Lateral MOSFET structure of an integrated circuit having separated device regions
Номер патента: US20050035424A1
Опубликовано: 17-02-2005
Автор(ы): James Beasom
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-02-2005
Автор(ы): James Beasom
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of Producing an Integrated Power Transistor Circuit Having a Current-Measuring Cell
Номер патента: US20170186863A1. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-29.