Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1
Опубликовано: 14-08-2003
Автор(ы): Takeshi Fukuda
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-Cascadable Phase Shifter

Номер патента: US20160173073A1. Автор: Bo Jensen,Chong Mei. Владелец: Anaren Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Phased array transceiver including a bidirectional phase shifter

Номер патента: US20240235536A1. Автор: Venumadhav BHAGAVATULA,Siuchuang Ivan LU,Sangwon Son,Samrat Dey. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

90-Degree phase shifter

Номер патента: US20050129157A1. Автор: Nobuyuki Ashida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Active 90-degree phase shifter with LC-type emitter degeneration and quadrature modulator IC using the same

Номер патента: US20070241835A1. Автор: Jenshan Lin,Tzyy-Sheng Horng,Fu-Yi Han,Jian-Ming Wu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2007-10-18.

Active 90-degree phase shifter with LC-type emitter degeneration and quadrature modulator IC using the same

Номер патента: US7463108B2. Автор: Jenshan Lin,Tzyy-Sheng Horng,Fu-Yi Han,Jian-Ming Wu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2008-12-09.

Quadrature modulator using four carriers with 90 degree phase shift

Номер патента: RU2382510C2. Автор: Гари Дж. БАЛЛАНТИН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Differential amplifier capable of offset compensation of differential output signal and adaptive continuous-time linear equalizer including the same

Номер патента: US20230318551A1. Автор: Junghwan Choi,Yohan Kim,Yongsam Moon,Hyeonwoo Ahn,Jihwan HYUN,Soohwan Yoo,Jaegeol Lee. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-10-05.

90 degree phase shift circuit

Номер патента: JP3098464B2. Автор: 尚也 石原. Владелец: 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社. Дата публикации: 2000-10-16.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040090828A1. Автор: Junichi Okamura. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor integrated circuit device having power down mode

Номер патента: US4906862A. Автор: Kiyoshi Itano,Kohji Shimbayashi. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1990-03-06.

Phase interpolator circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230361763A1. Автор: Hideki Kano. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuits with interconnect selection circuitry

Номер патента: US8854080B1. Автор: Irfan Rahim,Michael D. Hutton. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Integrated circuits for controlling slew rates of signals

Номер патента: US20180159517A1. Автор: Jae Hyun Park,Jong shin Shin,Jin Ho Han,Jun Han BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (FPGA) integrated circuit (IC) package

Номер патента: US11901895B2. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (fpga) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210376833A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase shifter

Номер патента: US5317276A. Автор: Kazuya Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Satellite receiver digital broadcast receiver phase shifter having two signal paths phase shift separated and frequency multiplier producing two local oscillator signals 90 degrees phase shift separated.

Номер патента: FR2798017A1. Автор: Hiroshi Isoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-03-02.

90 degree phase shifter and image rejection mixer

Номер патента: EP0973255B1. Автор: WANG Jianqin. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-07.

90(degrees) phase shift circuit

Номер патента: JPS5739609A. Автор: Hideo Kitagawa. Владелец: Japan Electric Meters Inspection Corp JEMIC. Дата публикации: 1982-03-04.

Integrated circuit capable of controlling impedance and electronic device including the same

Номер патента: WO2020055072A1. Автор: Cheolho LEE,Seungjoon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Method and apparatus for improving the accuracy of a phase shifter

Номер патента: US20030001691A1. Автор: Ming Yung. Владелец: PRECISION MICROWAVE. Дата публикации: 2003-01-02.

High frequency integrated circuit for wireless communication

Номер патента: US20220255535A1. Автор: Hironori Nagasawa,Yuki Kamijyo. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

High frequency integrated circuit for wireless communication

Номер патента: US11695392B2. Автор: Hironori Nagasawa,Yuki Kamijyo. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Reducing jitter in mixed-signal integrated circuit devices

Номер патента: US20020163456A1. Автор: Ian Dedic. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Single-sideband generator suitable for integrated circuits

Номер патента: US4635004A. Автор: Yukinobu Ishigaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1987-01-06.

Reference signal generator circuit provided with two 90-degree phase shifters and two mixer circuits

Номер патента: US20100225375A1. Автор: Eiichi Sano,Masato Koutani,Masayuki Ikebe. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-09-09.

Active 90-degree phase shifter with LC-type emitter degeneration and quadrature modulator IC using the same

Номер патента: TW200737581A. Автор: Tzyy-Sheng Horng,Fu-Yi Han,Jian-Ming Wu,Jen-Shan Lin. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2007-10-01.

90 degree phase shifter

Номер патента: JPS6025326A. Автор: 正弘 梅比良,Masahiro Umehira. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-02-08.

Sigma-delta modulator apparatus and method of generating a modulated output signal

Номер патента: US20110006938A1. Автор: Hassan Ihs,Frederic Schrive. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-13.

Phase-locked loop capable of dynamically adjusting phase of output signal according to detection result of phase/frequency detector, and method thereof

Номер патента: US20080111634A1. Автор: Shaw-N Min. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US20170194966A1. Автор: Takemi Yonezawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

WM demodator circuit with 90 degree phase shift

Номер патента: DE2142661A1. Автор: Jack Princeton N.J. Avins (V.StA.). Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-03-02.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: EP1537467A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: WO2004019192A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2004-03-04.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Duty-cycled phase shifter for angular rate sensor

Номер патента: US20180080769A1. Автор: Gregory B. Arndt,Christopher C. Painter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090127606A1. Автор: Koichi Kinoshita,Natsuki Kushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and method for interfacing two voltage domains using a transformer

Номер патента: US6927616B2. Автор: Shiu Chung Ho,Ivan L. Wemple,Stephen D. Wyatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240223166A1. Автор: Ming-Xiang LU,Kuang-Ching CHANG,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: US20170019278A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: EP3323201A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7456669B2. Автор: Mototsugu Hamada,Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US11698410B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20220206062A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Circuit arrangement for producing a defined output signal

Номер патента: US20090302907A1. Автор: Mathias Krauss. Владелец: Zentrum Mikroelektronik Dresden GmbH. Дата публикации: 2009-12-10.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Signal Delay Element, Method and Integrated Circuit Device for Frequency Adjustment of Electronic Signals

Номер патента: US20090021288A1. Автор: Cedric Lichtenau,Ulrich Weiss,Thomas Pflueger,Florian Braun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit having switch circuit of digital signal

Номер патента: US20070057824A1. Автор: Uichi Sekimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Cmos integrated circuit and amplifying circuit

Номер патента: US20130127539A1. Автор: Tadamasa Murakami. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Integrated circuit and precharge/active flag generation circuit

Номер патента: US20150364167A1. Автор: Hyun-Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor integrated circuit device having hierarchical power source arrangement

Номер патента: US20010019502A1. Автор: Masaki Tsukude,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: US20150061728A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-05.

