Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Backside contacted sub-fin diodes

Номер патента: US20240170581A1
Опубликовано: 23-05-2024
Автор(ы): Ayan KAR, Benjamin Orr, Charles C. Kuo, Cheng-Ying Huang, Jack T. Kavalieros, Kalyan C. Kolluru, Marko Radosavljevic, Nicholas A. Thomson, Patrick Morrow
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Direct backside contact with replacement backside dielectric

Номер патента: US20240105613A1. Автор: Son Nguyen,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure with fully wrapped-around backside contact

Номер патента: US20240128318A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device including backside contact structure having low ohmic contact resistance

Номер патента: US20240274676A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jongjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: US20240282670A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: EP4421859A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Backside contact with contact jumper for stacked fet

Номер патента: US20240250136A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure having a backside contact with backside sidewall spacers

Номер патента: US20240154009A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096891A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Formation of non-self-aligned backside contact

Номер патента: US20240213338A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Self-aligned backside contact with deep trench last flow

Номер патента: US20240096751A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device with void under source/drain region for backside contact

Номер патента: US20240186374A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Backside contact for semiconductor device

Номер патента: WO2024037873A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Backside contact for semiconductor device

Номер патента: US20240063121A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: WO2024139165A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-07-04.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: US20240222227A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Backside contact formation

Номер патента: US20240266409A1. Автор: Chih-Chao Yang,Tsung-Sheng KANG,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12080605B2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Richard E. Schenker,Stephanie A. BOJARSKI,Patrick R. Morrow,Hui Jae Yoo,Jeffrey D. Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: EP4439646A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: US20240332379A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor backside contact structure with increased contact area

Номер патента: US20240096983A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220359689A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Use of a placeholder for backside contact formation for transistor arrangements

Номер патента: EP3993062A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220157956A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US11942527B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20240194753A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Backside contact metal fill

Номер патента: US20240153875A1. Автор: Feng Liu,Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuit including backside contact and method of designing the integrated circuit

Номер патента: US20240363532A1. Автор: Jungho DO,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: US20240290689A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: EP4421861A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Backside decoupling capacitor integration with backside contact

Номер патента: US20240321687A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Backside contact resistance reduction for semiconductor devices with metallization on both sides

Номер патента: US10734412B2. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Epitaxy Everywhere Based Self-Aligned Direct Backside Contact

Номер патента: US20240105799A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Frontside and backside contact to epi regions

Номер патента: EP4199060A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Christopher M. Neumann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Backside contact that reduces risk of contact to gate short

Номер патента: US20240079446A1. Автор: Son Nguyen,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Daniel Charles Edelstein,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure with wrapped-around backside contact

Номер патента: US20240128334A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Gap spacer for backside contact structure

Номер патента: US12046644B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Backside contact with full wrap-around contact

Номер патента: US20240088038A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Backside Contact With Air Spacer

Номер патента: US20220238659A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Backside contact with air spacer

Номер патента: US20220359672A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Self-aligning backside contact process and devices thereof

Номер патента: US20240379772A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self-aligning backside contact process and devices thereof

Номер патента: US12142647B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method and structure for diodes with backside contacts

Номер патента: US11837459B2. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Backside contact with air spacer

Номер патента: US11798996B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: US20230411289A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: WO2023227321A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-11-30.

Backside contact with air spacer

Номер патента: US20230369419A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and structure for diodes with backside contacts

Номер патента: US20240014290A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US20220416035A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure with epitaxial layer stack for making backside contacts

Номер патента: CN115692477A. Автор: G·范德帕拉斯,G·西布罗特,G·海灵斯. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-02-03.

Method and structure for diodes with backside contacts

Номер патента: US20230069501A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) apparatus with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096978A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods of reducing backside contact resistance

Номер патента: US20240332388A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Gregory Costrini,El Mehdi Bazizi,Nicolas Breil,Veeraraghavan S. Basker,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Pratik B. Vyas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of reducing backside contact resistance

Номер патента: WO2024205982A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Gregory Costrini,El Mehdi Bazizi,Nicolas Breil,Veeraraghavan S. Basker,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Pratik B. Vyas. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Backside contact with shallow placeholder and easy backside semiconductor removal

Номер патента: WO2024066396A1. Автор: Tao Li,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-04.

Backside contact with shallow placeholder and easy backside semiconductor removal

Номер патента: US20240113193A1. Автор: Tao Li,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Airgap spacer and local interconnect configuration with direct backside contact

Номер патента: US20240170545A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: US20240153876A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A3. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Backside contact with full wrap-around contact

Номер патента: US20240088233A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices with backside contacts and isolation

Номер патента: US20240021616A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices with backside contacts and isolation

Номер патента: US20220165733A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Enlarged overlap between backside power rail and backside contact

Номер патента: US20240194691A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicide backside contact

Номер патента: US20220165860A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Silicide backside contact

Номер патента: US20230098930A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20240105615A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4345905A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Backside contacts for cell height scaling

Номер патента: US20240071836A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Epitaxial Backside Contact

Номер патента: US20230246082A1. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Hsu-Kai Chang,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Epitaxial backside contact

Номер патента: US12080766B2. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Hsu-Kai Chang,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Epitaxial backside contact

Номер патента: US20240363704A1. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Hsu-Kai Chang,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: US20230411466A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: WO2023227271A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-11-30.

Backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US11437283B2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Richard E. Schenker,Stephanie A. BOJARSKI,Patrick R. Morrow,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20220310804A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Chiu Shih-Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-29.

Backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20220352032A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Richard E. Schenker,Stephanie A. BOJARSKI,Patrick R. Morrow,Hui Jae Yoo,Jeffrey D. Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor Device with Backside Contact and Methods of Forming Such

Номер патента: US20220285510A1. Автор: LIN Chia-Pin,Chen Yen-Ting,LEE Wei-Yang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20180219075A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

BACKSIDE CONTACT STRUCTURES AND FABRICATION FOR METAL ON BOTH SIDES OF DEVICES

Номер патента: US20220069094A1. Автор: Mehandru Rishabh,Jun Kimin,MORROW Patrick,LILAK AARON D.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20180219075A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

BACKSIDE CONTACT STRUCTURES AND FABRICATION FOR METAL ON BOTH SIDES OF DEVICES

Номер патента: US20200381525A1. Автор: Mehandru Rishabh,Jun Kimin,MORROW Patrick,LILAK AARON D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US11935933B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20200381525A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20220069094A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20230275135A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20240154011A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Backside contact of a semiconductor device

Номер патента: US20210242322A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Backside contact to a final substrate

Номер патента: US09852944B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Steven M. Shank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Epitaxial layers of a transistor electrically coupled with a backside contact metal

Номер патента: US20230317148A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Shem O. Ogadhoh,Mauro J. Kobrinsky,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Eric A. KARL,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Epitaxial layers of a transistor electrically coupled with a backside contact metal

Номер патента: EP4258334A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Shem Ogadhoh,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Eric Karl,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Full wrap around backside contact

Номер патента: US20240072116A1. Автор: Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Full wrap around backside contact

Номер патента: WO2024046713A1. Автор: Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Enlarged Backside Contact

Номер патента: US20230060786A1. Автор: Yin-Pin Wang,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Yuh-Sheng Jean,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Epi barrier aligned backside contact

Номер патента: WO2023121819A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Mohommad HASAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device including extended backside contact structure

Номер патента: EP4421860A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including extended backside contact structure

Номер патента: US20240290853A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Backside contact for thermal displacement in a multi-wafer stacked integrated circuit

Номер патента: US20230290755A1. Автор: Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Ping-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-aligned backside contact in nanosheet without bdi

Номер патента: US20240096699A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

CONNECTION ARRANGEMENTS FOR INTEGRATED LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING A BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20190027428A1. Автор: Stuber Michael A.,Molin Stuart B.,Tu Shanghui Larry,Tasbas Befruz,Jiang Raymond. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

BACKSIDE CONTACT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242322A1. Автор: Liang Qingqing,KUMARASAMY Sivakumar,GOKTEPELI Sinan,IMTHURN George Pete. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

BACKSIDE CONTACT WITH AIR SPACER

Номер патента: US20220359672A1. Автор: LEE Wei-Yang,LEE Chen-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE CONTACTS AND ISOLATION

Номер патента: US20220359519A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Chen Chun-Yuan,Su Huan-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Vtfets with wrap-around backside contacts

Номер патента: US20240113178A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

BACKSIDE CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20230012147A1. Автор: Lin Keng-Chu,Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang,HUNG Tsungyu,CHU Chia-Hung,Liang Shuen-Shin,Chang Hsu-Kai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device structures with backside contacts for improved heat dissipation and reduced parasitic resistance

Номер патента: US7622357B2. Автор: Richard P. Volant,Jae-Sung Rieh,Kunal Vaed,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Stacked transistors having self aligned backside contact with backside replacement metal gate

Номер патента: US20240213248A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09728547B1. Автор: Takeshi Kawamura,Hiroshi Kariya,Takuro Maede,Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Inter-plane offset in backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09917093B2. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US11756936B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Backside contact formation using pillar patterning

Номер патента: US20240203793A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Buhyun Ham,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Connection arrangements for integrated lateral diffusion field effect transistors having a backside contact

Номер патента: US20180240737A1. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Shanghui Larry Tu,Befruz Tasbas,Raymond Jiang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

USE OF A PLACEHOLDER FOR BACKSIDE CONTACT FORMATION FOR TRANSISTOR ARRANGEMENTS

Номер патента: US20220139911A1. Автор: Bouche Guillaume,Murthy Anand S.,KOBRINSKY Mauro J.,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Connection arrangements for integrated lateral diffusion field effect transistors having a backside contact

Номер патента: US10083897B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Shanghui Larry Tu,Befruz Tasbas,Raymond Jiang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20230369293A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20220216185A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Backside contact formation using pillar patterning

Номер патента: EP4391036A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Buhyun Ham,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Silicon-on-insulator backside contacts

Номер патента: US20190371890A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Yun Han CHU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20220367705A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20220069117A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

CONNECTION ARRANGEMENTS FOR INTEGRATED LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING A BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20220278027A1. Автор: Stuber Michael A.,Molin Stuart B.,Tu Shanghui Larry,Tasbas Befruz,Jiang Raymond. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

CONNECTION ARRANGEMENTS FOR INTEGRATED LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING A BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20200144163A1. Автор: Stuber Michael A.,Molin Stuart B.,Tu Shanghui Larry,Tasbas Befruz,Jiang Raymond. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

BACKSIDE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200294998A1. Автор: Rachmady Willy,Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,Dewey Gilbert,LILAK AARON D.,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH,SCHENKER Richard E.,BOJARSKI Stephanie A.,MORROW PATRICK R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-17.

