Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1
Опубликовано: 22-08-2013
Автор(ы): Tom Waayers
Принадлежит: NXP BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20130076383A1. Автор: Thomas Wieja,Thomas Braun,Helmut Randoll,Stefan Doehren,Steffen Wirth,Peter Poinstingl,Ralf Kraemer,Christoph Knaupp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Test circuit using clock gating scheme to hold capture procedure and bypass mode, and integrated circuit including the same

Номер патента: US20230152372A1. Автор: Giha Nam,Sangsoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Test circuit using clock gating scheme to hold capture procedure and bypass mode, and integrated circuit including the same

Номер патента: US11959965B2. Автор: Giha Nam,Sangsoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Circuitry for staggering capture clocks in testing electronic circuits with multiple clock domains

Номер патента: WO2024148502A1. Автор: Bala Tarun Nelapatla,Peter Wohl,Ke Xue,Likith Kumar MANCHUKONDA,Mona MARMASH. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Electrical test method of an integrated circuit

Номер патента: US20080061810A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit and a method for secure testing

Номер патента: EP1817595A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Yossi Amon,Dimitri Akselrod. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-08-15.

Integrated circuit and a method for secure testing

Номер патента: WO2006053586A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Yossi Amon,Dimitri Akselrod. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-05-26.

Reordering or Removal of Test Patterns for Detecting Faults in Integrated Circuit

Номер патента: US20140289579A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Device and method for testing integrated circuits

Номер патента: EP2030030B1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Ezra Baruch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-03.

Device and method for testing integrated circuits

Номер патента: EP2030030A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Ezra Baruch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-03-04.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20220107364A1. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-07.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Testing of integrated circuits during at-speed mode of operation

Номер патента: US20200132763A1. Автор: Srivaths Ravi,Khushboo Agarwal,Wilson Pradeep,Rajesh Kumar Tiwari,Raashid Moin Shaikh,Sanjay Krishna Hulical Vijayaraghavachar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

System for testing an integrated circuit

Номер патента: US20030028824A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Converged test platforms and processes for class and system testing of integrated circuits

Номер патента: US20180252772A1. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,David Shia,Pooya Tadayon,Abram M. Detofsky,Evan M. Fledell,Mustapha A. Abdulai,Dinia P. Kitendaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Integrated circuit, an apparatus for testing an integrated circuit, a method for testing an integrated circuit and a computer program for implementing this method using magnetic field

Номер патента: US20230099503A1. Автор: Frank Mielke. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and device for high speed testing of an integrated circuit

Номер патента: US20090129183A1. Автор: Michael Priel. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-21.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Zero-pin test solution for integrated circuits

Номер патента: US11041904B2. Автор: Tapan Jyoti Chakraborty,Umesh Srikantiah,Rachana ROUT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Test device for testing integrated circuit

Номер патента: US20190120901A1. Автор: Po-Lin Chen,Chun-Yi Kuo,Ying-Yen CHEN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Zero-pin test solution for integrated circuits

Номер патента: US20210096182A1. Автор: Tapan Jyoti Chakraborty,Umesh Srikantiah,Rachana ROUT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Method and system for generating an integrated circuit chip facility waveform from a series of chip snapshots

Номер патента: US20100070232A1. Автор: Christopher Smith,Andreas Koenig,Rolf Fritz,Manfred Walz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Integrated test circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12055587B2. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Circuit and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010042233A1. Автор: Daniel Loughmiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Functional frequency testing of integrated circuits

Номер патента: US20060041802A1. Автор: Steven Oakland,Philip Stevens,Anthony Polson,Gary Grise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US20040246017A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

A method and device for testing of an integrated circuit

Номер патента: AU7700894A. Автор: Olli Piirainen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-05-01.

Testing an integrated circuit

Номер патента: US20140351664A1. Автор: Oliver Marquardt,Thomas Gentner,Birol Akdemir. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Test system for integrated circuits with serdes ports

Номер патента: WO2005083622A1. Автор: Gordon Edward Chenoweth,Marc P. Loranger,Steven Robert Payne,James Kaylor Larson,Patricia Renee Justice. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2005-09-09.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated test circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20230138651A1. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of testing an integrated circuit block

Номер патента: GB1416786A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-12-10.

Integrated circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20230079599A1. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US11874325B2. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Method and system for testing an integrated circuit featuring scan design

Номер патента: US5485473A. Автор: Rolf Vogt,Manfred Schmidt,Peter Rost,Otto Torreiter,Ulich Diebold,Klaus Wagner-Drebenstedt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Method and apparatus for testing integrated circuit

Номер патента: US9805826B2. Автор: Wanggen Zhang,Weiwei Sang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

System and apparatus for scanning integrated circuits with numerically controlled delay lines

Номер патента: US20040098647A1. Автор: Ramanujan Valmiki,Anand Pande,S. Ali,K. Chandra Srinivas,Ravindra Bindus. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Target system, debugging system, integrated circuit device, microcomputer and electronic apparatus

Номер патента: US20060190787A1. Автор: Makoto Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Large scale integrated circuit equipped with a normal internal logic testing circuit and unconnected/substandard solder testing circuit

Номер патента: US5754561A. Автор: Kazuhiro Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US6967496B2. Автор: Gregory F. Taylor,Dan Murray,Tawfik R. Arabi,Srirama Pedaria,Patrick Elwer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-22.