Comparator providing offset calibration and integrated circuit including comparator

Номер патента: US11509298B2. Автор: Yong Lim,Jaehoon Lee,Seunghyun Oh,Wan Kim,Barosaim Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: EP2842228A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-04.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device having hierarchical power source arrangement

Номер патента: US6525984B2. Автор: Masaki Tsukude,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Integrated circuit with an input multiplexer system

Номер патента: US20220166395A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Hanqing Xing,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor Chip With an Integrated Circuit

Номер патента: US20240259006A1. Автор: David Muthers. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12095464B2. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Pulse signal shaper in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5812000A. Автор: Isamu Kobayashi,Yasuhiro Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Integrated circuit including flip-flop and computing system for designing the integrated circuit

Номер патента: US11901902B2. Автор: Ahreum Kim,Minsu Kim,Seungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Information processing apparatus capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US9825621B2. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Pulse width modulation integrated circuit chip

Номер патента: US20030034853A1. Автор: Chin-Kuo Chou. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Basic cell architecture for structured application-specific integrated circuits

Номер патента: US8166440B1. Автор: Subramanian Ramesh,Gary Scott Delp,Robert C. Armstrong,Ramnath Venkatraman,Michael N. Dillon,David A. Gardner,Carl Anthony Monzel, III,Scott Allen Peterson. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080297204A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Multiple redundant reliability enhancement method for integrated circuits and transistors

Номер патента: WO2001031790A1. Автор: John W. Oglesbee. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2001-05-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Operational comparator, differential output circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090153199A1. Автор: Shinichiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Agp/ddr interfaces for full swing and reduced swing (sstl) signals on an integrated circuit chip

Номер патента: WO1999052213A1. Автор: Xiaoyi Guo,Nalini Ranjan. Владелец: S3 Incorporated. Дата публикации: 1999-10-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit device with independently operable output buffers

Номер патента: US5404056A. Автор: Keiichi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Semiconductor integrated circuit device with a plurality of logic circuits having active pull-down functions

Номер патента: US5283480A. Автор: Toshio Yamada,Atsushi Shimizu,Masato Hamamoto,Mitsuo Usami,Tatsuya Kimura,Tohru Kobayashi,Noboru Shiozawa,Hiromasa Katoh,Kazuyoshi Satoh,Kaoru Koyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-01.

Semiconductor integrated circuit device including input circuitry to permit operation of a Bi-CMOS memory with ECL level input signals

Номер патента: US5457412A. Автор: Masanori Odaka,Kayoko Saito,Toshiro Hiramoto,Nobuo Tamba,Masayuki Ohayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070075738A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Level shifters and integrated circuits thereof

Номер патента: US20130181741A1. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Voltage level shift circuit for multiple voltage integrated circuits

Номер патента: US20140132329A1. Автор: Yu-Ren Chen,Qingchao Meng,Bright LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Communication cell for an integrated circuit, chip comprising the communication cell, electronic system including the chip, and test apparatus

Номер патента: EP2341626A3. Автор: Roberto Canegallo,Luca Perugini,Roberto Cardu,Mauro SCANDIUZZO,Salvatore Valerio CANI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-08-10.

Power controlling integrated circuit cell

Номер патента: WO2007012788A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard,Dhrumil Gandhi,John Philip Biggs. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2007-02-01.

Cryogenic integrated circuit, integrated module, and arrangement for producing and detecting excitation and readout signals of qubits

Номер патента: US20210305958A1. Автор: Pasi Lähteenmäki,Juha Hassel. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2021-09-30.

Power Controlling Integrated Circuit Cell

Номер патента: US20090066164A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard,Dhrumil Gandhi,John Philip Biggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Voltage conversion and integrated circuits with stacked voltage domains

Номер патента: EP2419832A1. Автор: Brian L. Ji,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit with ring oscillator

Номер патента: US20140132360A1. Автор: Suhwan Kim,Kwan-Dong Kim,Gi-Moon HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Current signature jammer of an integrated circuit

Номер патента: US12039092B2. Автор: Pascal Bernon,Julien Goulier. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Bidirectional i/o circuit and integrated circuit including bidirectional i/o circuit

Номер патента: US20240178839A1. Автор: Jungho Kim,Wanchul KONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Control circuit for an electronic converter, related integrated circuit, electronic converter and method

Номер патента: US20230163767A1. Автор: Alberto Cattani,Alessandro Bertolini,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit having high voltage detection circuit

Номер патента: US5723990A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080238485A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7602211B2. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Cryogenic integrated circuit, integrated module, and arrangement for producing and detecting excitation and readout signals of qubits

Номер патента: EP3886321A1. Автор: Pasi Lähteenmäki,Juha Hassel. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2021-09-29.

Circuits And Methods For Accessing Signals In Integrated Circuits

Номер патента: US20220077856A1. Автор: Yi Peng,Mahesh A. Iyer,Krishna Nagar,Brandon Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Cryogenic integrated circuit, integrated module, and arrangement for producing and detecting excitation and readout signals of qubits

Номер патента: US12009789B2. Автор: Pasi Lähteenmäki,Juha Hassel. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated circuits and methods for providing impedance of driver to drive data

Номер патента: US20100244891A1. Автор: Ying-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20150033198A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Programmable logic array integrated circuit devices

Номер патента: US20030016053A1. Автор: Christopher Lane,Kerry Veenstra,Joseph Huang,David Mendel,Richard Cliff,Srinivas Reddy,David Jefferson,Bruce Pedersen,Craig Lytle,Francis Heile,Rina Raman,Robert Noel Bielby,L. Cope. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Radio-frequency integrated circuit and method for setting a phase in a radio-frequency channel

Номер патента: US20240235593A9. Автор: Christoph Wagner,Clemens PFEFFER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and methods for vector modulator phase shifters

Номер патента: US20200382088A1. Автор: Prabir K. Saha. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase shifter

Номер патента: US4607229A. Автор: Seiji Okubo,Seiji Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-08-19.

Filtering Integrated Circuit

Номер патента: US20080016136A1. Автор: Kazuhiro Kimura,Takahiro Takeda,Yoshihiko Kon. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Filtering integrated circuit

Номер патента: US7921147B2. Автор: Kazuhiro Kimura,Takahiro Takeda,Yoshihiko Kon. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Wide band sum & difference circuit for monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US20140125427A1. Автор: Seong Mo Moon,Dong Hwan Shin,In Bok Yom. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Wide frequency range phase shifter device

Номер патента: US3748572A. Автор: K Kim,T Saliga. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1973-07-24.

