny Dahl,Juhani VÄYRYNEN. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing a MOS integrated circuit

Номер патента: US3865650A. Автор: Shigeru Arita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW-DIMENSIONAL ELECTRODES IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2640808B1. Автор: Pierre Blanchard,Patrick Baussand. Владелец: Thomson Composants Militaires et Spatiaux. Дата публикации: 1991-02-08.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW DIMENSION ELECTRODES IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2640808A1. Автор: Pierre Blanchard,Patrick Baussand. Владелец: Thomson Composants Militaires et Spatiaux. Дата публикации: 1990-06-22.

Device and method for enhancing the bandwidth in trench isolations integrated circuit

Номер патента: CN106158738B. Автор: E·P·乔丹,J·G·费法. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2019-05-10.

Method for producing a conductor pattern of an integrated circuit semiconductor arrangement

Номер патента: DE69033802T2. Автор: Masahiro Abe,Yasukazu Mase,Tomie Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for producing a conductor pattern of an integrated circuit semiconductor arrangement

Номер патента: DE69033802D1. Автор: Masahiro Abe,Yasukazu Mase,Tomie Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL FILTER IN AN INTEGRATED CIRCUIT, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150076573A1. Автор: Marty Michel,Frey Laurent,Jouan Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR MAKING AN OPTICAL FILTER WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3010829B1. Автор: Laurent Frey,Michel Marty,Sebastien Jouan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-27.

Method for fabricating an optical filter in an integrated circuit, and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP2851955B1. Автор: Laurent Frey,Michel Marty,Sebastien Jouan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-22.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Source Driving Integrated Circuits Including an Electrostatic Discharge Circuit and Related Layout Method

Номер патента: US20140301001A1. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Combined function ic cell layout method and system

Номер патента: US20240030921A1. Автор: Ying Huang,Jing Ding,Qingchao Meng,Changlin Huang. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for arranging shield line in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design device, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: WO2007077623A1. Автор: Hiroki Murakami,Shinichi Iida,Takahiro Toda,Katsushi Aoki,Junya Yamasaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-07-12.

METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND A COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190279864A1. Автор: Suzuki Hiroki,NARUKAWA Mitsuhisa,OUCHI Sumito. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Method for growing a compound semiconductor, quantum well structure using the same, and compound semiconductor device including the same

Номер патента: US6579780B2. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Circuit, method for determining state of electric fuse and integrated circuit structure

Номер патента: CN110853693A. Автор: 张盟昇,杨耀仁. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-28.

SYSTEM AND METHOD FOR IDENTIFYING OPERATING TEMPERATURES AND MODIFYING OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160240479A1. Автор: Li Baozhen,Bickford Jeanne P.,Habib Nazmul,Wilder Tad J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED LATERAL TRANSISTOR AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SAME

Номер патента: FR2592525B1. Автор: BERTRAND JACQUES,Pierre Leduc. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1988-02-12.

Method for manufacturing self-compensating resistors within an integrated circuit

Номер патента: US7052925B2. Автор: Erick G. Walton,Anthony K. Stamper,William J. Murphy,Edmund J. Sprogis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-30.

Reinforced interconnection structures, methods for forming the same, fuse structures and integrated circuit chips

Номер патента: TWI314777B. Автор: Hsien Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-09-11.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

METHODS FOR DICING A COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER, AND DICED WAFERS AND DIE OBTAINED THEREBY

Номер патента: US20140217556A1. Автор: McIntyre David G.,Peh Chee Siong,NG Chiew Hai. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-08-07.

Layout method for integrated circuit and layout of the integrated circuit

Номер патента: US20170365592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Compound semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CA1222330A. Автор: Naoki Yokoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-05-26.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for computer aided design of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060288321A1. Автор: Akinori Shibayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Calculating method for inductance in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040075436A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Hiroo Masuda. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2004-04-22.

Biasing device for low parasitic capacitance in integrated circuit applications

Номер патента: US20060237820A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for verifying mask layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2010004666A1. Автор: 向井清士,伊東昌徳,岡本吉永,小島清次郎. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-01-14.

System for shielding integrated circuits

Номер патента: EP1747584A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

System for shielding integrated circuits

Номер патента: IL179178A0. Автор: . Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for shielding integrated circuits

Номер патента: IL179178A. Автор: . Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2011-01-31.

Integrated circuit including a FET device and Schottky diode

Номер патента: US5665993A. Автор: Rajiv R. Shah,Stephen A. Keller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Damping of LC Ringing in IC (Integrated Circuit) Power Distribution Systems

Номер патента: US20050110551A1. Автор: Michael Sorna,Anthony Bonaccio,Stephen Wyatt,Allen Haar,Ivan Wemple. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for manufacturing encapsulated electronical components

Номер патента: AU4624900A. Автор: Johannes Bernardus De Vrught,Johannes Bernardus Petrus Janssen. Владелец: 3P Licensing BV. Дата публикации: 2000-11-17.

PHOTOMASK INCLUDING FOCUS METROLOGY MARK, SUBSTRATE TARGET INCLUDING FOCUS MONITOR PATTERN, METROLOGY METHOD FOR LITHOGRAPHY PROCESS, AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20160033880A1. Автор: Kim Yong-Chul,PARK Young-Sik,Kim Ji-myung,Yoon Kwang-sub. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD FOR SMOOTHING A CURRENT CONSUMED BY AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: US20170097653A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry,Demange Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Method for preventing conductive band of thick film integrated circuit from breaking

Номер патента: CN110610932A. Автор: 符宏大,尤广为,王星鑫. Владелец: No 214 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

System and method for improving solder joint reliability in an integrated circuit package

Номер патента: US8330258B2. Автор: Anthony M. Chiu,Tong Yan Tee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-12-11.

Methods for providing bias to a monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US20060244547A1. Автор: Kenneth Buer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor integrated circuit and pattern layouting method for the same

Номер патента: US20140035108A1. Автор: Kazuya Kamon. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated circuit layout method and system

Номер патента: US20210209284A1. Автор: Tzu-Ying LIN,Jian-Sing LI,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Method for producing compound semiconductor crystal, method for producing electronic device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20120228627A1. Автор: Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for manufacturing compound semiconductor epitaxial substrates including heating of carrier gas

Номер патента: US09711353B2. Автор: Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Polishing composition, method for polishing the surface of semiconductor integrated circuit, and method for production of copper interconnect for semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW200913036A. Автор: Iori Yoshida. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor integrated circuit and method for making wiring layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100256882B1. Автор: 토루 오사지마,노보루 요꼬타,타까시 이이다,마사시 타까세,시게노리 이찌노세. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2000-05-15.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: EP1570525A1. Автор: TSAI Wilman,Matty Caymax,Jerry Chen,Jan-Willem Maes. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: US20090079016A1. Автор: TSAI Wilman,Jan Willem Maes,Mathieu Caymax,Peijun Jerry Chen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

Integrated circuits with overlay marks and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09646934B2. Автор: Lei Wang,Alex See,Shijie Wang,Yong Feng Fu,Siew Yong Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Substrate for epitaxial growth and method for producing nitride compound semiconductor single crystal

Номер патента: EP2133450A4. Автор: Takayuki Shimizu,Misao Takakusaki,Satoru Morioka. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Polishing composition, polishing method, and method for forming copper wiring for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080261400A1. Автор: Iori Yoshida,Hiroyuki Kamiya,Satoshi Takemiya,Norihito Nakazawa,Atsushi Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Polishing composition, polishing method, and method for producing copper wiring for semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4277930B2. Автор: 聡 竹宮,伊織 吉田,広幸 神谷,伯人 中沢,篤 林. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-10.

Polishing composition, polishing method, and method for forming copper wiring for semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1965417A4. Автор: Iori Yoshida,Hiroyuki Kamiya,Satoshi Takemiya,Norihito Nakazawa,Atsushi Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Method for forming multiple well of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100263909B1. Автор: 이성영,권준모. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-09-01.

Method for cleaning compound semiconductor and solution for cleaning of compound semiconductor

Номер патента: EP3174087A1. Автор: Kenichi Nakamura,Kenji Nagao,Akinobu Teramoto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-05-31.

Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

Номер патента: US20050205873A1. Автор: Yasuo Sato,Hironobu Narui,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Photomask including focus metrology mark, substrate target including focus monitor pattern, metrology method for lithography process, and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09557655B2. Автор: Young-Sik Park,Yong-Chul Kim,Kwang-sub Yoon,Ji-myung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for growing a compound semiconductor layer on a metal layer

Номер патента: EP1921668B1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN1500160A. Автор: ,山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明,��ɽ��Ҳ. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-26.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN100360721C. Автор: 山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for producing nitride compound semiconductor substrate, nitride compound semiconductor substrate and self-supporting nitride compound semiconductor substrate

Номер патента: TW201205678A. Автор: Satoru Morioka. Владелец: Jx Nippon Mining & Amp Metals. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for manufacturing nitrogen compound semiconductor substrate, nitrogen compound semiconductor substrate, method for manufacturing single crystal SiC substrate, and single crystal SiC substrate

Номер патента: CN102057463A. Автор: 川村启介,泉胜俊,浅村英俊,横山敬志. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2011-05-11.

A method for growing a compound semiconductor and a method for producing a semiconductor laser

Номер патента: EP0488632A2. Автор: Toshio Hata,Masafumi Kondo,Sadayoshi Matsui,Akinori Seki,Hiroyuki Hosoba,Takahiro 1-106 Koriyama - Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-06-03.

Compound Semiconductor Substrate, A Pellicle Film, And A Method For Manufacturing A Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20220139708A1. Автор: OKU Hidehiko,HIDE Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

A Compound Semiconductor Substrate, A Pellicle Film, And A Method For Manufacturing A Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200152455A1. Автор: OKU Hidehiko,HIDE Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Crystal growing apparatus, method for manufacturing nitride compound semiconductor crystal, and nitride compound semiconductor crystal

Номер патента: WO2011108640A1. Автор: 理 森岡. Владелец: Jx日鉱日石金属株式会社. Дата публикации: 2011-09-09.

Apparatus and method for forming single crystalline nitride substrate using hydride vapor phase epitaxy and laser beam

Номер патента: WO2001023648A1. Автор: Bong-Cheol Kim. Владелец: Prowtech Inc.. Дата публикации: 2001-04-05.

Method for producing a compound semiconductor, and thin-film solar cell

Номер патента: US20150318433A1. Автор: Stefan Jost,Robert Lechner,Thomas Dalibor,Patrick ERAERDS. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2015-11-05.

MANUFACTURE METHOD FOR ZnO-CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: KR101458629B1. Автор: 토모후미 야마무로,미찌히로 사노,히로유키 카또,아끼오 오가와. Владелец: 스탄레 덴끼 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-11-07.

Method for producing a compound semiconductor, and thin-film solar cell

Номер патента: KR101768788B1. Автор: 스테판 조스트,로베르트 레흐너,토마스 달리보르,파트릭 에라에르트스. Владелец: 쌩-고벵 글래스 프랑스. Дата публикации: 2017-08-16.