Address Generators for Verifying Integrated Circuit Hardware Designs for Cache Memory

Номер патента: US20210224450A1. Автор: Anthony Wood,Philip Chambers. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Address generators for verifying integrated circuit hardware designs for cache memory

Номер патента: US11868692B2. Автор: Anthony Wood,Philip Chambers. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method and system for encryption-based design obfuscation for an integrated circuit

Номер патента: WO2007011507A2. Автор: John Fagan. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-25.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuit

Номер патента: GB9720988D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1997-12-03.

Integrated circuit

Номер патента: GB9317506D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1993-10-06.

Input/output cell for integrated circuits

Номер патента: US10008985B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Michiel Alexander Hallie,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-26.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Converged test platforms and processes for class and system testing of integrated circuits

Номер патента: US10677845B2. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,David Shia,Pooya Tadayon,Abram M. Detofsky,Evan M. Fledell,Mustapha A. Abdulai,Dinia P. Kitendaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Built-in self-test system and method for self test of an integrated circuit

Номер патента: US5515383A. Автор: Mehdi Katoozi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1996-05-07.

Method and built-in self-test apparatus for testing an integrated circuit which capture failure information for a selected failure

Номер патента: US5912901A. Автор: Michael R. Ouellette,R. Dean Adams,Ronald J. Prilik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Modelling and testing of an integrated circuit

Номер патента: EP1259165A2. Автор: Patrick Arnould,Frederic Hayem. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-11-27.

Modeling and testing of an integrated circuit

Номер патента: WO2001045565A2. Автор: Patrick Arnould,Frederic Hayem. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-06-28.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device with phase comparator comparing phases between internal signal and external signal

Номер патента: US6833723B2. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Integrated circuit test power supply

Номер патента: US5773990A. Автор: Jan B. Wilstrup,Stanley Peter Mros. Владелец: Megatest Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatus for testing integrated circuit

Номер патента: US20080079454A1. Автор: Po Chang Chen. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Method and apparatus for conducting automated integrated circuit analysis

Номер патента: EP2932283A2. Автор: Erik Frank MATLIN,David S. Stoker,Motilal Agrawal,James R. Potthast,Neil William Troy. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus

Номер патента: EP1149293A4. Автор: John Mark Oonk. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

Method and apparatus for testing the timing of integrated circuits

Номер патента: US20010027549A1. Автор: Timothy Cowles. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-04.

Efficient methods and apparatus for margin testing integrated circuits

Номер патента: US20130069678A1. Автор: David Grosch,Marc D. Knox,Erik A. Nelson,Brian C. Noble. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Testing system for evaluating integrated circuits, a testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20020073370A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010039065A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method and System for Testing an Integrated Circuit

Номер патента: US20080205173A1. Автор: Martin Versen,Joerg Kliewer,Klaus Nierle. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Permanent insulation monitor verifying device, has printed circuit board connecting components including integrated circuit and display device with green LED and red LED for indicating functioning of electric assembly

Номер патента: FR2929014A1. Автор: Serge Fiolleau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-25.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of testing an integrated circuit and an integrated circuit test apparatus

Номер патента: US20050099202A1. Автор: Theodore Houston,Bryan Sheffield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Separate test electronics and blower modules in an apparatus for testing an integrated circuit

Номер патента: WO2010129688A1. Автор: Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson,William D. Barraclough. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2010-11-11.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit (ic) chip test socket assemblies with spring probes that scrub ic package electrical contact pads

Номер патента: WO2024073421A3. Автор: Jiachun Zhou,Zhixia ZHU. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit (ic) chip test socket assemblies with spring probes that scrub ic package electrical contact pads

Номер патента: WO2024073421A2. Автор: Jiachun Zhou,Zhixia ZHU. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Testing apparatus for integrated circuit

Номер патента: US20110001506A1. Автор: Masashi Hasegawa,Kenichi Washio. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Testing multiple levels in integrated circuit technology development

Номер патента: US6875560B1. Автор: Paul J. Steffan,Shivananda S. Shetty,Jeffrey P. Erhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20240085471A1. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20020079916A1. Автор: Alexander Kurz,Matthias Eichin. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2002-06-27.

Testing device for integrated circuit package

Номер патента: US20230228793A1. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Testing device for integrated circuit package

Номер патента: US11994534B2. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Testing device and method for integrated circuit package

Номер патента: US20230063518A1. Автор: Hao Chen,Shao-Chun CHIU,Wen-Feng LIAO,Chun-Hsing Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus for testing an integrated circuit in an oven during burn-in

Номер патента: US5966021A. Автор: Victor M. Eliashberg,Kombupalayam M. Prakash. Владелец: Pycon Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Self-test capable integrated circuit apparatus and method of self-testing an integrated circuit

Номер патента: US20180145041A1. Автор: Yassine Fkih,Djordje Zegarac,Eric DEMEY,Luca PLUTINO,Marzia SAPIENZA. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2018-05-24.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Handling integrated circuits in automated testing

Номер патента: WO2019147562A1. Автор: Neeraj Bhardwaj,Shubham Mehrotra,Neha Vernekar,Janardhan Venkata RAJU,Arun Adoni,Mahit Arun WARHADPANDE,Shimee Gupta,Goda Devi ADDANKI,Pavinkumar Ramasamy,Binoy Jose MALIAKAL. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and apparatus for testing integrated circuits over a range of temperatures

Номер патента: US20070132471A1. Автор: Gregory Carlson. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for testing an integrated circuit (ic) device at a testing temperature

Номер патента: US20240159821A1. Автор: Genesis Benjamin Carr,Vijian Techanamurthy,Vasantkumar Prabhuda Trambadiya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