Digital phase shifter

Номер патента: US11689189B2. Автор: Steven Edward Heuttner. Владелец: Cubic Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Wideband compact radio frequency phase shifter

Номер патента: US20240106116A1. Автор: Xiang Guan,Morteza Tavakoli Taba. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Digital phase shifter

Номер патента: US20210313968A1. Автор: Steven Edward Heuttner. Владелец: Cubic Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Digitally controlled wideband phase shifter

Номер патента: US4638190A. Автор: Young K. Chen,Ying C. Hwang,Louis J. Ragonese. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-20.

Application-specific integrated circuit with automatic time-constant matching

Номер патента: US20080297241A1. Автор: Alain Ramond,Simon-Didier Venzal,Michel Suquet. Владелец: Siemens VDO Automotive SAS. Дата публикации: 2008-12-04.

Variable phase shifter and phase shifting method

Номер патента: EP2738940A3. Автор: Masaru Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Transformer and method of generating multiple multiphase output signals

Номер патента: US20200373082A1. Автор: Jian Huang. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of generating an electrical output signal and acoustical/electrical conversion system

Номер патента: CA2396832C. Автор: Hans-Ueli Roeck. Владелец: PHONAK AG. Дата публикации: 2008-12-16.

Signal control apparatus capable of readily changing an apparatus output signal

Номер патента: CA2035203C. Автор: Tsuguo Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Signal transmission and receiving methods optimized for integrated circuit implementation

Номер патента: US20030071683A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US20020021769A1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US20050190861A1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US6999525B2. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US7382836B2. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-06-03.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US20050190863A1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US7567790B2. Автор: Taiwa Okanohu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US7362825B2. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US20050208937A1. Автор: Taiwa Okanohu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Receiving device and integrated circuit for reception

Номер патента: US20050190862A1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of testing rf integrated circuit

Номер патента: US20190319717A1. Автор: Sun-Woo Lee,Dooseok CHOI,Thomas Byunghak Cho,Seung-Chan Heo,Dae-Young Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated circuit and clock data recovery circuit

Номер патента: US20160352343A1. Автор: Taek-Sang Song,Han-Kyu Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Multifunctional configurable analog circuit block, methods, and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US8717070B1. Автор: Harold Kutz,Hans Klein,Jaskarn Johal,Jean-Paul Vanitegem. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Radio-frequency receiver and integrated circuit for use in receiver

Номер патента: EP1524775A1. Автор: Masanori Suzuki,Koji Nakatsuji,Atsuhito Terao,Sanae Asayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-20.

Techniques for generating two high frequency signals with a constant phase difference over a wide frequency band

Номер патента: US5391996A. Автор: Daniel J. Marz. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

Integrated circuit for detecting a received signal and circuit configuration

Номер патента: US6674813B2. Автор: Richard Stepp,Hans-Eberhard Kröbel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-06.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Digital audio amplifier capable of increasing self-oscillation frequency and reducing the number of component

Номер патента: WO2004040752A1. Автор: Byung-Tak Jang,Tae-Ha Ryoo. Владелец: Dmb Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-05-13.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9484870B2. Автор: Shigeo Imai,Yosuke Ogawa,Shinji Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8143933B2. Автор: Jun Deguchi,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100271106A1. Автор: Jun Deguchi,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Coding of information in integrated circuits

Номер патента: EP1540828A1. Автор: Francesco Pessolano,Victor E. S. Van Dijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-15.

Coding of information in integrated circuits

Номер патента: EP1540828B1. Автор: Francesco Pessolano,Victor E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-25.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit for realizing coding circuit

Номер патента: US7095895B2. Автор: Jun-Ichi Okamura,Tatsuo Tsujita. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Integrated circuit capable of repeatedly using current

Номер патента: US20110241789A1. Автор: Shuo-Hung Hsu,Wei-Sung Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-10-06.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402A1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: US20020167435A1. Автор: Charles Lane,David Jarman,Rodney Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Modified repetitive cell matching technique for integrated circuits

Номер патента: EP1386402B1. Автор: Charles D. Lane,David Jarman,Rodney Louis Kranz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Low power consumption integrating circuit based on adaptive current regulation

Номер патента: US20200201371A1. Автор: Fang Tang. Владелец: Chongqing Paixinruwei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated circuit, analog-digital converter and cmos image sensor with the same

Номер патента: US20140346320A1. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Phase shifter circuit with embedded impedance matching

Номер патента: US20240313716A1. Автор: Yi Zhao,Morteza Nick,Milad Darvishi,Seyed Milad Moosavifar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit for receiving data

Номер патента: US8026959B2. Автор: Thomas Hein,Andreas Täuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Integrated circuit, comprising a voltage controlled oscillator and a method for controling a temperature of a voltage controlled oscillator

Номер патента: WO2008048093A2. Автор: Johan Wilhelm Frederik Ter Laak. Владелец: Sitel Semiconductor B.V.. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit, comprising a voltage controlled oscillator and a method for controling a temperature of a voltage controlled oscillator

Номер патента: EP2084811A2. Автор: Johan Wilhelm Frederik Ter Laak. Владелец: Sitel Semiconductor BV. Дата публикации: 2009-08-05.

Integrated circuit, comprising a voltage controlled oscillator and a method for controling a temperature of a voltage controlled oscillator

Номер патента: WO2008048093A3. Автор: Laak Johan Wilhelm Frederi Ter. Владелец: Laak Johan Wilhelm Frederi Ter. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Delay locked loop circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1835623A1. Автор: Takashi c/o Hitachi Ltd. Kawamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using pll at wafer level

Номер патента: US20130278309A1. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using PLL at wafer level

Номер патента: US9030217B2. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-05-12.

Amplifier, Amplification Circuit And Phase Shifter

Номер патента: US20210013850A1. Автор: Lei Lu,Yongli Wang,Keji CUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical circuit device, and optical receiver

Номер патента: US20210273730A1. Автор: Akira Oka. Владелец: Fujitsu Optical Components Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Apparatus for uplink multi-antenna communication based on a hybrid coupler and a tunable phase shifter

Номер патента: WO2017040025A1. Автор: Nebil Tanzi,Gregory Chance. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Apparatus for uplink multi-antenna communication based on a hybrid coupler and a tunable phase shifter

Номер патента: EP3345244A1. Автор: Nebil Tanzi,Gregory Chance. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Tunable dielectric phase shifters capable of operating in a digital-analog regime

Номер патента: US20060006961A1. Автор: L. Sengupta,Cornelis DuToit,A.B. Kozyrev,V.N. Osadehy. Владелец: Paratek Microwave Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method and system for information control capable of effectively performing an automatic payment for maintenance expenses

Номер патента: US20010038759A1. Автор: Masahiro Kawabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Variable phase shifter for adaptive echo cancellers

Номер патента: CA1096005A. Автор: Richard D. Gitlin,John S. Thompson. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-02-17.