Method for producing a compound semiconductor, and thin-film solar cell

Номер патента: CN104885191A. Автор: T.达利博尔,S.约斯特,R.莱希纳,P.埃雷尔兹. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for fabricating of compound semiconductor layer

Номер патента: KR101068018B1. Автор: 김효진,한명수,한수욱,기현철,김두근,김선훈,김회종,고항주. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2011-09-26.

Method for manufacturing nitride compound semiconductor device

Номер патента: CN105308720B. Автор: 帕特里克·罗德,维尔纳·贝格鲍尔,菲利普·德雷克塞尔,彼得·施陶斯. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-20.

Front opening shipping box`s atmosphere conditioning method for use during manufacture of e.g. integrated circuit, involves supplying gas to storage chamber for conditioning duration, opening chamber door at end of duration and closing door

Номер патента: FR2877641A1. Автор: Marc Leturmy. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2006-05-12.

Method for etching multilayer compound semiconductor material

Номер патента: US6306674B1. Автор: Peter S. Zory, Jr.. Владелец: Peter S. Zory, Jr.. Дата публикации: 2001-10-23.

A method for producing a compound semiconductor laser device

Номер патента: EP0695006A1. Автор: Masahiro Hosoda,Sadayoshi Matsui,Atsuo Tsunoda,Kosei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-01-31.

Method for manufacturing a compound semiconductor device

Номер патента: US6531383B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Method for producing a compound semiconductor film based on an oxide and further producing an associated electronic device

Номер патента: JP4303363B2. Автор: ケイ． カプール ヴァイジェイ,エム． ベイソール ビューレント,アール． レイドホルム クライグ,エイ． ロウ ロバート. Владелец: インターナショナル ソーラー エレクトリック テクノロジー，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-07-29.

Vapor-phase epitaxial growing method for iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS61272919A. Автор: Sukemune Udou,有働　祐宗. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-12-03.

Method for manufacturing a compound semiconductor device

Номер патента: EP2634825B1. Автор: Dong Gun Lee,Sung Jin An,Seok Han Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kumoh National Institute of Technology. Дата публикации: 2018-12-26.

SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING SOLDER JOINT RELIABILITY IN AN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20130130492A1. Автор: Chiu Anthony M.,Tee Tong Yan. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

METHOD FOR GENERATING A TOPOGRAPHY OF AN FDSOI INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140173544A1. Автор: Noel Jean-Philippe,Giraud Bastien,Flatresse Philippe,Le Boulaire Matthieu. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

METHODS FOR ETCHING COPPER DURING THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150228595A1. Автор: Duong Anh,Willeke Reiner,Atanasova Tanya,Nowling Greg. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING A WAVEGUIDE STRUCTURE TO AN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20200365535A1. Автор: Kamphuis Antonius Hendrikus Jozef,de Graauw Antonius Johannes Matheus,Geluk Sander Jacobus. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method for Achieving Uniform Chemical Mechanical Polishing In Integrated Circuit Manufacturing

Номер патента: US20080318428A1. Автор: Yi Ding,Xinyu Zhang,Richard Wee-chen Gan. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for processing diamond film and three-dimensional integrated circuit

Номер патента: CN114464525A. Автор: 杨勇,张立平,魏潇赟,崔晓娟,张彦平,王俊友,邓抄军. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Method for connecting the output pads of an integrated circuit chip, and multi-chip module thus obtained.

Номер патента: FR2720190A1. Автор: Givry Jacques De. Владелец: Matra Marconi Space France SA. Дата публикации: 1995-11-24.

Method for connecting the output pads of an integrated circuit chip, and multi-chip module thus obtained.

Номер патента: FR2720190B1. Автор: Givry Jacques De. Владелец: Matra Marconi Space France SA. Дата публикации: 1996-08-02.

Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing

Номер патента: WO2001029879A3. Автор: . Владелец: Helle Wolfgang. Дата публикации: 2002-01-24.

Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing

Номер патента: US20070186953A1. Автор: Stephen Savas,Robert Guerra,John Zajac,Wolfgang Helle. Владелец: Wolfgang Helle. Дата публикации: 2007-08-16.

Device and method for etching nitride spacers formed upon an integrated circuit gate conductor

Номер патента: US6281132B1. Автор: Charles E. May,Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-28.

Method for improving peeling issues during fabrication of integrated circuits

Номер патента: US6331471B1. Автор: Tzung-Han Lee,Wayne Tan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Low dielectric constant silicon coating, method for the preparation and application thereof to integrated circuits

Номер патента: CN101283066B. Автор: 伊夫·吉罗,卡罗尔·韦尔格拉提,迪迪埃·蒂皮尼耶,卢多维克·奥多尼,夏洛特·巴西尔,莱斯·特鲁耶. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for electrically examining electronic components of an integrated circuit

Номер патента: US12007408B2. Автор: Bert Voigtlaender,Vasily CHEPERANOV. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for forming a compound semiconductor device using a buffer layer over a corrugated surface

Номер патента: US6083813A. Автор: Yasumasa Kashima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Method and apparatus for attaching a heat sink and a fan to an integrated circuit package

Номер патента: US5594623A. Автор: Tim Schwegler. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1997-01-14.

Method for producing a supporting element for an integrated circuit module for placement in chip cards

Номер патента: WO2000021027A1. Автор: Lothar Fannasch,Gerd Mederski. Владелец: Orga Kartensysteme GmbH. Дата публикации: 2000-04-13.

Method for wavelength compensation in semiconductor manufacturing

Номер патента: EP1142035A1. Автор: Eskil Bendz,Lennart Lundqvist. Владелец: Northlight Optronics AB. Дата публикации: 2001-10-10.

Method for providing near-hermetically coated, thermally protected integrated circuit assemblies

Номер патента: US8166645B2. Автор: Nathan P. Lower,Alan P. Boone,Ross K. Wilcoxon. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for providing near-hermetically coated, thermally protected integrated circuit assemblies

Номер патента: US20080299300A1. Автор: Nathan P. Lower,Alan P. Boone,Ross K. Wilcoxon. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2008-12-04.

Apparatus and method for attaching a heat sink to an integrated circuit module

Номер патента: US7006353B2. Автор: Jason Aaron Matteson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-28.

Apparatus and method for attaching a heat sink to an integrated circuit module

Номер патента: US20050201062A1. Автор: Jason Matteson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

System and method for direct convective cooling of an exposed integrated circuit die surface

Номер патента: EP1465252A1. Автор: Harry Michael Siegel,Anthong M. Chiu. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for layout design and structure with inter-layer vias

Номер патента: US09679840B2. Автор: Ching-Fang Chen,Yi-Lin Chuang,Jia-Jye Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: WO2001026150A9. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-09-06.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: EP1138072A1. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-04.

System and method for repairing interconnect links

Номер патента: WO2001026150A1. Автор: Milind Ganesh Weling,Subhas Bothra,Satyendra Sethi. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-04-12.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Apparatus and method for electrical isolation

Номер патента: WO2002073692A3. Автор: Steven F Gillig,Barry W Herold. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Apparatus and method for electrical isolation

Номер патента: WO2002073692A2. Автор: Steven F. Gillig,Barry W. Herold. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Layout method of semiconductor circuit structure

Номер патента: US20140089869A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Yuan Hsueh,Shih Chieh Hsu,Yao-Chang Wang,Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140054608A1. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Crystal defect observation method for compound semiconductor

Номер патента: US12038396B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Method for selecting from a standardized set of integrated circuit mask features

Номер патента: TW557491B. Автор: Jeffrey H Hoel. Владелец: Jeffrey H Hoel. Дата публикации: 2003-10-11.

Method for selecting from a standardized set of integrated circuit mask features

Номер патента: AU2002254528A1. Автор: . Владелец: HOEL JEFFREY H. Дата публикации: 2002-10-21.

Method for forming an integrated circuit, method for forming a bonding pad in an integrated circuit and an integrated circuit structure

Номер патента: TW200735242A. Автор: Hsien-Wei Chen,Jun-Ren Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for producing an individualization zone of an integrated circuit

Номер патента: FR3108780B1. Автор: Michael May,Stefan Landis,Hubert Teyssedre. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-03-18.

STRUCTURES AND METHODS FOR HIGH EFFICIENCY COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELLS

Номер патента: US20130337601A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

METHODS FOR DICING A COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER, AND DICED WAFERS AND DIE OBTAINED THEREBY

Номер патента: US20150098482A1. Автор: McIntyre David G.,Peh Chee Siong,NG Chiew Hai. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL

Номер патента: US20180301577A1. Автор: Lee Hyun,Kim Soohyun,HEO Younho,JEONG Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Method for producing a compound semiconductor crystal layer having a sudden heterointerface

Номер патента: KR960002531A. Автор: 히로유끼 호소바,준이찌 나까무리,마사노리 와따나베. Владелец: 샤프 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-01-26.

Substrate target for metrology, metrology method for lithography process, and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: KR102235615B1. Автор: 윤광섭,정태화,김지명,정규민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-02.

Method for manufacturing a compound semiconductor solar cell

Номер патента: WO2018190583A1. Автор: Hyun Lee,Soohyun KIM,Younho HEO,Changhyun JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD FOR IN-MEMORY CONVOLUTIONAL COMPUTATION AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20220044099A1. Автор: La Rosa Francesco,Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

METHOD FOR SMOOTHING A CURRENT CONSUMED BY AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: US20170192448A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry,Demange Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

METHOD FOR CONNECTING PLOTS OF A COMPONENT WITH INTEGRATED CIRCUITS TO CONNECTING RANGES OF A PLASTIC SUBSTRATE BY MEANS OF PROTUBERANCES

Номер патента: FR2773642B1. Автор: Roger Munch. Владелец: Schlumberger SA. Дата публикации: 2000-03-03.

METHOD FOR SMOOTHING A CURRENT CONSUMED BY AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: FR3042066A1. Автор: Jimmy Fort,Nicolas Demange,Thierry Soude. Владелец: Stmicroelectronics Rousset. Дата публикации: 2017-04-07.

Method for continuous assembly of patterned strips and integrated circuit micromodule obtained by said method

Номер патента: CA2104374A1. Автор: Michel Fallah,Joel Turin,Damien Laroche,Jean P. Gloton. Владелец: Jean P. Gloton. Дата публикации: 1992-08-20.

METHOD FOR ATTACHING OPTICAL COMPONENTS TO SILICON-BASED INTEGRAL CIRCUITS

Номер патента: RU2010152355A. Автор: Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ,Виталий Александрович ЩУКИН,Джеймс ЛОТТ,Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE),Виталий Александрович ЩУКИН (DE),Джеймс ЛОТТ (DE). Владелец: Коннектор Оптикс (Ru). Дата публикации: 2012-06-27.

Method for fabricating a probing pad of an integrated circuit chip

Номер патента: US7741198B2. Автор: Chien-Ming Lan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Method for the electric current smoothly consumed by integrated circuit and corresponding equipment

Номер патента: CN106560757B. Автор: N·德曼吉,J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-01-11.

