Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Integrated circuit device

Номер патента: US12068418B2
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Kyongsik Yeom, Yongkyu Lee, Youngcheon Jeong
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: EP4421875A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240274664A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US11961832B2. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230290768A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220085007A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321961A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Yujin Jeon,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304623A1. Автор: Jiwon Park,Minseok Jo,Hanyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859392B2. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A3. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321991A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: WO2024205658A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A2. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240243125A1. Автор: Changhyeon Lee,Seongyul Park,Myoungho Kang,Yeazi HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Stacked integrated circuit device

Номер патента: US20240274686A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Inchan HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240213249A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Inchan HWANG,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321956A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Woosuk CHOI,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435847A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240322039A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12107122B2. Автор: SunKi Min,Donghyun Roh,Chaeho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240332131A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: US20240332299A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4451319A2. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321983A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240355878A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4439645A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853029B2. Автор: Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit device having an interfacial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786761B2. Автор: Dong-Soo Lee,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Taek-Soo Jeon,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4407669A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274679A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US11769769B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304704A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Taeho Cha,Hakjong Lee,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240355622A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220173002A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258205A1. Автор: Seungyong YOO,Hoyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Methods of fabricating integrated circuit devices having raised via contacts

Номер патента: US20210082821A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355879A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: EP4451318A2. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US12132049B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit devices including stacked transistors

Номер патента: US20220344481A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10256237B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung-Hun Lee,Jeong-Yun Lee,Myung-Il Kang,Sun-Wook Kim,Sun-Ghil Lee,Jung-han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240282773A1. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114475B2. Автор: Huijung Kim,Sunghee Han,Inwoo Kim,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321885A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Sujin JUNG,Ingyu Jang,Yongjun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150295021A1. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2013016140A2. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09887098B2. Автор: Katsunori Yahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09786734B2. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922979B2. Автор: Jong-Mil Youn,Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong,Je-Min YOO,Jong-Shik Yoon,Kyu-man CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US09564509B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Номер патента: US12051697B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240321886A1. Автор: Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Seunghun LEE,Myungil KANG,Kyowook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US12113108B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Kihyun Hwang,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09953985B2. Автор: Seon-Ju Kim,Hye-won Kim,Hyun-Gi Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12075622B2. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device structures and double-sided electrical testing

Номер патента: US20240194533A1. Автор: Paul Fischer,Kevin O'Brien,Patrick Morrow,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Bruce Block,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit device and integrated circuit layout

Номер патента: US20240363615A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321873A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435848A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US12087766B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230275080A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068306B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230207662A1. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Jung-Hwan Chun,Ji -ye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418327A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

3D integrated circuit device

Номер патента: US09954080B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893064B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Diffusion barrier layer for integrated-circuit devices

Номер патента: IE56850B1. Автор: . Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1992-01-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

High voltage integrated circuit device

Номер патента: US09722019B2. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit device including gate line

Номер патента: US20210408232A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Compound semiconductor monolithic integrated circuit device with transistors and diodes

Номер патента: US20200013774A1. Автор: Hsi-Tsung Lin,Yan-Cheng Lin,Sheng-Hsien LIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated circuit device, method, and system

Номер патента: US12027525B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

High performance integrated radio frequency circuit devices

Номер патента: US20010048340A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit chip packaging

Номер патента: US09713258B2. Автор: Young Hoon Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240363558A1. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418311A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Heterogeneous integration of integrated circuit device and companion device

Номер патента: US09865567B1. Автор: Inderjit Singh,Raghunandan Chaware,Amitava Majumdar,Glenn O'Rourke,Ganesh Hariharan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Package on package (pop) device comprising solder connections between integrated circuit device packages

Номер патента: EP3286782A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,David Fraser Rae. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit packaging system with interposer support structure mechanism and method of manufacture thereof

Номер патента: US09859200B2. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,KyuSang Kim,YeoChan Ko,SooSan Park,KeoChang Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit packaging system with joint assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748157B1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin,Kyung Moon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Three dimensional integrated circuit

Номер патента: US09704835B2. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device with interconnects made of layered topological materials

Номер патента: WO2024115987A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd Gotsmann,Bogdan ZOTA,Alan Molinari,Lorenzo Rocchino. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20210098260A1. Автор: Jihee KIM,Hyunchul YOON,Joonghee KIM,Yeongshin PARK,Mincheol KWAK,Jungheun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of fabricating integrated circuit device

Номер патента: US20200105540A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US20230197690A1. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US12087738B2. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus, method and nontransitory computer readable medium for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20170018469A1. Автор: Hiroyuki Yazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11302680B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-12.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11024615B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for making integrated circuit device using copper metallization on 1-3 pzt composite

Номер патента: WO2011137450A1. Автор: Yakub Aliyu,Deda Diatezua. Владелец: Sonavation, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240274510A1. Автор: Seungyoung Lee,Jung Ho Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US20210272940A1. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of manufacturing integrated circuit devices using carbonyl compounds