High Isolation Contactor with Test Pin and Housing For Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20200313322A1. Автор: Jeffrey Sherry,Michael Andres. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

High isolation contactor with test pin and housing for integrated circuit testing

Номер патента: EP3688476A1. Автор: Jeffrey Sherry,Michael Andres. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

High isolation contractor with test pin and housing for integrated circuit testing

Номер патента: PH12020500438A1. Автор: Jeffrey Sherry,Michael Andres. Владелец: Johnstech Int Corporation. Дата публикации: 2021-01-25.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Probe Card System for Testing an Integrated Circuit

Номер патента: US20190033343A1. Автор: Vladimir V. Genkin,Alexander N. Pronin,Joseph A. Peters. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US11977098B2. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,Seang P. Malathong,Junjye Yeh. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit tester information processing system

Номер патента: US20090076750A1. Автор: Judy Xilin An,Sushant S. Suryagandh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Architecture and Testing for an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20230341463A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Mahesh K. Kumashikar,Kalyana Ravindra Kantipudi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits

Номер патента: US20020060577A1. Автор: Malcolm Smith,John Carelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US20150309114A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US20220091171A1. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit (ic) testing device with conduction interface

Номер патента: US20070272924A1. Автор: Chu Yung-Sing. Владелец: Tangerine System Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit test socket having elastic contact support and methods for use therewith

Номер патента: US20090233463A1. Автор: Michael Beatty,Steven Daigle. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Integrated circuit test jig

Номер патента: US5537031A. Автор: David L. Ganapol,Arno G. Marcuse. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

A method and structure for performing integrated circuit wafer testing and assembly

Номер патента: CA2268572A1. Автор: Ralph Dickson Mason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-12.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

Номер патента: US20210270889A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11994553B2. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of assembling and testing an electronics module

Номер патента: US20030049873A1. Автор: Benjamin Eldridge. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Method and system for testing an integrated circuit

Номер патента: US11114274B2. Автор: Baohua Niu,Theodore Lundquist. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-09-07.

Method and system for testing of antenna with multiple radiation elements

Номер патента: RU2744320C1. Автор: Люк ДЮШЕСН,Людовик ДЮРАН,Николя ГРОСС. Владелец: Мвж Индастриз. Дата публикации: 2021-03-05.

Method of fabricating a device with ESD and I/O protection

Номер патента: US7883947B1. Автор: Shiann-Ming Liou,Chuan-Cheng Cheng,Choy Hing Li. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Modular socket of integrated circuit

Номер патента: US20040046583A1. Автор: Wei-Fang Fan,Wann-Chyuan Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Current sensing integrated circuit and corresponding method

Номер патента: EP4417982A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-21.

System for providing large rc time constants in integrated circuits

Номер патента: US20100052734A1. Автор: Zhihao Lao,Llchong Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Current Sensing Integrated Circuit and Corresponding Method

Номер патента: US20240280614A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Automated verification of integrated circuits

Номер патента: WO2023028080A2. Автор: Calum Macrae,Richard Philpott. Владелец: Celera, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Dual Die Integrated Circuit System in an Integrated Circuit Package with two Separate Supply Domains

Номер патента: US20240088112A1. Автор: Ingo Freund,Paolo Marozzi. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20180100883A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit test socket

Номер патента: WO2007008754A2. Автор: Somboon Mingviriya. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-01-18.

Integrated circuit comprising a device with a vertical mobile element integrated in a supporting substrate and method for manufacturing the device with a mobile element

Номер патента: EP2428487A1. Автор: Perceval Coudrain,Alexis Farcy,Fabrice Casset,Pascal Ancey,Laurent-Luc Chapelon,Lionel Cadix,Yacine 29 Felk. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-14.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Optical circuit element and an integrated type optical circuit device

Номер патента: US5825952A. Автор: Hidenori Kawanishi,Atsushi Shimonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated capstan and apparatus for screen testing an optical fiber

Номер патента: EP3304026A1. Автор: Ziwei Liu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Smart Device With An Integrated Radar System

Номер патента: US20200408876A1. Автор: Jian Wang,David J. Weber,Maryam TABESH,Abhijit Aroon Shah,Camille Ann Lesko,Alexis K. Salazar. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of testing an integrity of a structure separating a chamber from an adjacent environment, and related apparatus

Номер патента: EP3785002A1. Автор: Morten Kvernvold. Владелец: Scanwell Technology AS. Дата публикации: 2021-03-03.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Force and vibration measurement device with function of providing adjustable force

Номер патента: US20240264053A1. Автор: Jui-Hung Hsu,Yung-Tai Pan,Chang-Ming Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Signal processing method, storage medium, integrated circuit, device and terminal

Номер патента: US20240235590A9. Автор: Yan Zhu,Jiashu Chen,Xiaolong Zhang,Qiyong Zhao. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Pressure tester for printhead integrated circuit carrier

Номер патента: US20110232371A1. Автор: Stephen John Sleijpen,Joseph Tharion,Jan Waszczuk,Eric Patrick O'Donnell,William Granger,David Bernardi,Stephen Richard O'Farrell,Jason Mark Thelander. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: WO2020154082A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: EP3915140A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Integrated temperature sensor, method for producing an integrated temperature sensor and method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor

Номер патента: WO2018054596A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling,Zoran ZIVKOVIC,Casper Van Der Avoort. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Detecting a defect of an integrated circuit

Номер патента: US20030206293A1. Автор: Daniel Corum,Taylor Lowry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

High data rate integrated circuit with transmitter configuration

Номер патента: EP4354131A3. Автор: Keith G. Fife,Jungwook Yang. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Synchronizing timing of communication between integrated circuits

Номер патента: US20130080815A1. Автор: Ivan E. Sutherland. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device

Номер патента: WO2006014860A1. Автор: James Simons. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-09.