Method for smoothing the current consumed by an integrated circuit and corresponding device

Номер патента: CN109656305B. Автор: N·德曼吉,J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for the surface optimisation of components in integrated circuits

Номер патента: EP1305743B9. Автор: Ralf Brederlow,Christian Paulus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-19.

Method for coating metal on the surface of integrated circuit structure

Номер патента: CN1449004A. Автор: 宫振越. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Method for fabricating a probing pad of an integrated circuit chip

Номер патента: US7456479B2. Автор: Chien-Ming Lan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Pressure sense die pad layout and method for direct wire bonding to programmable compensation integrated circuit die

Номер патента: EP2248168A4. Автор: Ian Bentley,Alistair D Bradley. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-09-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Layout for integrated circuit and the integrated circuit

Номер патента: US20200285797A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Layout method and device for integrated circuit

Номер патента: EP4184377A1. Автор: LI TANG,Li Bai,Kang Zhao,Jing Xu,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Layout method and layout apparatus for integrated circuit

Номер патента: US20220147686A1. Автор: LI TANG,Li Bai,Kang Zhao,Jing Xu,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Gate array integrated circuit including a unit cell basic layer having gate terminal regions allowing two contact pads to be disposed laterally

Номер патента: US20060060889A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Layout for integrated circuit and the integrated circuit

Номер патента: US11494543B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Layout for integrated circuit and the integrated circuit

Номер патента: US11907633B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Layout method for automatically generating circuit layout and control system for controlling layout arrangement of circuit generated over substrate

Номер патента: US20220382937A1. Автор: Takahiro Fukutome,Seiko Inoue,Ryo NAKAZATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

Номер патента: US20160035851A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Douglas S. Katzer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12132063B2. Автор: Masami Suzuki,Daisuke Chino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method

Номер патента: EP1326288A3. Автор: Takayuki c/o Seiko Epson Corporation Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A3. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: EP1719160A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Light receiving apparatus, method for fabricating light receiving apparatus

Номер патента: US09685570B2. Автор: Kohei Miura,Yasuhiro Iguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20140124777A1. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Layout method and layout apparatus for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090093099A1. Автор: Naohiro Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Biasing control for compound semiconductors

Номер патента: EP4318171A1. Автор: Christopher Iain DUFF. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Biasing control for compound semiconductors

Номер патента: US20240045461A1. Автор: Christopher Iain DUFF. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Plasma immersion ion processor for fabricating semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6055928A. Автор: Yanwei Zhang,Ivan Herman Murzin. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Transformer synthesis and optimization in integrated circuit design

Номер патента: US09824165B2. Автор: Sotirios Bantas,Konstantinos Karouzakis,Stefanos Stefanou,Apostolos Liapis,Labros Kokkalas,Konstantinos Nikellis,Errikos Lourandakis. Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2017-11-21.

Antenna assembly for integrated circuit package

Номер патента: US20220416428A1. Автор: Shuhei Yamada,Zhen Zhou,Tolga Acikalin,Kenneth Foust,Renzhi Liu,Jason Mix,Tae Young Yang,Johanny ESCOBAR PELAEZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

System and methods for measuring performance of an application specific integrated circuit interconnect

Номер патента: US20190044625A1. Автор: David Fong,Stefano Giaconi,Giacomo Rinaldi,Matheus TREVISAN MOREIRA,Matthew Pryor. Владелец: Chronos Tech LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

System and methods for measuring performance of an application specific integrated circuit interconnect

Номер патента: US20200259572A1. Автор: David Fong,Giacomo Rinaldi,Matheus TREVISAN MOREIRA,Matthew Pryor,Stefani GIACONI. Владелец: Chronos Tech LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: US20240292206A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for controlling message signal within timing controller integrated circuit, timing controller integrated circuit and display panel

Номер патента: US09898993B2. Автор: Jingjing WU,Zhi XIONG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and method for managing security domains for a universal integrated circuit card

Номер патента: US09967247B2. Автор: Walter Cooper Chastain. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US20240214817A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for increasing the input voltage of an integrated circuit with a two-stage charge pump, and integrated circuit

Номер патента: US20050077949A1. Автор: Michael Hausmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-14.

Circuit and method for providing absolute information for floating grounded integrated circuit

Номер патента: US8659239B2. Автор: Chia-Wei Liao,Jing-Meng Liu,Roland Van Roy,Leng-Nien Hsiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-25.

Circuit and method for setting data and their application to integrated circuit

Номер патента: US9473344B2. Автор: Ming-Je Li,Chi-Shun Weng,Ming-Yuh Yeh,Meng-Han Hsieh,Kai-Yi Fang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

System and methods for measuring performance of an application specific integrated circuit interconnect

Номер патента: US20220393777A1. Автор: David Fong,Stefano Giaconi,Giacomo Rinaldi,Matheus TREVISAN MOREIRA,Matthew Pryor. Владелец: Chronos Tech LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

A method for modifying a test profile in an integrated circuit card, corresponding integrated circuit card, testing method and apparatus

Номер патента: EP4340418A1. Автор: Maria Chichierchia,Mario ALGHIRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-20.

Integrated-circuit card and method for data exchange between peripheral device and integrated-circuit card

Номер патента: RU2204166C2. Автор: Рудольф Риттер,Ханспетер БУКЕ,Вальтер ХОЙЧИ. Владелец: Свисском Мобиле Аг. Дата публикации: 2003-05-10.

System and method for generating random bit string in an integrated circuit

Номер патента: US20210026604A1. Автор: Udayan Ganguly,Sunny Sadana,Sanjay Ashwin Lele. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2021-01-28.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US10587273B2. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for generating personalized profile package data for integrated circuit cards

Номер патента: US11792166B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for securely provisioning a device incorporating an integrated circuit without using a secure environment

Номер патента: US11783057B2. Автор: Alexander Vogt,Björn FAY,Miroslav Knezevic,Durgesh Pattamatta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US11995333B2. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for modifying a test profile in an integrated circuit card, corresponding integrated circuit card, testing method and apparatus

Номер патента: US20240095023A1. Автор: Maria Chichierchia,Mario ALGHIRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods for packaging an acoustic device in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US11855608B2. Автор: Chee Kong Lee,Huan En Ku,Joo Shan Yam. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US11956638B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Antenna conductor layout method and antenna array fabricated thereby

Номер патента: US20100079343A1. Автор: Tsung-Wen Chiu,Fu-Ren Hsiao,Cheng-Hsuan HSU,Wen-His Lee. Владелец: Advanced Connectek Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator and method for fabricating the same

Номер патента: EP1041667A3. Автор: Changyul Cheon,Cimoo Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Chungwoo Samsung Advanced Institute of Tec. Kim,Seokjin Samsung Advanced Institute of Tec. Kang,Insang Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Yongwoo 123-902 Park Town Samik Apt. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-16.

Layout method, electronic device and connector

Номер патента: US09825388B2. Автор: Yu-Chang Pai,Chun-Yi Chou,Shih-Wei TSENG,Teng-Yang Tan. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-11-21.

Bi-directional amplifier and method for accelerated bus line communication

Номер патента: US20030179012A1. Автор: Tyler BRANDON,Raymond Sung,John Koob,Duncan Elliot. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, APPARATUS INCLUDING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR CONTROLLING CLOCK SIGNAL IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Niitsuma Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Clock source, method for distributing a clock signal and integrated circuit

Номер патента: US09766651B2. Автор: Sergey Sofer,Michael Priel,Dan Kuzmin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR SUPPLYING CLOCK SIGNALS IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190163231A1. Автор: Kanno Tohru,KAMEZAWA Sho. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR SUPPLYING CLOCK SIGNALS IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170269630A1. Автор: Kanno Tohru,KAMEZAWA Sho. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Circuit and method for terminating data line of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100940837B1. Автор: 구기봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-04.

MONITORING SYSTEM, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT FOR THE SAME

Номер патента: US20130088596A1. Автор: RAITA Kazuhisa,SHIBATA Akihiro,SHIMODA Naoyuki,ENDOU Takeshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-04-11.

Apparatus and method for filtering radio frequency signals of transceiver integrated circuits

Номер патента: EP3248346A2. Автор: Scott R. Anderson,Ted J. BECK. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2017-11-29.

Apparatus and method for filtering radio frequency signals of transceiver integrated circuits

Номер патента: US20170264243A1. Автор: Scott R. Anderson,Ted J. BECK. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus and method for filtering radio frequency signals of transceiver integrated circuits

Номер патента: WO2016116761A2. Автор: Scott R. Anderson,Ted J. BECK. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Apparatus and method for filtering radio frequency signals of transceiver integrated circuits

Номер патента: US09948237B2. Автор: Scott R. Anderson,Ted J. BECK. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Apparatus and method for filtering radio frequency signals of transceiver integrated circuits

Номер патента: US09680415B2. Автор: Scott R. Anderson,Ted J. BECK. Владелец: Cambium Networks Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus and method for generating internal voltage in semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100757933B1. Автор: 김명진,안용복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-11.

Apparatus and method for generating internal voltage in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8013662B2. Автор: Gyo-Soo Chu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Apparatus and method for generating internal voltage in semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100795026B1. Автор: 추교수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-16.

Integrated circuit, method for manufacturing an integrated circuit, wafer and method for manufacturing a wafer

Номер патента: US11818900B2. Автор: Hans Taddiken,Christoph Glacer,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for recovery of wasted power from differential drivers

Номер патента: WO2008136810A1. Автор: Hongwu Chi. Владелец: Analogix Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

A system and method for a single chip direct conversion transceiver in silicon

Номер патента: WO2009049400A1. Автор: Sean T. Nicolson,Ekaterina Laskin,Sorin P. Voinigescu. Владелец: Voinigescu Sorin P. Дата публикации: 2009-04-23.

Method for preventing transients during switching processes in integrated switching circuits, and an integrated switching circuit

Номер патента: US20050062516A1. Автор: Christian Kranz,Ulrich Boetzel,Michael Warmers,Markus Hammes,Andre Neubauer,Frank Gersemsky,Rüdiger Lorenz,Bernd Schmandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Apparatus and methods for measurement of analog voltages in an integrated circuit

Номер патента: TWI323348B. Автор: Ronny Chan,Ramesh Senthinathan,Richard W Fung. Владелец: Ati Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-11.

Apparatus and method for adaptive reduction of power consumption in integrated circuits

Номер патента: EP1030449B1. Автор: Christopher John Nicol. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-26.

System and method for reducing reconfiguration power usage

Номер патента: US20130021058A1. Автор: Steven Teig,Martin Voogel,Randy R. Huang,Jingcao Hu. Владелец: Tabula Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4070392A1. Автор: Richard G. Harris,Christopher B. Rich. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for generating a data set on an integrated circuit, method of manufacturing an integrated circuit, and integrated circuit device

Номер патента: TWI640005B. Автор: 林昱佑,李峰旻,曾柏皓,許凱捷. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

TERMINAL APPARATUS, BASE-STATION APPARATUS, COMMUNICATION SYSTEM, METHOD FOR CONTROLLING TRANSMISSION OF TERMINAL APPARATUS, METHOD FOR CONTROLLING TRANSMISSION OF BASE-STATION APPARATUS, INTEGRATED CIRCUIT INSTALLED IN TERMINAL APPARATUS, AND INTEGRATED CIRCUIT INSTALLED IN BASE-STAITON APPARATUS

Номер патента: US20150011215A1. Автор: KATO Yasuyuki,Uemura Katsunari. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-01-08.