Номер патента: US20230215723A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Jiyu CHOI,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim,Eunhyea Ko. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes

Номер патента: US09852899B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Hsin-Hsien Lu,Kuo-Yin Lin,Wen-Kuei Liu,Kuo-Cheng Lien,Chang-Sheng Lin,Yu-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit devices having through-silicon via structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09824973B2. Автор: Ho-Jin Lee,Byung-lyul Park,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: US20240345229A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: EP4447472A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: US20240363605A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: WO2024226151A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos field-effect transistors

Номер патента: WO2000067325A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars Henrik Mucke,Lars G. Jansson. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

RF integrated circuit device

Номер патента: EP1939940A3. Автор: Yujen Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Optical integrated circuit package

Номер патента: US09939596B2. Автор: Ho-Chul Ji,In-sung Joe,Keun-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Multi level radio frequency (RF) integrated circuit components including passive devices

Номер патента: US12074123B2. Автор: Richard Wilson,Madhu Chidurala. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit layout and method for manufacturing integrated circuit device using the integrated circuit layout

Номер патента: US20240370619A1. Автор: Hyung Keun Park,Bong Keun KIM,Hee JEONG,Myung Soo NOH,Yun Kyoung SONG,Da Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US09709524B2. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit device and electronic device including the same

Номер патента: EP4181190A1. Автор: Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Wonsik Yu,Dokyung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Horizontal infrastructure handling for integrated circuit devices

Номер патента: US09989585B2. Автор: Dan Littlejohn. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device assembly

Номер патента: US09913361B2. Автор: Mark K. Hoffmeyer,Jason R. Eagle,David Barron,Roger D. Hamilton,Christopher W. Mann,Matthew T. Richardson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09761514B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: US09686861B2. Автор: Qing Ma,Robert L. Sankman,Valluri R. Rao,Johanna M. Swan,Quan A. Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit device package

Номер патента: US20220109091A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Grimmett Dale Jacky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods for forming narrow vertical pillars and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US09627611B2. Автор: Jun Liu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Passivation layer for packaged integrated circuits

Номер патента: US20020022305A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US09620456B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Electrically alterable circuit for use in an integrated circuit device

Номер патента: WO2010114739A3. Автор: Mark E. Schlarmann. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Inductor element and integrated circuit device

Номер патента: US20110309907A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-12-22.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090200A1. Автор: Jungmin Park,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230261003A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321726A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaeyoung Park,Hyunjae KANG,Sutae Kim,Yubo Qian,Gyeongseop Kim,Jeonwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240332196A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220076732A1. Автор: Youngkyu Lee,Taesung Kang,Sungho Jang,Kyoungmin Kim,Ilgweon KIM,Seokjae Lee,Joon HAN,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240072106A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: US20240284686A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20170271255A1. Автор: Hiroki Okamoto,Kiyoshi Okuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: EP4432807A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Photoresist composition including photosensitive polymer and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240302742A1. Автор: Songse YI,Yoonhyun Kwak,Sung Hwan Park,Juhyeon Park,Sungwon Choi,Jeong Ho MUN,Hogeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing integrated circuit device using a metal-containing photoresist composition

Номер патента: US12112948B2. Автор: Kumagai Tomoya,Tsunehiro Nishi,Brian Cardineau,SooYoung CHOI,Chawon KOH,Soyeon Yoo,Kwangsub Yoon. Владелец: Inpria Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US09881892B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Nanoprobing an integrated circuit device structure

Номер патента: WO2010076136A1. Автор: Mark Eliot Masters,Paul Davis Bell,David Stuart Patrick. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-08.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Power safety circuit, integrated circuit device and safety critical system

Номер патента: US09620992B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device

Номер патента: WO2009134199A1. Автор: Peter Lindberg,Christian Braun,Andrei Kaikkonen,Stefen LÖFGREN. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2009-11-05.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device with tamper detection input and having real time clock calendar logging thereof

Номер патента: US09602895B2. Автор: Michael Simmons,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Integrated circuit device with protection against malicious attacks

Номер патента: EP4179446A1. Автор: Pascal Aubry,Sylvain PELISSIER. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-05-17.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09634667B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Bruce E. Byrkett,Hans Van Antwerpen,Mark E. Hastings,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US09764548B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Programmable logic array integrated circuit devices

Номер патента: US20030016053A1. Автор: Christopher Lane,Kerry Veenstra,Joseph Huang,David Mendel,Richard Cliff,Srinivas Reddy,David Jefferson,Bruce Pedersen,Craig Lytle,Francis Heile,Rina Raman,Robert Noel Bielby,L. Cope. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20240348435A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Reference clock architecture for integrated circuit device

Номер патента: US09979403B1. Автор: Weiqi Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatuses for optimizing power management on an integrated circuit device

