Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuit device that stores a value representative of an equalization co-efficient setting

Integrated circuit device that stores a value representative of an equalization co-efficient setting

Номер патента: US20050251602A1
Опубликовано: 10-11-2005
Автор(ы): Alfredo Moncayo, Craig Hampel, Jared Zerbe, Kevin Donnelly, Mark Horowitz, Richard Barth
Принадлежит: RAMBUS INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Integrated circuit device capable of optimizing operating performance according to consumed power

Номер патента: US20040036526A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

24 hour programmable timer custom integrated circuits

Номер патента: US10470281B2. Автор: Joseph Charles Conway. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-05.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

Circuits and methods for detecting decreases in a supply voltage in an integrated circuit

Номер патента: EP4109318A1. Автор: Guang Chen,Ping-Chen Liu,Venu Kondapalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Circuits And Methods For Detecting Decreases In A Supply Voltage In An Integrated Circuit

Номер патента: US20210313989A1. Автор: Guang Chen,Ping-Chen Liu,Venu Kondapalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatuses and methods to suppress power supply noise harmonics in integrated circuits

Номер патента: US20140021993A1. Автор: Vivek Singhal,Sumanth Reddy PODDUTUR,Prakash Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit and design method for same

Номер патента: US20170308638A1. Автор: Abhishek Gothi,Kodanda Rama Reddy Srinivasa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070247962A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Integrated circuits having accessible and inaccessible physically unclonable functions

Номер патента: WO2014051741A2. Автор: Anand Rajan,David Johnston,George W. Cox,Jiangtao Li,Sanu K. Mathew,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Inkjet printhead integrated circuit

Номер патента: US20050225603A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-10-13.

Integrated circuit, method, and electronic device for reducing emi of signal

Номер патента: US20210036709A1. Автор: Cheolho LEE,Seungjoon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Physical Unclonable Functions In Integrated Circuit Chip Packaging For Security

Номер патента: AU2019202239A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuit and operation method

Номер патента: US20240126929A1. Автор: Yukihiro Shimamoto. Владелец: Sharp Semiconductor Innovation Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Motherboard assembly which has a single socket that can accept a single integrated circuit package or multiple integrated circuit packages

Номер патента: US5610801A. Автор: Glenn Begis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-03-11.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: US20230315759A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2business BV. Дата публикации: 2023-10-05.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: EP4209111A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2business BV. Дата публикации: 2023-07-12.

A method of operating a storage device of an access point, a method of locating a device context of an end node device stored in a storage device of an access point, and an access point

Номер патента: WO2022050845A1. Автор: Milenko Maricic,Dejan Dumic,Marleen Boonen. Владелец: Methods2Business B.V.. Дата публикации: 2022-03-10.

Non-transitory computer-readable storage medium storing a program for execution by a computer of an information processing device capable of communicating with a printer

Номер патента: US11836401B2. Автор: Hirotaka Kubota,Masafumi Kawaguchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Identification method of an integrated circuit chip and identfication system of an integrated circuit chip

Номер патента: US20210365651A1. Автор: Chi-Chung Yu,Kai-Hung Lin,Tien-Hung LOU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and system for detecting the owner of an abandoned object from a surveillance video

Номер патента: US20210027068A1. Автор: Saikat Saha,Vinuta Vishweshwar Gayatri. Владелец: Conduent Business Services LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit having a plurality of mosfet devices

Номер патента: SG144068A1. Автор: Tan Shyue Seng,TEO Lee Wee,Lee Yong Meng,LUN Zhao,Lai Chung Woh,Shailendra Mishra,Johnny Widodo,Jeffrey Chee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Storage system disposed with plural integrated circuits

Номер патента: US20100049886A1. Автор: Naoki Moritoki,Yo IWAOKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Active pen and sensor integrated circuit

Номер патента: US20240248568A1. Автор: Masayuki Miyamoto. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Methods and systems of power management for an integrated circuit

Номер патента: US20210273560A1. Автор: Ivo Leonardus Coenen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Integrated circuit device that includes a secure element and a wireless component for transmitting protected data over short range wireless point-to-point communications

Номер патента: US10359957B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit device that includes a protected memory component for transmitting protected data over a communication interface

Номер патента: US11829776B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory

Номер патента: US20170147726A1. Автор: Frederick G. Anderson,Nicholas T. Schmidt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and apparatus for the arrangement of contact-making elements of components of an integrated circuit, computer-readable storage medium and program element

Номер патента: US20050083083A1. Автор: Tobias Mono,Paul Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-21.

Power loss protection integrated circuit using low volatage capacitor

Номер патента: US20240235392A9. Автор: Seonho Kim,Jinup Lim,Jongchul CHAE,Kichang Jang. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Integrated circuits, standard cells, and methods for generating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US9412730B2. Автор: Michael Wagner. Владелец: Polaris Innovations Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for changing an integrated circuit design

Номер патента: US11769764B2. Автор: Sven Trester. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Mitigating wire capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US9910951B2. Автор: James G. Ballard,Kiran Vedantam,Hsiangwen LIN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of selecting routing resources in a multi-chip integrated circuit device

Номер патента: EP3732595A1. Автор: Jay T. Young. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Method, system, and apparatus for verification of operation using gps receiver input within integrated circuits and electronic systems using an operation navigation system

Номер патента: US20220026580A1. Автор: Peter Lawrence Levin,Alfred Larry Crouch,John David Akin,Adam Wade Ley,Matthew McKinnon Ritonia,Wesley Layton Ellington,Maria Anne Spasojevic. Владелец: Amida Technology Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9274583B2. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110153241A1. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitusmi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: EP1219031A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Circuit for reverse biasing inverters for reducing the power consumption of an SRAM memory

Номер патента: US9099993B2. Автор: Olivier Thomas,Adam Makosiej,Andrei Vladimirescu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-08-04.

Circuit for reverse biasing inverters for reducing the power consumption of an sram memory

Номер патента: US20140334226A1. Автор: Olivier Thomas,Adam Makosiej,Andrei Vladimirescu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Programmable integrated circuit, calculation system, bit string generating device, control method of programmable integrated circuit, and bit string generation method

Номер патента: US20190087523A1. Автор: Kazuki Inoue,Kohei Oikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: US20190139592A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: EP2926342A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090083712A1. Автор: Shuichi Kunie,Hiroki Machimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device with an internal voltage-down converter

Номер патента: US5451896A. Автор: Shigeru Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Optimizing an integrated circuit (ic) design comprising at least one wide-gate or wide-bus

Номер патента: US20180107777A1. Автор: Jovanka Ciric Vujkovic,Eyal Odiz,Janet L. Olson,Van E. Morgan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Design method for gate array integrated circuit

Номер патента: US20030212977A1. Автор: Satoru Kumagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20230214571A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Re-using processing elements of an artificial intelligence processor

Номер патента: US20240241721A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Re-using processing elements of an artificial intelligence processor

Номер патента: US11947959B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for generating a value for a multiplicative inverse of an element of a galois field

Номер патента: AU1795100A. Автор: Benjamin Arazi. Владелец: Cipherit Ltd. Дата публикации: 2000-07-24.