METHOD FOR ADHESIONING TWO ELEMENTS, IN PARTICULAR AN INTEGRATED CIRCUIT, FOR EXAMPLE RESONATOR ENCAPSULATION, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2848339B1. Автор: Guillaume Bouche,Benoit Froment,Pascal Ancey. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-08-26.

Method for generating a data set on an integrated circuit, integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: CN108243003B. Автор: 林昱佑,李峰旻,许凯捷,曾柏皓. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Terminal apparatus, base-station apparatus, communication system, method for controlling transmission of terminal apparatus, method for controlling transmission of base-station apparatus, integrated circuit installed in terminal apparatus, and integrated circuit installed in base-staiton apparatus

Номер патента: US20150011215A1. Автор: Yasuyuki Kato,Katsunari Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Terminal apparatus, base-station apparatus, communication system, method for controlling transmission of terminal apparatus, method for controlling transmission of base-station apparatus, integrated circuit installed in terminal apparatus, and integrated circuit installed in base-station apparatus

Номер патента: US9215677B2. Автор: Yasuyuki Kato,Katsunari Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Terminal device, base-station device, communication system, method for controlling transmission of terminal device, method for controlling transmission of base-station device, integrated circuit installed in terminal device, and integrated circuit installed in base-station device

Номер патента: EP2800428A4. Автор: Yasuyuki Kato,Katsunari Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-07-08.

Method for controlling message signal within timing controller integrated circuit, timing controller integrated circuit and display panel

Номер патента: US20170287415A1. Автор: Jingjing WU,Zhi XIONG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: WO2006065452A3. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Circuit and method for setting data and their application in integrated circuits

Номер патента: DE102008055033B4. Автор: Ming-Je Li,Chi-Shun Weng,Ming-Yuh Yeh,Meng-Han Hsieh,Kai-Yi Fang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Methods for fabricating capacitor structures using a photoresist layer

Номер патента: US5879984A. Автор: Jong-Jin Lee,Yun-Seung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

METHOD FOR GENERATING PERSONALIZED PROFILE PACKAGE DATA FOR INTEGRATED CIRCUIT CARDS

Номер патента: US20200137030A1. Автор: ALFARANO Marco,Massascusa Sofia. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

APPARATUS AND METHOD FOR MANAGING SECURITY DOMAINS FOR A UNIVERSAL INTEGRATED CIRCUIT CARD

Номер патента: US20180234405A1. Автор: Chastain Walter Cooper. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatus and Method for Managing Security Domains for a Universal Integrated Circuit Card

Номер патента: US20170295158A1. Автор: Chastain Walter Cooper. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Apparatus and method for managing security domains for a universal integrated circuit card

Номер патента: US20150319152A1. Автор: Walter Cooper Chastain. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2015-11-05.

Apparatus and method for managing security domains for a universal integrated circuit card

Номер патента: US9713006B2. Автор: Walter Cooper Chastain. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method for determining hybrid-manufacturing process plans for integrated circuits based on satisfiability modulo difference logic solver

Номер патента: US11157672B1. Автор: Johan De Kleer,Saigopal Nelaturi,Ion MATEI,Aleksandar B. Feldman,Morad Behandish. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

System and method for cloud testing and remote monitoring for integrated circuit component

Номер патента: CN103778038A. Автор: 曾昱傑,林熙方,吴绍魁. Владелец: Qin Zhan Precision Testing Co ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Apparatus and method for forming the external leads of an integrated circuit

Номер патента: US5806571A. Автор: Hironori Minami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

METHOD FOR INITIALIZING A SERIAL LINK BETWEEN TWO INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING A PARALLEL SERIAL PORT AND DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: FR2759798B1. Автор: Jean Francois Autechaud,Christophe Dionet. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 2001-08-24.

Apparatus and method for managing security domains for a universal integrated circuit card

Номер патента: US10476859B2. Автор: Walter Cooper Chastain. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-11-12.

SYSTEM AND METHOD FOR GENERATING RANDOM BIT STRING IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210026604A1. Автор: Ganguly Udayan,Sadana Sunny,Lele Sanjay Ashwin. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

SYSTEM AND METHODS FOR MEASURING PERFORMANCE OF AN APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT INTERCONNECT

Номер патента: US20190044625A1. Автор: GIACONI Stefano,RINALDI Giacomo,TREVISAN MOREIRA Matheus,PRYOR Matthew,FONG David. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR ROUTING DATA ACROSS REGIONS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Atsatt Sean R.,Schmit Herman Henry. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR ROUTING DATA ACROSS REGIONS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Atsatt Sean R.,Schmit Herman Henry. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

APPARATUS AND METHOD FOR FILTERING RADIO FREQUENCY SIGNALS OF TRANSCEIVER INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160218673A1. Автор: Anderson Scott R.,Beck Ted J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR SHARING A MOBILE OPERATOR PROFILE IN INTEGRATED CIRCUIT CARDS, AND CORRESPONDING SYSTEM AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT

Номер патента: US20210243591A1. Автор: Caserta Francesco. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

APPARATUS AND METHOD FOR FILTERING RADIO FREQUENCY SIGNALS OF TRANSCEIVER INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170264243A1. Автор: Anderson Scott R.,Beck Ted J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Method for sharing a mobile operator profile in integrated circuit cards, and corresponding system and computer program product

Номер патента: US20200252790A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-06.

SYSTEM AND METHODS FOR MEASURING PERFORMANCE OF AN APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT INTERCONNECT

Номер патента: US20200259572A1. Автор: RINALDI Giacomo,TREVISAN MOREIRA Matheus,PRYOR Matthew,FONG David,GIACONI Stefani. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Method for processing phone-book data of universal integrated circuit card and mobile terminal thereof

Номер патента: KR100875742B1. Автор: 이형진. Владелец: 주식회사 케이티프리텔. Дата публикации: 2008-12-26.

Method for manufacturing a narrow structure on an integrated circuit

Номер патента: CN101071753A. Автор: 何家骅,龙翔澜,陈士弘,陈介方. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-14.

Methods for fabricating contacts to pillar structures in integrated circuits

Номер патента: US8008095B2. Автор: Solomon Assefa,Gregory Costrini,Christopher Vincent Jahnes,Michael J. Rooks,Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-30.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US20220159470A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-05-19.

Phase Noise Enhancement Method for Miniature Voltage Controlled Oscillator composed of Integrated Circuits

Номер патента: KR100384243B1. Автор: 권원현,한종태. Владелец: 권원현. Дата публикации: 2003-05-16.

System and method for the authenticated firmware being stored on integrated circuit

Номер патента: CN109643360A. Автор: B·B·佩德森. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for in-memory convolutional computation and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP3955171A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-16.

Method for manufacturing piezoelectric thin film resonator and integrated circuit

Номер патента: JP4567731B2. Автор: ラオ、ヴァルウリ,マ、チン,シム、ドン,ワン、リ−パン. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for securely provisioning a device incorporating an integrated circuit without using a secure environment

Номер патента: US20230063743A1. Автор: Alexander Vogt,Björn FAY,Miroslav Knezevic,Durgesh Pattamatta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: EP3525500B1. Автор: Mr. Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Apparatus and method for controlling refresh operation of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070291568A1. Автор: Jong Yeol Yang,Tae Woo Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for designing cell layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100218154A1. Автор: Hironori Iwamoto,Katsuyuki Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Apparatus, system and method for a common unified debug architecture for integrated circuits and SoCs

Номер патента: US09632895B2. Автор: Sridhar Valluru,Sankaran M Menon,Ramana Rachakonda,Eyal Dolev,Rajendra S Yavatkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: SG142111A1. Автор: John G Rohrbaugh,Shad R Shepston,Jeffrey R Rearick. Владелец: Avago Technologies General Ip. Дата публикации: 2008-05-28.

Apparatus and methods for accommodating manufacturing variance in optical photonic integrated circuits

Номер патента: WO2019149136A1. Автор: Patrick Dumais,Dominic John Goodwill,Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US09588174B1. Автор: Raphael Peter ROBERTAZZI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and method for testing driver writeability strength on an integrated circuit

Номер патента: US20120112736A1. Автор: Ashish R. Jain,Edgardo F. Klass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Apparatus and method for testing driver writeability strength on an integrated circuit

Номер патента: US20100308790A1. Автор: Ashish R. Jain,Edgardo F. Klass. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20030158691A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for Generating Placement and Routing for an Integrated Circuit (IC)

Номер патента: US20240232497A1. Автор: Thierry BESSON,Pierre-Emmanuel Gaillardon. Владелец: Rapidsilicon Us Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for generating a multiple patterning lithography compliant integrated circuit layout

Номер патента: US09996657B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20020135391A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods for forming aligned fuses disposed in an integrated circuit

Номер патента: US20020122342A1. Автор: Lucien Bissey,Bryan Carson,Mark Hadzor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

System and method for extracting realtime debug signals from an integrated circuit

Номер патента: US5838692A. Автор: Paul G. Tobin. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1998-11-17.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US11983480B2. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: EP4354333A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-17.

System and method for enabling a vendor mode on an integrated circuit

Номер патента: US20050034085A1. Автор: Melvin Isom,Shailesh Hegde. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

System and method for enabling a vendor mode on an integrated circuit

Номер патента: US20040060013A1. Автор: Melvin Isom,Shailesh Hegde. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for recognizing and verifying fifo structures in integrated circuit designs

Номер патента: US20080008021A1. Автор: Jun Yuan,Paras Mal JAIN,Shaker SARWARY,Bernard Murphy,Ashish Hari. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for generating and interacting with polymeric photonic integrated circuits

Номер патента: EP4267999A1. Автор: Ofer Bar-On,Omer KOTLICKI. Владелец: Lumina Biophotonics Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for generating and interacting with polymeric photonic integrated circuits

Номер патента: US20240061174A1. Автор: Ofer Bar-On,Omer KOTLICKI. Владелец: Lumina Biophotonics Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for regulating the operating frequency and multifunctional integrated circuit chip for a fiber-optic gyroscope

Номер патента: US7283246B2. Автор: Guenter Spahlinger,Sven Voigt. Владелец: Litef GmbH. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for double-layer winding layout applicable to asymmetrical winding machine

Номер патента: US20240333060A1. Автор: Yan Yan,Dong Yan,Wei Chen,Zhen Zhang,Tingna Shi,Haowei LEI,Peidong HU. Владелец: Zhejiang University Advanced Electrical Equipment Innovation Center. Дата публикации: 2024-10-03.