Номер патента: US09735778B1. Автор: Jeffrey Schulz. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1. Автор: Takeshi Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Signal processing method, storage medium, integrated circuit, device and terminal

Номер патента: US20240235590A9. Автор: Yan Zhu,Jiashu Chen,Xiaolong Zhang,Qiyong Zhao. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20150033198A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Low-power transceiver architectures for programmable logic integrated circuit devices

Номер патента: US20080258765A1. Автор: Wilson Wong,Richard G. Cliff,Sergey Shumarayev,Tim Tri Hoang,Thungoc M. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240324183A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240324219A1. Автор: Jungho Lee,Youngho KWON,Choasub KIM,Chungjin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4436329A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit device, electronic device and method for frequency detection

Номер патента: US09722648B2. Автор: Christophe Landez,Olivier Doare,Philippe Freitas,Xavier Lhuillier,Valerie Escarpit. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Dynamic noise mitigation in integrated circuit devices using local clock buffers

Номер патента: US09712112B1. Автор: II John E. Sheets,Kirk D. Peterson,Andrew A. Turner,Miles C. Pedrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit device system with elevated stacked configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09648754B1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

System and apparatus for trusted and secure test ports of integrated circuit devices

Номер патента: US09810736B2. Автор: Rodrick Cottrell,Dee C. Neuenschwander. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Automatic generation of sub-cells for an analog integrated circuit

Номер патента: US12118287B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit devices for driving conductors to target voltage levels

Номер патента: US20210134368A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US09804223B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, apparatus, and system for energy efficiency and energy conservation by mitigating performance variations between integrated circuit devices

Номер патента: US09753516B2. Автор: Efraim Rotem,Avinash N. Ananthakrishnan,Doron Rajwan,Ryan D. Wells,Gary A. Andrew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for testing a multi-die integrated circuit device

Номер патента: US20200103464A1. Автор: Michael Fridburg,Erez Menahem,Peter Brokhman. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Optical fiber mounts for printed circuit boards and integrated circuit device packages

Номер патента: US20240345324A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Benjamin DUONG,Marcel SAID,Soham Agarwal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Placing integrated circuit devices using perturbation

Номер патента: US09638747B2. Автор: Christopher R. Schroeder,Paul J. Diglio,Nader N. Abazarnia,Morten S. Jensen,Rene J. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-08-22.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US20240345132A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US09969355B2. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Method and Apparatus for Host Adaptation to a Change of Persona of a Configurable Integrated Circuit Die

Номер патента: US20190146943A1. Автор: Utkarsh Y. Kakaiya,Joshua David Fender. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Techniques and circuits for testing a virtual power supply at an integrated circuit device

Номер патента: US09891271B2. Автор: Carl Dietz,Russell Schreiber,Sudha Thiruvengadam,Joel Irby. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Micro-electromechanical integrated circuit device for fluid ejection

Номер патента: US20050270326A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US20190171783A1. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Optical integrated circuit device and optical system including the same

Номер патента: US20240201524A1. Автор: Jung Jin Ju,Hyeon Hwang,Hansuek Lee,Kiwon MOON,Min-Kyo Seo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Embedded photonic integrated circuits

Номер патента: US20240329301A1. Автор: Ravindranath V. Mahajan,Chia-Pin Chiu,Kaveh Hosseini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Subprocessor, integrated circuit device, and electronic apparatus

Номер патента: US09632794B2. Автор: Masakazu Isomura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Bus control system for integrated circuit device with improved bus access efficiency

Номер патента: US20010010063A1. Автор: Yoshio Hirose,Hiroyuki Utsumi,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Integrated circuit device and method for calculating a predicate value

Номер патента: EP2666082A1. Автор: Itzhak Barak,Yuval Peled,Idan Rozenberg,Doron Schupper,Lev Vaskevich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-27.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit device for receiving differential and single-ended signals

Номер патента: US20090033364A1. Автор: Claudio Andreotti,Maurizio Skerlj. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-05.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US20120050242A1. Автор: Keisuke Hashimoto,Shigeaki Kawano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit device, electronic apparatus, and control method for electrooptic panel

Номер патента: US09947256B2. Автор: Toshimichi Yamada,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit device and method for reducing SRAM leakage

Номер патента: US09778983B2. Автор: Ajay Kapoor,Nur Engin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-03.

High diagnosability, quality managed-compliant integrated circuit for implementing ASIL B-compliant automotive safety-related functions

Номер патента: US09677480B2. Автор: Giovanni Dallara,Piero Carbonaro,Loris Lambertini,Alberto Pezzoli,Alessandro Fusari,Francesco Traversi. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2017-06-13.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001Y1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

Integrated circuit case

Номер патента: RU2331138C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько,Вячеслав Леонидович Троицкий,В чеслав Леонидович Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Integrated circuit

Номер патента: RU2065653C1. Автор: Б.А. Гарбуз,В.Л. Опалев,С.А. Коновалов. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1996-08-20.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.