An in-vehicle device that informs the navigation module of the vehicle of the presence of an object

Номер патента: JP6714513B2. Автор: ハビエル イバニェス−グスマン，,ヴァンサン フレモン，,ステファーヌ ボネ，,ミランダ ネト， アルテュール ドゥ,ミランダ ネト， アルテュール ドゥ. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2020-06-24.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A2. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A3. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: WO2001024363A3. Автор: Sanjay M Bhandari. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-10-18.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: WO2001024363A2. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-04-05.

Exposed pad integrated circuit package

Номер патента: US11769247B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Image compression using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12010446B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuit and electronic tag for processing uhf rfid signal and nfc signal and method for providing data processing service

Номер патента: US20200143218A1. Автор: Sung Wan Kim,Sung Hun Chun,Pyeong Han Lee,Kwang Beom PARK,Chang Ho RYU. Владелец: 3a Logics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Mobile terminal device that generates picture where person's eye direction in shot image has been modified

Номер патента: US20210067692A1. Автор: Philogene Kyle DIMPAS. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Data storage device and method for determining the dependency of the risk for prostate cancer, device and method for indicating a risk for a disease of an individual

Номер патента: EP1974312A1. Автор: Ewout Steyerberg,Monica Joanne Roobol-Bouts,Marinus Kranse,Fritz H. SCHRÖDER. Владелец: Stichting Wetenschappenlijk Onderzoek Prostaatkank. Дата публикации: 2008-10-01.

Data storage device and method for determining the dependency of the risk for prostate cancer, device and method for indicating a risk for a disease of an individual

Номер патента: WO2007083992A1. Автор: Ewout Steyerberg,Monica Joanne Roobol-Bouts,Marinus Kranse,Fritz Heinrich SCHRÖDER. Владелец: Stichting Wetenschappenlijk Onderzoek Prostaatkanker (Swpc). Дата публикации: 2007-07-26.

ELECTRONIC CLOSED LOOP FEEDBACK SYSTEM FOR PROCESSING DATA VALUES REPRESENTING PRODUCT FEATURES OF AN ELECTRONIC CREDIT ACCOUNT

Номер патента: US20140244477A1. Автор: Kolathur Nanda Kishore. Владелец: CREDITCAST INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Systematic and random error detection and recovery within processing stages of an integrated circuit

Номер патента: EP1604281A1. Автор: Trevor Nigel Mudge,Krisztian Flautner,Todd Michael Austin,David Theodore Blaauw. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2005-12-14.

Detection of Short Resets of an Electronic Device

Номер патента: US20240241994A1. Автор: Michael Neve de Mevergnies. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit with hardware semaphore

Номер патента: US20240320062A1. Автор: Omer QADIR. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-09-26.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated circuit having trim function for component

Номер патента: US20210194472A1. Автор: Il Kwon Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of deriving an integrated circuit schematic diagram

Номер патента: US20110041110A1. Автор: Edward Keyes,Vyacheslav Zavadsky,Shane Edmonds,Alexei Novikov. Владелец: Semiconductor Insights Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Method of deriving an integrated circuit schematic diagram

Номер патента: WO2009127035A1. Автор: Edward Keyes,Vyacheslav Zavadsky,Shane Edmonds,Alexei Novikov. Владелец: SEMICONDUCTOR INSIGHTS INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of deriving an integrated circuit schematic diagram

Номер патента: US8347262B2. Автор: Edward Keyes,Vyacheslav Zavadsky,Shane Edmonds,Alexei Novikov. Владелец: Semiconductor Insights Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Bus control system for integrated circuit device with improved bus access efficiency

Номер патента: US20010010063A1. Автор: Yoshio Hirose,Hiroyuki Utsumi,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

System and method for correcting systematic parametric variations on integrated circuit chips in order to minimize circuit limited yield loss

Номер патента: US20110098838A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Jed H. Rankin,John J. Ellis-Monaghan,James A. Culp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and Apparatus for Host Adaptation to a Change of Persona of a Configurable Integrated Circuit Die

Номер патента: US20190146943A1. Автор: Utkarsh Y. Kakaiya,Joshua David Fender. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US7636905B2. Автор: Craig Marshall Darsow,Todd Edward Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US20150040091A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit designing device, integrated circuit designing method, and integrated circuit designing program

Номер патента: US20080184179A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Iterative synthesis of an integrated circuit design for attaining power closure while maintaining existing design constraints

Номер патента: US20080307383A1. Автор: Manikandan Viswanath,John J. Reilly,Paul D. Kartschoke,Steven E. Charlebois. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Design support system and method for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20100318328A1. Автор: Shuntaro Seno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method and apparatus for conducting automated integrated circuit analysis

Номер патента: EP2932283A2. Автор: Erik Frank MATLIN,David S. Stoker,Motilal Agrawal,James R. Potthast,Neil William Troy. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Method and apparatus for tracking power of an integrated circuit

Номер патента: US5915232A. Автор: Brian S. McMinn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for power glitch detection in integrated circuits

Номер патента: WO2015006036A1. Автор: Geertjan Joordens,Raman S. Thiara,Anh T. Hoang,Patrick D. McNamara,Brian S. Park,Kwang M. LEE,Meng C. CHONG,John P. GONZALEZ. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-01-15.

Method and Apparatus for Power Glitch Detection in Integrated Circuits

Номер патента: US20150015283A1. Автор: Geertjan Joordens,Raman S. Thiara,Anh T. Hoang,Patrick D. McNamara,Brian S. Park,Kwang M. LEE,Meng C. CHONG,John P. GONZALEZ. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Integrated circuit card and corresponding programming process

Номер патента: US8550363B2. Автор: Giovanni Fontana,Giovanni Di Sirio. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US20210149601A1. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-20.