Layout method for printed circuit board and printed circuit board thereof

Номер патента: US09433092B2. Автор: Dongfang FENG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Layout structure and method for supporting two different package techniques of CPU

Номер патента: US20030141585A1. Автор: Shu-Hui Chen,Nai-Shung Chang,Tsai-Sheng Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

[layout structure and method for supporting two different package techniques of cpu ]

Номер патента: US20040251534A1. Автор: Shu-Hui Chen,Nai-Shung Chang,Tsai-Sheng Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Three-dimensional layout method, apparatus, and device for physical protection system of nuclear power plant

Номер патента: EP4145326A1. Автор: Jian Liu,Xin Liu,Shuang Li,Xiaofeng Li,Guangming Liu,Jiwei Zhang,Lipeng ZHANG,Haibo He,Zhihong LV,Huaping Chen,Biyao WNAG. Владелец: Ling Ao Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090160544A1. Автор: Kenichi Osada,Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor intergrated circuit and method for controlling semiconductor intergrated circuit

Номер патента: US20080201584A1. Автор: Masahiro Tatsumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Automatic layout method and system utilizing vector diagram of otn service signal flow

Номер патента: MY192949A. Автор: Dechao Zhang. Владелец: Fiberhome Telecommunication Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-19.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit board with double-sided universal circuit layout and layout method thereof

Номер патента: US20120145443A1. Автор: Ching-Feng Hsieh,Kuo-Chan Peng. Владелец: Askey Computer Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Predictive circuit design for integrated circuits

Номер патента: US09881117B1. Автор: Nabeel Shirazi,Anindita Patra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for graphically programming an application with external integrated circuits

Номер патента: US20240232121A9. Автор: Mohammad Ali REZAEI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for providing secure and trusted ASICs using 3D integration

Номер патента: US20080148073A1. Автор: Anastasios P. Goutzoulis,Harold Hasely Ball,Michael Robert Lucas. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Systems and methods for graphically programming an application with external integrated circuits

Номер патента: WO2022192229A3. Автор: Mohammad Ali REZAEI. Владелец: Rezaei Mohammad Ali. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US20150040091A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for generating test pattern for semiconductor integrated circuit and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6799292B2. Автор: Sadami Takeoka,Seiji Kajihara,Sudhakar M. Reddy. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-28.

Method for preparing compound semiconductor crystal by combining continuous lec and vgf after injection synthesis

Номер патента: US20240209545A1. Автор: Yang Wang,Zheng Liu,Shujie Wang,Xiaolan Li,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Aimin BU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-06-27.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Methods for providing macro placement of IC

Номер патента: US09892226B2. Автор: Chin-Hsiung Hsu,Chun-Chih Yang,Chi-Yuan Liu,Shih-Ying Liu,Chao-Neng HUANG,Che-Jung LOU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US09625779B2. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit

Номер патента: WO2020159614A9. Автор: Ryohei Urata,Lieven Verslegers,Daoyi Wang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit

Номер патента: EP3803482A1. Автор: Ryohei Urata,Lieven Verslegers,Daoyi Wang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for determining the critical path of an integrated circuit

Номер патента: US20040019450A1. Автор: Henning LÖRCH,Jörg Berthold,Martin Eisele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING POWER SUPPLY IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Nomura Yoshihisa. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor integrated circuit and method for reducing power consumption of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3461947B2. Автор: 篤 川澄. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-27.

Devices and methods for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030080362A1. Автор: Simon Dodd,Frank Bryant,Paul Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated circuit design optimization

Номер патента: US09454636B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for intelligently implementing concurrent transfers of data within a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20230073276A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Marian Petre,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Systems and methods for intelligently implementing concurrent transfers of data within a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US11531633B2. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Marian Petre,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Method for determining computing hardware architectures

Номер патента: US20240338509A1. Автор: Jean-Marc Philippe,Lilia ZAOURAR. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-10.

Large cluster persistence during placement optimization of integrated circuit designs

Номер патента: US09495501B1. Автор: Natarajan Viswanathan,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for making a mask with a phase bar in an integrated circuit design layout

Номер патента: US09448470B2. Автор: Ru-Gun Liu,Yi-Yin Chen,Ken-Hsien Hsieh,Hoi-Tou Ng,Shou-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20110191736A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Y. Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

System and method for managing timing margin in a hierarchical integrated circuit design process

Номер патента: US20130205269A1. Автор: William R. Griesbach,Vishwas Rao,Joseph J. Jamann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-08.

Apparatus and method for testing internal voltage in semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100803354B1. Автор: 민민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for calculating delay time of semiconductor integrated circuit and delay time calculating system

Номер патента: WO2003060776A1. Автор: Katsumi Andou. Владелец: Fujitsu Vlsi Limited. Дата публикации: 2003-07-24.

System and method for supporting layout design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW201017456A. Автор: Kazunori Higashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

A method for testing an integrated circuitry and an integrated circuit having a plurality of functional components and having junction/switch

Номер патента: SG44012A1. Автор: Cornelis Hermanus Van Berkel,Maria Elizabeth Roncken,Ronald Wilhelm Johan J Saeijs. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 1997-11-14.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: EP4242744A1. Автор: Han-Kwang Nienhuys. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-13.

Systems and methods for graphically programming an application with external integrated circuits

Номер патента: US20240134815A1. Автор: Mohammad Ali REZAEI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Device and method for evaluating electrostatic discharge protection capabilities

Номер патента: US20100225346A1. Автор: Sergey Sofer,Yehim-Haim Fefer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-09.

Method for accessing a memory cell in an integrated circuit, method of determining a set of word line voltage identifiers in an integrated circuit, method for classifying memory cells in an integrated circuit, method for determining a word line voltage for accessing a memory cell in an integrated circuit and integrated circuits

Номер патента: US20080253217A1. Автор: Konrad Seidel,Detlev Richter,Luca De Ambroggi,Andreas Taeuber,Robert Petter,Marco Ziegelmayer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Integrated circuit with calibration means for calibrating an electronic module, and method for calibrating an electronic module in an integrated circuit

Номер патента: EP1111508A1. Автор: Fabrice Walter,Christophe Ratajczak. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2001-06-27.

Method for measuring current distribution in an integrated circuit by detecting magneto-optic polarization rotation in an adjacent magneto-optic film

Номер патента: US5663652A. Автор: Mark Russel Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Method and system for secure online transaction using integrated circuit card

Номер патента: WO2017039539A1. Автор: GUOHUA Sun,Shuming Wu. Владелец: JING KING TECH HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2017-03-09.

Method and system for secure online transaction using integrated circuit card

Номер патента: PH12018500444A1. Автор: GUOHUA Sun,Shuming Wu. Владелец: Jing King Tech Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US7418688B2. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

METHOD FOR SECURING THE TEST MODE OF AN INTEGRATED CIRCUIT BY INTRUSION DETECTION

Номер патента: FR2865828A1. Автор: Frédéric Bancel,David Hely. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for voltage setup of integrated circuit tester

Номер патента: US5604750A. Автор: Paul S. Levy. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

Circuit, architecture and method for reducing power consumption in a synchronous integrated circuit

Номер патента: US6166991A. Автор: Cathal Phelan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Method for accurate reference voltage trimming

Номер патента: US20240175913A1. Автор: Kar Hou Chai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for computing power savings and determining the preferred clock gating circuit of an integrated circuit design

Номер патента: US20090044033A1. Автор: David L. Allen. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: IL314999A. Автор: Hugo Augustinus Joseph Cramer,Han-Kwang Nienhuys,Lorenzo Tripodi,Stephen Edward. Владелец: Nienhuys Han Kwang. Дата публикации: 2024-10-01.

Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus

Номер патента: EP1574602A1. Автор: Toshiaki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT ASAHI,Kenji NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT SATO,Takayuki NIKKO MATERIALS CO LTD TODA PLANT YABE,Atsutoshi NIKKO MATERIALS CO LTD ISOHARA ARAKAWA. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Method for storing a temperature threshold in an integrated circuit, method for storing a temperature threshold in a dynamic random access memory, method of modifying dynamic random access memory operation in response to temperature, programmable temperature sensing circuit and memory integrated circuit

Номер патента: US6552945B2. Автор: Charles H. Dennison,Troy A. Manning,Chris G. Martin,Shubneesh Batra,Ming-Bo Liu,Brian M. Shirley,Stephen L. Casper,Christopher B. Cooper,Brian L. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Reverse routing methods for integrated circuits having a hierarchical interconnect architecture

Номер патента: US20080209383A1. Автор: Ernst Mayer. Владелец: Agate Logic Inc USA. Дата публикации: 2008-08-28.

Sensitivity calculation filtering for statistical static timing analysis of an integrated circuit

Номер патента: US10289776B2. Автор: Kerim Kalafala,Stephen G. Shuma,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Gregory M. Schaeffer,Jeffrey G. Hemmett,Nathan Buck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Sensitivity calculation filtering for statistical static timing analysis of an integrated circuit

Номер патента: US20180285503A1. Автор: Kerim Kalafala,Stephen G. Shuma,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Gregory M. Schaeffer,Jeffrey G. Hemmett,Nathan Buck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Sensitivity calculation filtering for statistical static timing analysis of an integrated circuit

Номер патента: US20170199953A1. Автор: Kerim Kalafala,Stephen G. Shuma,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Gregory M. Schaeffer,Jeffrey G. Hemmett,Nathan Buck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Monitor circuitry and method for testing analog and/or mixed signal integrated circuits

Номер патента: EP1380847A3. Автор: Fidel Muradali,Joan Figueras. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for performing floorplan timing analysis using multi-dimensional feedback in a histogram and integrated circuit made using same

Номер патента: US5896301A. Автор: Carlo E. Barrientos. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Scaling of integrated circuit design including logic and memory components

Номер патента: US20160292315A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Scaling Logic Components of Integrated Circuit Design

Номер патента: US20160292313A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Scaling of integrated circuit design including high-level logic components

Номер патента: US20160292317A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated circuit design scaling for recommending design point

Номер патента: US20160292316A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated Circuit Design Optimization

Номер патента: US20160292343A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Scaling of integrated circuit design including logic and memory components

Номер патента: US9460255B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit design scaling for recommending design point

Номер патента: US9460256B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Scaling logic components of integrated circuit design

Номер патента: US9460254B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Scaling of integrated circuit design including high-level logic components

Номер патента: US9460257B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Scaling memory components of integrated circuit design

Номер патента: US20160292314A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Scaling memory components of integrated circuit design

Номер патента: US9454628B1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for intelligently implementing concurrent transfers of data within a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20220318171A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Marian Petre,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Scaling of Integrated Circuit Design Including High-Level Logic Components

Номер патента: US20160371411A1. Автор: Prasad Subramaniam,Hao Nham,Rakesh Chadha,Ferran Martorell. Владелец: eSilicon Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Systems and methods for intelligently implementing concurrent transfers of data within a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US11907146B2. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Marian Petre,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit with calibration means for calibrating an electronic module and method for calibrating an electronic module in an integrated circuit

Номер патента: DE69907930D1. Автор: Fabrice Walter,Christophe Ratajczak. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2003-06-18.