Microstrip phase shifter having phase shift filter device

Номер патента: EP1256143A1. Автор: Gregory Marquardt,Roy Vaninetti,Christopher Gregorean. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2002-11-13.

Integrated circuit, wireless communication apparatus, and computer program

Номер патента: US20140112476A1. Автор: Katsuyuki Teruyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Phased array with beamforming integrated circuit having two signal chains

Номер патента: US20190132035A1. Автор: Nitin Jain,Robert Ian Gresham,Robert J. McMorrow,Kristian N. Madsen,Vipul Jain,David W. Corman,Wade C. Allen. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Open bond detector for an integrated circuit

Номер патента: US5101154A. Автор: Roger L. Hollstein,M. Nghiem Phan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-03-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210202468A1. Автор: Toru Matsui. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated circuit device which has first chip and second chip accessed via the first chip and test method thereof

Номер патента: US20090167337A1. Автор: Yuji Tada,Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Kazunori Yamane,Manabu Kitabatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit device including opposite facing I/O cells in 2×2 columns

Номер патента: US11990464B2. Автор: Toru Matsui. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and system for information control capable of effectively performing an automatic payment for maintenance expenses

Номер патента: US6459863B2. Автор: Masahiro Kawabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

90 degree phase shifter and data receiver

Номер патента: JPH0797779B2. Автор: 誠 長谷川,三夫 牧本,基 大庭. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-18.

Transformer and method of generating multiple multiphase output signals

Номер патента: US11967453B2. Автор: Jian Huang. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-04-23.

Transformer and method of generating multiple multiphase output signals

Номер патента: US20240274350A1. Автор: Jian Huang. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Receiver for the reception of single sideband signals having an unsuppressed or only partly suppressed carrier

Номер патента: GB1329930A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1973-09-12.

Transmitter circuit for RF communication device, RF communication device, and method of generating an antenna output signal in a transmitter circuit

Номер патента: US20200106465A1. Автор: Oddoart Ludovic,Jamin Olivier Jérôme Célestin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

TRANSFORMER AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE MULTIPHASE OUTPUT SIGNALS

Номер патента: US20200335271A1. Автор: Huang Jian. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

TRANSFORMER AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE MULTIPHASE OUTPUT SIGNALS

Номер патента: US20200373082A1. Автор: Huang Jian. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method of generating an electrical output signal and acoustical/electrical conversion system

Номер патента: AU2001258132A1. Автор: Hans-Ueli Roeck. Владелец: PHONAK AG. Дата публикации: 2001-08-20.

Phase locked loop type 90-degree phase shift, demodulation method and circuit

Номер патента: JP3162067B2. Автор: 泰權 梁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-25.

CDMA wireless system with closed loop mode using 90 degree phase rotation and beamformer verification

Номер патента: EP1076425A2. Автор: Eko N. Onggosanusi,Anand G. Dabak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-02-14.

CDMA wireless system with closed loop mode using 90 degree phase rotation and beamformer verification

Номер патента: EP1076425A3. Автор: Eko N. Onggosanusi,Anand G. Dabak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Video recorder for PAL colour TV signals - uses 90 degree phase shift between adjacent tracks to avoid cross talk

Номер патента: DE2856634A1. Автор: Akira Hirota. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1979-07-05.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Phased array systems and methods with phase shifter

Номер патента: US12095495B2. Автор: Saikat Sarkar,Behzad BIGLARBEGIAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and device of generating at least one output signal

Номер патента: RU2563028C2. Автор: ПАССОКЕ Йенс. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2015-09-20.

Phase shifter self-test

Номер патента: US11573290B2. Автор: Oded Katz,Tom Heller,Michael Grubman,Yaniv Maroz. Владелец: Aydee Kay LLC. Дата публикации: 2023-02-07.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

High-frequency phase shifter capable of shielding radiation

Номер патента: US20150214593A1. Автор: Jong Sung Kim,Sang Gi Kim,Sang Jin Kim. Владелец: Gamma Nu Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for designing integrated circuit layout by using analog/mixed-signal standard cells that do not violate layout rules of digital standard cells and associated computer system

Номер патента: US20240211673A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Kuan-Ta Chen,Chia-Hsin Hu,Pang-yen Chin,Yu-Sian Lin,Ri-cheng ZENG,Chi-Shun CHENG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Device and method of generating output signal having at least two output channels

Номер патента: RU2693312C2. Автор: Бернхард ГРИЛЛ,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Андреас Вальтер,Харальд ПОПП,Андреас ЗИЛЬЦЛЕ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2019-07-02.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Minimizing The Number Of External Terminals Required When Compensation Is To Be Provided For Signal Drop In Bond Wire Of A Package In Which An Integrated Circuit Is Provided

Номер патента: US20090072892A1. Автор: Venkataraman Srinivasan,Ravindra Karnad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit I/O integrity and degradation monitoring

Номер патента: US11762789B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20170178717A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20220301618A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20190244659A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US9959924B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Magnetic sensor, fabrication process of perforated integrated circuit module and fabrication process of the magnetic sensor

Номер патента: US20190361078A1. Автор: ShihChiu Kuo. Владелец: Shenzhen Ova Smart Sensor Technology Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Apparatus and method of generating output audio signals using object based metadata

Номер патента: RU2510906C2. Автор: Стефан ШРЕЙНЕР,Вольфганг ФИЗЕЛЬ,Матиас НЮЗИНГЕР,Оливер ГЕЛЬМУТ,Ральф СПЕРШНАЙДЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2014-04-10.

Phased array systems and methods with phase shifter

Номер патента: US20230088332A1. Автор: Saikat Sarkar,Behzad BIGLARBEGIAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Clocked commands timing adjustments method in synchronous semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20190172511A1. Автор: Steven Eaton,Matthew Manning. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Sensor array with amplitude modulated output signal

Номер патента: EP1554873A1. Автор: Viktor Vladimirov Kassovski. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2005-07-20.

Sensor array with amplitude modulated output signal

Номер патента: EP1554873B1. Автор: Viktor Vladimirov Kassovski. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-06.