Circuit configuration for accelerated charge reversal of the voltage level of a bus line of an integrated circuit

Номер патента: US5004937A. Автор: Antonio M. d. A. de Oliveira,Jakob Staerk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-02.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for avoiding false failures attributable to dummy interconnects during defect analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20030229867A1. Автор: Sergei Bakarian,Julie Segal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US12086460B2. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit device testing

Номер патента: US5065091A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Integrated circuit degradation estimation and time-of-failure prediction using workload and margin sensing

Номер патента: WO2023084529A1. Автор: Eyal Fayneh,Edi Shmueli,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER,Alexander Burlak. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240134269A1. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240231217A9. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit identification and reverse engineering

Номер патента: US20180330038A1. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Andrea Bahgat Shehata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for modeling power consumption of an integrated circuit and power consumption modeling system performing the same

Номер патента: US20230010159A1. Автор: Jin Hyeong Park,In Hak HAN. Владелец: Baum Design Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20120204138A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US8438514B2. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

High speed functional test vectors in low power test conditions of a digital integrated circuit

Номер патента: US20170091059A1. Автор: Ali Vahidsafa. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Latch-up testing structure for integrated circuit

Номер патента: EP4067917A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20130074022A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Clock alias for timing analysis of an integrated circuit design

Номер патента: US20130074021A1. Автор: Craig M. Darsow,Michael D. Amundson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method and a computer readable medium for analyzing a design of an integrated circuit

Номер патента: WO2007029051A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen,Eitan Zmora. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-03-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit tester with real time branching

Номер патента: EP1147470A1. Автор: Bryan J. Dinteman,Daniel J. Bedell. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-10-24.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Assignment of select input/output blocks to banks for integrated circuits using integer linear programming with proximity optimization

Номер патента: US8010924B1. Автор: Guenter Stenz,Parivallal Kannan,Victor Z. Slonim. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Data transfer control device, integrated circuit of same, data transfer control method of same, data transfer completion notification device, integrated circuit of same, data transfer completion notification method of same, and data transfer control system

Номер патента: US20120233372A1. Автор: Satoru Kuriki,Masaaki Harada,Hideki Taniguchi,Yuusaku Ohta,Satomi Amano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Integrated circuit identification and reverse engineering

Номер патента: US20200082054A1. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Andrea Bahgat Shehata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated circuit identification and reverse engineering

Номер патента: US20200082053A1. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Andrea Bahgat Shehata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Automated design-to-lithography and design checking for stitched integrated circuit design

Номер патента: US20240220697A1. Автор: Dongbing Shao,April Carniol,Jyotica Patel,Michael Justin Beckley,James R. Brancaccio. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: US20120017196A1. Автор: Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala,Plus Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8872220B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8410519B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS finFET sidewall channels

Номер патента: US9053966B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Measuring internal signals of an integrated circuit

Номер патента: US10459030B2. Автор: Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Manish Parmar,Kushal D MURTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of producing phase masks in an automated layout generation for integrated circuits

Номер патента: US6485871B1. Автор: Thomas KRÜGER,Werner Schiele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

Method and apparatus for providing feedback from a compactor to a router to facilitate layout of an integrated circuit

Номер патента: US20040123252A1. Автор: Vadim Gouterman,Edward Moulding. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Electronic device, integrated circuit, and input system

Номер патента: US20240281084A1. Автор: Noriyuki Kitahara,Yuhi Hatano. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit

Номер патента: US20010040475A1. Автор: Hiroki Inohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Memory device having bonded integrated circuit dies used for multiplication

Номер патента: US20240303037A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multipurpose semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7822934B2. Автор: Yuji Nakamura,Akio Morozumi,Chiaki Segi. Владелец: T&D Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Tracking taint propagation in integrated circuit design

Номер патента: WO2023244780A1. Автор: Arturo Salz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Generating integrated circuit placements using neural networks

Номер патента: WO2024129086A1. Автор: Young-Joon Lee,James Laudon,Quoc V. Le,Wenjie Jiang,Sergio Guadarrama Cotado,Anna Darling Goldie,Azalia Mirhoseini,Ebrahim Songhori,Roger David Carpenter,Kuang-Huei Lee,Yuting YUE,Toby James BOYD. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods for executing a programmable finite state machine that accelerates fetchless computations and operations of an array of processing cores of an integrated circuit

Номер патента: US20230376665A1. Автор: Thomas Ng,Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Design of an integrated circuit using multiple and different process corners

Номер патента: US20230334214A1. Автор: Alexander W. Schaefer,Robin Andrew Joyce,Shaun M. Kittle,Scott Eugene Swanstrom,Josef Alexander Czaban. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and system for improving integrated circuit manufacturing productivity

Номер патента: US20050278663A1. Автор: Lijiang Wang,Douglas Kemerer,Daniel Maynard,Gustavo Tellez,Peter Wissell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit for facilitating optical communication between electronic devices

Номер патента: EP2649528A1. Автор: Richard C. Walker. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2013-10-16.

Integrated circuit for facilitating optical communication between electronic devices

Номер патента: WO2012078571A1. Автор: Richard C. Walker. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2012-06-14.

Identifying and mitigating electromigration failures in signal nets of an integrated circuit chip design

Номер патента: US20150205906A1. Автор: Brian Worth,Jason Chung,Paul S. Zuchowski,Leon J. Sigal,Amol A. Joshi,William J. Livingstone,John E. Barwin, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor integrated circuit device and control method therefor

Номер патента: US6577541B2. Автор: Toshiyuki Yokoyama,Miwaka Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US9910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Generating integrated circuit placements using neural networks

Номер патента: EP4409460A1. Автор: Young-Joon Lee,James Laudon,Quoc V. Le,Wenjie Jiang,Sergio Guadarrama Cotado,Anna Darling Goldie,Azalia Mirhoseini,Ebrahim Songhori,Roger David Carpenter,Kuang-Huei Lee,Yuting YUE,Toby James BOYD. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-07.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: WO2012009294A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: ALGOTOCHIP CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-19.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10366191B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10242140B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10417366B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10235487B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for generating information for a window view of an integrated circuit from layout-formatted data

Номер патента: US20020166102A1. Автор: Yu Du,Kuo-Chun Lee,Tsung-Yen Chen,Ke-Qin Gu. Владелец: Oridus Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit tester with real time branching

Номер патента: WO2000042509A1. Автор: Bryan J. Dinteman,Daniel J. Bedell. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-07-20.

Method and System for Designing Fan-out Nets Connecting a Signal Source and Plurality of Active Net Elements in an Integrated Circuit

Номер патента: US20080059933A1. Автор: Juergen Koehl,Markus Buehler,Markus Olbrich,Philipp Panitz,Erich Barke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Computing validation coverage of integrated circuit model

Номер патента: US20130055179A1. Автор: LIANG Chen,Bo Fan,Yongfeng Pan,Fan S.H. Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US10452800B2. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US20160371401A1. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US20160371418A1. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor integrated circuit device and control method therefor

Номер патента: US20020041528A1. Автор: Toshiyuki Yokoyama,Miwaka Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method and circuit for providing copy protection in an application-specific integrated circuit

Номер патента: US20010045842A1. Автор: Sebastian Ventrone,Alvar Dean,Scott Tetreault,Charles Choukalos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Clock generating circuit for digital circuit operating in synchronism with clock, semiconductor integrated circuit including them, and logical gate used for them

Номер патента: US5719517A. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Chip lockout protection scheme for integrated circuit devices and insertion thereof

Номер патента: US8484481B2. Автор: Jesse E. Craig,Stanley B. Stanski,Scott T. Vento. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

System and Method for Generating a Worst Case Current Waveform for Testing of Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20090112550A1. Автор: Iwao Takiguchi,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,JONATHAN J. DeMENT,Brian K. Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for process variation analysis of an integrated circuit

Номер патента: US20150339414A1. Автор: Wei Min Chan,Chin-Cheng Kuo,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Kmin Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit (IC) having IC floorplan silhouette-like power supply net, and sea of supply (SoS) electronic design automation (EDA) tool for designing same