System and method for integrated circuit card data storage

Номер патента: US20030132284A1. Автор: Christopher Nardone,Charles Reynolds. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US11841619B2. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20210373443A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Systems and methods for accelerating memory transfers and computation efficiency using a computation-informed partitioning of an on-chip data buffer and implementing computation-aware data transfer operations to the on-chip data buffer

Номер патента: US20230325087A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego,Marian Petre,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for concurrent migration and decomposition of integrated circuit layout

Номер патента: US20110004858A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chin-Hsiung Hsu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20200174380A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20240061344A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for optimizing the operation of a multiprocessor integrated circuit, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20120036375A1. Автор: Fabien Clermidy,Pascal Benoit,Diego Puschini Pascual. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-02-09.

SYSTEM AND METHOD FOR METASTABILITY VERIFICATION OF CIRCUITS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130246989A1. Автор: MNEIMNEH Maher,SARWARY Shaker,JAIN Paras Mal,BANSAL Ashish,MOVAHED-EZAZI Mohammad,GUPTA Namit. Владелец: Atrenta, Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

On-Chip Circuit and Method for Accurately Measuring Die Temperature of an Integrated Circuit

Номер патента: US20160178450A1. Автор: Karaki Habib Sami,TRIFONOV Dimitar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-23.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DETECTING A STRESS CONDITION IN THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170261546A1. Автор: Taylor William P.,Eagen Jeffrey,Klebanov Maxim. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for testing the operation of a specialized integrated circuit, and specialized integrated circuit relating thereto.

Номер патента: FR2693574B1. Автор: Jean-Louis Laborie,Laborie Jean-Louis. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-09-09.

DEVICE AND METHOD FOR INITIALIZING AN APPLICATION PROGRAM OF AN INTEGRATED CIRCUIT CARD

Номер патента: FR2786901A1. Автор: Yannick Burianne. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2000-06-09.

Panel module, display driving integrated circuit and method for restarting abnormal voltage of display driving integrated circuit

Номер патента: CN113096595A. Автор: 潘亨霖,吴至弘. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Circuits and methods for reducing pin count in multiple-mode integrated circuit devices

Номер патента: EP1634402B1. Автор: Bruce Eliot Duewer. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Circuits and methods for reducing pin count in multiple-mode integrated circuit devices

Номер патента: EP1634402A2. Автор: Bruce Eliot Duewer. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

System and method for monitoring bus transactions within a programmable integrated circuit by selectively inserting detector circuit at user specified insertion point corresponding to a bus interconnect

Номер патента: US9846449B1. Автор: Paul R. Schumacher,Graham F. Schelle,Bradley K. Fross. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for metastability verification of circuits of an integrated circuit

Номер патента: US8448111B2. Автор: Paras Mal JAIN,Shaker SARWARY,Ashish Bansal,Maher MNEIMNEH,Mohammad Movahed-Ezazi,Namit Gupta. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Panel module, display driving integrated circuit and method for restarting abnormal voltage of display driving integrated circuit

Номер патента: CN113096595B. Автор: 潘亨霖,吴至弘. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Control method for I2C device of I2C system and I2C device using the same

Номер патента: US20170371819A1. Автор: Tai-Yu Chiu,Hong-Chu Chen,Su-Wei Lien,Chin-Hui Huang,Chao-Chun Huang,Chih-Huang Lin,Min-Hui Chu,Wei-Lung Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for eliminating routing congestion in an ic layout

Номер патента: WO2004019240A1. Автор: Ywh-Pyng Harn. Владелец: Silicon Perspective Corporation. Дата публикации: 2004-03-04.

System and method for schedule-based I/O multiplexing for integrated circuit (IC) scan test

Номер патента: US11927630B1. Автор: Sounil Biswas. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for eliminating routing congestion in an ic layout

Номер патента: EP1543449A1. Автор: Ywh-Pyng Harn. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

APPARATUS, SYSTEM AND METHOD FOR A COMMON UNIFIED DEBUG ARCHITECTURE FOR INTEGRATED CIRCUITS AND SoCs

Номер патента: US20130339790A1. Автор: Menon Sankaran M.,Rachakonda Ramana,Yavatkar Rajendra S.,Dolev Eyal,Valluru Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Method for fabricating ?-nitride compound semiconductor light-emitting device using maskless selective wet etching

Номер патента: KR100608930B1. Автор: 한대섭,박성주,김석순,김자연,나석인. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals

Номер патента: KR890002000B1. Автор: Nakajima Kazuo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-06-07.

Method for generating a shmoo plot contour for integrated circuit tester

Номер патента: EP1078272A1. Автор: Robert Huston,Daniel J. Bedell. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-02-28.

Method for communication with a test system for integrated circuits

Номер патента: US20040220765A1. Автор: Josef Gluch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for simultaneous programming of in-system programmable integrated circuits

Номер патента: US5635855A. Автор: Howard Y. M. Tang. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

System and method for automatically measuring input voltage levels for integrated circuits

Номер патента: US6329833B1. Автор: Yiding Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2001-12-11.

Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals

Номер патента: DE3479523D1. Автор: Kazuo Nakajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-09-28.

Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals

Номер патента: EP0140565B1. Автор: Kazuo Nakajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-08-23.

Apparatus and method for detecting end point of etching for integrated circuit

Номер патента: JP2664879B2. Автор: トニー・フレデリック・ハインツ,ビクター・ジヨセフ・シルベストリ,スチーブン・ジョージ・バービー,アルリッチ・ホファー,レピング・リー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: WO2023169818A1. Автор: Hugo Augustinus Joseph Cramer,Han-Kwang Nienhuys,Lorenzo Tripodi,Stephen Edward. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for detection of open connections between an integrated circuit and a multi-cell battery pack

Номер патента: US20120081128A1. Автор: Edgardo Laber,Carlos Martinez,Anthony Allen. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

Apparatus and method for adaptive back bias control of an integrated circuit

Номер патента: US20120151227A1. Автор: Darius D. Gaskins. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Systems and Methods for Generating a Multiple Patterning Lithography Compliant Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20180032661A1. Автор: CHEN Chun-Chen,WANG SHAO-HUAN,CHEN SHENG-HSIUNG,CHANG Fong-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

System, Apparatus And Method For Inter-Die Functional Testing Of An Integrated Circuit

Номер патента: US20190033368A1. Автор: Adler Robert P.,PAPPU LAKSHMINARAYANA,Yoon Ki. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD FOR ESTIMATING AN OPERATING PROFILE OF AN INTEGRATED CIRCUIT OF A SYSTEM-ON-A-CHIP, AND CORRESPONDING SYSTEM-ON-A-CHIP

Номер патента: US20180038907A1. Автор: PARTHASARATHY Chittoor,Huard Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

SCANNING METHODS FOR CREATING TIME-RESOLVED EMISSION IMAGES OF INTEGRATED CIRCUITS USING A SINGLE-POINT SINGLE-PHOTON DETECTOR AND A SCANNING SYSTEM

Номер патента: US20210063482A1. Автор: Song Peilin,Stellari Franco. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

System and method for generating time-spectral diagrams in an integrated circuit solution

Номер патента: US20200057932A1. Автор: XIANG Gao,Lin Yang. Владелец: Gyrfalcon Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

APPARATUS AND METHODS FOR ACCOMMODATING MANUFACTURING VARIANCE IN OPTICAL PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200064547A1. Автор: GOODWILL Dominic John,Celo Dritan,Dumais Patrick. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-27.

DEVICE AND METHOD FOR MONITORING DATA AND TIMING SIGNALS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20220137133A1. Автор: Goel Rohit,MISHRA Anand Kumar,GARG Rajnish. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD FOR PERFORMING ADAPTIVE VOLTAGE SCALING (AVS) AND INTEGRATED CIRCUIT CONFIGURED TO PERFORM AVS

Номер патента: US20140191794A1. Автор: Agashe Parag Arun,KRISHNAPPA MADAN,Simmonds Stephen,Pagarkar Sajjad,Rabindranath Ashwin,Digwalekar Sagar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-10.

SYSTEMS AND METHODS FOR SINGLE-WIRE CONTROL OF A SLAVE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180173659A1. Автор: DenBoer Huibert,Huostila Ari. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SYSTEM AND METHOD FOR ENCODING DATA IN A VOICE RECOGNITION INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION

Номер патента: US20190221203A1. Автор: Gao Xiang,Yang Lin,Zhang Wenhan. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

APPARATUS AND METHOD FOR MONITORING AND PREDICTING RELIABILITY OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170242068A1. Автор: Le Huy,Kwasnick Robert F.,Mayeh Mona,Zia Victor. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

System and method for cloud testing and remote monitoring of integrated circuit devices

Номер патента: US20150253379A1. Автор: Yu-Chieh Tseng,David S. Lin,Yi-Chieh Lin,Pei-Lung Yeh,Che-Chen Chuang. Владелец: Unigen Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD FOR TESTING THROUGH SILICON VIAS IN 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170261549A1. Автор: Robertazzi Raphael P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

CHECK TOOL AND CHECK METHOD FOR DESIGN RULE CHECK RULE DECK OF INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Zhao Kang,BAI Li,CHEN Chuanjiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

METHOD FOR ESTIMATING AN OPERATING PROFILE OF AN INTEGRATED CIRCUIT OF A SYSTEM-ON-A-CHIP, AND CORRESPONDING SYSTEM-ON-A-CHIP

Номер патента: US20190285694A1. Автор: PARTHASARATHY Chittoor,Huard Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Method for Realizing Heterogeneous III-V Silicon Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20160327759A1. Автор: Roelkens Gunther,VAN THOURHOUT Dries,Keyvaninia Shahram. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHOD FOR WRITING IN EEPROM MEMORY AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200342943A1. Автор: Tailliet François,Battista Marc. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

METHODS FOR DETECTING SYSTEM-LEVEL TROJANS AND AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH SYSTEM-LEVEL TROJAN DETECTION

Номер патента: US20200387601A1. Автор: SCHAT Jan-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing a copper layer on an integrated circuit

Номер патента: TW565606B. Автор: Janos Farkas,Rajeev Bajaj,Sanjit Das,Chelsea Dang,David K Watts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for welding micro-interconnection welding spots of integrated circuit by electromagnetic pulse solid state welding

Номер патента: CN114589425A. Автор: 陈丹,沈婷,李成祥,戴明,周言,许晨楠,王现民. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: WO2021121906A1. Автор: Seyed Iman MOSSAVAT,Han-Kwang Nienhuys,Niels GEYPEN,Teis Johan COENEN,Sander Bas ROOBOL,Jeroen COTTAAR,Sandy Claudia Scholz,Christina Lynn PORTER. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: EP3851915A1. Автор: Han-Kwang Nienhuys,Teis Johan COENEN,Sander Bas ROOBOL. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2021-07-21.

Method for manufacturing a synthetic skin with film-integrated circuit

Номер патента: EP1935604A2. Автор: Dirk Dr. Iben,Heribert Decher,Zbigniew Parzelski,Harald Dalibor,Gregor Borowski. Владелец: Benecke Kaliko AG. Дата публикации: 2008-06-25.

Apparatus and method for processing coded information stored on an integrated circuit card

Номер патента: US6419161B1. Автор: Aneace Haddad,Bernard Chevalier. Владелец: Welcome Real Time SA. Дата публикации: 2002-07-16.

