Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
Номер патента: WO2001015220A1
Опубликовано: 01-03-2001
Автор(ы): Alessandra Satta, Kai-Erik Elers, Karen Maex, Pekka Juha Soininen, Suvi P. Haukka, Ville Antero Saanila
Принадлежит: ASM AMERICA, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-03-2001
Автор(ы): Alessandra Satta, Kai-Erik Elers, Karen Maex, Pekka Juha Soininen, Suvi P. Haukka, Ville Antero Saanila
Принадлежит: ASM AMERICA, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process
Номер патента: US20230282485A1. Автор: Louis Caillard,Paul Blondeau. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-09-07.