Номер патента: US7346884B1. Автор: Anatoli Shindler,Yuri Miroshnik,Svetlana Yurin. Владелец: Silicon Design Systems Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

In-graph causality ranking for faults in the design of integrated circuits

Номер патента: US12032887B2. Автор: XIANG Gao,Chia-Chih Yen,Hsiang-Chieh Liao,Sashikala Venkata Obilisetty. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit design model splitting for formal verification

Номер патента: US20200019652A1. Автор: Chen Qian,Heng Liu,Peng Fei Gou,Yang Fan LIU,Zhen Peng Zuo,Yan Heng Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for analyzing the behavior of an integrated circuit implemented by computer

Номер патента: US20160224708A1. Автор: Olivier Heron,Chiara SANDIONIGI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit with reduced signaling interface

Номер патента: US11768238B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US20190171783A1. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Systems and methods for executing a programmable finite state machine that accelerates fetchless computations and operations of an array of processing cores of an integrated circuit

Номер патента: US11755806B2. Автор: Thomas Ng,Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego,Aman Sikka. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of extracting block binders and an application in block placement for an integrated circuit

Номер патента: US20130212547A1. Автор: Chihliang (Eric) Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Circuit device for unstable power source transient state compensation and low voltage cutoff protection of an active controller component

Номер патента: US5661625A. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-26.

Determining reliability of an of electrical machine

Номер патента: EP4394403A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Srikanth Narasimalu,Sivakumar Nadarajan,Rajaram SATHYANARAYAN. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Determining reliability of an electrical machine

Номер патента: US20240204628A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Srikanth Narasimalu,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Rajaram SATHYANARAYAN. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Low power consumption integrating circuit based on adaptive current regulation

Номер патента: US20200201371A1. Автор: Fang Tang. Владелец: Chongqing Paixinruwei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

OPTICAL INFORMATION PROCESSING DEVICE THAT IS PROVIDED WITH MEANS TO HOLD IN A PROVIDED POSITION OF AN OPTICAL SYSTEM WHEN ABNORMALITIES APPEAR IN TRACKING OR FOCUSING CONTROL.

Номер патента: DE3878337D1. Автор: Etsuo Yamada,Shigeto Kanda,Hiroto Kitai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1993-03-25.

Method and system for detecting in real-time, through the use of artificial intelligence (ai), anomalies of an object subjected to a durability test

Номер патента: WO2024134486A1. Автор: Cristian Malmassari,Danilo BENETTI,Micael RESCATI,Mahshad KHORNEGAH,Alberto AVON,Alessio PESAPANE,Paolo ZOPPETTI. Владелец: BREMBO S.p.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Method for determining a value of an electromagnetic field strength, method for coupling a reader, chip card, and reader for a chip card

Номер патента: US20240062024A1. Автор: Michael Baldischweiler. Владелец: Giesecke and Devrient ePayments GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Integrated-circuit card with antenna arrangement

Номер патента: WO2024084283A1. Автор: Oscar Miguel Fernandez Lopez. Владелец: Giesecke+Devrient ePayments GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system of determination of an emotion or sensation perception in relation to an exposure to a flavor or fragrance ingredients

Номер патента: WO2023222628A1. Автор: Christine Chichester,Fabio Andre CAPELA,Stanislas JOUVEN,Elena TVERDOKHLEBOVA. Владелец: FIRMENICH SA. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and system of determination of an emotion or sensation perception in relation to an exposure to a flavor or fragrance ingredients

Номер патента: US20230368224A1. Автор: Christine Chichester,Fabio Andre CAPELA,Stanislas JOUVEN,Elena TVERDOKHLEBOVA. Владелец: FIRMENICH SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and system of determination of an emotion or sensation perception in relation to an exposure to a flavor or fragrance ingredients

Номер патента: EP4280143A1. Автор: Christine Chichester,Fabio Andre CAPELA,Stanislas JOUVEN,Elena TVERDOKHLEBOVA. Владелец: FIRMENICH SA. Дата публикации: 2023-11-22.

Computer implemented method for the detection of defects in an imaging dataset of an object comprising integrated circuit patterns, computer-readable medium, computer program product and a system making use of such methods

Номер патента: WO2024160623A1. Автор: Jagdish Saraswatula,Alexander Freytag,Anna Alperovich,Bjoern FROEHLICH,Bjoern BARZ. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and machine to assemble a transponder provided with a helical antenna in a component of an article

Номер патента: EP4374288A1. Автор: Fulvio Boldrini. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2024-05-29.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Method and machine to assemble a transponder provided with a helical antenna in a component of an article

Номер патента: WO2023002426A1. Автор: Fulvio Boldrini. Владелец: G.D Societa' Per Azioni. Дата публикации: 2023-01-26.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit comprising an assembly of an electronic chip, an optical element and a substrate and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240168245A1. Автор: Romain Coffy,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US9720026B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated circuit device structures and double-sided electrical testing

Номер патента: US20240194533A1. Автор: Paul Fischer,Kevin O'Brien,Patrick Morrow,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Bruce Block,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US20210367760A1. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US11711365B2. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2023-07-25.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Inspection device for wiring of an integrated circuit

Номер патента: US6577151B1. Автор: Ming-Lang Tsai,Chia-Min Chuang,Chen-Ping Su,Chon-Tsai Yang. Владелец: Orient Semiconductor Electronics Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Measuring back-side voltage of an integrated circuit

Номер патента: WO2002084312A3. Автор: Chun-Cheng Tsao,Christopher Shaw,Theodore R Lundquist. Владелец: Nptest Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Measuring back-side voltage of an integrated circuit

Номер патента: WO2002084312A2. Автор: Chun-Cheng Tsao,Christopher Shaw,Theodore R. Lundquist. Владелец: Nptest, Inc.. Дата публикации: 2002-10-24.

Physical unclonable functions in integrated circuit chip packaging for security

Номер патента: CA3038545A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US20160240479A1. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Mechanism for dispensing liquid onto an integrated circuit wafer with minimized back-splash

Номер патента: US6361599B1. Автор: Eric R. Kent,Vincent L. Marinaro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-03-26.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit package interposers with photonic & electrical routing

Номер патента: WO2022245433A1. Автор: Ankur Agrawal,Ravindranath Mahajan,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Sandeep Gaan,Wenchao Li,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Converged test platforms and processes for class and system testing of integrated circuits

Номер патента: US20180252772A1. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,David Shia,Pooya Tadayon,Abram M. Detofsky,Evan M. Fledell,Mustapha A. Abdulai,Dinia P. Kitendaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Converged test platforms and processes for class and system testing of integrated circuits

Номер патента: US10677845B2. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,David Shia,Pooya Tadayon,Abram M. Detofsky,Evan M. Fledell,Mustapha A. Abdulai,Dinia P. Kitendaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Integrated circuit tester having amorphous logic for real-time data analysis

Номер патента: US6057679A. Автор: Roman A. Slizynski,Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device and information processing device employing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020003719A1. Автор: Osamu Nishii,Motonobu Tonomura,Takanobu Tsunoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device and information processing device employing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020064066A1. Автор: Osamu Nishii,Motonobu Tonomura,Takanobu Tsunoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor integrated circuit device and information processing device employing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6493255B2. Автор: Osamu Nishii,Motonobu Tonomura,Takanobu Tsunoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor integrated circuit device and information processing device employing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6424560B2. Автор: Osamu Nishii,Motonobu Tonomura,Takanobu Tsunoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-07-23.