An apparatus and method for testing control logic of application specific integrated circuit

Номер патента: KR101826779B1. Автор: 김연호,우재혁,박형민,장동온. Владелец: 현대오트론 주식회사. Дата публикации: 2018-02-07.

DEVICE AND METHOD FOR INITIALIZING AN APPLICATION PROGRAM OF AN INTEGRATED CIRCUIT CARD

Номер патента: FR2786901B1. Автор: Yannick Burianne. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2001-04-27.

System and method for providing testing and failure analysis of integrated circuit memory devices

Номер патента: US7216270B1. Автор: Lee James Jacobson,Todd Wayne Karry. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US9784790B2. Автор: Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

System and method for detection of open connections between an integrated circuit and a multi-cell battery pack

Номер патента: EP2447727A2. Автор: Carlos Martinez,Anthony Allen,Edgar Laber. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Apparatus and method for adjusting an operating parameter of an integrated circuit

Номер патента: US7483327B2. Автор: James D. Burnett,Qadeer A. Qureshi,Thomas Jew,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-01-27.

Apparatus and method for accurately tuning the speed of an integrated circuit

Номер патента: US20060119397A1. Автор: Norman James,Frank Ferraiolo,James Fields,Bradley McCredie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Systems and methods for facilitating testing of pad drivers of integrated circuits

Номер патента: US6986085B2. Автор: John G. Rohrbaugh,Jeffrey R. Rearick,Shad Shepston. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for post-routing redundant via insertion in integrated circuit layout

Номер патента: US20070234258A1. Автор: Kuang-Yao Lee,Ting-Chi Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2007-10-04.

METHOD FOR ESTIMATING AN OPERATING PROFILE OF AN INTEGRATED CIRCUIT OF A SYSTEM ON A CHIP, AND A SYSTEM THEREON ON A CHIP CORRESPONDING

Номер патента: FR3054885A1. Автор: Vincent Huard,Chittoor Parthasarathy. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-02-09.

Method for writing in EEPROM memory and corresponding integrated circuit

Номер патента: US11120878B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-09-14.

System, apparatus and method for inter-die functional testing of an integrated circuit

Номер патента: US11105854B2. Автор: KI YOON,Lakshminarayana Pappu,Robert P. Adler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Optimized read data amplifier and method for operating the same in conjunction with integrated circuit devices incorporating memory arrays

Номер патента: US6738302B1. Автор: Michael C. Parris,Kim C. Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method for performing adaptive voltage scaling (AVS) and integrated circuit configured to perform AVS

Номер патента: JP5956090B2. Автор: アガシェ、パラグ・アルン,クリシュナパ、マダン,シモンズ、ステファン,パガルカー、サジャド,ラビンドラナス、アシュウィン,ディグワルカー、サガー. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Systems and methods for facilitating testing of pad drivers of integrated circuits

Номер патента: SG137646A1. Автор: John G Rohrbaugh,Shad Shepston,Jeffrey R Rearick. Владелец: Avago Technologies General Ip. Дата публикации: 2007-12-28.

System and method for encoding data in a voice recognition integrated circuit solution

Номер патента: US10311861B1. Автор: XIANG Gao,Lin Yang,Wenhan Zhang. Владелец: Gyrfalcon Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Methods for detecting system-level trojans and an integrated circuit device with system-level trojan detection

Номер патента: US11586728B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses

Номер патента: TW202227905A. Автор: 漢 冠 尼恩休斯,山德 巴斯 盧波,提司 尤漢 康能,詩為德 伊曼 莫沙維特,吉榮 柯達爾,尼爾斯 吉朋,珊迪 克勞蒂亞 史可茲,克莉絲 琳 波特. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2022-07-16.

Method for performing adaptive voltage scaling (avs) and integrated circuit configured to perform avs

Номер патента: KR101557921B1. Автор: 파라그 아룬 아가세,마단 크리쉬나파,스티븐 시몬드,사자드 파가르카르,애쉬윈 라빈드라나스,사가르 디그왈레카르. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-10-06.

Systems and methods for facilitating testing of pad drivers of integrated circuits

Номер патента: SG114549A1. Автор: R Rearick Jeffrey,G Rohrbaugh John,Shepston Shad. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-28.

Method for post-routing redundant via insertion in integrated circuit layout

Номер патента: TWI323416B. Автор: Ting Chi Wang,Kuang Yao Lee. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-04-11.

Systems and methods for graphically programming an application with external integrated circuits

Номер патента: WO2022192229A2. Автор: Mohammad Ali REZAEI. Владелец: Rezaei Mohammad Ali. Дата публикации: 2022-09-15.

System and method for performing a failure assessment of an integrated circuit

Номер патента: US11669419B1. Автор: Kandadi Vasudevan,Nitin Mohan,Zahi Abuhamdeh,Thucydides Xanthopoulos,Tyler Albarran,Peter Rickenbach. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for estimating an operating profile of an integrated circuit of a system-on-a-chip, and corresponding system-on-a-chip

Номер патента: US10302693B2. Автор: Vincent Huard,Chittoor Parthasarathy. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-05-28.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US6658613B2. Автор: John G. Rohrbaugh,Jeffrey R. Rearick,Shad Shepston. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-12-02.

Apparatus and method for testing driver writeability strength on an integrated circuit

Номер патента: US8125211B2. Автор: Ashish R. Jain,Edgardo F. Klass. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

System and method for measuring a capacitance associated with an integrated circuit

Номер патента: US20040000917A1. Автор: Xiaowei Deng,Robin Sarma,James Gallia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Systems and methods for facilitating automated test equipment functionality within integrated circuits

Номер патента: US20030158690A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Systems and methods for facilitating testing of pad drivers of integrated circuits

Номер патента: US20030172332A1. Автор: John G. Rohrbaugh,Jeffrey R. Rearick,Shad Shepston. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-09-11.

Apparatus and method for adjusting an operating parameter of an integrated circuit

Номер патента: US20070220388A1. Автор: Thomas Jew,James Burnett,Qadeer Quereshi,Jack Higman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Circuits and methods for matching device characteristics for analog and mixed-signal designs

Номер патента: US20050132314A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Charlie Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Integrated circruit and layout method for the same

Номер патента: US20020005572A1. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Circuit layouts, methods and apparatus for arranging integrated circuits

Номер патента: US09805155B2. Автор: Yu-Tung Chang,Chien-Pang Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Electronic apparatus and layout method for integrated circuit

Номер патента: US20200125692A1. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Circuit layout device, circuit layout method, and program for execution thereof

Номер патента: US20060265683A1. Автор: Ayumu Osanai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Layout method, layout apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130061194A1. Автор: Mitsuru Handa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Layout method, non-transitory computer-readable medium, and associated integrated circuit

Номер патента: US20240296271A1. Автор: Jui-Hung Hung,Chin-Cheng Chen,Jen-Hsing Lin. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Layout method, layout system, and non-transitory computer readable medium storing layout program of semicoductor integrated circuit

Номер патента: US20110283248A1. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Layout method, layout system, and non-transitory computer readable medium storing layout program of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8751991B2. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Device and method for checking printed circuit board power source isolation

Номер патента: EP1635274B1. Автор: Hirotsugu Fusayasu,Shoichi Mimura,Seiji c/o Matsushita IPROC IP Dev. Center HAMADA,Miyoko c/o Matsushita IPROC IP Dev. Cent IRIKIIN. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Automatic layout method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7272811B2. Автор: Keiichi Kurokawa,Takuya Yasui. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-18.

Layout method and application of scalable multi-die network-on-chip fpga architecture

Номер патента: US20240143883A1. Автор: Yajun Ha,Jianwen LUO. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

System and method for efficient layout of a display table

Номер патента: EP1238346A1. Автор: Kevin Leduc. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Layout method and layout program for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070061769A1. Автор: Kenji Kumagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Layout method for printed circuit board

Номер патента: US09846756B2. Автор: Yang Liu,Ying Liu,Shih-Chieh Lin,Fu-Kang Pan,Nan-Cheng Chen,Hui-Chi TANG,Ching-Chih Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Active-electrode integrated biosensor array and methods for use thereof

Номер патента: US09465002B2. Автор: Arjang Hassibi,Arun Manickam,Rituraj Singh. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Suit-cutting shearing preprocessing, layout and production optimization method for defective plate

Номер патента: EP4156047A1. Автор: Jian Yi,Limin Wang,Bin Du,Shujin JIA,Liangqi GE. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Suit-cutting shearing preprocessing, layout and production optimization method for defective plate

Номер патента: US20230237391A1. Автор: Jian Yi,Limin Wang,Bin Du,Shujin JIA,Liangqi GE. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Structure and method for tying off dummy gate in semiconductor device

Номер патента: US20230259685A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Application interface layout method and electronic device

Номер патента: EP4209898A1. Автор: Yang Li,ZHANG Gao,WEI ZHONG,Jun Zhu,Xiaoxiao Chen,Bo Tang,Tong Jiao,Letian LIU,Qichao YANG,Longjiao Xin,Duoxian Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Layout method, CAD apparatus, computer-readable program and computer-readable storage medium

Номер патента: US7810051B2. Автор: Masahiro Ohashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-05.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Circuit layout method and device

Номер патента: US20240281586A1. Автор: Tai-Lang Chang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Modular macro cell layout method

Номер патента: US20030089927A1. Автор: Renard Ulrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Genetic algorithm-based sample layout method and apparatus

Номер патента: EP4394645A2. Автор: Limei Liu,Xiaopeng Xu,Chuanpeng Yu. Владелец: Shenzhen Xumi Yuntu Space Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Layout method and apparatus based on genetic algorithm

Номер патента: US20240330547A1. Автор: Limei Liu,Xiaopeng Xu,Chuanpeng Yu. Владелец: Shenzhen Xumi Yuntu Space Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Application Interface Layout Method and Electronic Device

Номер патента: US20230281025A1. Автор: Yang Li,ZHANG Gao,WEI ZHONG,Jun Zhu,Xiaoxiao Chen,Bo Tang,Tong Jiao,Letian LIU,Qichao YANG,Longjiao Xin,Duoxian Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Layout method and apparatus based on genetic algorithm

Номер патента: US12131106B2. Автор: Limei Liu,Xiaopeng Xu,Chuanpeng Yu. Владелец: Shenzhen Xumi Yuntu Space Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Layout method of a chip and electronic equipment

Номер патента: US12045552B2. Автор: HAO Zhang,Peng Han,Lili Chen,Huidong HE,Juanjuan SHI,Qianwen JIANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Desktop layout method and apparatus, and electronic device

Номер патента: US12118194B2. Автор: Xuan Zhou. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Layout method of a semiconductor device and associated system

Номер патента: US20210133386A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Knowledge-based statistical method and system to determine reliability compatibility for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US7660699B2. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

METHODS FOR OBTAINING 5-[2-[7-(TRIFLUOROMETHYL)-5-[4-(TRIFLUOROMETHYL)PHENYL]PYRAZOLO[1,5-a]PYRIMIDINE-3-YL]ETHINYL]-2-PYRIDINAMINE

Номер патента: RU2630700C2. Автор: Юрген ВИХМАНН,Штефан БАХМАНН,Томас ВОЛТЕРИНГ,Стефан ХИЛЬДБРАНД,Дорин МИЛЛЕР,Джейсон ЯНГ,Даниэль БЕЙЛИ,Джоди БРАЙС,Миалл СЕДИЛОУТ,Чжимин ДУН,Пауль ШПУРР,Амит ШРИВАСТАВА,Пиншен ЧЖАН. Владелец: Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2017-09-12.