Sensor array with amplitude modulated output signal

Номер патента: US20060188029A1. Автор: Viktor KASSOVSKI. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-08-24.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Output of multibit data for integrated circuits

Номер патента: EP4373214A1. Автор: Stefan Stark,Fabio Romano,Clemens KUCERA. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-22.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Phase shifter with adjustable output mode and antenna

Номер патента: US20240275042A1. Автор: Jie Liu,Haiyan Song,Yanping Hua,Xianyu XIE,Junfeng Shao,Xiaochao YU. Владелец: Jiangsu Hengxin Wireless Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20180158512A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US10311943B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Integrated circuit suitable for use in radio receivers

Номер патента: WO2005034179A3. Автор: Charles D Thompson,Andrew W Dornbusch. Владелец: Silicon Lab Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7001712B2. Автор: Akira Imai,Norio Hasegawa,Katsuya Hayano. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Designing method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100005439A1. Автор: Takashi Shikata. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Radio-frequency integrated circuit and method for setting a phase in a radio-frequency channel

Номер патента: US20240137056A1. Автор: Christoph Wagner,Clemens PFEFFER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Waveguide power divider, waveguide phase shifter, and polarized antenna using same

Номер патента: US20180090846A1. Автор: Myung-Hwa Kim,Yong-Won Seo. Владелец: KMW Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Power management integrated circuit

Номер патента: EP4235349A1. Автор: Hyun Seok Nam,Jeong Woon Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element

Номер патента: US20100244176A1. Автор: Takeharu Eto. Владелец: KINKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Integrated Circuit with Interpolation to Avoid Harmonic Interference

Номер патента: US20110022875A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated circuit with interpolation to avoid harmonic interference

Номер патента: US8266468B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Controller area network data link layer protocol processing system, related integrated circuit, device and method

Номер патента: US12047198B2. Автор: Fred Rennig,Rolf Nandlinger. Владелец: STMicroelectronics Application GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: US20060063292A1. Автор: Leslie Landsberger. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: EP1626926A2. Автор: Leslie M. Landsberger,Oleg Grudin. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Sine-cosine optical frequency detection devices for photonics integrated circuits and applications in lidar and other distributed optical sensing

Номер патента: US20220137298A1. Автор: Xiaotian Steve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-05.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Synchronous operating system for discharge tube lighting apparatuses, discharge tube lighting apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090184653A1. Автор: Kengo Kimura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

High performance integrated radio frequency circuit devices

Номер патента: US20010048340A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device structures and double-sided electrical testing

Номер патента: US20240194533A1. Автор: Paul Fischer,Kevin O'Brien,Patrick Morrow,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Bruce Block,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor Integrated circuit device for handling low amplitude signals

Номер патента: US5801554A. Автор: Miki Matsumoto,Kanji Oishi,Atsuko Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for charging a cleaning solution used for cleaning integrated circuit substrates

Номер патента: EP1774578A1. Автор: Suraj Puri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-18.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

RF integrated circuit device

Номер патента: EP1939940A3. Автор: Yujen Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Integrated circuit having frequency dependent noise avoidance

Номер патента: US20080028248A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for manufacturing an integrated circuit having a particular functionality required by a user of the circuit and having first structures to produce the particular functionality and second structures

Номер патента: US6514780B2. Автор: Zoltan Manyoki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit connector

Номер патента: US20040147154A1. Автор: Che-Chia Chang. Владелец: Comax Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

High average rf power resistant ferrite phase shifter

Номер патента: US20190214697A1. Автор: Hakki Ilhan Altan. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2019-07-11.

Inter-integrated circuit-slave interface, and method for operating an inter-integrated circuit-slave interface

Номер патента: US9025716B2. Автор: Dorde CVEJANOVIC. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-05-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Multi level radio frequency (RF) integrated circuit components including passive devices

Номер патента: US12074123B2. Автор: Richard Wilson,Madhu Chidurala. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Radio frequency integrated circuit and communication device including the integrated circuit

Номер патента: US20220352921A1. Автор: Sang Wook Han,Hyung Gi Kim,Jung Woo Kim,Jae Min Kim,Ho Rang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Battery monitoring apparatus with monitoring integrated circuit selectively powered by a high voltage battery or low voltage power supply powered by a low voltage battery

Номер патента: US20180328994A1. Автор: Shunichi Mizobe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Device and method of generating output signal using signal decomposition unit

Номер патента: RU2569346C2. Автор: Бернхард ГРИЛЛ,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Андреас Вальтер,Харальд ПОПП,Андреас ЗИЛЬЦЛЕ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-11-20.

Rf phase shifter

Номер патента: CA2028311C. Автор: Frank J. Elmer,Kaiser S. Kunz,Sei Joo Jang. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030071311A1. Автор: Katsuya Arai,Shiro Usami,Toshihiro Kohgami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Integrated circuit and signal transmission method

Номер патента: US20240172357A1. Автор: Li Chung Chang,Shih Min YEN,Meng An Kuo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Radio receiver, system on a chip integrated circuit and methods for use therewith

Номер патента: US20070115161A1. Автор: Michael May,Erich Lowe. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Signal drop compensation at external terminal of integrated circuit package

Номер патента: WO2009035989A3. Автор: Ravindra In Karnad,Venkataraman In Srinivasan. Владелец: Venkataraman In Srinivasan. Дата публикации: 2009-05-28.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Control circuits, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same

Номер патента: US20150163869A1. Автор: Ching Sheng Yu,Chih Liang Wang,Kuang Hui Chen. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit and method for its manufacture

Номер патента: US20010013658A1. Автор: Zoltan Manyoki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Synchronous operating system for discharge tube lighting apparatuses, discharge tube lighting apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8159145B2. Автор: Kengo Kimura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-17.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Device for preventive control of generator unit switching off

Номер патента: RU2742817C1. Автор: Николай Викторович Широков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Государственный университет морского и речного флота имени адмирала С.О. Макарова». Дата публикации: 2021-02-11.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Memory card systems comprising flexible integrated circuit element packages, and methods for manufacturing said memory card systems

Номер патента: US9572247B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Jae-Sung Lim. Владелец: Hana Micron Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit using a power supply input for digital logic

Номер патента: US6115595A. Автор: Eric B. Rodal,Chung Y. Lau. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Antenna structure including phase shifter and electronic device including same

Номер патента: EP4307480A1. Автор: Jinwoo Jung,Jehun JONG,Hosaeng KIM,Seongjin Park,Sumin YUN,Jaehoon JO,Jaebong CHUN,Woomin JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: WO2024112367A2. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: US20240162989A1. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-16.