APPARATUS TO ESTIMATE A VALUE OF A RESISTIVITY PROPERTY OF AN EARTH FORMATION CROSSED BY A WELL AND METHOD TO EVALUATE AN EARTH FORMATION CROSSED BY A WELL HOLE

Номер патента: BR112016022968B1. Автор: Arcady Reiderman,Stanislav W. Forgang,Steven A. Morris,Jonathan F. Hook,Sushant M. DUTTA. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20240055068A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: EP4264298A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-25.

Adjustable timing circuit of an integrated circut

Номер патента: US20050041485A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit devices for driving conductors to target voltage levels

Номер патента: US20210134368A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Adjustable timing circuit of an integrated circuit

Номер патента: US20050286338A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: WO1999039354A2. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 1999-08-05.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit chip and method for testing an integrated circuit chip

Номер патента: US20080238468A1. Автор: Marc Walter,Thomas Vogelsang,Andre Sturm. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1050053A2. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-08.

Event phase modulator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1050053A4. Автор: Bryan J Dinteman. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20030145262A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output

Номер патента: US20070201293A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20050180234A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Integrated circuit containing a number of subcircuits

Номер патента: US20010026966A1. Автор: Andreas Täuber,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-04.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US12100472B2. Автор: Jun Seok Noh,No Geun JOO,Byeong Yong GO,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050207266A1. Автор: Naoki Kuroda,Yuji Nakai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130049864A1. Автор: Kazuo Tanaka,Masashi Arakawa,Takeo Toba,Natsuki IKEHATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit device including an SRAM portion having end power select circuits

Номер патента: US11955171B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit device including an SRAM portion having end power select circuits

Номер патента: US11972793B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20230082215A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and system for direct access memory testing of an integrated circuit

Номер патента: US20050060621A1. Автор: Jonathan Lee,XiaoGang Zhu,Andrew Hwang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Circuit device and oscillator

Номер патента: US20240322757A1. Автор: Naoki Ii,Yosuke ITASAKA,Kohei BEPPU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020118290A1. Автор: Norimitsu Baba,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Scan test method, integrated circuit, and scan test circuit

Номер патента: US20050097415A1. Автор: Hideki Hamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Integrated circuit workload, temperature, and/or sub-threshold leakage sensor

Номер патента: US12092684B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

A method and system for processing integrated circuits

Номер патента: US20020003430A1. Автор: Andres Bryant,William Clark,Edward J Nowak,Minh H Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-08-22.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated temperature sensor, method for producing an integrated temperature sensor and method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor

Номер патента: WO2018054596A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling,Zoran ZIVKOVIC,Casper Van Der Avoort. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Modular socket of integrated circuit

Номер патента: US20040046583A1. Автор: Wei-Fang Fan,Wann-Chyuan Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Current sensing integrated circuit and corresponding method

Номер патента: EP4417982A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Detecting a defect of an integrated circuit

Номер патента: US20030206293A1. Автор: Daniel Corum,Taylor Lowry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Electrical test method of an integrated circuit

Номер патента: US20080061810A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Multi-beam radar based ground speed sensor utilizing a single radar integrated circuit

Номер патента: US20240045051A1. Автор: Christopher Willis,Shridhara Shanbhogue,Prince Ashwin Kumar Anburaj Jayakumar,Sudhakar Arockiaraj,Vikram Vasantha Bhat,Bhagyshree PATIL. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Current Sensing Integrated Circuit and Corresponding Method

Номер патента: US20240280614A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit for driving flat display device

Номер патента: US6091385A. Автор: Yoshihiro Shigeta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Scan circuitry for testing input and output functional paths of an integrated circuit

Номер патента: US20140143621A1. Автор: Vijay Sharma,Ramesh C. Tekumalla. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Architecture and Testing for an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20230341463A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Mahesh K. Kumashikar,Kalyana Ravindra Kantipudi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Test mode control circuit of an integrated circuit device

Номер патента: US5982188A. Автор: Mark Alan Lysinger. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-11-09.

Scan test method, integrated circuit, and scan test circuit

Номер патента: US7475306B2. Автор: Hideki Hamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Device and thermal tester for thermal testing dies of an integrated circuit

Номер патента: WO2023048644A2. Автор: See Jean Chan. Владелец: Aem Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-03-30.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Integrated circuit controller programmable with unidirectional-logic instructions representative of sequential wire nodes and circuit elements of a ladder diagram

Номер патента: CA1123108A. Автор: Paul M. Kintner. Владелец: Cutler Hammer World Trade Inc. Дата публикации: 1982-05-04.

Integrated circuit workload, temperature, and/or sub-threshold leakage sensor

Номер патента: US20230341460A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Display Engines and Systems Using Photonic Integrated Circuit Chips with Integrated Actuators

Номер патента: US20240210695A1. Автор: Joyce POON,Wesley Sacher. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-06-27.

In line test circuit and method for determining interconnnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100297793A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Display driving integrated circuit configured to perform adaptive frame operation and operation method thereof

Номер патента: US20240046885A1. Автор: Yunpyo Hong,Jihyun Ahn,Jong-Kon Bae,Donghwy KIM,Seongmin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Display driving integrated circuit configured to perform adaptive frame operation and operation method thereof

Номер патента: US11810519B2. Автор: Yunpyo Hong,Jihyun Ahn,Jong-Kon Bae,Donghwy KIM,Seongmin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A3. Автор: Andrew Marshall,Makarand R Kulkarni. Владелец: Makarand R Kulkarni. Дата публикации: 2008-07-24.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A2. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-29.

Display engines and systems using photonic integrated circuit chips with integrated actuators

Номер патента: WO2024134271A1. Автор: Joyce POON,Wesley Sacher. Владелец: Max-Planck-Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften e.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Precision probe positioning for at-speed integrated circuit testing using through silicon in-circuit logic analysis

Номер патента: US20170299653A9. Автор: Michael Bruce,Larry Ross. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Precision probe positioning for at-speed integrated circuit testing using through silicon in-circuit logic analysis

Номер патента: US20150355274A1. Автор: Michael Bruce,Larry Ross. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-10.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: US20210373085A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Functional Testing of an Integrated Circuit Chip

Номер патента: US20160033575A1. Автор: Andrew Brian Thomas Hopkins,Iain Craig Robertson,Michael Jonathan Thyer. Владелец: UltraSoC Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Personal dosimeter on the base of radiation integrated circuit.