Automatic layout method and automatic layout device

Номер патента: US7712065B2. Автор: Yuichi Sakuraba. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for selecting plates with radiation-resistant mos integrated circuits

Номер патента: RU2082178C1. Автор: А.В. Шумилов,Л.Н. Фролов,Ю.В. Федорович. Владелец: Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт". Дата публикации: 1997-06-20.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for comparative assessment of reliability of intergral circuits batches

Номер патента: RU2386975C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-04-20.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2537695C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова,Александр Генрихович Далингер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-01-10.

Apparatus and method for designing a layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: TWI281112B. Автор: Tetsuo Shimamura,Yasuhiro Shikakura. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for increasing productivity in a semiconductor integrated circuit production process

Номер патента: TW344851B. Автор: Gwo-Yuh Shiau,Shyang-Woei Tzeng,Lih-Ming Wang,Shinn-Jyh Lian,An-Gwo Yang. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1998-11-11.

APPARATUS AND METHOD FOR SUPPORTING CIRCUIT DESIGN, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120139602A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for generating identification information of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP5308658B2. Автор: 義昭 矢澤,一希 渡邊,康真 文珠. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for manufacturing wiring structure of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2806795B2. Автор: 喜宏 林. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-30.

Method for manufacturing electrode structure of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3303788B2. Автор: 弘 山口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-22.

Inductor, method for manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPH11135721A. Автор: Yasushi Kinoshita,靖 木下. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-21.

Method for verifying layout design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2522096B2. Автор: 和俊 阿部,通安 山木,文仁 佐藤. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-07.

Method for producing a compound semiconductor MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) chip on silicon substrate

Номер патента: CN101872744A. Автор: 韩冰,周卫,刘志弘,严利人,窦维治. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-10-27.

Compound semiconductor gallium arsenide integrated circuit

Номер патента: JP2735338B2. Автор: 広紀 田中. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-04-02.

A method for searching ESD threatening path in an integrated circuit design

Номер патента: TW200619988A. Автор: Chia-Chi Chu,Wu-Shiung Feng,Ming-Hong Lai,Jau-Yi Juo. Владелец: Univ Chang Gung. Дата публикации: 2006-06-16.

Method for forming a barrier metal layer of integrated circuit

Номер патента: TW421853B. Автор: Ting-Jiun Wang,Guo-Shian Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-11.

METHOD FOR FABRICATING STACKED NITRIDE-COMPOUND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING NITRIDE-COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMMITING DEVICE

Номер патента: US20130065341A1. Автор: Sugawara Hideto,KAI Kenichiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-14.

CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING BODY BIAS VOLTAGE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120112820A1. Автор: Sawarkar Prasad,CHOKKA SRINIVAS REDDY. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

CIRCUIT AND METHOD FOR PROVIDING ABSOLUTE INFORMATION FOR FLOATING GROUNDED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120187997A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR CONTROLLING THE SUPPLY VOLTAGE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT AND AN APPARATUS WITH A VOLTAGE REGULATION MODULE AND AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120218031A1. Автор: Pflueger Thomas,Bonsels Stefan,Lichtenau Cedric,Mueller Antje,Schroeder Friedrich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

CRYSTAL GROWING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20120251428A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE

Номер патента: US20120256297A1. Автор: Shimizu Takayuki,Mikami Makoto,MORIOKA SATORU,Takakusaki Misao. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

METHOD FOR CONTROLLING THE SUPPLY VOLTAGE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT AND AN APPARATUS WITH A VOLTAGE REGULATION MODULE AND AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130113545A9. Автор: Pflueger Thomas,Bonsels Stefan,Lichtenau Cedric,Mueller Antje,Schroeder Friedrich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

SYSTEM AND METHOD FOR METASTABILITY VERIFICATION OF CIRCUITS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120180015A1. Автор: MNEIMNEH Maher,SARWARY Shaker,JAIN Paras Mal,BANSAL Ashish,MOVAHED-EZAZI Mohammad,GUPTA Namit. Владелец: ATRENTA, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Standard Method for Circuit Module of Analog Custom Demand Integrated Circuits

Номер патента: KR0142517B1. Автор: 백경일,김정언. Владелец: 곽정소. Дата публикации: 1998-07-01.

Method for extracting open-circuit key area on integrated circuit layout line network

Номер патента: CN109712181B. Автор: 张宏杰,王俊平,魏书蕾,李栋凯. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-12-06.

Surface treatment method for III-V compound semiconductor

Номер патента: JP3077876B2. Автор: 隆樹 丹羽,直規 古畑. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-21.

Method for fabricating ?-? nitride compound semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: KR100608929B1. Автор: 박일규,박성주,백성호,김자연,권민기. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2006-08-08.

Molecular-beam epitaxy method for ii-vi compound semiconductor

Номер патента: JPS6291491A. Автор: Hiroshi Iwata,岩田　普. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-04-25.

Method for manufacturing hexagonal compound semiconductor

Номер патента: JP7031709B2. Автор: 太郎 西口,智博 川瀬,理行 福澤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: KR101261629B1. Автор: 김경해,오덕환. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Heat treatment method for nitride-based compound semiconductor

Номер патента: JP3393425B2. Автор: 孝夫 宮嶋,弘治 河合,庸紀 朝妻. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-07.

Method for preparing epoxy moulding compound for packaging integrated circuit

Номер патента: CN102010566A. Автор: 吕建明. Владелец: LV GAOXIANG. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for fabricating nitride compound semiconductor light emitting device having tunnel junction layer

Номер патента: KR100395660B1. Автор: 전성란,양계모. Владелец: 주식회사 옵토웰. Дата публикации: 2003-08-25.

Growing method for crystal of compound semiconductor

Номер патента: JPS56149398A. Автор: Tsuguo Fukuda,Shigeru Yasuami. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-19.

Vapor growth method for iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPH01141898A. Автор: Kazunari Matsuoka,和成 松岡,Taisuke Ueda,泰介 上田. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1989-06-02.

Equipment and method for growth of compound semiconductor

Номер патента: JPS63215036A. Автор: Shigeo Goshima,Masahiko Kawada,Takeyuki Hiruma,健之 比留間,Shinichiro Takatani,信一郎 高谷,五島　滋雄,河田　雅彦. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-07.

Method for growth of compound semiconductor

Номер патента: JPS62219614A. Автор: Seiji Nishi,清次 西,Masahiro Akiyama,Katsuzo Uenishi,上西　勝三,秋山　正博. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-26.

Heat treatment method for iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS6211226A. Автор: Jiro Kasahara,二郎 笠原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-01-20.

Liquid phase crystal growth method for II-VI compound semiconductor

Номер патента: JP2828868B2. Автор: 裕幸 加藤,剛 丸山,尚太郎 富田,保男 奥野. Владелец: KANAGAWA KAGAKU GIJUTSU AKADEMII. Дата публикации: 1998-11-25.

Dislocation detecting method for gaas type compound semiconductor crystal

Номер патента: JPS53140299A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-12-07.

Method for improving defects in metal process for integrated circuits

Номер патента: TW331027B. Автор: Bor-Jyh Sheu,Horng-Kuen Chen,Gwo-Chin Lin. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-05-01.

POWER SWITCH DESIGN AND METHOD FOR REDUCING LEAKAGE POWER IN LOW-POWER INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120062308A1. Автор: CHAKRABARTY KRISHNENDU,Zhang Zhaobo,Kavousianos Chrysovalantis. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

APPARATUS AND METHOD FOR TESTING DRIVER WRITEABILITY STRENGTH ON AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120112736A1. Автор: Klass Edgardo F.,Jain Ashish R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING POWER SUPPLY NOISE IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120146665A1. Автор: Misek Brian J.,Volz Aaron,Beauprez Evan. Владелец: Avago Technologies Enerprise IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

APPARATUS AND METHOD FOR ADJUSTABLE BACK BIAS CONTROL OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120146714A1. Автор: . Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

APPARATUS AND METHOD FOR SELECTIVE BACK BIAS CONTROL OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120151226A1. Автор: . Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

SYSTEM AND METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION OF A MODIFIED INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20120272195A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR VERTICALLY STACKING A SENSOR ON AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20130001709A1. Автор: LIU Chia-Ming. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

METHODS FOR TESTING A MEMORY EMBEDDED IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130019133A1. Автор: Burnett James D.,Russell Andrew C.,Zhang Shayan,Fancher Kent P.,Snyder Micheal D.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-01-17.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING TIMING MARGIN IN A HIERARCHICAL INTEGRATED CIRCUIT DESIGN PROCESS

Номер патента: US20130205269A1. Автор: Jamann Joseph J.,Griesbach William R.,Rao Vishwas. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

Method for Achieving An Efficient Statistical Optimization of Integrated Circuits

Номер патента: US20140040844A1. Автор: Visweswariah Chandramouli,Sinha Debjit,Shuma Stephen G.,Wood Michael H.,Fluhr Eric. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for selecting plates with radiation-resistant mos integrated circuits

Номер патента: RU95103986A. Автор: А.В. Шумилов,Л.Н. Фролов,Ю.В. Федорович. Владелец: Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт". Дата публикации: 1996-07-27.

Inspection method for high power monolithic semiconductor device with integrated circuit

Номер патента: JP3157733B2. Автор: 宏 谷田. Владелец: 松下電子工業株式会社. Дата публикации: 2001-04-16.

Method for forming solid conductive via hole of integrated circuit packaging base plate

Номер патента: CN1567551A. Автор: 尤宁圻,朱惠贤,陈金富. Владелец: Meilongxiang Microelectronics Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-19.

Method for manufacturing class-metal package of hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2032250C1. Автор: В.Н. Куликов,М.А. Пашков,В.И. Галушкин,В.В. Аболихин. Владелец: Войсковая часть 35533. Дата публикации: 1995-03-27.

Method for making metallization mat of apparatus-orientated integrated circuits

Номер патента: HU186203B. Автор: Tibor Mohácsy,Donat Pacher. Владелец: Mta Koezponti Fiz Kutato Intez. Дата публикации: 1985-06-28.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to Protect Compound Semiconductor from Electrostatic Discharge Damage

Номер патента: US20120003762A1. Автор: CHANG LIANN-BE,Lin Cheng-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOUNDS, COMPOSITIONS AND METHODS FOR REDUCING LIPID LEVELS

Номер патента: US20120004223A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED EDGE TRIGGERING IN A TEST AND MEASUREMENT INSTRUMENT

Номер патента: US20120001657A1. Автор: SULLIVAN Stevens K.,BEALE Terrance R.,VEITH Kristie L.. Владелец: TEKTRONIX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.