Method and system for an integrated circuit card interface device with multiple modes of operation

Номер патента: WO2001029762A3. Автор: Paul W Chau,Kerry R Matthew,Gerry W Vandenengel. Владелец: Spyrus Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

METHOD OF ATTACHING GALVANIC CONTACTS OF AN IDENTIFICATION DOCUMENT COMPRISING AN INTEGRATED INTEGRATED CIRCUIT MODULE

Номер патента: FR2483102B1. Автор: Werner Obrecht. Владелец: GAO Gesellschaft fuer Automation und Organisation mbH. Дата публикации: 1986-02-14.

Power management integrated circuit and display device with it

Номер патента: KR102539255B1. Автор: 김동규,장원용,조대명,한상수,강병수. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2023-06-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated circuit of driving device with different operating voltages

Номер патента: US9368570B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-06-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and system for direct access memory testing of an integrated circuit

Номер патента: US20050060621A1. Автор: Jonathan Lee,XiaoGang Zhu,Andrew Hwang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit chip and method for testing an integrated circuit chip

Номер патента: US20080238468A1. Автор: Marc Walter,Thomas Vogelsang,Andre Sturm. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method and apparatus for testing an integrated circuit device

Номер патента: US6052806A. Автор: Robert Beat. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2000-04-18.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for securing access to an integrated circuit

Номер патента: US20160149697A1. Автор: Jason Doege. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

A method for modifying a test profile in an integrated circuit card, corresponding integrated circuit card, testing method and apparatus

Номер патента: EP4340418A1. Автор: Maria Chichierchia,Mario ALGHIRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-20.

Memory devices with low pin count interfaces, and corresponding methods and systems

Номер патента: US11562781B1. Автор: Stephan Rosner,Clifford Zitlaw,Avi Avanindra. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-24.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US6184067B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US20010005049A1. Автор: Stephen Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Integrated circuit with self-test device for an embedded non-volatile memory and related test method

Номер патента: US20040109370A1. Автор: Steffen Gappisch,Georg Farkas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Side-Channel Attack Mitigation For Secure Devices With Embedded Sensors

Номер патента: US20210150068A1. Автор: Javier Elenes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20150033198A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Electronic ic device with multiple fixed heads for reading and writing data from/on magnetic media forming digital computer mass stores

Номер патента: WO2002077981A1. Автор: Alessio Gerotto,Giorgio Gabbi,Francis A. Forte. Владелец: Forte Francis A. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: EP1966654A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: WO2007074146A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group B.V.. Дата публикации: 2007-07-05.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device with multiple direct memory access (DMA) data paths

Номер патента: US11907145B2. Автор: Charles Lance FUOCO,Samuel Paul Visalli,Brian Jason Karguth,Michael Anthony DENIO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Computer security device with protectively mounted lcd

Номер патента: WO2008021423A2. Автор: Noah L. Anglin. Владелец: Aladdin Knowledge Systems. Дата публикации: 2008-02-21.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of unlocking an operation of a device with a tiny rfid tag embedded on an integrated circuit

Номер патента: US20230289539A1. Автор: Scott Robert Hansen,Louisa Marie Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Method for testing an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20060044900A1. Автор: Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-pixel display device with light-guiding structures and light-emitting semicondutor chips disposed on interated circuit

Номер патента: US11984435B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Electronic Device With Protected Light Sources

Номер патента: US20240192488A1. Автор: Fletcher R. Rothkopf,James W. VanDyke. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Sensor interface circuit controller for multiple sensor types in an integrated circuit device

Номер патента: US11868109B2. Автор: Bruno W. Garlepp,Navin Kumar,Jafar Savoj,II Robert S. Brandt,Ke Yun. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Device with integrated SRAM memory and method of testing such a device

Номер патента: US20010053102A1. Автор: Roelof Salters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US20190171783A1. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Circuit device with multiple parallel data paths

Номер патента: US20240193112A1. Автор: Charles Lance FUOCO,Samuel Paul Visalli,Brian Jason Karguth,Michael Anthony DENIO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Integrated circuit device, method, and system

Номер патента: US12027525B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device and method for calculating a predicate value

Номер патента: EP2666082A1. Автор: Itzhak Barak,Yuval Peled,Idan Rozenberg,Doron Schupper,Lev Vaskevich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-27.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20210098260A1. Автор: Jihee KIM,Hyunchul YOON,Joonghee KIM,Yeongshin PARK,Mincheol KWAK,Jungheun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230275080A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230261003A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068306B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit device for receiving differential and single-ended signals

Номер патента: US20090033364A1. Автор: Claudio Andreotti,Maurizio Skerlj. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-05.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Method and apparatus for power management of an integrated circuit

Номер патента: US5696953A. Автор: Jeffrey E. Smith,Keng L. Wong,Kelly J. Fitzpatrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-12-09.