Номер патента: US20110260070A1. Автор: Volodymyr Polishchuk. Владелец: John Theologian Community Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for non-destructive diagnostics of integrated circuits

Номер патента: RU2743708C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-02-24.

High speed clock cycle rate digital voltage monitor with triggered tracing for integrated circuits

Номер патента: US20140354264A1. Автор: Sebastian Turullols. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Determining Device for Determining a Value Representing a Dose of a Dose Metering Device, and a Method for Operating Same

Номер патента: US20190091411A1. Автор: Fabian Utermoehlen,Stefan Leidich,Andreas Merz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-03-28.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Game device that controls incentive to restore execution permission value, method of game processing that controls incentive to restore execution permission value, and arcade game device that controls incentive to restore execution permission value

Номер патента: US10493362B2. Автор: Tomio Kikuchi,Daisuke Kubota,Ryotaro Okamoto. Владелец: Sega Games Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for the testing and commissioning of an electrical circuit unit as well as such circuit units

Номер патента: US20030057992A1. Автор: Carsten Friedrich. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-03-27.

Leaded integrated circuit inspection system

Номер патента: EP1139090A3. Автор: Peng-Seng Toh,Ying-Jian Wang. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-04-21.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Power supply semiconductor integrated circuit including a short-circuit-fault detection circuit that detects a short circuit of the voltage-output terminal

Номер патента: US11768510B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Initializing and testing integrated circuits with selectable scan chains with exclusive-or outputs

Номер патента: US20170199241A1. Автор: Jun Sawada,Dharmendra S. Modha,John V. Arthur,Paul A. Merolla,Rodrigo Alvarez-Icaza Rivera,Andrew S. Cassidy,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Regulation of current through depletion devices in a MOS integrated circuit

Номер патента: US4283642A. Автор: Robert S. Green. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1981-08-11.

Ground contact of an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: PH12013000304B1. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-04-20.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Optical integrated circuit device and optical system including the same

Номер патента: US20240201524A1. Автор: Jung Jin Ju,Hyeon Hwang,Hansuek Lee,Kiwon MOON,Min-Kyo Seo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20180218976A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods of manufacturing integrated circuits including field effect transistors

Номер патента: GB1447236A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-08-25.

Integrated-circuit package configuration for packaging an integrated-circuit die and method of packaging an integrated-circuit die

Номер патента: WO1993017455A3. Автор: Young Il Kwon,Louis H Liang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-11-25.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20190287897A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuits and a method for manufacture thereof

Номер патента: US4960729A. Автор: Zvi Orbach,Meir I. Janai. Владелец: Elron Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Equalizer co-efficient generation apparatus and method therefor

Номер патента: US20050271124A1. Автор: Amir Chass,Arik Gubeskys. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Bipolar integrated circuit including poly-silicon wiring

Номер патента: GB2050052A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-12-31.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US8373587B2. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US20110304359A1. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit feature definition using one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20080258757A1. Автор: Edwin A. Muth,James L. Archibald,Kang W. Lee,Clinton H. Holder,Kreg D. Ulery. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for reducing a magnitude of a rate of current change of an integrated circuit

Номер патента: WO2003017490A1. Автор: Tyler J. Thorp,Richard L. Wheeler,Claude R. Gauthier,Brian W. Amick. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method and apparatus for reducing a magnitude of a rate of current change of an integrated circuit

Номер патента: WO2003017490A8. Автор: Richard L Wheeler,Tyler J Thorp,Brian W Amick,Claude R Gauthier. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

Semiconductor integrated circuit having switch circuit of digital signal

Номер патента: US20070057824A1. Автор: Uichi Sekimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit

Номер патента: US20110133782A1. Автор: Ulrich Theus,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Technique for improving negative potential immunity of an integrated circuit

Номер патента: US20070096776A1. Автор: Mark GOSE,John Grawcock. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Clock Integrated Circuit

Номер патента: US20110210776A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Clock integrated circuit

Номер патента: US20110133804A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Anti-interference integrated circuit

Номер патента: US20200014384A1. Автор: Yueh-Han Li,Ting-Jung LO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-01-09.

Anti-interference integrated circuit

Номер патента: US20180167069A1. Автор: Yueh-Han Li,Ting-Jung LO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-06-14.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor integrated circuits that support enhanced signal multiplexing operations for I/O buffers

Номер патента: US12040794B2. Автор: Jin Su Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Programmable logic array integrated circuit devices

Номер патента: US20030016053A1. Автор: Christopher Lane,Kerry Veenstra,Joseph Huang,David Mendel,Richard Cliff,Srinivas Reddy,David Jefferson,Bruce Pedersen,Craig Lytle,Francis Heile,Rina Raman,Robert Noel Bielby,L. Cope. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Cmos-interfaceable ecl integrated circuit with tri-state and adjustable amplitude outputs

Номер патента: US20030112034A1. Автор: QI Li. Владелец: HighPoint Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Amplifier circuit, integrated circuit device, and electronic instrument

Номер патента: US20100271130A1. Автор: Akihiro Fukuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor

Номер патента: US11743647B2. Автор: Mohammad Shajaan,Claus Furst,Jens Tingleff,Henrik Thomsen,Kristian Hansen. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Filter circuit for filtering an input signal of an analogue-to-digital converter

Номер патента: US20180351566A1. Автор: Christian Grewing. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit, receiving device, and dc offset cancellation method

Номер патента: US20220085779A1. Автор: Takaya Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Improvements in or relating to devices for regulating the threshold voltages of IGFET transistors of integrated circuits

Номер патента: GB2001494A. Автор: . Владелец: Ebauches SA. Дата публикации: 1979-01-31.

Programmable gain amplifier, integrated circuit, electronic device, and frequency correction method

Номер патента: EP4369600A1. Автор: Min Chen,Peiteng CHEN. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Sensing a Current Signal in an Integrated Circuit

Номер патента: US20090059450A1. Автор: Stefan Hermann Groiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Equalizer circuit in an envelope tracking integrated circuit

Номер патента: US20240022212A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Equalizer circuit in an envelope tracking integrated circuit

Номер патента: EP4244980A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Clamp circuit for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030071672A1. Автор: Hiroshi Fujii,Hideaki Ishihara,Hirofumi Abe,Sinichi Noda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

System and method for coupling internal circuitry of an integrated circuit to the integrated circuit's package pins

Номер патента: WO2005096379A2. Автор: Robert A. Greene. Владелец: Microtune (Texas), L.P.. Дата публикации: 2005-10-13.

Comparison circuit, analog-to-digital converter circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240120936A1. Автор: Hidetaka HANEDA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Filtering integrated circuit

Номер патента: US7921147B2. Автор: Kazuhiro Kimura,Takahiro Takeda,Yoshihiko Kon. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

System and method for coupling internal circuitry of an integrated circuit to the integrated circuit's package pins

Номер патента: WO2005096379A3. Автор: Robert A Greene. Владелец: Microtune Texas LP. Дата публикации: 2005-12-01.