Photodiode array output signal multiplexing

Номер патента: WO2008029284A2. Автор: Iiro Hietanen,Mikko Juntunen. Владелец: DETECTION TECHNOLOGY OY. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

In-chip structures and methods for removing heat from integrated circuits

Номер патента: WO2006130816A2. Автор: Bala Padmakumar,Carlos Dangelo. Владелец: Nanoconduction Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Inductor element and integrated circuit device

Номер патента: US20110309907A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit device, method, and system

Номер патента: US12027525B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A2. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A3. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods and apparatus for improving reliability of an optical device using auxiliary lasers in a photonic integrated circuit

Номер патента: US20180183513A1. Автор: Gilbert Levesque,Nirmal S. Virdee. Владелец: Calix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus, method and nontransitory computer readable medium for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20170018469A1. Автор: Hiroyuki Yazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers

Номер патента: EP1561221A4. Автор: Thomas F Rust. Владелец: Nanochip Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers

Номер патента: WO2004036622A2. Автор: Thomas F. Rust. Владелец: Nanochip, Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Signal processing method, storage medium, integrated circuit, device and terminal

Номер патента: US20240235590A9. Автор: Yan Zhu,Jiashu Chen,Xiaolong Zhang,Qiyong Zhao. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220173002A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit device with interconnects made of layered topological materials

Номер патента: WO2024115987A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd Gotsmann,Bogdan ZOTA,Alan Molinari,Lorenzo Rocchino. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit devices including stacked transistors

Номер патента: US20220344481A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240072106A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258205A1. Автор: Seungyong YOO,Hoyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Package on package (pop) device comprising solder connections between integrated circuit device packages

Номер патента: EP3286782A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,David Fraser Rae. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090200A1. Автор: Jungmin Park,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20210098260A1. Автор: Jihee KIM,Hyunchul YOON,Joonghee KIM,Yeongshin PARK,Mincheol KWAK,Jungheun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of fabricating integrated circuit device

Номер патента: US20200105540A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US11961832B2. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230290768A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220085007A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Номер патента: US12051697B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Method and apparatus for processing digital pixel output signals

Номер патента: WO1999029118A2. Автор: Randy R. Dunton,Sasi K. Kumar,Ashutosh J. Bakhle. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-10.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11302680B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-12.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11024615B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240243125A1. Автор: Changhyeon Lee,Seongyul Park,Myoungho Kang,Yeazi HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for making integrated circuit device using copper metallization on 1-3 pzt composite

Номер патента: WO2011137450A1. Автор: Yakub Aliyu,Deda Diatezua. Владелец: Sonavation, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Diffusion barrier layer for integrated-circuit devices

Номер патента: IE56850B1. Автор: . Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1992-01-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230275080A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230261003A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Electrically alterable circuit for use in an integrated circuit device

Номер патента: WO2010114739A3. Автор: Mark E. Schlarmann. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274679A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US20160134103A1. Автор: Takashi NAMIZAKI. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method, circuit and integrated circuit for detecting resonance frequency

Номер патента: US20140354261A1. Автор: Lei Huang,NA Meng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Thermo-optic phase shifter for semiconductor optical waveguide

Номер патента: EP3615994A1. Автор: Sean P. Anderson,Donald Adams. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Thermo-optic phase shifter for semiconductor optical waveguide

Номер патента: WO2018200161A1. Автор: Sean P. Anderson,Donald Adams. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-01.

Sub-exponent time-to-digital converter using phase-difference enhancement device

Номер патента: US20110279299A1. Автор: Jae Yoon Sim,Seon Kyoo Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2011-11-17.

Thermo-optic phase shifter for semiconductor optical waveguide

Номер патента: US20180314082A1. Автор: Sean P. Anderson,Donald Adams. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Non-destructive verification of integrated circuits

Номер патента: US20230377127A1. Автор: Jeffrey A. Simon,Thomas F. Kent,Adam G. Kimura,Anthony F. George,Katie T. Liszewski,Brian P. Dupaix. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Image formation apparatus capable of reducing the number of output signal lines

Номер патента: US8190038B2. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Output driver capable of controlling slew rate of output signal according to operating frequency information or CAS latency information

Номер патента: KR100505645B1. Автор: 김규현,정회주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-03.

Output driver capable of controlling slew rate of output signal according to operating frequency information or CAS latency information

Номер патента: US7035148B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Polarization-insensitive 90-degree phase-shift optical mixer and design method thereof

Номер патента: CN104730643A. Автор: 王曦,汪敬,陈鑫,仇超,甘甫烷,盛振,武爱民. Владелец: Jiangsu Sunfy Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Glutenite period sub-division method based on 90-degree phase shift data volume and seed point tracking

Номер патента: CN110133719B. Автор: 王静,王军,张军华,蒋龙,刘显太,张云银,谭明友,于景强,桂志鹏,黄德峰. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2020-08-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Integrated circuit with actuation circuit for actuating a driver circuit

Номер патента: US6351161B2. Автор: Ralf Schneider,Stephan Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-26.

Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters

Номер патента: US20020164533A1. Автор: Shao-Po Wu,Seonghun Cho. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Bus structure, memory chip and integrated circuit

Номер патента: US20080181044A1. Автор: Christian Sichert,Rainer Bartenschlager,Jens Polney. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters

Номер патента: US20030070155A1. Автор: Shao-Po Wu,Seonghun Cho,Alexandre Arkhipov,Ilya Grishashvili. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Integrated circuit testing device with dual purpose analog and digital channels

Номер патента: WO2000058741A1. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-10-05.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US20080122527A1. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated circuit testing interface on automatic test equipment

Номер патента: US9435863B2. Автор: Chun-Chi Chen,Hung-Wei Lai,Tsung-Jun Lee. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-06.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Apparatus for testing integrated circuit

Номер патента: US20080079454A1. Автор: Po Chang Chen. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit chip and semiconductor memory device

Номер патента: US20130094302A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US7408375B2. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2008-08-05.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US20070159206A1. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US7199601B2. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-04-03.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US20050218924A1. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: SG142111A1. Автор: John G Rohrbaugh,Shad R Shepston,Jeffrey R Rearick. Владелец: Avago Technologies General Ip. Дата публикации: 2008-05-28.