Integrated circuit devices with capacitors

Номер патента: WO2021041490A1. Автор: Clive Bittlestone,Abhijit Kumar Das,Suman BELLARY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Method for adjusting the overlay of two mask planes in a photolithographic process for the production of an integrated circuit

Номер патента: US20040101769A1. Автор: Jens Hassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of manufacturing modules with an integrated circuit

Номер патента: US20030087474A1. Автор: Christian Brugger,Reinhard Fritz,Johannus Weekamp,Anthonie De Lange,Johannes Van Roosmalen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Multiplexing connection between a key board and an integrated circuit device

Номер патента: US3834616A. Автор: I Washizuka,M Kaumae. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1974-09-10.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuit packages having electrical and optical connectivity and methods of making the same

Номер патента: US12032216B2. Автор: Jin Su Kim,Lars Martin Otfried BRUSBERG,Aramais Robert Zakharian. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Autonomous method and apparatus for mitigating soft-errors in integrated circuit memory storage devices at run-time

Номер патента: EP1746505A3. Автор: Robert Morton,David Motz,Toby James Koktan,James Wisener,David Henry Graham,Saida Benlarbi,David Ambrose Stortz. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-02-17.

Test functionality integrity verification for integrated circuit design

Номер патента: WO2013044122A1. Автор: Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-28.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Data Processing Method and System with Multiple Input Units

Номер патента: US20110084942A1. Автор: Yun-Hsiang Yeh,Cheng-Lu Liu. Владелец: Waltop International Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Integrated circuit for driving flat display device

Номер патента: US6091385A. Автор: Yoshihiro Shigeta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Embedded photonics integrated circuit in glass core of substrate

Номер патента: US20240027710A1. Автор: Xiaoqian Li,Srinivas V. Pietambaram,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for designing integrated circuit layout by using analog/mixed-signal standard cells that do not violate layout rules of digital standard cells and associated computer system

Номер патента: US20240211673A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Kuan-Ta Chen,Chia-Hsin Hu,Pang-yen Chin,Yu-Sian Lin,Ri-cheng ZENG,Chi-Shun CHENG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Method and System for Synthesizing Relative Timing Constraints on an Integrated Circuit Design to Facilitate Timing Verification

Номер патента: US20110161902A1. Автор: Yang Yu,Kenneth S. Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for designing an integrated circuit containing multiple integrated circuit designs

Номер патента: US20030097644A1. Автор: Joseph Hong. Владелец: QualCore Logic Inc. Дата публикации: 2003-05-22.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit design verification with module swapping

Номер патента: WO2023158530A1. Автор: Adam Moshe IZRAELEVITZ,Albert Pengju CHEN. Владелец: SiFive, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: EP2532027A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-12.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and system for synthesizing relative timing constraints on an integrated circuit design to facilitate timing verification

Номер патента: US8239796B2. Автор: Yang Xu,Kenneth S. Stevens. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH. Дата публикации: 2012-08-07.

Integrated circuit comprising an assembly of an electronic chip, an optical element and a substrate and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240168245A1. Автор: Romain Coffy,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Integrated circuit capable of communicating using different communication protocols

Номер патента: EP1636705A2. Автор: Pak-Lung Seto,Richard Beckett,Jr. Robert Sheffield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20240219943A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

System, method, and computer readable medium for designing a scalable clustered storage integrated circuit for multi-media processing

Номер патента: WO2010019883A3. Автор: Hsueh Ban Lan. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Hermetically-covered photonic integrated circuit (pic) on a substrate having an integrated laser diode

Номер патента: US20240295690A1. Автор: Rahul Agarwal,Giuseppe Calafiore,Zhujun Shi,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Petr Markov,John Michael Goward,Dusan Coso,Shermin Arab. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and data processing system supporting attachment of a real address-agnostic accelerator

Номер патента: US20190332537A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and data processing system having a configurable cache directory for an accelerator

Номер патента: US20190332549A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Curtis C. Wollbrink,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuits

Номер патента: WO1988002123A1. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: The General Electric Company, P.L.C.. Дата публикации: 1988-03-24.

Integrated circuits with universal serial bus 2.0 and embedded universal serial bus 2 connectivity

Номер патента: US20160162430A1. Автор: Chia-Jen Hsu,Derek Hing Sang Tam,Desheng MA,Preeti MULAGE. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuit designing device, integrated circuit designing method, and integrated circuit designing program

Номер патента: US20080184179A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Integrated circuit for controlling operations of display module and first circuit module with shared pin

Номер патента: US20100110066A1. Автор: Yi-Chih Chi,Tsai-Tian Huang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of using an integrated circuit

Номер патента: US20020080656A1. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Methods and apparatus to mitigate hotspots in integrated circuit packages using gimbaling nozzles and jet vectoring impingement

Номер патента: US20240276675A1. Автор: Patrick L. Connor,Prabhakar SUBRAHMANYAM,Mark Lawrence Bianco,Vishnu Prasadh Sugumar,Ying Feng Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for testing an integrated circuit including a microprocessor and an instruction cache

Номер патента: US4882673A. Автор: David B. Witt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-11-21.

Integrated circuit device with stand-by cancellation

Номер патента: US5307500A. Автор: Yukio Oshiba,Yasushi Okino. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Integrated circuit design

Номер патента: EP1150222A3. Автор: Robert J. Gluss,Nicholas A. Fiduccia. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-04-02.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Software defined subsystem creation for heterogeneous integrated circuits

Номер патента: WO2021096710A1. Автор: Gangadhar Budde,Siddharth Rele,Shreegopal S. Agrawal,Subhojit Deb. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Adjustable timing circuit of an integrated circut

Номер патента: US20050041485A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated circuit integration of t-coils at interfaces to communication links

Номер патента: US20240235188A9. Автор: Patrick Isakanian,Darius VALAEE,Srivatsan Thiruvengadam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bioinformatics Systems, Apparatuses, and Methods Executed on an Integrated Circuit Processing Platform

Номер патента: US20240170102A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US9170596B2. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US20140285255A1. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US20210149601A1. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-20.