Analog-to-digital converter circuitry, an integrated circuit device, a photoplethysmogram detector, a wearable device and a method for analog-to-digital conversion

Номер патента: US20220255554A1. Автор: Shuang SONG,Nick Van Helleputte,Roland Van WEGBERG,Qiuyang LIN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-08-11.

Filtering Integrated Circuit

Номер патента: US20080016136A1. Автор: Kazuhiro Kimura,Takahiro Takeda,Yoshihiko Kon. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Input circuit for receiving an input signal, and a method for adjusting an operating point of an input circuit

Номер патента: US20050270101A1. Автор: HELMUT Fischer,Rory Dickman. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for frequency tuning based on characterization of an oscillator

Номер патента: US20090243742A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Inorganic seal for encapsulation of an organic layer and method for making the same

Номер патента: MY115683A. Автор: John Edward Cronin,Barbara Jean Luther. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-30.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240324219A1. Автор: Jungho Lee,Youngho KWON,Choasub KIM,Chungjin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Universal electrically inactive devices for integrated circuit packages

Номер патента: WO2022108644A1. Автор: Xavier Brun,Timothy Gosselin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Equalizer circuit, receiver circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20190109738A1. Автор: Daisuke Suzuki,Masahiro Kudo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Universal electrically inactive devices for integrated circuit packages

Номер патента: EP4248492A1. Автор: Xavier Brun,Timothy Gosselin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Package on package (pop) device comprising solder connections between integrated circuit device packages

Номер патента: EP3286782A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,David Fraser Rae. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

RF integrated circuit device

Номер патента: EP1939940A3. Автор: Yujen Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Injection Moulded Circuit Carrier Having an Integrated Circuit Board

Номер патента: US20150208497A1. Автор: Frank Naumann,Holger Kral,Roman Bartulec. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Imaging device, integrated circuit, and flicker reduction method

Номер патента: US20150229824A1. Автор: Yoshiteru Tanaka,Tsuyoshi Nakamura,Ikuo Fuchigami. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-08-13.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit package with warpage control using cavity formed in laminated substrate below the integrated circuit die

Номер патента: EP4135022A3. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit for optimizing automated zoom in motion area of image

Номер патента: WO2024149733A1. Автор: Geoffroy GOSSET,Thomas HAINE,Loïc HENNETON. Владелец: E-Peas. Дата публикации: 2024-07-18.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semi-conductor intergrated circuit device

Номер патента: GB2245099B. Автор: Kanji Aoki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-01-18.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit for control of an isolating resonant led converter, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: EP4422052A1. Автор: Miguel Philipp Schneider. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12101021B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for changing a value of an extended unique identifier of a non-AP station associated with an AP station

Номер патента: GB2615796A. Автор: SEVIN JULIEN,BARON STÉPHANE,NEZOU Patrice. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Traffic monitoring method, apparatus, integrated circuit, network device, and network system

Номер патента: US12040959B2. Автор: Wei Song,Jing Hu,Zhengyi Zhang,Haifeng Wu,Feiran Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Integrated optical detector directly attached to readout integrated circuit

Номер патента: WO2004038964A3. Автор: Imran Sherazi,Stephen J Kovacic. Владелец: Stephen J Kovacic. Дата публикации: 2004-07-29.

Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004030094A1. Автор: Xuejun Fan. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2004-04-08.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060022274A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Hisashi Hasegawa. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit packaging system with vertical interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326325A1. Автор: Dongsam Park,A Leam Choi,Yongduk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions

Номер патента: US20210115334A1. Автор: Kihun Song,Hyosan Lee,Minjung Kim,Jungmin Oh,Hyojoong YOON,Jongwook Baek. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

A system for providing an integrated circuit with a unique identification

Номер патента: EP1203329A1. Автор: Keith Lofstrom. Владелец: ICID LLC. Дата публикации: 2002-05-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Protection of an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US20240170960A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Image processing device, image processing system, image processing method, image processing program, and integrated circuit device

Номер патента: EP1722327A9. Автор: Yasuhiro c/o Mat.Elec.Ind.Co. Ltd. KUWAHARA,Akio c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. KOJIMA,Haruo c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. YAMASHITA,Takeshi c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. ITO. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Leadframe in packages of integrated circuits

Номер патента: US20200235044A1. Автор: Hyoung Il Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated circuit packaging system with pad connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280376A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Device and method for automated output of an image motion area

Номер патента: EP4401418A1. Автор: Geoffroy GOSSET,Thomas HAINE,Loïc HENNETON. Владелец: E Peas. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US20160035644A1. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit arrangement for current regulation

Номер патента: US20070288188A1. Автор: Manfred Steiner,Harald Panhofer,Victor Kahr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Method for production of an integrated circuit bar arrangement, in particular comprising a capacitor assembly, as well as an integrated circuit arrangement

Номер патента: US20080006905A1. Автор: Hans-Joachim Barth,Jürgen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Compound semiconductor monolithic integrated circuit device with transistors and diodes

Номер патента: US20200013774A1. Автор: Hsi-Tsung Lin,Yan-Cheng Lin,Sheng-Hsien LIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

High performance integrated radio frequency circuit devices

Номер патента: US20010048340A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Integrated circuit package with surface mounted pins on an organic substrate

Номер патента: US20020125583A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Hamid Azimi,Hwai-Peng Yeoh,Amir Nur Wagiman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Assembly of an integrated circuit in a chip scale ball grid array

Номер патента: US20240113062A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Inversely alternate stacked structure of integrated circuit modules

Номер патента: US7795720B1. Автор: Hong-Chi YU. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly

Номер патента: US20160027685A1. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Guillaume Bouche,Richard A. Farrell,Deniz Elizabeth Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

3-d integrated circuit antenna arrays

Номер патента: WO2024137422A2. Автор: Peter Bacon,Sinan Goktepeli,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies

Номер патента: US20230415269A1. Автор: Miguel CAMARGO SOTO,Juan Arturo Jerez,Luis Enrique Velazquez Cardenas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Analog Floating-Gate Capacitor with Improved Data Retention in a Silicided Integrated Circuit

Номер патента: US20140001526A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Guard ring structure for an integrated circuit

Номер патента: US20190393170A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and molded cavities and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130241053A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Sooyoung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Capacitors in integrated circuits

Номер патента: EP1016132A1. Автор: Hans Norström,Stefan Nygren. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-05.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

3-d integrated circuit antenna arrays

Номер патента: WO2024137422A3. Автор: Peter Bacon,Sinan Goktepeli,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US9812399B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Multi level radio frequency (RF) integrated circuit components including passive devices

Номер патента: US12074123B2. Автор: Richard Wilson,Madhu Chidurala. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Slot cover and integrated circuit access device