Output control scan flip-flop, semiconductor integrated circuit including the same, and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8892971B2. Автор: Hayato Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Efficient Pin Phase Shifters

Номер патента: US20240280842A1. Автор: WEI Liu,Jason S. Pelc. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Metadata-caching integrated circuit device

Номер патента: US12032479B2. Автор: Anh T. Tran,Enrique Musoll,Subbarao Arumilli. Владелец: Astera Labs Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130049864A1. Автор: Kazuo Tanaka,Masashi Arakawa,Takeo Toba,Natsuki IKEHATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Photonic integrated circuit for multiple frequency shifting of light

Номер патента: US20240168223A1. Автор: Roeland Baets,Yanlu LI,Emiel Dieussaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Photonic integrated circuit for multiple frequency shifting of light

Номер патента: EP4372458A1. Автор: Roeland Baets,Yanlu LI,Emiel Dieussaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390A1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20030158691A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20020135391A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Controlling an analog signal in an integrated circuit

Номер патента: US20090195258A1. Автор: Andreas Jakobs. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-08-06.

Integrated circuit capable of communicating using different communication protocols

Номер патента: EP1636705A2. Автор: Pak-Lung Seto,Richard Beckett,Jr. Robert Sheffield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Device implementing polariton optical neural network and polariton optical neural network

Номер патента: US20240143990A1. Автор: Jacek Szczytko,Barbara Pietka,Mateusz Krol,Rafal Mirek,Michał MATUSZEWSKI,Krzysztof Tyszka,Andrzej OPALA,Magdalena FURMAN,Jan SUFFCZYNSKI,Wojciech PACUSKI,Bartlomiej SEREDYNSKI. Владелец: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2024-05-02.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of diesel locomotive traction generator output control

Номер патента: RU2466039C1. Автор: Юрий Валерьевич Бабков,Николай Валерьевич Грачев,Юрий Иванович Клименко,Елена Геннадьевна Суркова,Анатолий Пантелеевич Троицкий. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт подвижного состава (ОАО "ВНИКТИ"). Дата публикации: 2012-11-10.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5490111A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Integrated Circuit and Apparatus for Detecting Oscillations

Номер патента: US20130167652A1. Автор: Kenneth W. Fernald,Marty L. Pflum,Michael Keith Odland. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US20040143782A1. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Thermal optical phase shifter with partial suspended structure

Номер патента: WO2023200394A1. Автор: WU Xie,Feng Gao,Xianshu Luo. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390B1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-13.

Method and BIST architecture for fast memory testing in platform-based integrated circuit

Номер патента: US20060156088A1. Автор: Anatoli Bolotov,Alexander Andreev,Raoko Scepanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Driver for integrated circuit chip tester

Номер патента: US6772382B2. Автор: Scott D. Schaber,Scott C. Loftsgaarden. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2004-08-03.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US20230324949A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: WO2022015468A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-01-20.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: WO2023200533A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of outputting signals on semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006100792A1. Автор: Takeshi Ishigaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-09-28.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US11983032B2. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuits capable of generating test mode control signals for scan tests

Номер патента: WO2013173192A1. Автор: Rubin Ajit Parekhji,Rajesh Mittal,Prakash Narayanan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Thermally tunable waveguide and photonic integrated circuit component having the same

Номер патента: US20240210617A1. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit devices for driving conductors to target voltage levels

Номер патента: US20210134368A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and system for short-circuit current modeling in CMOS integrated circuits

Номер патента: US20040117169A1. Автор: Emrah Acar,Sani Nassif,Ravishankar Arunachalam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and system for verifying integrated circuit

Номер патента: US20240256755A1. Автор: Jeongmin Kim,Hoyoung Lee,Eunsun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit

Номер патента: EP4027346A1. Автор: Weibing SHANG,Fengqin Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-13.

Method and software tool for automatic generation of software for integrated circuit

Номер патента: US20090049415A1. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

An integrated circuit including a programmable logic analyzer with enhanced analyzing and debugging capabilities and a method therefor

Номер патента: WO2011022480A1. Автор: James Alan Ward,James Ray Bailey. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2011-02-24.

Cell library database and timing verification and withstand voltage verification systems for integrated circuit using the same

Номер патента: US20040040004A1. Автор: Shiro Sakiyama,Kouji Mochizuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase Shifter and Electro-Optic Modulation Device Including the Same

Номер патента: US20120099813A1. Автор: Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Kwang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Integrated circuit time delay measurement apparatus

Номер патента: US20010046175A1. Автор: Patrick Bosshart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Integrated circuit device for receiving differential and single-ended signals

Номер патента: US20090033364A1. Автор: Claudio Andreotti,Maurizio Skerlj. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-05.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of unlocking an operation of a device with a tiny rfid tag embedded on an integrated circuit

Номер патента: US20230289539A1. Автор: Scott Robert Hansen,Louisa Marie Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit configurable to perform adaptive thermal ceiling control in per-functional-block manner, associated main circuit, associated electronic device and associated thermal control method

Номер патента: US20230185280A1. Автор: Tai-Yu Chen,Yu-Chia Chang,Bo-Jiun Yang,Jia-Wei Fang,Chih-Fu Tsai,Ta-Chang Liao,Yen-Hwei Hsieh,Shun-Yao Yang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for measuring thermal impedance of digital integrated circuits

Номер патента: RU2649083C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5214609A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Hiroto Nakai,Nobuaki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Integrated circuit including different types of cells, and method and system of designing the same

Номер патента: US20200151298A1. Автор: Jae-hoon Kim,Woo-Tae Kim,Hyung-Ock Kim,Yong-Durk KIM,Joon-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Two dimensional optical phased arrays using edge-coupled integrated circuits

Номер патента: US11940621B2. Автор: Ehsan SHAH HOSSEINI,Christopher Vincent POULTON,Benjamin Roy MOSS,Michael Robert WATTS. Владелец: ANALOG PHOTONICS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Circuit and a method for extending the output voltage range of an integrator circuit

Номер патента: US20010017564A1. Автор: Vanni Poletto,Michelangelo Mazzucco,Melano Protti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

A method of generating layout of integrated circuit (ic) design

Номер патента: WO2021261986A1. Автор: Rohaya Binti ABDUL WAHAB,Nabihah Binti RAZALI,Nazaliza Binti OTHMAN,Nurafizah Binti SAIDIN,Sharifah Binti SALEH. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and Apparatus for Host Adaptation to a Change of Persona of a Configurable Integrated Circuit Die

Номер патента: US20190146943A1. Автор: Utkarsh Y. Kakaiya,Joshua David Fender. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Holographic photonic integrated circuit

Номер патента: US20040126061A1. Автор: Arkady Bablumyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Method and apparatus for controlling available capabilities of a device

Номер патента: EP1173805A1. Автор: Baiju V. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-01-23.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Apparatus and method of generating high frequency audio signal using adaptive oversampling

Номер патента: RU2547220C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Фредерик НАГЕЛ,Саша ДИШ,Пер ЭКСТРАНД,Штефан ВИЛД. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2015-04-10.