Programmable logic devices with function-specific blocks

Номер патента: EP1191696A3. Автор: Martin Langhammer,Nitin Prasad. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8872220B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8410519B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS finFET sidewall channels

Номер патента: US9053966B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Adjustable timing circuit of an integrated circuit

Номер патента: US20050286338A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit including power gating cell

Номер патента: US20200328746A1. Автор: Jongwoo Kim,Minsu Kim,Chanhee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuit for receiving a clock signal, particularly for a semiconductor memory circuit

Номер патента: US20030001665A1. Автор: Hermann Ruckerbauer,Andre Schäfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Path delay prediction method for integrated circuit based on feature selection and deep learning

Номер патента: US20240265190A1. Автор: Xu Cheng,Tai Yang,Peng CAO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-destructive readback and writeback for integrated circuit device

Номер патента: US12086460B2. Автор: Yi Peng,Bee Yee Ng,Jun Pin Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device that includes a secure element and a wireless component for transmitting protected data over short range wireless point-to-point communications

Номер патента: US10359957B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Circuit device, physical quantity measurement device, electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US11897539B2. Автор: Hideo Haneda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: EP3338198A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-27.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240134269A1. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240231217A9. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit design

Номер патента: US20170076033A1. Автор: Robert John Harrison,Ramnath Bommu Sabbiah SWAMY. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: EP3317440A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2018-05-09.

Integrated circuits having accessible and inaccessible physically unclonable functions

Номер патента: WO2014051741A2. Автор: Anand Rajan,David Johnston,George W. Cox,Jiangtao Li,Sanu K. Mathew,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated-circuit card with antenna arrangement

Номер патента: WO2024084283A1. Автор: Oscar Miguel Fernandez Lopez. Владелец: Giesecke+Devrient ePayments GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit using i2c bus and control method thereof

Номер патента: US20140223041A1. Автор: Xiaolu Yang,Kuo-Han Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

System and method of configuring integrated circuits

Номер патента: US20240232490A9. Автор: Nadav Azaria,Ofir Ezrielev. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system for improving integrated circuit manufacturing productivity

Номер патента: US20050278663A1. Автор: Lijiang Wang,Douglas Kemerer,Daniel Maynard,Gustavo Tellez,Peter Wissell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit identification and reverse engineering

Номер патента: US20180330038A1. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Andrea Bahgat Shehata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Improved connection assembly for integrated circuit sensors

Номер патента: WO2002095801A3. Автор: Thomas L Andrade. Владелец: Thomas L Andrade. Дата публикации: 2003-10-30.

Improved connection assembly for integrated circuit sensors

Номер патента: WO2002095801A8. Автор: Thomas L Andrade. Владелец: Thomas L Andrade. Дата публикации: 2004-01-15.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

Accelerated segmentation for reverse engineering of integrated circuits

Номер патента: US20220028086A1. Автор: Ronald Wilson,Navid Asadi-Zanjani,Domenic J. Forte,Damon Woodard. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for modeling power consumption of an integrated circuit and power consumption modeling system performing the same

Номер патента: US20230010159A1. Автор: Jin Hyeong Park,In Hak HAN. Владелец: Baum Design Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US7636905B2. Автор: Craig Marshall Darsow,Todd Edward Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US20210367760A1. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US11711365B2. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated circuit and method of storing probability tables for video decoding

Номер патента: US20210400282A1. Автор: Wei Wang,Ruiyang Chen,Shuoshuo LIU. Владелец: Glenfly Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: US7480876B2. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2009-01-20.

Method and software tool for designing an integrated circuit

Номер патента: US20080028355A1. Автор: Marlin Mickle,Alex Jones,James Cain,Raymond Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of bonding integrated circuit chip to display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3701775A1. Автор: Hongwei Ma,YoungYik Ko,Xiangdan Dong,Jinsan PARK,Tairong KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390A1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390B1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-13.

Sub-Device Field-Effect Transistor Architecture for Integrated Circuits

Номер патента: US20200066706A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

Inter-Integrated Circuit Slave Interface and Method of Operating an Integrated Integrated Circuit Slave Interface

Номер патента: DE102012222357A1. Автор: Dorde CVEJANOVIC. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-05.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: WO2016048649A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: EP3198634A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Method of forming dielectric layers with various thicknesses on substrate and method of forming integrated circuit having gate oxide layers with multiple thicknesses

Номер патента: TWI243434B. Автор: Yi-Chun Lin,Ruey-Hsin Liu,Shun-Liang Hsu,Yu-Chang Jong,Chen-Bau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-11-11.

With the LED light engine of Alternating Current Power Supply and integrated circuit and lighting device with the LED light engine

Номер патента: CN104902614B. Автор: 王志良,陈光辉,余金生. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-23.

Protection device against the breakdown of bipolar transistors in an integrated driving circuit for power device with resonant load on the collector

Номер патента: CA2014901A1. Автор: Sergio Palara,Salvatore Raciti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1990-11-02.