Номер патента: US12052840B2. Автор: Yu-Shuo WU,Tzu-Mao FENG,Ju-Peng YANG. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240274483A1. Автор: Hsin-Yu Pan,Teng-Yuan Lo,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US12048257B2. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit stack including a patterned array of electrically conductive pillars

Номер патента: CA2926991C. Автор: James L. Tucker,Eric E. Vogt,Gregor D. Dougal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Multi-branch terminal for integrated circuit (IC) package

Номер патента: US10971436B2. Автор: Chii Shang Hong,Edmund Sales Cabatbat,Thomas Stoek,Chiew Li Tai. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Electromagnetic interference enclosure for radio frequency multi-chip integrated circuit packages

Номер патента: EP2973696A1. Автор: Changhan Yun,Dong Wook Kim,Young Kyu Song,Kyu-Pyung Hwang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

Integrated circuit module and method of forming same

Номер патента: US20180122778A1. Автор: Douglas F. Link,Susan Marie JOHANSSON,Sayed Kaysarbin Rahim. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Transfer molding process for an integrated circuit and pre-formed release film for use in this process

Номер патента: EP1333480A3. Автор: Anthony M. Chiu,Harry Michael Siegel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Embedded silicon-based device components in a thick core substrate of an integrated circuit package

Номер патента: US20240222213A1. Автор: Ronilo Boja,Padam Jain. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package and method of making the same

Номер патента: US20160254216A1. Автор: Chih-Liang Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Analog floating-gate capacitor with improved data retention in a silicided integrated circuit

Номер патента: US20140295631A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Output of multibit data for integrated circuits

Номер патента: EP4373214A1. Автор: Stefan Stark,Fabio Romano,Clemens KUCERA. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Assembly of integrated circuit wafers

Номер патента: US20240170451A1. Автор: Sebastien Mermoz,Damien Jeanjean,Come DE BUTTET,Marc NEYENS. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Minimizing The Number Of External Terminals Required When Compensation Is To Be Provided For Signal Drop In Bond Wire Of A Package In Which An Integrated Circuit Is Provided

Номер патента: US20090072892A1. Автор: Venkataraman Srinivasan,Ravindra Karnad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100059826A1. Автор: Hiroharu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175196A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-21.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US20130062331A1. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Systems and methods for providing network slice selection assistance and route selection policy configurations in a universal integrated circuit card

Номер патента: US20210136672A1. Автор: Taussif Khan,Andrew E. Youtz,Deepa Jagannatha,Bharadwaj VEMURI,Axel Hallo De Wolf. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for interconnecting solid state devices such as integrated circuit chips

Номер патента: US3606679A. Автор: Jon M Schroeder. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Manufacturing method of an electronic device package

Номер патента: US20020093120A1. Автор: Pierangelo Magni,Andrea Cigada. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-18.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor integrated circuit device having a decoupling capacitor

Номер патента: US7973383B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US8716108B2. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Method and apparatus for controlling a performance characteristic of an electronic device

Номер патента: EP1090493A1. Автор: Matthew Justin Murray. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-04-11.

Integrated circuit with modified metal features and method of fabrication therefor

Номер патента: US20040185652A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Fabrication of an integrated circuit package

Номер патента: US20070178628A1. Автор: Chee Chian Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuit die/package interconnect

Номер патента: US20080096323A1. Автор: Gilroy Vandentop,Hamid Azimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Device housing having an integrated circuit board

Номер патента: US5253144A. Автор: Heinz Schmidt,Eduard SCHÖNBERGER,Hermann Kasowski. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-10-12.

Power harvesting for integrated circuits

Номер патента: US11937507B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit packaging system with formed interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280408A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching composition and method of manufacturing integrated circuits using the same

Номер патента: US20240059967A1. Автор: Hyosan Lee,Mihyun PARK,Wook Jang,Sangwon BAE,Daihyun Kim,Taesoo Kwon,Yeonsoek YOO. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

A system for deploying an antenna of an integrated circuit card

Номер патента: EP1468469A1. Автор: Jan Bakker,Raymond R. Thomas,Nedim Erkocevic,Han Schmitz,John Leslie Blair,Frans Hoekstra,Damon E. Stauffer. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-10-20.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method and apparatus for coupling integrated circuit packages to bonding pads having vias

Номер патента: US20020108777A1. Автор: Stephen Joy,Dan Shier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

System for deploying an antenna of an integrated circuit card

Номер патента: EP1742291B1. Автор: Jan Bakker,John L. Blair,Raymond R. Thomas,Nedim Erkocevic,Han Schmitz,Frans Hoekstra,Damon E. Stauffer. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-11-07.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Overvoltage protection circuit, integrated circuit and switching converter with the same

Номер патента: US11750083B2. Автор: Hongfeng Fan,Dengke Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Integrated circuit device package

Номер патента: US20220109091A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Grimmett Dale Jacky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Switch flow module on an integrated circuit for aggregation in data center network switching

Номер патента: US20220321499A1. Автор: Stephen Diferdinando. Владелец: Brightways Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Fuse corner pad for an integrated circuit

Номер патента: US20050167825A1. Автор: James Seymour,Jennifer Chiao,Art Pharn. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Passivation layer for packaged integrated circuits

Номер патента: US20020022305A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4407669A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Electronic device to control an ignition coil of an internal combustion engine and electronic ignition system thereof for detecting a misfire in the internal combustion engine

Номер патента: EP3927957A1. Автор: Pasquale Forte,Eugenio Carugati,Stefano Silva. Владелец: Eldor Corporation SpA. Дата публикации: 2021-12-29.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Micro-electromechanical integrated circuit device for fluid ejection

Номер патента: US20050270326A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for managing the automatic stoppage of an automobile

Номер патента: US20120271535A1. Автор: Clement Gamberoni,Christophe Blond. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2012-10-25.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Fail-safe circuit for dynamic smartpower integrated circuits

Номер патента: US20030132976A1. Автор: William Hawkins,Yungran Choi,Christopher Morton,Juan Becerra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for determining the morphology of an occupant in an automotive seat with capacitive sensors

Номер патента: US20090088929A1. Автор: Takanori Ninomiya,Shunji Maeda,Tomoaki Hirai,Claude Launay,Joaquim Da Silva,Florent Voisin. Владелец: Hitachi Computer Products Europe SAS. Дата публикации: 2009-04-02.

GAMING SYSTEM AND METHOD PROVIDING A USER DEVICE THAT RECEIVES AND STORES A REEL SET FOR AN INITIAL GAME PLAY AND REEL SETS FOR SUBSEQUENT GAME PLAYS

Номер патента: US20130079102A1. Автор: Nicely Mark C.. Владелец: IGT. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Supply mechanism for the chuck of an integrated circuit dicing device

Номер патента: SG140606A1. Автор: Yang Hae Choon. Владелец: ROKKO SYSTEMS PTE LTD. Дата публикации: 2008-03-28.

Method for determination of heat-transfer resistance for digital integrated circuits

Номер патента: RU2490657C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Владимир Александрович Ламзин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-08-20.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.