Output feedback control circuit for integrated circuit device

Номер патента: US5015891A. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-05-14.

Method of and an apparatus for providing a safety check of the brake retardation capability of a brake system on a vehicle

Номер патента: CA2123952C. Автор: James A. Wood,David A. Greer,Richard J. Mazur. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 2000-04-25.

Semiconductor integrated circuit having a DC test function

Номер патента: US4904883A. Автор: Hideyuki Iino,Hidenori Hida. Владелец: Fujitsu Microcomputer Systems Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Parallel processing integrated circuit tester

Номер патента: US5748642A. Автор: Gary J. Lesmeister. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Method and system for making internal states of an integrated circuit visible during normal operation without the use of dedicated I/O pins

Номер патента: US6237119B1. Автор: Matthew David Weber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

System for testing real and simulated versions of an integrated circuit

Номер патента: EP1151311A1. Автор: Gary J. Lesmeister,John Matthew Long. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor integrated circuit, a method for testing the semiconductor integrated circuit, and a semiconductor system

Номер патента: US20230096746A1. Автор: Jehyun PARK,Sungcheol PARK,Hyungil WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Phase-Shifter Functional Safety Testing

Номер патента: US20240175918A1. Автор: Danny Elad,Oded Katz,Tom Heller,Benny Sheinman. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase-shifter functional safety testing

Номер патента: WO2024118530A1. Автор: Danny Elad,Oded Katz,Tom Heller,Benny Sheinman. Владелец: AyDeeKay LLC dba Indie Semiconductor. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20020079916A1. Автор: Alexander Kurz,Matthias Eichin. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for estimating power consumption and noise levels of an integrated circuit, and computer-readable recording medium storing a program for estimating power consumption and noise levels of an integrated circuit

Номер патента: US7076405B1. Автор: Taku Uchino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Level shifter capable of stably producing a level shifted voltage

Номер патента: US5877536A. Автор: Hideo Inaba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Integrated Circuit Signal Generation Device

Номер патента: US20120019286A1. Автор: Wayne F. Salhany. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Compact Optical Phase Shifter

Номер патента: US20240094566A1. Автор: WEI Liu,Jason S. Pelc. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

CHARACTERIZATION OF PHASE SHIFTER CIRCUITRY IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs) USING STANDARD AUTOMATED TEST EQUIPMENT (ATE)

Номер патента: US20180011171A1. Автор: Roger McAleenan. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Load circuit for integrated circuit tester

Номер патента: EP1018026A1. Автор: Garry Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-12.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Integrated circuit devices having enhanced clock generators therein

Номер патента: US20240219953A1. Автор: Jaehyouk Choi,Yongwoo Jo,Yuhwan Shin,Juyeop Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-07-04.

Bus control system for integrated circuit device with improved bus access efficiency

Номер патента: US20010010063A1. Автор: Yoshio Hirose,Hiroyuki Utsumi,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Micro-electromechanical integrated circuit device for fluid ejection

Номер патента: US20050270326A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit device and method for calculating a predicate value

Номер патента: EP2666082A1. Автор: Itzhak Barak,Yuval Peled,Idan Rozenberg,Doron Schupper,Lev Vaskevich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-27.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Electronic apparatus and layout method for integrated circuit

Номер патента: US20200125692A1. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit with reduced clock skew and divided power supply lines

Номер патента: US5376842A. Автор: Toyohiko Yoshida,Yukihiko Shimazu,Nobuhiko Honoa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Relay of difference in phases of generators connected for parallel operation

Номер патента: RU2460192C1. Автор: Анатолий Александрович Михайлов,Светлана Анатольевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2012-08-27.

Method to measure difference of pressures by sensor with frequency modulated output signal and sensor for realisation of method

Номер патента: RU2548404C1. Автор: Николай Павлович Меткин,Антон Владимирович Бардин,Олег Михайлович Филонов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения". Дата публикации: 2015-04-20.

Quadrature clock generator having 90 degree phase shifter

Номер патента: KR100331571B1. Автор: 조용호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-04-06.

RESONATOR CIRCUIT AND METHOD OF GENERATING A RESONATING OUTPUT SIGNAL

Номер патента: US20130181783A1. Автор: Upadhyaya Parag. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-07-18.

Device for determining 90-degree phase shift

Номер патента: SU1226333A2. Автор: Владимир Сергеевич Гурьянов. Владелец: Предприятие П/Я А-1742. Дата публикации: 1986-04-23.

Device for determination of 90 degree phase shift

Номер патента: SU976397A1. Автор: Владимир Сергеевич Гурьянов. Владелец: За витель. Дата публикации: 1982-11-23.

Arrangement for splitting harmonic voltage into two voltages with 90 degree phase shift

Номер патента: SU590850A2. Автор: Леонид Григорьевич Андриевский,Александр Николаевич Гречухин. Владелец: Предприятие П/Я В-2725. Дата публикации: 1978-01-30.

Constant-90-degree phase shift type reactive power measurement circuit

Номер патента: CN103575975A. Автор: 李�瑞,王婷,宋述勇,闫磊,王康宁,臧卫平. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Shanxi Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

90 degree phase shift circuit

Номер патента: JP2645480B2. Автор: 謙二 加藤,秀一 小菅. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1997-08-25.

90-degree phase shift photomixer

Номер патента: CN203630449U. Автор: 王志坚,朱一峰,刘泉. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-06-04.

Magnet-sensitive integral circuit

Номер патента: RU2328014C1. Автор: Алексей Владимирович Леонов,Виктор Наумович Мордкович,Михаил Львович Бараночников,Михаил Львович Бараночников (RU),Алексей Владимирович Леонов (RU),Виктор Наумович Мордкович (RU). Владелец: Виктор Наумович Мордкович. Дата публикации: 2008-06-27.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Method of generating output frequency of direct synthesis digital synthesiser

Номер патента: RU2504891C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Баринов,Андрей Вячеславович Романов,Владимир Константинович Бойков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон". Дата публикации: 2014-01-20.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method of determining thermal impedance of very large scale integrated circuits - microprocessors and microcontrollers

Номер патента: RU2521789C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Олег Владимирович Урлапов,Евгений Анатольевич Панов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-07-10.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Integrated circuit

Номер патента: RU2065653C1. Автор: Б.А. Гарбуз,В.Л. Опалев,С.А. Коновалов. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1996-08-20.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.