Field-effect transitors (fet) circuits employing topside and backside contacts for topside and backside routing of fet power and logic signals, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits

Номер патента: WO2022060473A1. Автор: DEEPAK SHARMA,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Jonghae Kim,Giridhar Nallapati,Peijie Feng,Bharani Chava,Hyeokjin LIM,Periannan Chidambaram,Venugopal Boynapalli,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Field-effect transistors (fet) circuits employing topside and backside contacts for topside and backside routing of fet power and logic signals, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits

Номер патента: TW202230692A. Автор: 鐘海 金,史丹利承哲 宋,迪派克 薛瑪,巴拉尼 查瓦,林赫鎮,方培吉,承赫 姜,派瑞安南 曲丹巴瑞,克能 任,吉里德爾 娜拉帕帝,維努戈帕爾 波納帕里,華 汪. Владелец: 美商高通公司. Дата публикации: 2022-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES IN SIC USING VIAS THROUGH N-TYPE SUBSTRATE FOR BACKSIDE CONTACT TO P-TYPE LAYER

Номер патента: US20150102361A1. Автор: Palmour John Williams,Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Pala Vipindas,Lichtenwalner Daniel Jenner,Van Brunt Edward Robert. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-16.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180286748A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180040509A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180068891A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180068892A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20190267285A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Backside contact to final substrate

Номер патента: US20160372372A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Steven M. Shank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Backside contact to a final substrate

Номер патента: US10629482B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Steven M. Shank. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Backside contact to final substrate

Номер патента: US9514987B1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Steven M. Shank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Forming wrap around contact with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240243128A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Packaged electronic device with low resistance backside contact

Номер патента: US20210159189A1. Автор: Jian Jun KONG,She Yu Tang,Qin Xu YU,Yun Fu An. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Backside contacts for integrated circuit devices

Номер патента: US09633910B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Backside contact for thermal displacement in a multi-wafer stacked integrated circuit

Номер патента: US20220093571A1. Автор: Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Ping-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Backside Contacts for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20170207169A1. Автор: Lee Jam-Wem. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Backside contacts for integrated circuit devices

Номер патента: US10083910B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

BACKSIDE CONTACT FOR THERMAL DISPLACEMENT IN A MULTI-WAFER STACKED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210082873A1. Автор: Kao Min-Feng,LIN Hsing-Chih,Chen Ping-Tzu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FET) CIRCUITS EMPLOYING TOPSIDE AND BACKSIDE CONTACTS FOR TOPSIDE AND BACKSIDE ROUTING OF FET POWER AND LOGIC SIGNALS, AND RELATED COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CIRCUITS

Номер патента: US20220093594A1. Автор: Kim Jonghae,Sharma Deepak,Kang Seung Hyuk,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Boynapalli Venugopal,LIM Hyeokjin,Feng Peijie,Nallapati Giridhar,Chidambaram Periannan,Chava Bharani,VANG FOUA. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Self-aligned backside contact module for 3dic application

Номер патента: US20240096750A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Qingqing Liang,Periannan Chidambaram,George Pete IMTHURN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Self-aligned backside contact for 3dic application

Номер патента: WO2024064520A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Qingqing Liang,Periannan Chidambaram,George Pete IMTHURN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

FORMING A CAVITY WITH A WET ETCH FOR BACKSIDE CONTACT FORMATION

Номер патента: US20220359689A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,CHEN Yi-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Thin film solar cell backside contact

Номер патента: US09577130B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells

Номер патента: US09577120B2. Автор: Denis De Ceuster,Hsin-Chiao Luan. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

High-efficiency backside contact solar cell and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11984522B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

EMBEDDED ReRAM WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20240196627A1. Автор: Chen Zhang,Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods for porous backside contacts

Номер патента: WO2024126217A1. Автор: Richard Hammond. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-20.

Diodes with backside contact

Номер патента: US20240088131A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for porous backside contacts

Номер патента: GB202218644D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-01-25.

METHOD OF FORMING A BACKSIDE CONTACT STRUCTURE HAVING SELECTIVE SIDE-WALL ISOLATION

Номер патента: US20140099772A1. Автор: Chetlur Sundar,Ng Guy. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170011962A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Three-dimensional memory device containing an aluminum oxide etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09754820B2. Автор: Rahul Sharangpani,Motoki KAWASAKI,Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

A three-dimensional memory device having a backside contact via structure with a laterally bulging portion at a level of source contact layer

Номер патента: US20200357815A1. Автор: Masanori Terahara,Makoto Koto,Takaaki IWAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Backside Contacts for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20160099182A1. Автор: Lee Jam-Wem. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING AN ALUMINUM OXIDE ETCH STOP LAYER FOR BACKSIDE CONTACT STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20170221756A1. Автор: SHARANGPANI Rahul,TSUTSUMI Masanori,KAWASAKI Motoki. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

INTER-PLANE OFFSET IN BACKSIDE CONTACT VIA STRUCTURES FOR A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170373078A1. Автор: Ito Fumitoshi,Higashitani Masaaki,Pham Tuan,PACHAMUTHU Jayavel,Chu Cheng-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Backside contact for integrated circuit and method of forming same

Номер патента: US6468889B1. Автор: John A. Iacoponi,John C. Miethke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Three-dimensional memory device with backside contact structure and method of fabricating the same

Номер патента: CN113228281A. Автор: 诚古藤,岩井高崎,寺原真典. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-06.

Backside contact for integrated circuit and method of forming same

Номер патента: WO2002013258A3. Автор: John A Iacoponi,John C Miethke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20210391302A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for producing a micromechanical component having a trench structure for backside contact

Номер патента: US8564078B2. Автор: Heribert Weber,Eckhard Graf,Roland Scheuerer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-10-22.

Method for producing a micromechanical component having a trench structure for backside contact

Номер патента: US20120049301A1. Автор: Heribert Weber,Eckhard Graf,Roland Scheuerer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Varactor device with backside contact

Номер патента: US09660110B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Varactor device with backside contact

Номер патента: US20160093750A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Varactor device with backside contact

Номер патента: WO2016048632A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Varactor device with backside contact

Номер патента: EP3198633A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

SILICON-ON-INSULATOR BACKSIDE CONTACTS

Номер патента: US20200091294A1. Автор: Liang Qingqing,GOKTEPELI Sinan,IMTHURN George Pete,CHU Yun Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

BACKSIDE CONTACT RESISTANCE REDUCTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH METALLIZATION ON BOTH SIDES

Номер патента: US20190157310A1. Автор: Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,MORROW Patrick,Mohapatra Chandra S.,KOBRINSKY Mauro J.,JAMBUNATHAN KARTHIK. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

SILICON-ON-INSULATOR BACKSIDE CONTACTS

Номер патента: US20190371890A1. Автор: Liang Qingqing,GOKTEPELI Sinan,IMTHURN George Pete,CHU Yun Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Silicon-on-insulator backside contacts

Номер патента: WO2019231620A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Yun Han CHU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Backside cmos trench epi with close n2p space

Номер патента: US20240096940A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Forksheet transistor with dual depth late cell boundary cut

Номер патента: US20240332294A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Backside transistor contact surrounded by oxide

Номер патента: US20240332175A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Backside transistor contact surrounded by oxide

Номер патента: WO2024205631A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Group III-V Lateral Transistor with Backside Contact

Номер патента: US20160005821A1. Автор: Kim Hyeongnam,Imam Mohamed,Veereddy Deepak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

PACKAGED ELECTRONIC DEVICE WITH LOW RESISTANCE BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20210159189A1. Автор: YU Qin Xu,KONG Jian Jun,TANG She Yu,An Yun Fu. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

BACKSIDE CONTACT TO A FINAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170012055A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,Jaffe Mark D.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Backside Contacts for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20150069520A1. Автор: Lee Jam-Wem. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-03-12.

VARACTOR DEVICE WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20160093750A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Nowak Matthew Michael,Yun Changhan Hobie,PARK Sang-June,Mikulka Robert Paul,Berdy David Francis,KIM Daeik Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Offset backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US20170373087A1. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for backside-contacting a silicon solar cell, and silicon solar cell with backside-contacting

Номер патента: CN102769067A. Автор: 威蓝·碧斯,哈洛·韩,克利斯汀·史克雷格尔,托尔斯坦·韦柏,马汀·库哲. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-11-07.

A method of back contacting a silicon solar cell and silicon solar cell with such backside contacting

Номер патента: DE102011075352A1. Автор: Pethe Wieland,Harald Hahn,Martin KUTZER,Torsten Weber,Kristian Schlegel. Владелец: SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-11-08.

Backside contact blocked impurity band detector

Номер патента: WO1988000397A1. Автор: Johannes B. De Bruin,Mary J. Hewitt,James D. Phillips. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1988-01-14.

FOCAL PLANE ARRAYS WITH BACKSIDE CONTACTS

Номер патента: US20160336370A1. Автор: Dixon Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Backside contact blocked impurity band detector

Номер патента: US4956687A. Автор: Johannes B. De Bruin,Mary J. Hewitt,James D. Phillips. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1990-09-11.

Backside contact blocked impurity band detector

Номер патента: IL82600A. Автор: . Владелец: Santa Barbara Res Center. Дата публикации: 1991-06-30.

Backside contact for touch sensing chip

Номер патента: EP1073113A3. Автор: Danielle A. Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-02-07.

Backside contact solar cells with separated polysilicon doped regions

Номер патента: US20240145609A1. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: EP4358155A2. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Backside contact solar cells with separated polysilicon doped regions

Номер патента: US12074240B2. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US09666735B2. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US09437763B2. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: EP4358155A3. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US09929298B2. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Silicon-based solar cell comprises front-end contacts that are placed on a front-end doped surface layer and a passivation layer with backside contacts that is placed on the backside doped layer

Номер патента: DE102006046726A1. Автор: Marc Hofmann,Stephan Kambor. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-04-03.

Emitters of a backside contact solar cell

Номер патента: US09893224B2. Автор: Gabriel Harley,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Emitters of a backside contact solar cell

Номер патента: US09537041B2. Автор: Gabriel Harley,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fluorine-blocking insulating spacer for backside contact structure of three-dimensional memory structures

Номер патента: US09443861B1. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC MODULE HAVING BACKSIDE-CONTACTED SEMICONDUCTOR CELLS

Номер патента: US20130087181A1. Автор: Zerrer Patrick,Zippel Martin,Kugler Andreas,Koyuncu Metin,Schaaf Ulrich,Stihler Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-11.

ANTI-REFLECTIVE COATING WITH HIGH OPTICAL ABSORPTION LAYER FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS

Номер патента: US20140373910A1. Автор: LUAN Hsin-Chiao,DE CEUSTER Denis. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2014-12-25.

Thin film solar cell backside contact

Номер патента: US20160372617A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20190378947A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2019-12-12.

Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells

Номер патента: US8198528B2. Автор: Denis De Ceuster,Hsin-Chiao Luan. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Backside contacting on thin layer photovoltaic cells

Номер патента: WO2008141863A2. Автор: Michael Haag,Thorsten Muehge,Markus Schmidt,Gerd Pfeiffer,Hans-Juergen Eickelmann,Rainer Klaus Krause. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-11-27.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US8673673B2. Автор: Denis De Ceuster,David D. Smith,Peter John Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts

Номер патента: CN101237007B. Автор: 保罗·R·夏普斯. Владелец: Oncogen LP. Дата публикации: 2011-07-13.

Trench Process and Structure for Backside Contact Solar Cells with Polysilicon Doped Regions

Номер патента: US20090308438A1. Автор: Denis De Ceuster,David D. Smith,Peter John Cousins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

A method of manufacturing a backside contact system for a silicon thin film solar cell

Номер патента: DE102014110262A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH. Дата публикации: 2016-01-28.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: EP3065184C0. Автор: David D Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC MODULE HAVING BACKSIDE-CONTACTED SEMICONDUCTOR CELLS, AND PHOTOVOLTAIC MODULE

Номер патента: US20130104957A1. Автор: Zerrer Patrick,Zippel Martin,Kugler Andreas,Koyuncu Metin,Schaaf Ulrich,Stihler Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US20130237007A1. Автор: Denis De Ceuster,David D. Smith,Peter John Cousins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20130240029A1. Автор: Smith David D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US20190044015A1. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20160071991A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

EMITTERS OF A BACKSIDE CONTACT SOLAR CELL

Номер патента: US20170084770A1. Автор: Loscutoff Paul,HARLEY Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE HAVING BACKSIDE CONTACT AND METHOD FOR MANUFACTURING

Номер патента: US20140167247A1. Автор: Mitchell Douglas G.,Magnus Alan J.,POARCH Justin E.,"DAcosta Carl E.". Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR IN.. Дата публикации: 2014-06-19.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20210091249A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

HIGH-EFFICIENCY BACKSIDE CONTACT SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20210143291A1. Автор: Hashigami Hiroshi,Watabe Takenori,OHTSUKA Hiroyuki. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-13.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20140224319A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20150155417A1. Автор: Smith David D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

MICROSCALE SENSOR STRUCTURE WITH BACKSIDE CONTACTS AND PACKAGING OF THE SAME

Номер патента: US20180159017A1. Автор: MILLS David Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US20180240927A1. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Memory die containing stress reducing backside contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20200312765A1. Автор: Xun Gu,Motoki KAWASAKI,Jixin Yu,Arata Okuyama,Kengo Kajiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20170330988A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-11-16.

TRENCH PROCESS AND STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS WITH POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20160343890A1. Автор: Smith David D.. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin Film Solar Cell Backside Contact Manufacturing Process

Номер патента: US20160372613A1. Автор: Schmidt Markus,Eickelmann Hans-Juergen,Kellmann Ruediger,Kuehl Hartmut. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-12-22.

Emitters of a backside contact solar cell

Номер патента: US20150380598A1. Автор: Gabriel Harley,Paul LOSCUTOFF. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-31.

Backside contact solar cell

Номер патента: WO2011143341A2. Автор: Sidlgata V. Sreenivasan,Michael N. Miller,Frank Y. Xu,Gerard Schmid. Владелец: MOLECULAR IMPRINTS, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Thin film solar cells with monolithic integration and backside contact

Номер патента: US20090301543A1. Автор: Damoder Reddy,Craig Leidholm,Brian Gergen. Владелец: Solexant Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts

Номер патента: US20080185038A1. Автор: Paul R. Sharps. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions

Номер патента: KR101645756B1. Автор: 데이비드 디 스미스. Владелец: 선파워 코포레이션. Дата публикации: 2016-08-04.

Structure and method of manufacturing a solar cell with self-aligned aluminum alloy backside contact

Номер патента: DE69631815T2. Автор: Daniel L. Pittsburgh Meier. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells

Номер патента: CN105679843A. Автор: 阮信晓,丹尼斯·德塞斯特. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-06-15.

Manufacturing a solar cell with backside contacts

Номер патента: CN100401532C. Автор: 阿道夫·闵采尔. Владелец: Shell Solar GmbH. Дата публикации: 2008-07-09.

Thin film solar cell backside contact manufacturing process

Номер патента: US9583649B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: WO2009151808A1. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2009-12-17.

High throughput parallel backside contacting and periodic texturing for high-efficiency solar cells

Номер патента: US8809110B2. Автор: Claus Daniel,Craig A. Blue,Ronald D. Ott. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2014-08-19.

Backside contact solar cell structure with polysilicon-doped area

Номер патента: CN202930394U. Автор: 戴维·D·史密斯,彼得·约翰·卡曾斯,丹尼斯·德塞斯特. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Manufacturing a solar cell with backside contacts

Номер патента: WO2003047005A2. Автор: Adolf MÜNZER. Владелец: Shell Solar GmbH. Дата публикации: 2003-06-05.

Manufacturing a solar cell with backside contacts

Номер патента: US7217883B2. Автор: Adolf MÜNZER. Владелец: SolarWorld Industries Deutschland GmbH. Дата публикации: 2007-05-15.

Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells

Номер патента: KR101513758B1. Автор: 신-치아오 루안,데니스 드 세우스터. Владелец: 선파워 코포레이션. Дата публикации: 2015-04-20.

Manufacturing a solar cell with backside contacts

Номер патента: EP1449261A2. Автор: Adolf MÜNZER. Владелец: Shell Solar GmbH. Дата публикации: 2004-08-25.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: US9231145B2. Автор: David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: EP2297788A4. Автор: David D Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

For the manufacture of the method for photovoltaic module with backside contact semi-conductor cell

Номер патента: CN102822989B. Автор: U.沙夫,A.库格勒,M.齐佩尔,P.施蒂勒,M.科扬库. Владелец: SolarWorld Industries Thueringen GmbH. Дата публикации: 2016-03-23.

Memory die containing stress reducing backside contact via structures and method of making the same

Номер патента: US10804197B1. Автор: Xun Gu,Motoki KAWASAKI,Jixin Yu,Arata Okuyama,Kengo Kajiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-13.

Backside contacting on thin layer photovoltaic cells

Номер патента: TW200849620A. Автор: Michael Haag,Thorsten Muehge,Markus Schmidt,Gerd Pfeiffer,Hans-Juergen Eickelmann,Rainer Klaus Krause. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-12-16.

Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions

Номер патента: EP3065184B1. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Conductive contacts wrapped around epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20230275124A1. Автор: Gilbert Dewey,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Conductive contacts wrapped around epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4235764A1. Автор: Gilbert Dewey,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Epi growth uniformity with source/drain placeholder

Номер патента: US20240105768A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Improved epi growth uniformity with source/drain placeholder

Номер патента: WO2024060646A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Structure with Self-Aligned Backside Power Rail

Номер патента: US20210305252A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method and structure for a logic device and another device

Номер патента: US20230378258A1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Kai Zhao,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Terence Hook,Anthony I. Chou,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with backside u-shaped silicide

Номер патента: US20240204063A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Offset backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: EP3420590A1. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

EMBEDDED ReRAM WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: WO2024125228A1. Автор: Chen Zhang,Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Wrap-around silicide layer

Номер патента: US20240290849A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Backside direct contact formation

Номер патента: US20240194528A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240290866A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Taesun Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical transport field effect transistor (vtfet) with backside wraparound contact

Номер патента: US20240145311A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230387236A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: EP3945595A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US11984488B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343838A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US11848329B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structure with self-aligned backside power rail

Номер патента: US20230387127A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts

Номер патента: US09799671B2. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger,Stephen SHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240088223A1. Автор: Chun-Han Chen,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Inverter with backside power delivery network

Номер патента: US20240222378A1. Автор: Tao Li,Oleg Gluschenkov,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240203882A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: EP4425539A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: US20240290834A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

High density metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20240332398A1. Автор: Son Nguyen,Roy R. Yu,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240282830A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Gyeom KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Selective passivation for epi growth in presence of metallic contacts

Номер патента: US20230317809A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Sudipto NASKAR,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor arrangement and method of making

Номер патента: US11810949B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor arrangement and method of making

Номер патента: US20230387201A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical gate-all-around tfet

Номер патента: US20200006350A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-01-02.

Vertical gate-all-around TFET

Номер патента: US09953983B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical gate-all-around TFET

Номер патента: US09653585B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for preparing a semiconductor device with interconnect part

Номер патента: US11881453B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Vertical gate-all-around tfet

Номер патента: US20180286869A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical-transport field-effect transistor with backside source/drain connections

Номер патента: WO2024069277A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical-transport field-effect transistor with backside source/drain connections

Номер патента: US20240113219A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Dielectric barrier for backside interconnect separation

Номер патента: US20240204064A1. Автор: Guillaume Bouche,Lars Liebmann,Quan Shi,Bilal Chehab. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

STACKED VERTICAL-TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTORS (VTFETs)

Номер патента: US20240203985A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Vertical-transport field-effect transistor with backside gate

Номер патента: WO2024069280A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Albert Chu,Ruilong Xie,Reinaldo Vega,Nicholas LANZILLO. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical-transport field-effect transistor with backside gate contact

Номер патента: US20240105610A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09543318B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,George Matamis,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Extended source/drain contact for shifted drain voltage for a backside power distribution network

Номер патента: US20240213337A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20240055496A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG,Yun-Chi Chiang,Cian-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Local interconnect at backside to enable flexible routing across different cell

Номер патента: US20240105788A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Crystalline layer stack for forming conductive layers in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US09870945B2. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu,Matthias Baenninger,Stephen SHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Contacts for stacked field effect transistor

Номер патента: US20230420367A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuits including backside wiring

Номер патента: US20240363531A1. Автор: Soyeon Kim,Taehyung Kim,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with interconnect part and method for preparing the same

Номер патента: US11881451B2. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Reverse conducting igbt incorporating epitaxial layer field stop zone

Номер патента: US20190088745A1. Автор: Lei Zhang,Wenjun Li,Chris Wiebe,Hongyong Xue,Brian Schorr. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Reverse conducting igbt incorporating epitaxial layer field stop zone and fabrication method

Номер патента: US20190006467A1. Автор: Lei Zhang,Wenjun Li,Chris Wiebe,Hongyong Xue,Brian Schorr. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Vacuum activated backside contact

Номер патента: US6091257A. Автор: Roger L. Verkuil,Meindert J. Kleefstra. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2000-07-18.

Backside Contacts for Signal Routing

Номер патента: US20240070365A1. Автор: Emre Alptekin,Antonietta Oliva. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Backside contacts for signal routing

Номер патента: WO2024049617A1. Автор: Emre Alptekin,Antonietta Oliva. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Heat dissipation and series resistance reduction of PA and RF switch in SLT by backside thick metal

Номер патента: US09960115B1. Автор: Bo Yu,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh,Shyam Parthasarathy,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Vertical pn junction photonics modulators with backside contacts and low temperature operation

Номер патента: US20240103304A1. Автор: John Heck,Pushkar Ranade,Ling Liao,Mengyuan Huang,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Hyperchip

Номер патента: US20240243099A1. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Hyperchip

Номер патента: US12074138B2. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

A single backside power plane for improved power delivery

Номер патента: US20240088036A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Cavity-disrupting backside trench fill structures for a three-dimensional memory device and method of making the same

Номер патента: US20200227318A1. Автор: Motoki KAWASAKI,Toshiyuki Sega. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Hyperchip

Номер патента: US20240038722A1. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Hyperchip

Номер патента: US20230238357A1. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Hyperchip

Номер патента: US11824041B2. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Hyperchip

Номер патента: US11984430B2. Автор: Rajesh Kumar,Mark T. Bohr,Pooya Tadayon,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Substrate contact using dual sided silicidation

Номер патента: US20180061760A1. Автор: Sinan Goktepeli,Perry Wyan LOU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: WO2007084879A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-26.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: EP1979932A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Bipolar mobile electrostatic carriers for wafer processing

Номер патента: US09997389B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: WO2023154500A1. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods and apparatus for forming backside power rails

Номер патента: US12002705B2. Автор: He REN,Mehul Naik,Kuan-Ting Liu,Houssam Lazkani,Raman Gaire. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Hybrid signal and power track for stacked transistors

Номер патента: US20230402379A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20240371784A1. Автор: Jung Han Lee,Ji Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Within array replacement openings for a three-dimensional memory device

Номер патента: WO2017091274A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Masafumi Miyamoto,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Fan-out wafer level packages containing embedded ground plane interconnect structures and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US09607918B2. Автор: Zhiwei Gong,Weng F. Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Within array replacement openings for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09935123B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Masafumi Miyamoto,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional memory device containing source select gate electrodes with enhanced electrical isolation

Номер патента: US09659956B1. Автор: Tuan Pham,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Backside electrical contact for pmos epitaxial voltage supply

Номер патента: US20230317612A1. Автор: ZHENG GUO,Shem O. Ogadhoh,Mauro J. Kobrinsky,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong,Clifford J. ENGEL,Eirc A. KARL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: US20240349497A1. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: EP4451332A2. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Multi-Die Structure and Method for Forming Same

Номер патента: US20170373048A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Devices having substrates with openings passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture

Номер патента: EP1412283A2. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

Image sensor and apparatus

Номер патента: WO2022051895A1. Автор: Takahashi Seiji. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Backside mosaic photoconductive infrared detector array

Номер патента: US4695861A. Автор: William J. White,Christopher G. Paine,Susan J. Resnick. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Microled array with paired through-substrate vias for in-situ polymer synthesis

Номер патента: WO2024077038A1. Автор: Thomas E. Dillinger. Владелец: Polymer Forge, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: US20200305253A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: EP3803976A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Multi-tier memory stack structure containing two types of support pillar structures

Номер патента: US09754963B1. Автор: Takeshi Kawamura,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

적층 구조의 이미지 센서

Номер патента: KR20230000681A. Автор: 김한석,정영우,정희근,전진주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-03.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230403850A1. Автор: Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230402387A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Pillar Based Memory (MRAM) Embedded within the Buried Power Rail within a Backside Power Distribution Network

Номер патента: US20240090235A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods

Номер патента: US09601675B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Ferroelectric capacitor within backside interconnect

Номер патента: US20240114694A1. Автор: Brian S. Doyle,Uygar E. Avci,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Sourav Dutta,Christopher M. Neumann,Vachan Kumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor devices with through silicon vias and package-level configurability

Номер патента: WO2020005543A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Warren L. Boyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

Solar cell metallization

Номер патента: US09911875B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Vivek Saraswat,Pawan Kapur,Anand Deshpande,Yen-sheng SU,Swaroop Kommera. Владелец: Beamreach Solexel Assets Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Three-dimensional memory devices containing memory block bridges

Номер патента: US09679906B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,George Matamis,Sateesh KOKA,Yao-Sheng Lee,Wenguang Shi,Chun GE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Stacked microelectronic package assemblies and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US09595509B1. Автор: Weng F. Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Self-balancing position sensitive detector

Номер патента: US09812591B2. Автор: Natalya Tokranova,James Castracane,Leigh LYDECKER. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods

Номер патента: US11784294B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods

Номер патента: US20240047634A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Light-tight silicon radiation detector

Номер патента: EP2242115A3. Автор: Olivier Evrard,Marijke Keters. Владелец: Canberra Industries Inc. Дата публикации: 2011-09-28.

Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage

Номер патента: US09356043B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

Lateral ultra-high efficiency solar cell

Номер патента: WO2009134552A3. Автор: Thomas Knight,Joseph Smith,James Halvis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2009-12-30.

Low-cost semiconductor device package and process

Номер патента: US4535350A. Автор: Gary B. Goodrich,Jadish G. Belani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240196619A1. Автор: Ryo KAMBAYASHI,Kazuto Ohsawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2023239442A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Pillar based memory (mram) embedded within a buried power rail within a backside power distribution network

Номер патента: WO2024055884A1. Автор: Michael RIZZOLO,Alexander Reznicek,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic devices with coherent fiber bundles and molded polymer

Номер патента: US11994760B1. Автор: Daniel J. Barrett,Tyler R. Kakuda,Timothy D. Burks. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Failsafe primary power control apparatus for systems using computer controlled power sequencing

Номер патента: US4162526A. Автор: Albert E. Gass,Harry W. Gottshall,Manfred O. Schaber,Lawrence Trombino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-24.

Multi-tier memory stack structure containing two types of support pillar structures

Номер патента: WO2018038785A1. Автор: Takeshi Kawamura,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

ANTI-REFLECTIVE COATING WITH HIGH OPTICAL ABSORPTION LAYER FOR BACKSIDE CONTACT SOLAR CELLS

Номер патента: US20120255606A1. Автор: LUAN Hsin-Chiao,DE CEUSTER Denis. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

HIGH THROUGHPUT PARALLEL BACKSIDE CONTACTING AND PERIODIC TEXTURING FOR HIGH-EFFICIENCY SOLAR CELLS

Номер патента: US20120291854A2. Автор: Daniel Claus,Blue Craig,Ott Ronald. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2012-11-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE HAVING BACKSIDE CONTACT AND METHOD FOR MANUFACTURING

Номер патента: US20130207255A1. Автор: Mitchell Douglas G.,Magnus Alan J.,POARCH Justin E.,Acosta Carl E.D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL COMPONENT HAVING A TRENCH STRUCTURE FOR BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20120049301A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

HIGH THROUGHPUT PARALLEL BACKSIDE CONTACTING AND PERIODIC TEXTURING FOR HIGH-EFFICIENCY SOLAR CELLS

Номер патента: US20120167956A1. Автор: Daniel Claus,Blue Craig A.,Ott Ronald D.. Владелец: BABCOCK & WILCOX TECHNICAL SERVICES Y-12, LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

BACKSIDE CONTACT SOLAR CELL WITH FORMED POLYSILICON DOPED REGIONS

Номер патента: US20120276685A1. Автор: Smith David D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Method For Backside-Contacting A Silicon Solar Cell, Silicon Solar Cell And Silicon Solar Module

Номер патента: US20120279547A1. Автор: Hahn Harald,Kutzer Martin,Pethe Wieland,Weber Torsten,Schlegel Kristian. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Thin Interdigitated Backside Contact Solar Cell and Manufacturing Process Thereof

Номер патента: US20130065350A1. Автор: Ravi Kramadhati V.. Владелец: Crystal Solar, Incorporated. Дата публикации: 2013-03-14.

Fabrication Of Solar Cells With Counter Doping Prevention

Номер патента: US20120000522A1. Автор: Li Bo,DENNIS Timothy D.,COUSINS Peter John. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

GLITCH CONTROL DURING IMPLANTATION

Номер патента: US20120003760A1. Автор: Lubicki Piotr,Koo Bon-Woong. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.