Protection device against the breakdown of bipolar transistors in an integrated driving circuit for power device with resonant load on the collector

Номер патента: CA2014901C. Автор: Sergio Palara,Salvatore Raciti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-01-06.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102422A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140217517A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH SOURCE/DRAIN-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193652A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH CHANNEL-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193836A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH SHALLOW TRENCH ISOLATION THAT INCLUDES A THERMAL OXIDE LAYER AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140353795A1. Автор: Liu Huang,KIM Seung,Shen Hongliang,Liu Jin Ping,TONG Wei Hua. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Pneumatic integrated circuit bar cutting device with adjustable shearing size

Номер патента: CN113617973A. Автор: 李金龙,李双江,尹超,陶怀亮,张文烽,倪乾峰. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-11-09.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: CA3120703A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: US20200203245A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: EP3871253A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: CA3120703C. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon on insulator with multiple semiconductor thicknesses using layer transfer

Номер патента: EP3844809A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Integrated circuit device with interconnects made of layered topological materials

Номер патента: WO2024115987A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd Gotsmann,Bogdan ZOTA,Alan Molinari,Lorenzo Rocchino. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: EP4432807A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: US20240284686A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US9496252B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Esd protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US20160163691A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Gallium nitride (gan) devices with through-silicon vias

Номер патента: US20240213118A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Paul NORDEEN,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Structured integrated circuit device with multiple configurable via layers

Номер патента: WO2016160426A1. Автор: Ranko Scepanovic,Alexander Andreev. Владелец: eASIC Corporation. Дата публикации: 2016-10-06.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit device package

Номер патента: US20220109091A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Grimmett Dale Jacky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Method for forming integrated circuit having monos device and mixed-signal circuit

Номер патента: US20030036275A1. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated circuit having second epitaxial layer

Номер патента: US20080017898A1. Автор: Oliver Haeberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Passivation layer for packaged integrated circuits

Номер патента: US20020022305A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4407669A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Electrically alterable circuit for use in an integrated circuit device

Номер патента: WO2010114739A3. Автор: Mark E. Schlarmann. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit (IC) with reconstituted die interposer for improved connectivity, and related methods of fabrication

Номер патента: US11769732B2. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit with multiple gallium nitride transistor sets

Номер патента: US20200195122A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,David C. Reusch. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Inductor element and integrated circuit device

Номер патента: US20110309907A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-12-22.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A2. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A3. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1. Автор: Takeshi Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus, method and nontransitory computer readable medium for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20170018469A1. Автор: Hiroyuki Yazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220173002A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated optical sensor and method of producing an integrated optical sensor

Номер патента: US20180337291A1. Автор: Hubert Enichlmair. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-11-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240072106A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258205A1. Автор: Seungyong YOO,Hoyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090200A1. Автор: Jungmin Park,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of fabricating integrated circuit device

Номер патента: US20200105540A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US11961832B2. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230290768A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220085007A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240243125A1. Автор: Changhyeon Lee,Seongyul Park,Myoungho Kang,Yeazi HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for making integrated circuit device using copper metallization on 1-3 pzt composite

Номер патента: WO2011137450A1. Автор: Yakub Aliyu,Deda Diatezua. Владелец: Sonavation, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274679A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: EP4421875A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240274664A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US11769769B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10256237B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung-Hun Lee,Jeong-Yun Lee,Myung-Il Kang,Sun-Wook Kim,Sun-Ghil Lee,Jung-han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20170271255A1. Автор: Hiroki Okamoto,Kiyoshi Okuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230207662A1. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Jung-Hwan Chun,Ji -ye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150295021A1. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuit device including gate line

Номер патента: US20210408232A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of manufacturing integrated circuit devices using carbonyl compounds

Номер патента: US20230215723A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Jiyu CHOI,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim,Eunhyea Ko. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240282773A1. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240213249A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Inchan HWANG,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240324183A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240324219A1. Автор: Jungho Lee,Youngho KWON,Choasub KIM,Chungjin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321956A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Woosuk CHOI,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321991A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321726A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaeyoung Park,Hyunjae KANG,Sutae Kim,Yubo Qian,Gyeongseop Kim,Jeonwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Interconnect structures and design structures for a radiofrequency integrated circuit

Номер патента: US20120292741A1. Автор: Timothy Dalton,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Ebenezer E. Eshun,Sarah L. Grunow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Integrated circuit devices with electrical contacts on multiple surfaces

Номер патента: US20230395549A1. Автор: Jarrid WITTKOPF,Kristopher J. ERICKSON,David Wayne George. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Ic device with chip to package interconnects from a copper metal interconnect level

Номер патента: EP4158684A1. Автор: Manoj Kumar Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Ic device with chip to package interconnects from a copper metal interconnect level

Номер патента: WO2021247633A1. Автор: Manoj Kumar Jain. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-12-09.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit package

Номер патента: US20240038607A1. Автор: David Auchere,Fanny LAPORTE. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Fuse-trimmed tank circuit for an integrated voltage-controlled oscillator

Номер патента: EP1243068A1. Автор: Robert Cox,Gwilym Luff. Владелец: Micro Linear Corp. Дата публикации: 2002-09-25.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A2. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Process for Precision Placement of Integrated Circuit Overcoat Material

Номер патента: US20100072610A1. Автор: Rex W. Pirkle,Sean M. Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Process for precision placement of integrated circuit overcoat material

Номер патента: US7884449B2. Автор: Rex W Pirkle,Sean M Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

An integrated circuit package having interchip bonding and method therefor

Номер патента: WO1999045591A9. Автор: Steve V Drehobl,Joseph D Fernandez,Mike Charles. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit package with warpage control using cavity formed in laminated substrate below the integrated circuit die

Номер патента: EP4135022A3. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A3. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Hyungki Huh. Дата публикации: 2005-08-04.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: GCT Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: EP1665383A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies

Номер патента: US20230415269A1. Автор: Miguel CAMARGO SOTO,Juan Arturo Jerez,Luis Enrique Velazquez Cardenas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: AU2003249497A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-25.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: WO2004015400A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-19.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: EP1546681A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2005-06-29.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG146528A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: US20050045986A1. Автор: Kang Lee,Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230245939A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

A monolithic microwave integrated circuit (mmic) assembly and method for providing it

Номер патента: WO2022051015A1. Автор: Jesse Tice,Steven J. Mass,Michael T. Barako. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated circuit package system with pad to pad bonding

Номер патента: US20080079173A1. Автор: Po Yu Feng,Cheng Yu Hsia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Integrated circuit package having a substrate vent hole

Номер патента: EP1186212A1. Автор: Ravi V. Mahajan,Michael J. Costello,Suresh Ramalingam,Nagesh Vodrahalli,Mun Leong Loke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Chip support of a leadframe for an integrated circuit package

Номер патента: US20060138678A1. Автор: Mohamad B. Yazid,Pauline Min Low. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US10818632B1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Integrated circuit package system using heat slug

Номер патента: US20100327418A1. Автор: Tae Keun Lee,Kyungsic Yu,Youngnam Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Integrated circuit with device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20110279936A1. Автор: Sergio Pernici,Pierangelo Confalonieri,Riccardo Martignone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-11-17.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

A monolithic microwave integrated circuit (mmic) assembly and method for providing it

Номер патента: EP4208887A1. Автор: Jesse Tice,Steven J. Mass,Michael T. Barako. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Chip support of a lead frame for an integrated circuit package

Номер патента: EP1658636A1. Автор: Mohamad B. Wagiman Yazid,Pauline Low Min Wee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-24.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: CA1205578A. Автор: Herbert A. Waggener,Joseph C. Zuercher,Raymond R. Christian,Harry Sue. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1986-06-03.

Mounting assembly of integrated circuit device and method for production thereof

Номер патента: US6037665A. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Integrated circuit assemblies having interconnection bridges spanning integrated circuit devices therein

Номер патента: US20230387073A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Han-Wen LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: US11823972B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated circuit devices with parallel power amplifier output paths

Номер патента: US20210288613A1. Автор: Rohit Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Integrated circuit devices with parallel power amplifier output paths

Номер патента: US20210075371A1. Автор: Rohit Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated circuit devices with parallel power amplifier output paths

Номер патента: WO2021050401A1. Автор: Rohit Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Three-dimensional (3d) integrated circuit device having a backside power delivery network

Номер патента: US20220020735A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated optical detector directly attached to readout integrated circuit

Номер патента: WO2004038964A3. Автор: Imran Sherazi,Stephen J Kovacic. Владелец: Stephen J Kovacic. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: EP2524392A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Integrated circuit (ic) module comprising an integrated circuit (ic) package and an interposer with embedded passive components

Номер патента: WO2017040714A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-09.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: WO2011087991A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: US20110169140A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: EP2633552A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

MOSFET integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US8580665B2. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Heterogeneous physical media attachment circuitry for integrated circuit devices

Номер патента: EP2572453A2. Автор: Sergey Shumarayev,Chee Hong Aw,Edwin Yew Fatt Kok,Lip Kai Soh,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Heterogeneous physical media attachment circuitry for integrated circuit devices

Номер патента: WO2011146453A2. Автор: Sergey Shumarayev,Chee Hong Aw,Edwin Yew Fatt Kok,Lip Kai Soh,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2011-11-24.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: WO2012058189A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Electronic integration circuit having offset and collected charge reduction circuitries and associated methods

Номер патента: EP4211795A1. Автор: Shimon Elkind,Nadav Melamud. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068418B2. Автор: Yongkyu Lee,Kyongsik Yeom,Youngcheon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit for control of an isolating resonant led converter, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: EP4422052A1. Автор: Miguel Philipp Schneider. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit having an input circuit

Номер патента: US20040056693A1. Автор: Kazimierz Szczypinski,Andre Schäfer,Jens Polney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-25.

Integrated circuit capable of repeatedly using current

Номер патента: US20110241789A1. Автор: Shuo-Hung Hsu,Wei-Sung Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-10-06.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit device having C4 and wire bond connections

Номер патента: US20020109240A1. Автор: Gregory Taylor,George Geannopoulos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions

Номер патента: US20210115334A1. Автор: Kihun Song,Hyosan Lee,Minjung Kim,Jungmin Oh,Hyojoong YOON,Jongwook Baek. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Mosfet integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US20130089980A1. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12101021B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit having formed therein low contact leakage and low contact resistance integrated circuit device electrode

Номер патента: US6025634A. Автор: Su Ping Teong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US20240056047A1. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit device with protective antenna diodes integrated therein

Номер патента: US11862624B2. Автор: Sujeong Kim,Daeseok Byeon,Taemin OK,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US11824508B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402A1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: US20020167435A1. Автор: Charles Lane,David Jarman,Rodney Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402B1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004030094A1. Автор: Xuejun Fan. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2004-04-08.

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A DEVICE WITH A VERTICAL MOBILE ELEMENT INTEGRATED IN A SUPPORT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE WITH A MOBILE ELEMENT

Номер патента: US20120074527A1. Автор: Chapelon Laurent-Luc,Farcy Alexis,CASSET Fabrice,Cadix Lionel,Coudrain Perceval,Felk Yacine,Ancey Pascal. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Method for determination of heat-transfer resistance for digital integrated circuits

Номер патента: RU2490657C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Владимир Александрович Ламзин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-08-20.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты