Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US11935933B2
Опубликовано: 19-03-2024
Автор(ы): Aaron D. Lilak, Kimin Jun, Patrick Morrow, Rishabh Mehandru
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20200381525A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20220069094A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20180219075A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20230275135A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Backside contact structures and fabrication for metal on both sides of devices

Номер патента: US20240154011A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with cell trench structures and a contact structure

Номер патента: US09711641B2. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Elevated source drain semiconductor device with L-shaped spacers and fabricating method thereof

Номер патента: US09831240B2. Автор: Leonelli Daniele,Shigenobu Maeda,Jong-hyuk Lee,Woong-Gi Kim,Han-Su Oh,Min-Yeop Park,Ju-Seob Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: EP4421861A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: US20240290689A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) apparatus with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096978A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09548250B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09425105B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure with inversion layer between stress layer and protection layer and fabrication method thereof

Номер патента: US11710791B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Epitaxy Everywhere Based Self-Aligned Direct Backside Contact

Номер патента: US20240105799A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09917177B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09799754B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09524882B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09520394B1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09704972B2. Автор: Jie Chen,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

MOS transistor and fabrication method

Номер патента: US09431516B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20160155816A1. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09842909B2. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Structure and method to increase contact area in unmerged EPI integration for CMOS FinFETs

Номер патента: US09484348B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US09768074B2. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09666663B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-aligned backside contact with deep trench last flow

Номер патента: US20240096751A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Direct backside contact with replacement backside dielectric

Номер патента: US20240105613A1. Автор: Son Nguyen,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09627269B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure with fully wrapped-around backside contact

Номер патента: US20240128318A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Structure of and fabricating method for a thin film transistor

Номер патента: US5578838A. Автор: Seok W. Cho,Jong M. Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-26.

Recess channel transistor for preventing deterioration of device characteristics due to misalignment of gate layers and method of forming the same

Номер патента: US7482230B2. Автор: Gyu Seog Cho,Yong Taik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187497A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and fabrication method including air gap spacers

Номер патента: US11127638B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Manufacturing method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4293711A1. Автор: Rongwei LI. Владелец: Suzhou Watech Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Backside Contact With Air Spacer

Номер патента: US20220238659A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Backside contact with air spacer

Номер патента: US20220359672A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: US20240153876A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A3. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor devices with backside contacts and isolation

Номер патента: US20240021616A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Backside contact with air spacer

Номер патента: US11798996B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Fin-fet device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170186654A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09780039B2. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Backside contact with full wrap-around contact

Номер патента: US20240088233A1. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor cell structure and forming method thereof

Номер патента: US20200381433A1. Автор: Jun Wang,Jian Chen,Yan Fei CAI,Yuan CHAI,Kai Hua HOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20170345760A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20160163649A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20130087862A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110227168A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4284137A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with backside contacts and isolation

Номер патента: US20220165733A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate contact structure over active gate and method to fabricate same

Номер патента: US09461143B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Mark Bohr,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US12074222B2. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105933A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10608113B1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20080093670A1. Автор: Michael Lebby,Petar Atanakovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20060246691A1. Автор: Petar Atanackovic,Michael Lebby. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Structure and method to form liner silicide with improved contact resistance and reliablity

Номер патента: US09431296B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Backside contact formation

Номер патента: US20240266409A1. Автор: Chih-Chao Yang,Tsung-Sheng KANG,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: EP4439646A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: US20240332379A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Enlarged overlap between backside power rail and backside contact

Номер патента: US20240194691A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon-on-insulator backside contacts

Номер патента: US20190371890A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Yun Han CHU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: US20230411466A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned backside contact with increased contact area

Номер патента: WO2023227271A1. Автор: Theodorus Standaert,Somnath Ghosh,Huiming Bu,Ruilong Xie,Junli Wang,Min Gyu Sung,Kisik Choi,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Array substrate structure and contact structure

Номер патента: US09425270B2. Автор: Chung-Wen Yen,Yu-Tsung Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit including backside contact and method of designing the integrated circuit

Номер патента: US20240363532A1. Автор: Jungho DO,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Enlarged Backside Contact

Номер патента: US20230060786A1. Автор: Yin-Pin Wang,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Yuh-Sheng Jean,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Backside decoupling capacitor integration with backside contact

Номер патента: US20240321687A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Backside contact that reduces risk of contact to gate short

Номер патента: US20240079446A1. Автор: Son Nguyen,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Daniel Charles Edelstein,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices having gate structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09590099B2. Автор: Bin Liu,Shigenobu Maeda,Sun-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US6566180B2. Автор: Juhn-Suk Yoo,Min-Koo Han,Kee-Chan Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-20.

Semiconductor structure with wrapped-around backside contact

Номер патента: US20240128334A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Airgap spacer and local interconnect configuration with direct backside contact

Номер патента: US20240170545A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Structure and method for overlay marks

Номер патента: US09543406B2. Автор: Chun-Kuang Chen,Yao-Ching Ku,Hsien-Cheng WANG,Ming-Chang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200411361A1. Автор: ZHANG CHENGLONG,CUI Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Epi barrier aligned backside contact

Номер патента: WO2023121819A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Mohommad HASAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240222486A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223701A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Non-volatile memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210296486A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Hui Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Insulating cap on contact structure

Номер патента: US12040225B2. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Ke-Jing Yu,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Metal oxide semiconductor (MOS) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US8399921B2. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconducter device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240145567A1. Автор: Kyungho Kim,Kyung Hee Cho,Inchan HWANG,Myungil KANG,Donghoon HWANG,Sungwoo JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Recessed Contact Structures and Methods

Номер патента: US20220231138A1. Автор: Andrew Metz,Sophie Thibaut,Caitlin Philippi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9748405B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09748405B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including backside contact structure having low ohmic contact resistance

Номер патента: US20240274676A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jongjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: US20240282670A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: EP4421859A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Backside contact with contact jumper for stacked fet

Номер патента: US20240250136A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicide backside contact

Номер патента: US20220165860A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Silicide backside contact

Номер патента: US20230098930A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096891A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor structure having a backside contact with backside sidewall spacers

Номер патента: US20240154009A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Backside contact metal fill

Номер патента: US20240153875A1. Автор: Feng Liu,Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11688798B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Backside contact with full wrap-around contact

Номер патента: US20240088038A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230290867A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10522632B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160020325A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12074163B2. Автор: Wu Feng DENG,De Biao HE,Chang Yong Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of forming gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190123162A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20240274687A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kan-Ju LIN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of forming a combined gate and source/drain contact structure and the resulting device

Номер патента: US09455254B2. Автор: Ruilong Xie,Su Chen Fan,Andre Labonte,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with elevated source/drain structure and its manufacture method

Номер патента: US6855589B2. Автор: Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Method and structure for diodes with backside contacts

Номер патента: US11837459B2. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160379839A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Sige source/drain structure and preparation method thereof

Номер патента: US20180158951A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-07.

Backside contact for semiconductor device

Номер патента: WO2024037873A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Backside contact for semiconductor device

Номер патента: US20240063121A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and structure for diodes with backside contacts

Номер патента: US20240014290A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20220045065A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09917088B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09508718B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20230126031A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US11908862B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: CA3053962C. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-08-01.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728454B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen,Xing Hua Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Middle-of-the-line constructs using diffusion contact structures

Номер патента: US20140042641A1. Автор: Yuan Lei,Suresh Venkatesan,Subramani Kengeri,Irene Lin,Jongwook Kye,Shibly Ahmed,Jason Stephens,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Yunfei Deng,Rod Augur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Contact structures and methods of making the contact structures

Номер патента: US20190206878A1. Автор: Emilie Bourjot,Daniel Chanemougame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Middle-of-the-line constructs using diffusion contact structures

Номер патента: US9142513B2. Автор: Yuan Lei,Suresh Venkatesan,Subramani Kengeri,Irene Lin,Shibly Ahmed,Jason Stephens,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Yunfei Deng,Roderick Augur,Jongwook K E. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US12080769B2. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US20240371955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Borderless contact structure

Номер патента: US09620619B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130193490A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-08-01.

SiGe source/drain structure and preparation method thereof

Номер патента: US10134900B2. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09911650B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices having a mesa structure and method of fabrication for improved surface voltage breakdown characteristics

Номер патента: CA2146912A1. Автор: Willem Gerard Einthoven. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-21.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: EP4425539A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: US20240290834A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method for semiconductor structure, and structure thereof

Номер патента: EP4290555A1. Автор: Xiao Zhu,Xiaohong Zhang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7323744B2. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060237779A1. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230343600A1. Автор: Xiao Zhu,Xiaohong Zhang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240224529A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20230309309A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240194797A1. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US12096635B2. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Ohmic contact structure and manufacturing method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240258395A1. Автор: Wangping WANG,Jieli TAN,Jiangshi XU. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09443943B2. Автор: Jui-Chun Chang,Kwang-Ming Lin,Shang-Hui Tu,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

High aspect ratio contact structure with multiple metal stacks

Номер патента: US20230317802A1. Автор: Shogo Mochizuki,Albert M. Young,Junli Wang,Su Chen Fan,Terence Hook,Indira Seshadri,Brent A Anderson,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Frontside and backside contact to epi regions

Номер патента: EP4199060A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Christopher M. Neumann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20240055496A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG,Yun-Chi Chiang,Cian-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200266201A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11031315B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190355646A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Bridging contact structures

Номер патента: US20240321738A1. Автор: Charles H. Wallace,Gary Allen,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Clifford J. ENGEL,Prabhjot Kaur Luthra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including a contact structure directly adjoining a mesa section and a field electrode

Номер патента: US09847395B2. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20040195689A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20030141555A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Analog and Power Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12080605B2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Richard E. Schenker,Stephanie A. BOJARSKI,Patrick R. Morrow,Hui Jae Yoo,Jeffrey D. Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor backside contact structure with increased contact area

Номер патента: US20240096983A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20240105615A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4345905A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: US20240222227A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: WO2024139165A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-07-04.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220359689A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220157956A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US11942527B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20240194753A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Use of a placeholder for backside contact formation for transistor arrangements

Номер патента: EP3993062A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Backside contacts for cell height scaling

Номер патента: US20240071836A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Body contact structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110284932A1. Автор: Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Structure and method of fabrication for semiconductor device

Номер патента: KR100287886B1. Автор: 송두헌,신형순. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-04-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Mos transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US20140191316A1. Автор: Neil Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9793380B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device integrating backside power grid and related integrated circuit and fabrication method

Номер патента: US20240322042A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jack Liu,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Kam-Tou SIO,Lei-Chun Chou,Hui-Ting Yang,Chew-Yuen Young,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate All-Around (GAA) Field Effect Transistors (FETS) Formed on Both Sides of a Substrate

Номер патента: US20240072070A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

MOSFET structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653550B2. Автор: Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: WO2023073483A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: EP4423811A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Contact structure with insulating cap and method for forming the same

Номер патента: US20240371998A1. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Shared Contact Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200381298A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Shared Contact Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230069302A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Shared contact structure and methods for forming the same

Номер патента: US11476159B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Cmos transistors, fin field-effect transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20140191304A1. Автор: Dongjiang Wang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated electronic device with an improved conductive contact structure and related manufacturing process

Номер патента: EP4439674A1. Автор: Magali Gregoire,Simone Dario Mariani,Davide FAGIANI,Theo CABARET. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Lateral bipolar junction transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20150054132A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Pei-Shan Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal on both sides with clock gated power and signal routing underneath

Номер патента: EP3155666A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Donald W. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Lateral bipolar junction transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US8981521B1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Pei-Shan Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130240958A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-19.

Packaged electronic device with low resistance backside contact

Номер патента: US20210159189A1. Автор: Jian Jun KONG,She Yu Tang,Qin Xu YU,Yun Fu An. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device including contact structure and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12010839B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-aligned backside source contact structure

Номер патента: US20240243178A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Inter-plane offset in backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09917093B2. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Reverse conducting igbt incorporating epitaxial layer field stop zone and fabrication method

Номер патента: US20190006467A1. Автор: Lei Zhang,Wenjun Li,Chris Wiebe,Hongyong Xue,Brian Schorr. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09892921B2. Автор: QIYANG He,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of vertical contact structures making on semiconductor plates or printed circuit boards

Номер патента: RU2600514C1. Автор: Иван Николаевич Петухов,Владимир Михайлович Рощин,Кирилл Сергеевич Сеньченко,Анна Владимировна Рощина. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Computer system, memory structure and structure for providing storage of data

Номер патента: US20040222456A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device including extended backside contact structure

Номер патента: EP4421860A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including extended backside contact structure

Номер патента: US20240290853A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Epitaxial layers of a transistor electrically coupled with a backside contact metal

Номер патента: US20230317148A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Shem O. Ogadhoh,Mauro J. Kobrinsky,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Eric A. KARL,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Epitaxial layers of a transistor electrically coupled with a backside contact metal

Номер патента: EP4258334A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Shem Ogadhoh,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Eric Karl,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Self-aligned backside contact in nanosheet without bdi

Номер патента: US20240096699A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200411532A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Microelectronic devices with active source/drain contacts in trench in symmetrical dual-block structure, and related systems and methods

Номер патента: WO2023288211A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Lars P. Heineck,Indra V. Chary. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures

Номер патента: US09905576B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit configuration having extension conductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8835996B2. Автор: Chin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Devices and methods related to a barrier for metallization of a gallium based semiconductor

Номер патента: US09461153B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Contact structures

Номер патента: US20190279910A1. Автор: Stan Tsai,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Cross-coupling-based design using diffusion contact structures

Номер патента: US20140131816A1. Автор: Yan Wang,Jongwook Kye,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Schottky barrier MOSFET systems and fabrication thereof

Номер патента: US5663584A. Автор: James D. Welch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-02.

Package substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282590A1. Автор: Min-Yao CHEN,Andrew C. Chang. Владелец: Aaltosemi Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Package structure and methods of forming the same

Номер патента: US09859265B2. Автор: Yu-Chih Liu,Jing Ruei Lu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and method for forming capacitors for a three-dimensional nand

Номер патента: US20210013303A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN,Shunfu CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Structure and method for forming capacitors for a three-dimensional nand

Номер патента: US20220208960A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN,Shunfu CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Qfn packaging structure and qfn packaging method

Номер патента: US20230048687A1. Автор: Yun Gao,Ting Liu,Yuesheng Zhang,Honghao SHI. Владелец: JCET Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit package structure and integrated circuit package unit

Номер патента: US11824001B2. Автор: Hunt Hang Jiang,Yingjiang Pu,Xiuhong Guo. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Package Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150357309A1. Автор: Yu-Chih Liu,Jing Ruei Lu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Package Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20180122791A1. Автор: Yu-Chih Liu,Jing Ruei Lu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Package structure and methods of forming the same

Номер патента: US20200066704A1. Автор: Yu-Chih Liu,Jing Ruei Lu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Sidewall structure and method of fabrication for reducing oxygen diffusion to contact plugs during CW hole reactive ion etch processing

Номер патента: US7042705B2. Автор: Gerhard Beitel,Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Kazuhiro Tomioka,Andreas Hilliger,Jingyu Lian,Nicolas Nagel. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-09.

Sidewall structure and method of fabrication for reducing oxygen diffusion to contact plugs during CW hole reactive ion etch processing

Номер патента: TW200425401A. Автор: Gerhard Beitel,Ulrich Egger,Kazuhiro Tomioka,Andreas Hilliger,Jingyu Lian,Nicolas Nagel,Hao-Ren Zhuang. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-11-16.

Sidewall structure and method of fabrication for reducing oxygen diffusion to contact plugs during cw hole reactive ion etch processing

Номер патента: WO2004068539A2. Автор: Gerhard Beitel,Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Kazuhiro Tomioka,Andreas Hilliger,Jingyu Lian,Nicolas Nagel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-12.

Pixel Unit Structure and Preparation Method thereof, Display Panel and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240304633A1. Автор: WEI YANG,Meng Zhao,Rui Huang,Jinchao Zhang,Lizhong Wang,Hui Guo,ce Ning,Tianmin Zhou,Binbin TONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

FinFET device and fabrication method thereof

Номер патента: US09514994B2. Автор: Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming active devices on and in exposed surfaces of both sides of a silicon wafer

Номер патента: US5739067A. Автор: Damon K. DeBusk,Bruce L. Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Structures and Methods with Reduced Sensitivity to Surface Charge

Номер патента: US20160133694A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge

Номер патента: EP3075009A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge

Номер патента: US09614028B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Structure of borderless contact and fabricating method thereof

Номер патента: US20020024103A1. Автор: Seong Park,Chang Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-02-28.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240304722A1. Автор: Roger W. Lindsay,Darwin A. Clampitt,Martin J. BARCLAY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20080096378A1. Автор: Sang-Sup Jeong,Bum-soo Kim,Kuk-Han Yoon,Jong-Kyu Kim,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Integrated transistor/memory structures and array of such matrix-addressing structures

Номер патента: RU2287205C2. Автор: Ханс Гуде Гудесен,Ханс Гуде ГУДЕСЕН (BE). Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-11-10.

Backside contact to a final substrate

Номер патента: US09852944B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Steven M. Shank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20070072370A1. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for producing a power semiconductor component on a two-sided substrate that blocks on both sides of the substrate

Номер патента: US6168978B1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013135005A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory Structure And Method For Forming The Same

Номер патента: US20230337425A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Storage structure and method for forming same

Номер патента: EP3920223A1. Автор: Wenyong JIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Flat panel display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7732267B2. Автор: Hun Jeoung,Soon Kwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Inductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20030019835A1. Автор: Jae-Il Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20110244752A1. Автор: Woo Chang Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10700161B2. Автор: Yu-Hua Chen,Chien-Chou Chen,Wei-Ti Lin,Chun-Hsien Chien,Fu-Yang Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200075711A1. Автор: Yu-Hua Chen,Chien-Chou Chen,Wei-Ti Lin,Chun-Hsien Chien,Fu-Yang Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Structure and Method of Fabrication for High Performance Integrated Passive Device

Номер патента: US20240088032A1. Автор: Jun Zhai,Zhuo Yan,Long Huang,Vidhya Ramachandran,Antonietta Oliva,Yizhang Yang,Rohan U. Mandrekar,Chueh-An Hsieh,Chi Nung Ni,Saurabh P. Sinha,Rekha Govindaraj,Saumya K. Gandhi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Backside contact for thermal displacement in a multi-wafer stacked integrated circuit

Номер патента: US20230290755A1. Автор: Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Ping-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Varactor device with backside contact

Номер патента: US09660110B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Backside contacts for integrated circuit devices

Номер патента: US09633910B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Varactor device with backside contact

Номер патента: WO2016048632A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Varactor device with backside contact

Номер патента: US20160093750A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Varactor device with backside contact

Номер патента: EP3198633A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Sang-June Park,Robert Paul Mikulka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09728547B1. Автор: Takeshi Kawamura,Hiroshi Kariya,Takuro Maede,Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Multi-Die Structure and Method for Forming Same

Номер патента: US20170373048A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: US20200305253A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: EP3803976A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Fan-out wafer level packages containing embedded ground plane interconnect structures and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US09607918B2. Автор: Zhiwei Gong,Weng F. Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Panel-level package structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240332240A1. Автор: Jiao Wang,Zhiyi XIAO,Shuying MA. Владелец: Jiangsu Pangu Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Backside contact formation using pillar patterning

Номер патента: US20240203793A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Buhyun Ham,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US11756936B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09514881B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030134477A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Hung-Sui Lin,Han-Chao Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20220216185A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices

Номер патента: US20230369293A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Backside contact formation using pillar patterning

Номер патента: EP4391036A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Buhyun Ham,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

System and method for fabricating super conducting circuitry on both sides of an ultra-thin layer

Номер патента: US9577177B1. Автор: Ari D. Brown,Vilem Mikula. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Fan-out package structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240283132A1. Автор: Wei Zheng,Zhikuan Chen,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yingqiang YAN,Yunshi LING. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09842758B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Warpage control structure for metal base plate, semiconductor module, and inverter device

Номер патента: US20220157763A1. Автор: Atsushi Maeda,Fumio Wada,Tatsuya Kawase,Kei Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods and apparatus for uniformly metallization on substrates

Номер патента: US09666426B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Chuan He,Yue Ma. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor package electrical contact structures and related methods

Номер патента: US20200395217A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma,Francis J. Carney,Yusheng Lin,Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for producing a micromechanical component having a trench structure for backside contact

Номер патента: US8564078B2. Автор: Heribert Weber,Eckhard Graf,Roland Scheuerer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-10-22.

Method for producing a micromechanical component having a trench structure for backside contact

Номер патента: US20120049301A1. Автор: Heribert Weber,Eckhard Graf,Roland Scheuerer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for polishing a semiconductor wafer on both sides

Номер патента: US20200039020A1. Автор: Vladimir Dutschke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor package structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20210225662A1. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Microelectronic devices including differently sized conductive contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040274B2. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US09911698B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Capacitor and contact structures, and formation processes thereof

Номер патента: US09679959B2. Автор: Ki Young Lee,Jae Ho Joung,Sanggil Bae. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Electrical contact structure with a redistribution layer connected to a stud

Номер патента: US09640683B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Wei-Luen Suen,Po-Han Lee,Wei-Ming Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220270982A1. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US7989154B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-08-02.

Cross-coupling based design using diffusion contact structures

Номер патента: US20140027918A1. Автор: Xiang Qi,Suresh Venkatesan,Chinh Nguyen,Juhan Kim,David Doman,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210091102A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of forming microelectronic devices including differently sized conductive contact structures

Номер патента: US20240347464A1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus with direct cooling pathway for cooling both sides of power semiconductor

Номер патента: US09907216B2. Автор: Young Seop PARK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Package for metal-ceramic substrate and method for packing such substrates

Номер патента: US09434509B2. Автор: Jürgen SCHULZ-HARDER,Heiko Schweiger,Erich Ernstberger,Johann BRÄUTIGAM. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230387189A1. Автор: Szu-Yu Wang,Ching I Li,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: US20140026956A1. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2014-01-30.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: WO2012143858A2. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2012-10-26.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: MY167014A. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11011416B2. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Technique that Patterns Both Sides of a Thin Wafer to Fabricate Bi-Directional Devices

Номер патента: US20160322256A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20200343132A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure, preparation method of semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230225107A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure, fabrication method for semiconductor structure and memory

Номер патента: US20240006319A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device including capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230163162A1. Автор: Hanjin Lim,Intak Jeon,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180269237A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Flip chip package structure and fabrication process thereof

Номер патента: US09735122B2. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09673128B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Flip chip package structure and fabrication process thereof

Номер патента: US09653355B2. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

MEMS devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09450109B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Te-Hao Lee,Chung-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230015073A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Fengqin Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Heterogeneous integration of device die having bspdn

Номер патента: US20240243062A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: EP3928351A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: US20210287991A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Preparation method for metal connection line

Номер патента: EP4068340A1. Автор: Ning Xi,Junbo PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US12089401B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules

Номер патента: US09859327B2. Автор: Xu Yi,Hartmut Rudmann,Ji Wang,Jens Geiger,Stephan Heimgartner,Susanne Westenhofer,Christoph Friese,Simon GUBSER,Kam Wah LEONG,Sonja Hanselmann,Thng Chong Kim,John A. Vidallon,Qi Chuan Yu. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor package with conformal EM shielding structure and manufacturing method of same

Номер патента: US09536841B2. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

High resolution, high efficiency I.R. LED printing array and fabrication method

Номер патента: US4707716A. Автор: Joseph J. Daniele. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Photoelectric sensor and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240222415A1. Автор: Siriguleng ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Chip package structure with multiple gap-filling layers and fabricating method thereof

Номер патента: US12057363B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Manufacturing method of device chip

Номер патента: US12107010B2. Автор: Kei Tanaka,Koichi Shigematsu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070105308A1. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7589371B2. Автор: Masaya Hosaka,Masatomi Okanishi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-09-15.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190035879A1. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10600861B2. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Finned air-guiding heat-dissipating structure and heat-dissipating module having the same

Номер патента: US20110315358A1. Автор: Sheng-Huang Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells

Номер патента: US09577120B2. Автор: Denis De Ceuster,Hsin-Chiao Luan. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

EMBEDDED ReRAM WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: US20240196627A1. Автор: Chen Zhang,Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230403850A1. Автор: Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230402387A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Thin film solar cell backside contact

Номер патента: US09577130B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

High-efficiency backside contact solar cell and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11984522B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Anisotropic conductive film, connection structure and method of producing the same

Номер патента: US09515042B2. Автор: Kouichi Sato,Yasushi Akutsu,Shigeyuki Yoshizawa. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Metal on both sides with power distributed through the silicon

Номер патента: US20180218973A1. Автор: Mark T. Bohr,Patrick Morrow,Donald W. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for producing a contact structure of a photovoltaic cell and photovoltaic cell

Номер патента: US20160225921A1. Автор: Tim Boescke. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-08-04.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Bendable photovoltaic device packaging structures and encapsulant material containing cured silicone

Номер патента: EP4402729A1. Автор: Anupam Mukherjee,Peichen Yu,Hsuehli LIU,Hsinlung WU,Lek Yuan BOONG,Padmanabh Pundrikaksha PANCHAM. Владелец: Gskin Technology Ltd Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Conductive adhesive film and fabrication method therefor, electronic device and manufacture method therefor

Номер патента: US20240304586A1. Автор: YUAN LIU,Jing Zhang,Tao Su,Cheng Zhang,Hao Deng,Shaopeng LI,Tianjun DENG,Xiaolong Tang,Weiben ZHANG,Rongkun FAN,Wenze LI,Jianhua SHU,Qiang GOU,Fakui SUN,Dingjie HUANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure

Номер патента: US11812609B2. Автор: Byoung Il Lee,Yu Jin Seo,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-sided antenna module employing antennas on multiple sides of a package substrate for enhanced antenna coverage, and related fabrication methods

Номер патента: EP4402750A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240090196A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Microelectronic devices including slot structures and additional slot structures

Номер патента: US20230157015A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Solar cell structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230327036A1. Автор: Ta-Ming Kuan,Cheng-Yeh Yu,Hung Cheng,Wen-Ching Chu,Jen-Ho Kang,Yung-Chih Li,Cheng-Wen Kuo,Ying-Quan Wang,Sheng-Kai Wu. Владелец: TSEC Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Electronic device contact structures

Номер патента: WO2007061826A3. Автор: Alexei A Erchak,John W Graff,Elefterios Lidorikis,Milan Singh Minsky,Scott W Duncan. Владелец: Luminus Device Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12080644B2. Автор: Qui V. Nguyen,Chang H. Siau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20240321741A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: WO2024197100A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Joint structure for metal pillars

Номер патента: US09972604B1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Fine pitch microfabricated spring contact structure and method

Номер патента: WO2007115053B1. Автор: Thomas Edward Dinan,Douglas N Modlin,Fu Chiung Chong,Erh-Kong Chieh,Roman Milter,Pierre H Giauque,David Thanh Doan,W R Bottoms,Elaine Mcgee. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Fine pitch microfabricated spring contact structure and method

Номер патента: WO2007115053A3. Автор: Thomas Edward Dinan,Douglas N Modlin,Fu Chiung Chong,Erh-Kong Chieh,Roman Milter,Pierre H Giauque,David Thanh Doan,W R Bottoms,Elaine Mcgee. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: US20240313132A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory device having integrated support and contact structures and method of making thereof

Номер патента: US09853038B1. Автор: Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Multiband, multi-polarization plasmonic photodetector and fabrication method

Номер патента: EP4246597A1. Автор: Maria LOSURDO,Cornel Cobianu,Fernando Moreno Gracia,Marin GHEORGHE,Gonzalo SANTOS PERODIA,Mircea MODREANU,Yael Vela GUTIERREZ. Владелец: Sc Nanom Mems Srl. Дата публикации: 2023-09-20.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel, and fabrication method

Номер патента: US20240006571A1. Автор: Chao Wu,Deng-Kai Chang,Chan-Kuan Huang. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Display motherboard, display panel, and fabricating method of display panel

Номер патента: US11532684B2. Автор: Gang Liu,Huannan WANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

LED Epitaxial Wafer and Fabrication Process Thereof

Номер патента: US20240258463A1. Автор: Hu Cheng,HAN Jiang,Guochang Li,Wenjun Wang,Yangyang Xu,Shuwei YUAN. Владелец: Focus Lightings Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Contact structure and electronic device having the same

Номер патента: US20220238749A1. Автор: Chia Jui Lin,Chih-Min Chen,Yi-Min Jiang,Chao-Hui Kuo,Wei-Chuan Chao,Xi-Zhao Wang,Li-Wei Mu,Shan-Yu WU. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

P-ohmic contact structure and photodetector using the same

Номер патента: US20220102572A1. Автор: Ying Gao,Ling Zhou,Jianping Zhang. Владелец: Bolb Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Bonding structure and flexible device

Номер патента: US09607960B1. Автор: Ming-Hua Yeh,yi-cheng Peng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-03-28.

Layout of driving circuit, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230178164A1. Автор: Jihoon Lee,Huijuan Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230232626A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Interposer routing structure and semiconductor package

Номер патента: US11869846B1. Автор: Hung-Yi Chang,Sheng-Fan Yang,Hao-Yu Tung,Wei-Chiao WANG,Yi-Tzeng LIN. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: WO2023123204A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Component with Geometrically Adapted Contact Structure and Method for Producing the Same

Номер патента: US20190245114A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-08-08.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Display substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240251628A1. Автор: Jun Liu,Jun Cheng,Liangchen YAN,Tongshang Su,Yongchao HUANG,Shengping Du. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Display substrate, display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09971223B2. Автор: Ning Chen,Xin Gu,Juan Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Physically unclonable camouflage structure and methods for fabricating same

Номер патента: US09735781B2. Автор: Ronald P. Cocchi,James P. Baukus,Bryan J. WANG,Lap Wai Chow. Владелец: SYPHERMEDIA INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09666757B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Jianjian YANG,Chih-Wei Chao,Shunping Chen,Daquan Lin. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and fabricating process for the same

Номер патента: US09444398B2. Автор: Ching-Hou SU,Chyi-Tsong Ni,Yi-Hsun CHIU,I-Shi WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method for metal grating, metal grating and display device

Номер патента: US11048032B2. Автор: Lianjie QU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Manufacturing method for metal grating, metal grating and display device

Номер патента: US20190041563A1. Автор: Lianjie QU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Contact structure and electronic device having the same

Номер патента: US20220308727A1. Автор: Yi-Min Jiang,Chao-Hui Kuo,Chun-Wei Liu,Hong-Yan Lian,Xi-Zhao Wang,Li-Wei Mu,Shan-Yu WU,Can-Liang Zhao. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032065B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-06-26.

Energy-saving heat treatment device for metal substrate in corrosive gas

Номер патента: US20240274447A1. Автор: Joerg Palm. Владелец: Triumph Science& Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Energy-saving heat treatment device for metal substrate in corrosive gas

Номер патента: US12080569B1. Автор: Joerg Palm. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2038008A. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-07-30.

Passivated contact structure and preparation method thereof, and solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240347647A1. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Dongyun LV,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules

Номер патента: US09640709B2. Автор: Hartmut Rudmann,Markus Rossi,Mario Cesana,Simon GUBSER. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor package and fabrication method of the same

Номер патента: US6780670B2. Автор: Kye Chan Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: GB2105107A. Автор: Tamotsu Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-03-16.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20200194447A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20210265375A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20230086425A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: US11777045B2. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2023-10-03.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2037962A. Автор: Chen Gang,Yang Xinqiang,Kaifu Qiu Yongqian. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-07-26.

Array substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3304191A1. Автор: Hongqiang LUO,Mo Chen,Jinliang LIU,Jilei Gao,Zuwen LIU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032066B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-06-20.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032068B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-18.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032067B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-05.

Circuit structure and method of fabrication for facilitating radio frequency identification (rfid)

Номер патента: US20100019908A1. Автор: Daeik Kim,Jonghae Kim,Moon Ju Kim,Choongyeun Cho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Optical semiconductor device having active layer of p-type quantum dot structure and its manufacture method

Номер патента: US20080157059A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Hisao Sudo,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2008-07-03.

Millimeter wave module having probe pad structure and millimeter wave system comprising millimeter wave modules

Номер патента: EP1291953A1. Автор: Debasis c/o Fujitsu Limited DAWN,Yoji c/o FUJITSU LIMITED Ohashi,Toshihiro c/o Fujitsu Limited SHIMURA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-12.

Optical fiber fusion splice structure and method of manufacturing laser apparatus

Номер патента: US20190086612A1. Автор: Ryokichi Matsumoto,Kenji Kuniyasu. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Optical semiconductor device having diffraction grating disposed on both sides of waveguide and its manufacture method

Номер патента: US20110027926A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2011-02-03.

Edge-free cylindrical battery structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4366046A1. Автор: Sifan Wang,Kewen CHENG,Zhilin Cheng. Владелец: Shenzhen Juheyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Jelly-roll type electrode assembly having anode in which anode mixtures containing active material with different composition are formed on both sides of electrode current collector, secondary battery comprising the same, and device comprising secondary battery

Номер патента: US12057565B2. Автор: Seongmo KOO,Kwan Soo LEE,Jaekyo NOH. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Dual-band antenna disposed on both sides of a substrate

Номер патента: US09929463B2. Автор: Kuo-Chang Lo,Min-Chi Wu,Chih-Yung Huang. Владелец: Arcadyan Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Bipolar plate of fuel cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP1704614A1. Автор: Hong Choi,Cheol-Hwan Kim,Tae-hee Cho,Sam-Chul Ha,Kyu-Jung Kim,Seung-Tae Ko,Yong-Jun LG Electronics Dormitory H-324 HWANG,Myung-Seok Wooseong Apt. 107-103 PARK,Myeong-Ho; Lee,Seong-Geun; Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Metal powder core comprising copper powder, coil component, and fabrication method for metal powder core

Номер патента: US09704627B2. Автор: Shin Noguchi,Tetsuro Kato,Kazunori Nishimura. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Battery cell structure and battery

Номер патента: EP3916903A1. Автор: Shujun Yang. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for producing lithium metal negative electrode structure and lithium metal negative electrode structure

Номер патента: US20200161647A1. Автор: Cha Hun Ku,Sangkyun LEE,Minwook Kim,Baeck Boem CHOI. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

All-solid-state lithium secondary battery including both side coated electrodes and method for producing the same

Номер патента: US20220293997A1. Автор: Jong Pil Kim,Hae Jin Kim,Won Gi Hong,In Jun JEON. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2022-09-15.

Antenna structure and device for metal environment

Номер патента: US20220069435A1. Автор: Kai-Jun Liang. Владелец: Securitag Assembly Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Antenna device having contact structure based on conductive gasket

Номер патента: US20220399633A1. Автор: Seung Hwan Lee,Yong Sung Yim. Владелец: LS MTRON LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Antenna structure and device for metal environment

Номер патента: US11621490B2. Автор: Kai-Jun Liang. Владелец: Securitag Assembly Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Structures and fabrication techniques for solid state electrochemical devices

Номер патента: EP1228546A1. Автор: Lutgard C. DeJonghe,Steven J. Visco,Craig P. Jacobson. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-08-07.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Bipolar battery plate and fabrication thereof

Номер патента: US20240105914A1. Автор: Collin Kwok Leung Mui,Esteban M. HINOJOSA. Владелец: Gridtential Energy Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Bipolar battery plate and fabrication thereof

Номер патента: EP4285424A1. Автор: Collin Kwok Leung Mui,Esteban M. HINOJOSA. Владелец: Gridtential Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Cooling device, energy store, and method for cooling an energy store on both sides

Номер патента: US20230327235A1. Автор: Wolfgang Beck,Dirk Hoefner,Martin Lindner,Martin Schüssler,Thomas Milde,Uwe Gerlinger,Johannes HAF,Joohwa Sarah Lee. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Swaging structure for metallic members and bus bar using the same

Номер патента: US09350088B2. Автор: Takafumi Suzuki. Владелец: Suncall Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: EP3183081A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-28.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: WO2016028344A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-02-25.

Oxide spacer HCG VCSELS and fabrication methods

Номер патента: US12068580B2. Автор: Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jipeng QI,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-20.

Switch having ganged contacts mounted on opposite sides of circuit board

Номер патента: US3719788A. Автор: K Holland,A Sprando. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1973-03-06.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Contact structure

Номер патента: US20210273304A1. Автор: Takeshi Kimura,Koji Chiba,Takashi Kuboki,Kenji TANISHO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a fuel cell by electrically connecting a first cell and a second cell coupled over both sides of a membrane with a predetermined gap between the first cell and the second cell

Номер патента: US8197983B2. Автор: Sung-Han Kim,Jae-Hyuk Jang,Young-Soo Oh,Hye-yeon Cha,Miesse Craig. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-12.

Field emission flat lamp and fabricating method thereof, and cathode plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20070164652A1. Автор: Ming-Hung Lin,Biing-Nan Lin,Wei-Yi Lin,Chuan-Hsu Fu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-19.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Loop-feeding wireless area network (WAN) antenna for metal back cover

Номер патента: US09413058B1. Автор: Ming Zheng,Adrian Napoles,Khaled Ahmad Obeidat,Jerry Weiming Kuo. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Collector with recuperation of microwave energy of device

Номер патента: RU2690530C1. Автор: Виктор Борисович Профе,Игорь Владимирович Ошкин,Константин Васильевич Троцюк. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-06-04.

Gain-clamped semiconductor optical amplifier having horizontal lasing structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7081643B2. Автор: Jeong-seok Lee,Seong-taek Hwang,Jung-Koo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-25.

Antenna Structure and Electronic Device

Номер патента: US20240186705A1. Автор: Yali Wang,Hai Yu,Yafei Zhang,Dongdong Zhang,Feng Qu,Guoqiang Tang,Biqi LI,Mengwen JIA. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Package carrier board integrated with magnetic element structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215174A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Contact structure

Номер патента: US11705609B2. Автор: Takeshi Kimura,Koji Chiba,Takashi Kuboki,Kenji TANISHO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Contact structure

Номер патента: US09748705B2. Автор: Haruhiko Kondo,Rie Abe,Hidemasa Sakurada,Koichiro Ejiri. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Current collecting member, secondary battery and fabrication method

Номер патента: US20210265709A1. Автор: HU XU,Long Xu,Yongshou Lin,Lingbo Zhu,Yuanbao Chen,Miaomiao REN,Donglai ZHENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09633801B2. Автор: JING Yu,Huilin Ye,Ho-Hsun Chi,Tsung-Ke Chiu. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Coordination-polymer cathode material and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US20220199999A1. Автор: KAVEEVIVITCHAI Watchareeya,Teng-Hao CHEN,Cheng-Han Chang,An-che Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-06-23.

Coordination-polymer cathode material and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US11600822B2. Автор: KAVEEVIVITCHAI Watchareeya,Teng-Hao CHEN,Cheng-Han Chang,An-che Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-03-07.

Electric contact structure, process for producing the same and electronic instrument having the same

Номер патента: US6986672B2. Автор: Takahiro Sasaki,Akira Shimizu,Yasuharu Nakamura. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-01-17.

Electric contact structure, process for producing the same and electronic instrument having the same

Номер патента: US20040175968A1. Автор: Takahiro Sasaki,Akira Shimizu,Yasuharu Nakamura. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Radome, and stacked plate for radome, composite plate and fabrication method

Номер патента: EP4404379A1. Автор: Kai Sheng,Liangyuan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Electrode and fabricating method therefor, electrochemical device, and electronic device

Номер патента: EP4432388A1. Автор: Qingwen Zhang,Yajie LI,Mingju LIU. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Mobile terminal display structure and mobile terminal

Номер патента: US09891734B2. Автор: Lixin Al,Kesheng Yan,Jinchao Li,Shaoxing HU. Владелец: Xiaomi Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic light emitting diode display panel, touch control structure and display device

Номер патента: US11960670B2. Автор: Liyan Liu,Xinxing Wang,Jaegeon You,Xuefei Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

STRENGTHENING OF THE SHELF FOR METAL Racks FOR HOLDING ON THE FRONT SIDE OF ELECTRONIC LABELS AND / OR OTHER PERIPHERAL DEVICES AND THE RELATED METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: RU2014131108A. Автор: НАННИ Эрос,ПОДЖИ Массимо. Владелец: Селфа Сосиета Кооператива. Дата публикации: 2016-02-20.

Offset backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: EP3420590A1. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240196619A1. Автор: Ryo KAMBAYASHI,Kazuto Ohsawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

EMBEDDED ReRAM WITH BACKSIDE CONTACT

Номер патента: WO2024125228A1. Автор: Chen Zhang,Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Wire drawing device for metal mobile phone back case

Номер патента: US20200213430A1. Автор: Jian'er Chai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

System and a method for providing communication services on both sides of the corridor

Номер патента: RU2745275C2. Автор: Андрис Петрус Кронье ФУРИ. Владелец: Пойнтинг Энтеннес (Пти) Лимитед. Дата публикации: 2021-03-23.

Three-dimensional memory device including composite backside metal fill structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2023239442A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Fumitaka Amano,Ryo KAMBAYASHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

2-bit mask ROM device and fabrication method thereof

Номер патента: US6590266B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US12058910B2. Автор: Qian Yang,Lujiang Huangfu,Hongli Wang,Yinan LIANG,Libin LIU,Xiaodan Jin,Wenjing TAN,Zhenzhen LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Textile triboelectric nanogenerators with diverse 3d-spacer fabrics for improved output voltage

Номер патента: US20230208323A1. Автор: Hyuk Kim. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for disconnection of an input switching device of a transformer substation and for signaling and informing personnel of an electric grid organization at unauthorized supply of voltage from a low side of a transformer substation

Номер патента: RU2714918C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Алексей Валерьевич Букреев,Юрий Борисович Рыженков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-02-21.

Method and apparatus for controlling echo on both sides of a connection

Номер патента: WO1998043368A2. Автор: Gunnar Eriksson,Tommy Svensson,Tonu Trump. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1998-10-01.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus for recording on and playback from both sides of a disk shaped recording medium

Номер патента: US5633847A. Автор: Wataru Masuda,Shigeo Shimada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-27.

Trough, method for fixing cable to trough structure, structure for fixing cable to trough structure, structure for fixing trough lid to trough structure, and metal fitting for fixing trough lid

Номер патента: EP4343994A1. Автор: Takashi Hori,Satoshi Kozawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory

Номер патента: US20240096410A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Circuit-board overlaid with a copper material on both sides or in multiple layers and a method of fabricating same

Номер патента: US6116495A. Автор: Peter Straub,Marian Lancki,Dietrich Richter,Peter Diehm,Dieter Berchtold,Hans-Georg Wissmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-09-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11871567B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Vehicle-mounted luggage case with doors opening on both sides

Номер патента: US11781366B2. Автор: Shangyun Deng. Владелец: Hubei Province Huiyun Electric Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20070093023A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus for cooking food products on both sides thereof

Номер патента: US20110062151A1. Автор: Fabio Sinatra,Alessandro Morassut,Michele Toppano,Marco Ulian,Erika Menosso,Franco Tassan-Mang-Ina,Marino Fadellim. Владелец: ELECTROLUX PROFESSIONAL SPA. Дата публикации: 2011-03-17.

Image processing apparatus for determining the presence or absence of an image on each side of a plurality of originals prior to producing two-sided copies of the originals to avoid producing any copies with blank sides

Номер патента: US4839740A. Автор: Eiichi Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-06-13.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Digital signal-processing structure and methodology featuring engine-instantiated, wave-digital-filter componentry, and fabrication thereof

Номер патента: US20080046494A1. Автор: Thomas Curtis,Steven Sidman. Владелец: Acoustic Processing Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Digital signal-processing structure and methodology featuring engine-instantiated, wave-digital-filter componentry, and fabrication thereof

Номер патента: US8478807B2. Автор: Steven B. Sidman,Thomas E. Curtis. Владелец: Acoustic Processing Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Programmable conductor memory cell structure and method therefor

Номер патента: US20060208249A1. Автор: Terry Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20240334703A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method for metallic housing of electronic device

Номер патента: US10040120B2. Автор: Wen-Hsiung Chang,Chun-Jung Chang,Chen-Shen Lin,yue-jian Li,Cai-Hua Wang. Владелец: Fuzhun Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Heatable garment, fabrics for such garments, and methods of manufacture

Номер патента: EP4419587A1. Автор: Elliot Owen JONES,Thomas Harry HOWE. Владелец: Haydale Graphene Industries PLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including a buried cell array transistor (bcat) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251547A1. Автор: Jungwoo Song,Byeongjun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Contact structure and a gate line slit and merge method to form thereof

Номер патента: US20240206168A1. Автор: Chuan Zhang,Xianghui ZHAO,Zuixin ZENG,Junxiong WANYAN,Haiqing DOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Milling of flex foil with two conductive layers from both sides

Номер патента: WO2020214437A1. Автор: Fritz Jung,Jan Horzella. Владелец: GENTHERM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-10-22.

Milling of flex foil with two conductive layers from both sides

Номер патента: US20220192028A1. Автор: Fritz Jung,Jan Horzella. Владелец: Gentherm GmbH. Дата публикации: 2022-06-16.

Contact structure of camera module and electronic device comprising same

Номер патента: US20230292479A1. Автор: Jihyun Kim,Yonggwan KIM,Kyungho BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Anonymization and randomization of device identities

Номер патента: EP4018593A1. Автор: Lucien Loiseau,Micha Anthenor Benoliel,Garrett Edward Kinsman,Eliott Quentin Eric Teissonniere. Владелец: Noodle Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Anonymization and randomization of device identities

Номер патента: WO2021041279A1. Автор: Lucien Loiseau,Micha Anthenor Benoliel,Garrett Edward Kinsman,Eliott Quentin Eric Teissonniere. Владелец: Noodle Technology Inc.. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20040140509A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems, structures, and processes for interconnected devices and risk management

Номер патента: US09639820B2. Автор: Srinivasa Kakkera,Subrat Narendra Singh,Kiu LI,Prathap Sakala. Владелец: Alert Enterprise Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Heating element of device for heating industrial objects

Номер патента: RU2666843C1. Автор: Евгений Фёдорович Чердынцев. Владелец: Акционерное общество НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР "ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ". Дата публикации: 2018-09-12.

Both-side flexible printed circuit board

Номер патента: US4716259A. Автор: Kazuhiko Arakawa,Jun Terashima,Go Tokura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

Trough, method for fixing cable to trough structure, structure for fixing cable to trough structure, structure for fixing trough lid to trough structure, and metal fitting for fixing trough lid

Номер патента: AU2022278243A1. Автор: Takashi Hori,Satoshi Kozawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of production of the plastic window glass with the electroconductive structure and the plastic window glass with the built-in wires

Номер патента: RU2299808C2. Автор: Люк-Энри Бланш,Геральд ЭНГЕНХЕЙСТЕР. Владелец: Фригласс Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2007-05-27.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US11910599B2. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Image reading device and image forming apparatus including the same for reading both sides of a document alternately in a single read position

Номер патента: US8994964B2. Автор: Toru Nakayama. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

Organic electroluminescent device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050093439A1. Автор: Gaku Harada,Hisao Haku. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Display device with simplified appearance structure and improved coupling arrangement

Номер патента: US20210364846A1. Автор: Munhe LEE,Gyoungbok KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-25.

Drying device for metal strips painted on both sides

Номер патента: DE975392C. Автор: Walter Dipl-Ing Keser. Владелец: LTG Lufttechnische GmbH. Дата публикации: 1961-11-16.

Computer-aided device for display of handling and operation of device and fabricated article e.g. printer, stores number of image vectors explaining various aspects of device or fabricated article

Номер патента: DE102006047961A1. Автор: Andrew Christopher Fort Collins Walton,Bryan J. Fort Collins Jacquot,Steve Fort Collins Lyle. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2007-05-03.

Abrasive band for sanding, polishing or cutting machines is made from polyester textile electroplated with metal on one or both sides, diamond dust or cubic boron nitride being bonded with metal layer

Номер патента: DE10210828A1. Автор: Fang-Chun Yu. Владелец: HONGIA INDUSTRY CO. Дата публикации: 2003-09-25.

Protective transport system of road structures and method of its erection

Номер патента: RU2708769C1. Автор: Татьяна Петровна Кашарина,Денис Владимирович Кашарин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2019-12-11.

Method of constructing an offshore structure, and offshore structure

Номер патента: CA2955399C. Автор: Takuju Nakamura. Владелец: Modec Inc. Дата публикации: 2020-02-25.

Circular saw for metal cutting

Номер патента: RU2754861C2. Автор: Хиромицу ИСИКУРА. Владелец: Танитэк Корпорейшн. Дата публикации: 2021-09-08.

Body of device for positioning coronary stent or coronary balloon in coronary arteries

Номер патента: RU2746110C1. Автор: Владимир Борисович Трапезников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЕВЕН САНС". Дата публикации: 2021-04-07.

Systems and methods for design and fabrication of surface brachytherapy applicators

Номер патента: WO2021007649A1. Автор: James L. Robar,Christopher Majcher,Borko Basaric. Владелец: Adaptiiv Medical Technologies Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Method and device for applying coating on one and/or both sides of metal substrate in form of strip

Номер патента: RU2743076C1. Автор: Лутц КЮММЕЛЬ,Маттиас КРЕЧМЕР,Генри ГЁРЦ. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2021-02-15.

Modular assembly-type house quick-installation structure and assembly method

Номер патента: ZA202400779B. Автор: ZHAO LANYING,ZHOU SHENGHUI,Teng Lin,Du Chuanwei,Sammer Ansari Wajahat,Wu Zihang,Lei Xuyang. Владелец: Qilu Institute Of Tech. Дата публикации: 2024-09-25.

Shoes for massage of the inner side of the great toe

Номер патента: RU2763709C1. Автор: Юйюань ЧЖОУ,Синлян У,Канлун ЛЮ. Владелец: Гуандун Брез Уолкер Хелт Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-30.

Surfboard fin attachment structure and surfboard

Номер патента: US09701371B2. Автор: Katsuyoshi Kumano. Владелец: Michiaki Ishida. Дата публикации: 2017-07-11.

Die for forming honeycomb structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US09616637B2. Автор: Kazumasa Kitamura,Hirofumi Hosokawa,Tomoki Nagae. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and device for metal belt cleaning

Номер патента: RU2357809C2. Автор: Ханс Георг ХАРТУНГ,Маттиас КРЕЧМЕР. Владелец: Смс Демаг Аг. Дата публикации: 2009-06-10.

Slip gear structure and timepiece equipped with the same

Номер патента: US20110051566A1. Автор: Tamotsu Ono. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Thin film magnetic head and fabrication process

Номер патента: US20060012923A1. Автор: Nobuo Yoshida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-01-19.

Seat reclining structure and vehicle seat

Номер патента: EP3977896A1. Автор: Etsunori Fujita,Jun Fukuda,Kazuhiro Takenaka,Mitsuhiro Yamashita,Yumi Ogura,Yoshinobu Otani. Владелец: Delta Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Electric field information reading head, electric field information writing/reading head and fabrication methods thereof and information storage device using the same

Номер патента: EP2016584A1. Автор: Yong-su Kim,Ju-Hwan Jung,Hyoung-Soo Ko,Hong-Sik Park,Seung-bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for protection against wave action of single hydraulic structure, and device for its implementation

Номер патента: RU2522318C2. Автор: Юрий Андреевич Симонов,Владимир Эрнестович Петров. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2014-07-10.

Thin film magnetic head and fabrication process for preventing short-circuit failure in a narrow track width and narrow gap length

Номер патента: US7522387B2. Автор: Nobuo Yoshida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-04-21.

Seal structure and mounting method of belt cover for internal combustion engine

Номер патента: US12031499B1. Автор: Osamu Yoda,Koichiro Asame. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus for sensing bare metal on a moving strip of insulatively coated conductive material

Номер патента: US4351263A. Автор: Dennis L. Miller,Raymond A. Alleman,Larry L. Rarig. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-28.

Quenching apparatus and quenching method for metal sheet, and method for manufacturing steel sheet

Номер патента: US20240301524A1. Автор: Soshi Yoshimoto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Pet pulling piece with replaceable patterned panel on both sides

Номер патента: US12096751B2. Автор: Fuyou Shi. Владелец: Jinhua Solid Tools Co ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for design and fabrication of surface brachytherapy applicators

Номер патента: US11745028B2. Автор: James L. Robar,Christopher Majcher,Borko Basaric. Владелец: Adaptiiv Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Color Fan Deck With Paper Blades Painted On Both Sides

Номер патента: US20140045149A1. Автор: Steven B. Winter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Foam rubber sheet with embosses on both sides thereof

Номер патента: US20020106488A1. Автор: Chien Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Formed metal core sandwich structure and method and system for making same

Номер патента: EP1954437A2. Автор: George C.P. Straza. Владелец: CELLTECH METALS INC. Дата публикации: 2008-08-13.

Optical modulation structure and optical modulator

Номер патента: US20110311178A1. Автор: Junichi Fujikata,Motofumi Saitoh,Akio Toda,Jun Ushida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Liquid crystal device, fabricating method, and fabricating apparatus thereof

Номер патента: US20040150775A1. Автор: Tetsuya Nogami,Kohji Murayama,Teruhiro Nakasogi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Angular coupler for metal concave profiles and mechanism for forward transmission of motion to both sides of angular fixture

Номер патента: RU2188292C2. Автор: Спирос МАСТРОГИАННИС,Афанасиос ПОЛИЗОПОУЛОС. Владелец: Афанасиос ПОЛИЗОПОУЛОС. Дата публикации: 2002-08-27.

Image forming apparatus which forms images on one side or both sides of a sheet

Номер патента: US20130136482A1. Автор: Kozo Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Image forming apparatus which forms images on one side or both sides of a sheet

Номер патента: US8385765B2. Автор: Kozo Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Mesh material for flexible structures and methods of fabricating same

Номер патента: US20200223173A1. Автор: Hao Chen,Chieh-Yu Chen. Владелец: Tru-View LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Guide mechanism for connecting component, and coupling structure and processing apparatus using the guide mechanism

Номер патента: US09695879B2. Автор: Koichi Kimura,Toshinori Sasaki,Mizuki Sugino,Mitsutoshi Hongo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Image forming apparatus with a guide member disposed along the sheet feeding path on both sides

Номер патента: US09529313B2. Автор: Shougo Fukai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for production of decorated board coated on both sides

Номер патента: RU2521630C2. Автор: Ульрих ЦИРОЛЬД. Владелец: Сёрфэйс Текнолоджис Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2014-07-10.

Fabric for outwear

Номер патента: RU2670068C1. Автор: Марина Петровна Михайлова,Екатерина Петровна Лаврентьева,Нина Александровна Власова,Виктор Сергеевич Колтунчиков,Татьяна Викторовна Силина,Лидия Васильевна Паринова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Балтекс". Дата публикации: 2018-10-17.

Gyroscopic toy having gyroscopic ring configured to be assembled on both sides

Номер патента: RU2642341C1. Автор: Дунцинь ЦАЙ. Владелец: Гуанчжоу Альфа Калче Комьюникейшнс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-24.

Screw for transportation of solid material with sealing structure and method for producing and utilization of reduced metal

Номер патента: RU2299389C2. Автор: Масахико ТЕЦУМОТО,Сумито ХАСИМОТО. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2007-05-20.

Form for making two-sided carbonless copies of information entered on both sides of an original sheet and methods of making and using same

Номер патента: US5135437A. Автор: Keith E. Schubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-04.

Fabric for curtain applications and its production method

Номер патента: WO2024144747A1. Автор: Ahmet Düngel. Владелец: Kucukcalik Tekstil Sanayi Ve Ticaret A.S.. Дата публикации: 2024-07-04.

Fluid connector and female-end valve stem, female-end structure, and male-end piston thereof

Номер патента: AU2022452078A1. Автор: Gang Chen. Владелец: Shenzhen Envicool Smart Connection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Detection of EMG activity using sensors on both sides of the body

Номер патента: US09603573B2. Автор: Peter A. Leininger,Russell M. Herring,Jose E. Cavazos,Michael R. Girouard,Jason T. Getman. Владелец: Brain Sentinel Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Web with molded articles on both sides

Номер патента: US09511525B2. Автор: Satinder K. Nayar,Donald L. Pochardt,Peter T. Benson,Stanley Rendon,James N. Dobbs,Dennis E. Ferguson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Arrangement for lateral slitting of the skin on both sides of a slaughtered animal in a saddled position, a support body of such an arrangement for saddling the animal body, a processing machine using the arrangement for slitting the skin, as well as an appropriate method for slitting the skin

Номер патента: CA2806223A1. Автор: Andreas Landt. Владелец: Nordischer Maschinenbau Rud Baader GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-08-03.

Process and apparatus for separating an electrolytic deposit from both sides of a cathode

Номер патента: CA1184878A. Автор: Jean F. Viellefont,Henri M.F.J. Forton. Владелец: METALLURGIE HOBOKEN-OVERPELT. Дата публикации: 1985-04-02.

Arrangement for lateral slitting of the skin on both sides of a slaughtered animal in a saddled position, a support body of such an arrangement for saddling the animal body, a processing machine using the arrangement for slitting the skin, as well as an appropriate method for slitting the skin

Номер патента: CA2806223C. Автор: Andreas Landt. Владелец: Nordischer Maschinenbau Rud Baader GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-08-05.

Transmission-type holographic optical storage medium and device, and method for recording and reading on two sides of storage medium

Номер патента: US20220404767A1. Автор: Jun Tian,Yicheng Liu,Dejiao Hu. Владелец: Amethystum Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Hydraulic machine having axially joined lateral plates on both sides of gearwheel and gear ring, which plates move jointly with the gearwheel or the gear ring

Номер патента: WO1997012123A1. Автор: Tom Tychsen,Hans Christian Petersen,Gunnar Lyshoj Hansen,Hans Erik Larsen. Владелец: Danfoss A/S. Дата публикации: 1997-04-03.

Motor unit for a fabric insertion unit in a fiber web machine and fabric insertion unit for a fiber web machine

Номер патента: FI131016B1. Автор: Vesa HYPPÖNEN,Tuomas Saukonoja,Vesa-Matti Suvela. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2024-08-01.

Motor unit for a fabric insertion unit in a fiber web machine and fabric insertion unit for a fiber web machine

Номер патента: FI20235633A1. Автор: Vesa HYPPÖNEN,Tuomas Saukonoja,Vesa-Matti Suvela. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2024-08-01.

Dental retractor for protecting a patient's teeth from contact with the inner side of a patient's mouth and tongue

Номер патента: US09610009B2. Автор: Shohreh Motamedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Hot rolled tape or sheet out of steel, particularly out of steel if, suitable for enamel coating on both sides

Номер патента: RU2336314C2. Автор: Йоахим ШЁТТЛЕР,Фолькер ФЛАКСА,Клаус ФРАЙЕР. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2008-10-20.

An improved method of coating long strips or webs of substantially nonabsorbent material with a liquid simultaneously on both sides

Номер патента: GB741371A. Автор: . Владелец: Meulen Leonard V D. Дата публикации: 1955-11-30.

Both-side meshing type silent chain

Номер патента: US5989140A. Автор: Koichi Ichikawa,Nobuto Kozakura,Tsutomu Haginoya. Владелец: Tsubakimoto Chain Co. Дата публикации: 1999-11-23.

Water-spraying device for flowers and plants on both sides of garden roads

Номер патента: LU502248B1. Автор: Zihao ZHAO. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-01-18.

Apparatus for printing images on both sides of an image printing medium by one process

Номер патента: US5848323A. Автор: Katsuhiko Suzuki,Michio Yokosuka,Masayasu Anzai,Ryoji Kojima,Takao Umeda,Tadahiro Kaneko. Владелец: HITACHI KOKI CO LTD. Дата публикации: 1998-12-08.

Device for metal melting with electron bunch and procedure implementing this device for fabrication of ingot out of metal with high temperature of melting

Номер патента: RU2401872C2. Автор: Норио ЯМАМОТО,Такеси СИРАКИ,Есихиро ХАТТА. Владелец: Тохо Титаниум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-10-20.

Rotary multicolor machine for simultaneously printing both sides of a paper web or sheet

Номер патента: CA1222413A. Автор: Manolo Hernandez. Владелец: De La Rue Giori Sa. Дата публикации: 1987-06-02.

Process and apparatus for producing a decorated plate coated on both sides

Номер патента: CA2785355C. Автор: Ulrich Zierold. Владелец: Surface Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-11-18.

Pixel structure and display panel

Номер патента: US20170131597A1. Автор: Cheng-Yeh Tsai,Fang-Cheng Yu,Wei-Ting Lee,Tzu-Yi TSAO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-11.

Optical devices and fabrication method thereof

Номер патента: US20190391701A1. Автор: Wen-Chih Lu,Shih-Hao Liu,Yin Chen,Ming-Cheng Lo,Hsin-Hui Lee,Chih-Cherng Liao,Yun-Chou Wei,Chung-Ren Lao,Wu-Hsi Lu,Hsueh-Jung LIN,Ting-Jung LU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Trellis bracket and system for supporting climbing plants from top of a wall or fence on both sides

Номер патента: US12042072B2. Автор: John Edward Aiken,Edward Scott Carlson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of core structure equipped with protective layer on both sides, as well as core structure itself

Номер патента: RU2466871C2. Автор: Михаэль КОЛАКС,Вольф-Дитрих ДОЛЗИНСКИ. Владелец: Эирбус Операсьон Гмбх. Дата публикации: 2012-11-20.

Cleaning paper with decorative embossment on both sides and converting machine

Номер патента: RU2602045C2. Автор: Лутфи АЙДИН. Владелец: Хаят Кимия Санайи Аноним Сиркети. Дата публикации: 2016-11-10.

Reverberatory furnace for metal remelting

Номер патента: RU2361162C2. Автор: Владимир Александрович Трусов. Владелец: Владимир Александрович Трусов. Дата публикации: 2009-07-10.

Wrapping device for metal strip

Номер патента: RU2665023C1. Автор: Ульрих КРАМЕР,Кристиан МЕНГЕЛЬ,Хайнц-Адольф Мюллер,Томас ХОЛЬЦХАУЕР,Андреас КАСТНЕР,Янина ВЕБЕР. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2018-08-24.

Free-standing collapsible tent frame structure and hub assembly therefor

Номер патента: CA1189759A. Автор: Allan E. Beavers. Владелец: TA Pelsue Co. Дата публикации: 1985-07-02.

Method for knitting double jersey fabric including rib knitting and fabric knitted by the method

Номер патента: US6119487A. Автор: Masao Okuno. Владелец: Shima Seiki Mfg Ltd. Дата публикации: 2000-09-19.

Optical film with pressure sensitive adhesive on both sides and method for producing image display device using thereof, and method for suppressing curl of optical film with pressure sensitive adhesive on both sides

Номер патента: US09841545B2. Автор: Masaki Mizutani,Atsushi Yasui,Shou Takarada. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of process control or process regulation at installation for metal plastic working, cooling and/or thermal treatment

Номер патента: RU2336339C2. Автор: Уве ПЛОЦИННИК,Карл-Эрнст ХЕНСГЕР,Кристиан ПЛОЦИННИК. Владелец: Смс Демаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2008-10-20.

Conducting monofilament and fabric

Номер патента: RU2478144C2. Автор: Джозеф САЛИЦКИ,Джонатан С. БЭРИШ,Морис Р. ПАКУИН,Джозеф Г. О'КОННОР. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-03-27.

Substrate for metal catalyst of high power and catalytic converter using same

Номер патента: RU2598030C2. Автор: Соо КИМ Миоунг,Хван КО Сун,Хиун ХУР Тае,Бок КИМ Тонг,Чул ЯНГ Сунг. Владелец: Амогринтех Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-20.

Display structure and support body

Номер патента: CA2769743C. Автор: Teruaki Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of continuous production of flexible structures and flexible structure

Номер патента: RU2394682C2. Автор: Марк ЛЕМПЕН. Владелец: ПЕННЕЛЬ э ФЛИПО. Дата публикации: 2010-07-20.

Improved building structures and their method of fabrication

Номер патента: GB836158A. Автор: Bernard Ernest Crysell. Владелец: Bath & Co Ltd T. Дата публикации: 1960-06-01.

Method of producing a specified coefficient of friction on both sides of a substrate

Номер патента: EP3186080A1. Автор: Craig Boyd,Anthony MAJSZAK. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2017-07-05.

Method and apparatus for forming images on both sides of a recording paper without reversing the paper

Номер патента: US5519484A. Автор: Minoru Kumagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Pet pulling piece with replaceable patterned panel on both sides

Номер патента: US20230301274A1. Автор: Fuyou Shi. Владелец: Jinhua Solid Tools Co ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for managing fabric supplier terminals and fabric buyer terminals using a plurality of neural network

Номер патента: US20240242256A1. Автор: Gyu Ri PARK,Woo Sig JUNG. Владелец: Npti Global Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for use with apparatus for sensing bare metal on a moving strip of insulatively coated conductive material

Номер патента: US4404515A. Автор: Craig E. Deyer. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-09-13.

Preparation of one-way transport moisture management fabric based on material, fiber fineness, yarn structure and fabric structure

Номер патента: WO2024174252A1. Автор: Lei Yao,Hing-leung Chan,Ka-hei CHAN,Kit-shan NGAN,Ka-ho LI,Lap-yan YEUNG. Владелец: The Hong Kong Research Institute of Textiles and Apparel Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Device for metals plastic working with angular pressing

Номер патента: RU2333062C2. Автор: Василий Васильевич Кучкин,Евгений Петрович Осокин,Рафаил Давидович Щербель,Валерий Васильевич Рыбин,Юрий Иванович Рыбин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2008-09-10.

Connecting element of hollow hermetic product of integral structure and method of its manufacturing

Номер патента: RU2702564C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-10-08.

Oriented multilayer polyolefin film which is heat-sealable on both sides, its use, and process for its production

Номер патента: US5945225A. Автор: Robert Hansohn,Angela Speith-Herfurth,Wolfgang Rasp. Владелец: Hoechst Trespaphan Gmbh. Дата публикации: 1999-08-31.

Web printing paper coated on both sides and process for its manufacture

Номер патента: CA2187182C. Автор: Dieter Horand,Adam Gurtler,Bernd Pelech,Paul-Heinz Dahling. Владелец: Stora Feldmuehle AG. Дата публикации: 2001-02-20.

Web Printing Paper Coated on Both Sides and Process for Its Manufacture

Номер патента: CA2187182A1. Автор: Dieter Horand,Adam Gurtler,Bernd Pelech,Paul-Heinz Dahling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-19.

Slip gear structure and timepiece equipped with the same

Номер патента: US8274864B2. Автор: Tamotsu Ono. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Techniques for designing and fabricating support structures in additive fabrication and related systems and methods

Номер патента: US20200307108A1. Автор: Benjamin Frantzdale. Владелец: Formlabs Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for applying elastomer on both sides of a fabric layer

Номер патента: US20240117542A1. Автор: Hans Bauer. Владелец: NTT New Textile Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Techniques for designing and fabricating support structures in additive fabrication and related systems and methods

Номер патента: US11926105B2. Автор: Benjamin Frantzdale. Владелец: Formlabs Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Color fan deck with paper blades painted on both sides

Номер патента: US9754516B2. Автор: Steven B. Winter. Владелец: Color Communications Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Arrangement for producing a corrugated board web laminated on both sides

Номер патента: US20240208175A1. Автор: Thomas Hecky. Владелец: BHS Corrugated Maschinen und Anlagenbau GmbH. Дата публикации: 2024-06-27.

Double-side friction stir welding method and double-side friction stir welding device for metal sheets or metal plates

Номер патента: US20230286077A1. Автор: Rinsei Ikeda,Muneo Matsushita. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Light-guiding body fixation structure and vehicle lamp

Номер патента: US12055280B2. Автор: Shintaro Abe,Seito Wada. Владелец: Ichikoh Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Vehicle body pillar structure and vehicle body structure

Номер патента: US20230264748A1. Автор: Hiroyasu Ito. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Mop Disc And Fabric Frame Fixation Structure

Номер патента: US20110271472A1. Автор: Mike Chen,Yang Bo Yi,Mei Ling Yang. Владелец: Mackay Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Shielding structure and safety inspection channel of safety inspection device

Номер патента: EP3647828A1. Автор: XIN Jin,Jinning Liang,Qingping Huang,Mingzhi Hong,Hongbin HOU. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Pixel structure for transflective LCD panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20070058117A1. Автор: Liang-Neng Chien. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-03-15.

Structure and procedure for making a shoe with knitted upper

Номер патента: US20240278518A1. Автор: Marco REDINI. Владелец: Trere Innovation Srl. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for metal production from brine solutions

Номер патента: WO2023196348A1. Автор: Amit PATWARDHAN,David Kaplin,Richelle Lyndon,Angelo KIRCHON,Nicholas S. GRUNDISH,Jongwook MAH. Владелец: Energy Exploration Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Joint structure for metallic pipes

Номер патента: US09803781B2. Автор: Hiroshi Yamashita,Teruo Kido,Tomonori Kikuno. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Dormer structure and method

Номер патента: US4480420A. Автор: Sheldon Shacket,Robert Helfman. Владелец: TRUS US Inc. Дата публикации: 1984-11-06.

Mould for embossing a decorative pattern on both sides of material placed in the mould

Номер патента: GB2447502A. Автор: Robert Edward Graham Dutton,Beverley Andrea Dutton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-17.

Process for the preparation of triphendioxazine dyestuffs amidated on both sides

Номер патента: US5696258A. Автор: Christian Schumacher,Karl-Josef Herd. Владелец: Dystar Textilfarben GmbH and Co Deutschland KG. Дата публикации: 1997-12-09.

Acoustic metamaterial units with the function of soundproof, flow passing and heat; transfer enhancement, the composite structure and the preparation methods thereof

Номер патента: US11862136B2. Автор: Lifan Huang,Shuguang Wang. Владелец: Component Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Coplanar waveguide wire electrode structure and modulator

Номер патента: EP4020070A1. Автор: Shiwei Song,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Yincong ZHOU,Haicang WU,Wenhao MAO. Владелец: Suzhou Lycore Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Fabric with different patterns and colours on both sides

Номер патента: WO2012093273A1. Автор: Nuran AYTUN. Владелец: Cahan Tekstil Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2012-07-12.

Apparatus for loading and unloading cargo at sea-side of ship

Номер патента: EP1648804A4. Автор: Gong-Il Jeong. Владелец: HAN AH ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-11.

Apparatus for loading and unloading cargo at sea-side of ship

Номер патента: EP1648804A1. Автор: Gong-Il Jeong. Владелец: HAN AH ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Plastic panel having channels on both sides, and system and method for producing such panel

Номер патента: US20110236669A1. Автор: Yigal Steiner,Dan Tal,Mohammad Egbaria,Yuri Pugach. Владелец: POLYGAL PRODUCTS 2003 Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Quenching apparatus for metal sheet, continuous annealing equipment, method for quenching metal sheet, method for manufacturing cold rolled steel sheet, and method for manufacturing coated steel sheet

Номер патента: US20240344158A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Guide device for metal working machine and metal working machine

Номер патента: RU2578304C2. Автор: Мартин ЭРНСТ,Кай АДЛЕР,Сабрина ГРЕСЛЕР,Дитмар КОЛЕР. Владелец: Глисон-Пфаутер Машиненфабрик Гмбх. Дата публикации: 2016-03-27.

Reverberatory furnace for metal remelting

Номер патента: RU2361161C2. Автор: Владимир Александрович Трусов,Владимир Александрович Трусов (RU). Владелец: Владимир Александрович Трусов. Дата публикации: 2009-07-10.

Parts of facade, partition wall or equal construction which can be used on both sides, and mountings for this facade

Номер патента: CA2338803C. Автор: Finn Alexander Gjersoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-02.

Chain tensioner with a spring and hydraulic fluid acting on both sides of a piston

Номер патента: US5993339A. Автор: Christian Poiret. Владелец: Renold PLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Non-abrasive deburring device for metal parts

Номер патента: CA2430116C. Автор: James L. Payne,Karen S. Fike,Joyce A. Bump,Clifford R. Poll,Mark E. Aldrich. Владелец: Rima Manufacturing Co. Дата публикации: 2011-05-03.

Process and apparatus for measuring the equilibrium moisture in a hygroscopic, laminar material which is coated on both sides

Номер патента: US4823595A. Автор: Saleman Hamed,Jorg M. Soder. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1989-04-25.

Coplanar waveguide wire electrode structure and modulator

Номер патента: US20220334419A1. Автор: Shiwei Song,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Yincong ZHOU,Haicang WU,Wenhao MAO. Владелец: Suzhou Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Process for manufacturing a plastic-based perforated three-dimensional structure and device for implementing this process

Номер патента: EP2242637A1. Автор: Claude Dehennau,Dominique Grandjean. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2010-10-27.

Tape having different adhesive strengths on both sides and bulletin board using same

Номер патента: US20240212532A1. Автор: Jung Tak SEO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-27.

Transmission-type holographic optical storage medium and device, and method for recording and reading on two sides of storage medium

Номер патента: EP4105930A1. Автор: Jun Tian,Yicheng Liu,Dejiao Hu. Владелец: Amethystum Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

End or back panelling for metal shelving units designed to display merchandise

Номер патента: WO2010031746A3. Автор: Andrea Passanti. Владелец: Cefla Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2010-11-04.

End or back panelling for metal shelving units designed to display merchandise

Номер патента: EP2344004A2. Автор: Andrea Passanti. Владелец: Cefla SCARL. Дата публикации: 2011-07-20.

End or back panelling for metal shelving units designed to display merchandise

Номер патента: WO2010031746A2. Автор: Andrea Passanti. Владелец: Cefla Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2010-03-25.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Connecting element threaded on both sides

Номер патента: AU1706395A. Автор: Max Girbinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-04.

Body lower structure and side sill structure for automotive vehicle

Номер патента: EP4417493A1. Автор: Kazuhiko Higai,Toshiharu Ishikawa,Tsuyoshi Shiozaki. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Systems and methods for designing and fabricating contact-free support structures for overhang geometries of parts in powder-bed metal additive manufacturing

Номер патента: US09767224B2. Автор: Kenneth Cooper,Yuag-Shan Chou. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-09-19.

Coating for metal cellular structure and method therefor

Номер патента: US09637824B2. Автор: Michael J. Birnkrant. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method for metal and plastic composite bodies

Номер патента: US09573303B2. Автор: Hyung Chul Kim,Byung Seob YU,Chan Mook CHOI,Yang Gi Lee. Владелец: Hankook National Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Multi-joint bending structure and wearable device using multi-joint bending structure

Номер патента: US09565906B2. Автор: Yutaka Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Double-lens structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09513411B2. Автор: Han-Lin Wu,Yu-Kun Hsiao,Yueh-Ching CHENG. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Structure and method of construction of such structure

Номер патента: RU2693376C1. Автор: Кадзухико МОРИ,Мориясу НАГАЙОСИ. Владелец: Иида Сангио Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-02.

Article support structure and article attachment kit

Номер патента: US8241720B2. Автор: Yasuo Sudo,Eiji Mizuno. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-08-14.

Base configured for rolling, for telescopic mast of device for lifting plates, device equipped with such base, and method for application thereof

Номер патента: RU2702673C2. Автор: Лионель МАРКОН. Владелец: Этаблиссма Пьер Греаль Эт Си Са. Дата публикации: 2019-10-09.

Image forming apparatus capable of printing on both sides of sheet

Номер патента: US8302963B2. Автор: Naomichi BAN. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Article support structure and article attachment kit

Номер патента: CA2641209A1. Автор: Yasuo Sudo,Eiji Mizuno. Владелец: Eiji Mizuno. Дата публикации: 2007-08-09.

Fabrication apparatus for a light tunnel and fabrication method for fabricating a light tunnel

Номер патента: US20120210555A1. Автор: Tu-Fa Lai,Zhon-Gren ZHU,Bu-Yu ZHENG. Владелец: Preoptix Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Double-sided usable curtain and fabric

Номер патента: US20200163483A1. Автор: Yingjun Ma. Владелец: Hangzhou China Home Textiles Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and apparatus for providing toppings on opposite sides of a baked food item

Номер патента: US20220256868A1. Автор: Joel Brown. Владелец: Papa Johns International Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Joist receiving metal fitting, floor structure, and method for building floor structure

Номер патента: US20220195715A1. Автор: Ryosuke Sato. Владелец: Sekisui House Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for metallizing a component comprising parts of different non-metallic materials

Номер патента: EP1682694B1. Автор: Roland Anthony Tacken. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2007-10-17.

Method for metallizing a component comprising parts of different non-metallic materials

Номер патента: WO2005035827A1. Автор: Roland Anthony Tacken. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwe- tenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2005-04-21.

Mach-zehnder interferometric optical modulator with shallow ridge waveguide structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240053652A1. Автор: Won Seok Han,Hyun Soo Kim,Ho Sung Kim,Yongsoon Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-02-15.

Gravity gate latch lockable and unlockable by a padlock from both sides of a gate

Номер патента: WO2017192600A1. Автор: Joshua Steven SIEBERT. Владелец: Siebert Joshua Steven. Дата публикации: 2017-11-09.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Optical structures for metal-enhanced sensing

Номер патента: WO2005017504A1. Автор: Joseph R. Lakowicz,Zygmunt Gryczynski,Chris Geddes. Владелец: University of Maryland, Baltimore. Дата публикации: 2005-02-24.

Mems sensor and fabricating method therefor

Номер патента: EP4282811A1. Автор: Hai Chi,Xueqian Song,Yawei SONG. Владелец: Hangzhou Hikmicro Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Vehicle press door structure and door glass run

Номер патента: US09643478B2. Автор: Hideaki Kanasugi,Yasuhide Matsuo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Air supported, multi-wall, insulated structure and process of producing same

Номер патента: US4021972A. Автор: James Edwin Choate,John Robson Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-05-10.

Device for limiting rollback and adjustment part of device

Номер патента: RU2742905C1. Автор: Евгений Евгеньевич Юхневич. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-11.

Assembly of device for monitoring tyre and device for installation thereof inside tyre

Номер патента: RU2593738C2. Автор: Пол Б. УИЛСОН,Джон Д. РЕНСЕЛ. Владелец: БРИДЖСТОУН ЭМЕРИКАС ТАЙР ОПЕРЕЙШНС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-08-10.

Set of devices for mounting a frame system of ceilings and walls

Номер патента: RU2770855C1. Автор: Дмитрий Васильевич Ленков. Владелец: Дмитрий Васильевич Ленков. Дата публикации: 2022-04-22.

Total release actuator for an aerosol can, requiring vertical movement, with latching on both sides of trigger port

Номер патента: NZ500869A. Автор: Scott W Demarest. Владелец: S. Дата публикации: 2001-08-31.

Formed core sandwich structure and method and system for making same

Номер патента: US20080292898A1. Автор: George C. P. Straza. Владелец: CELLTECH METALS INC. Дата публикации: 2008-11-27.

Screw compressor rotor structure and variable-frequency screw compressor having same

Номер патента: EP3719321A1. Автор: Tianyi Zhang,Hua Liu,Rihua LI,Yungong XU,Zhongkeng Long. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-10-07.

Seal structure and mounting method of belt cover for internal combustion engine

Номер патента: US20240209811A1. Автор: Osamu Yoda,Koichiro Asame. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Device for testing continuous jumping on both feet of child

Номер патента: NL2030711B1. Автор: Zhang Ming,Li Qiang,Liu Tong,Wang Hongjun,Tong Ling,Sun Ping,Guo Hui,SUN Feng,Huang Fu,Yan Chang'an,Liu Yunting,Xu Fangchao. Владелец: Univ Shenyang Technology. Дата публикации: 2022-12-19.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Electrical lead structures for magnetoresistive sensors for magnetic heads and fabrication method therefor

Номер патента: US20050024795A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Michael Parker. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-02-03.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A2. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A3. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A4. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-09-19.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Element for metallic belt

Номер патента: US09556931B2. Автор: Toru Yagasaki,Soichiro Sumida. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

MEMS devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09452924B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Te-Hao Lee,Chung-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Column structure and base member

Номер патента: US09399868B2. Автор: Hideaki Takahashi,Hidenori Tanaka. Владелец: Senqcia Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Reverberatory furnace for metal remelting

Номер патента: RU2360983C2. Автор: Владимир Александрович Трусов. Владелец: Владимир Александрович Трусов. Дата публикации: 2009-07-10.

Plant for prevention of seepage of contaminated water from waste storage and method for construction of device for trapping seeped water from waste storage

Номер патента: RU2067138C1. Автор: Вильхельм Паурат Фридрих,Паурат Дипл.-инж.Роланд. Владелец: Паурат Дипл.-инж.Роланд. Дата публикации: 1996-09-27.

Composite fabrics for balloon envelopes

Номер патента: GB538792A. Автор: . Владелец: Imperial Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1941-08-18.

Fire- and explosion-proof door structure and methods for installation thereof

Номер патента: RU2598572C1. Автор: Тимур Ахмедбекович Мирзеабасов,Дмитрий Олегович Белов. Владелец: Дмитрий Олегович Белов. Дата публикации: 2016-09-27.

Driving arrangement for twisting machines with spindles arranged on both sides

Номер патента: GB386605A. Автор: . Владелец: Barmag Barmer Maschinenfabrik AG. Дата публикации: 1933-01-19.

Reflective display device having viewable display on both sides

Номер патента: MY140901A. Автор: Clarence Chui. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

PCI to PCI bridge for transparently completing transactions between agents on opposite sides of the bridge

Номер патента: US5918026A. Автор: Khaldoun Alzien,Maria L. Melo. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Sprocket having protrusions on both sides

Номер патента: GB2430021A. Автор: Toshihiko Miyazawa. Владелец: Tsubakimoto Chain Co. Дата публикации: 2007-03-14.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Both-side recording apparatus

Номер патента: US20040239743A1. Автор: Junichi Yoshikawa,Tetsuyo Ohashi,Masahiro Taniguro,Koya Iwakura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Bioresorbable cardiovascular instruments, and operation and fabrication methods of same

Номер патента: US20240269473A1. Автор: John A. Rogers,Yeonsik Choi,Igor Efimov,Rose T. YIN. Владелец: George Washington University. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and methods for measuring shape of both sides of a plate

Номер патента: US20070184356A1. Автор: Shinichi Tanaka,Yasuyuki Kita,Katsunobu Ueda,Takanobu Akiyama,Shigetaka Akiyama. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: WO2023081543A2. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2023-05-11.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: US20230034306A1. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Systems and methods for designing and fabricating multi-layer structures having thermal expansion properties

Номер патента: US20060257096A1. Автор: Phillip Barth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Electrode fabrication and die shaping for metal-on-glass ion traps

Номер патента: WO2023081543A3. Автор: Jason Madjdi AMINI. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Microscopically structured polymer monoliths and fabrication methods

Номер патента: US09494865B2. Автор: Juan P Hinestroza,Huaning Zhu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-15.

Piston for metal die casting

Номер патента: US09463505B2. Автор: Gani MURSELAJ. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Biaxially-oriented polyolefin multi-layer film which can be sealed on both sides, and the preparation and use of the same

Номер патента: US5151317A. Автор: Lothar Bothe. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-09-29.

Microwave method for determining thermophysical characteristics of multilayer structures and products

Номер патента: RU2744606C1. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Сергей Анатольевич Мордасов,Анастасия Петровна Негуляева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования «Тамбовский государственный технический университет» (ФГБОУ ВО «ТГТУ»). Дата публикации: 2021-03-11.

Selectively expandable operative element support structure and methods of use

Номер патента: RU2604709C2. Автор: Майкл П. УОЛЛЭЙС,Роберт ГАРАБЕДЯН,Дэвид С. АТЛИ,Брент С. ГЕРБЕРДИНГ,КСЕПЕЛ Джон ДЕ. Владелец: КАВИДИН ЭлПи. Дата публикации: 2016-12-10.

Thrust reverser device fixed structure and turbojet engine nacelle having such device

Номер патента: RU2650982C2. Автор: Александр БЕЛЛАНЖЕ,Серж БЮНЕЛЬ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2018-04-18.

Composition, structure and knot of bypass pipe and of closing aid for container filled with loose material

Номер патента: RU2277476C2. Автор: Майкл Т. К. ЛИНГ,Уилль м С. ХАРСТ,Уилльям С. ХАРСТ,Лекон ВОО,Алгирдас БИНДОКАС,Патрик Т. РАЙАН,Скотт Д. ЭДВАРДС,Хенк П. БЛОМ,Атул Р. КХАРЕ. Владелец: Бакстер Интернэшнл Инк.. Дата публикации: 2006-06-10.

Apparatus for reinforcing the existing structure and apparatus for attaching additional equipment

Номер патента: RU2754690C1. Автор: Хироши КОМАТСУ,Кейго ИШИИ. Владелец: АйТиСи КОНСАЛТИНГ ИНК.. Дата публикации: 2021-09-06.

Supporting structure, prefabricated structure and method for installation of prefabricated structure

Номер патента: RU2032790C1. Автор: Виктор Дмитриевич Прохоренков,Алексей Викторович Прохоренков,Владимир Павлович Терещенко,Андрей Вячеславович Матвеев. Владелец: Андрей Вячеславович Матвеев. Дата публикации: 1995-04-10.

Flame retardant yarns and fabrics including partially aromatic polyamide fiber and other flame retardant fibers

Номер патента: RU2634242C2. Автор: Дебора М. САРЗОТТИ,Томас И. ШМИТТ. Владелец: ИНВИСТА Текстайлс (Ю.К.) Лимитед. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for injection of filler-containing suspension into fibrous structure and method for manufacture of part of composite material

Номер патента: RU2770020C2. Автор: Паскаль ДИС,Эрик Лавассери. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2022-04-14.

Sound generation method for testing structures and device for its implementation

Номер патента: RU2707587C1. Автор: Андрей Яковлевич Стерлин,Анатолий Васильевич Фурман,Станислав Константинович Ким,Сергей Александрович Куценко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2019-11-28.

Method for applying a heat-protective electrically conductive coating onto carbon fibres and fabrics

Номер патента: RU2757827C1. Автор: Владимир Петрович Панков,Вячеслав Данилович Ковалев,Денис Владимирович Панков,Сергей Васильевич Румянцев,Валерий Иванович Медведев,Анатолий Вячеславович Баженов,Владимир Иванович Табырца. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное авиационное училище летчиков имени Героя Советского Союза А.К. Серова". Дата публикации: 2021-10-21.

Stator blade structure and turbofan jet engine using such blade

Номер патента: RU2636598C2. Автор: Хироюки ЯГИ,Кенро ОБУТИ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-11-24.

Execution method of universal led bulb, led bulb, having a stopping ring structure, and a led lamp

Номер патента: RU2633361C2. Автор: Цзицян ЧЖАН,Чжэюань ЧЖАН. Владелец: Гуйчжоу Гзгпс Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of producing a workpiece with a fine-grained structure and a device for carrying it out

Номер патента: RU2659558C2. Автор: Анатолий Евгеньевич Волков. Владелец: Анатолий Евгеньевич Волков. Дата публикации: 2018-07-02.

Laminated metal sheet coated with polyester film of noncrystalline structure and method of its production, can of laminated metal sheet coated with polyester film of noncrystalline structure and method of its manufacture

Номер патента: RU2080265C1. Автор: Джон Хейес Питер,Джон Миддлтон Николас. Владелец: Си-Эм-Би Фудкэн ПЛС. Дата публикации: 1997-05-27.

Modular semi-submerged structure and method of its fabrication

Номер патента: RU2558165C2. Автор: Роберто ГОНАН. Владелец: Финкантьери С.П.А.. Дата публикации: 2015-07-27.

Mounting structure and fixture structure equipped therewith

Номер патента: RU2743644C1. Автор: Коити ИТО,Муцухиро ЙОКОМАЦУ. Владелец: Хай-Лекс Корпорейшн. Дата публикации: 2021-02-20.

Fabric printing method and fabric printing apparatus

Номер патента: EP3643504A1. Автор: Koichi Ichinose,Katsumi Dohi. Владелец: Toshin Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Lower vehicle body front structure and vehicle

Номер патента: EP4385859A1. Автор: Ren Li,Tao Zhang,Qiang Chen,Xinyu LIANG,Wenbo Wu,Yuntao Li,Shuren Zhang,Zhijie He. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure, and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: AU2020405840A1. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for assembling a plurality of devices on a satellite structure and satellite structure supporting a plurality of devices

Номер патента: US12077324B2. Автор: Andrew Walker,Franck Levallois,Vincent Claudet,Catherine Berthomieu,Carole Chossiere. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-09-03.

Sign and fabrication thereof

Номер патента: US12125418B2. Автор: Devin Perpetua. Владелец: Fujifilm North America Imaging Division. Дата публикации: 2024-10-22.

Base fabric for papermaking felt, papermaking felt, and method for producing papermaking felt

Номер патента: US20240337068A1. Автор: Yasuyuki Ogiwara. Владелец: Ichikawa Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

AUTOMATIC HEAT TREATMENT METHOD FOR METAL RING

Номер патента: US20120000265A1. Автор: Watabe Yoshiharu,Saruyama Masaomi,Tsuyuzaki Hiroyuki. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Two-layer reinforcing fabric for elastomeric coating

Номер патента: RU2507324C1. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Вадим Васильевич Жеглов,Евгений Борисович Карпов,Владимир Сергеевич Логинов,Алексей Александрович Москвин. Владелец: Закрытое акционерное общество "КОРД". Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus for metal coating mobile structural elements

Номер патента: RU2462005C1. Автор: Юрий Николаевич Майоров,Сергей Петрович Кочетов,Максим Евгеньевич Сивов,Марина Александровна Байкина. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный научно-производственный ракетно-космический центр "ЦСКБ-Прогресс" (ФГУП "ГНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"). Дата публикации: 2012-09-20.

Technological complex for manufacture of building structures and floor slab manufactured in this technological complex

Номер патента: RU2304042C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Владимир Александрович Шембаков. Владелец: Владимир Александрович Шембаков. Дата публикации: 2007-08-10.

Method of determination of side of bullet chamber by wiping sections on both sides of one-layer fibre barrier

Номер патента: RU2023231C1. Автор: Ю.В. Гальцев,Г.Э. Бахтадзе,М.Р. Бахтадзе,Р.В. Бабаханян. Владелец: Бахтадзе Гия Эдуардович. Дата публикации: 1994-11-15.

TWO-SIDE CABLE-ARRANGEMENT STRUCTURE AND ELECTRONIC APPARATUS THEREWITH

Номер патента: US20120000702A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Machine for Printing on both Sides of Stockings, Handkerchiefs, and similar Articles.

Номер патента: GB189701851A. Автор: Carl Horn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-12-04.

Mechanized storage for metal coiled strip

Номер патента: RU2111157C1. Автор: Н.А. Евдокимов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Уральский завод тяжелого машиностроения". Дата публикации: 1998-05-20.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH RESOLUTION COMPLEX STRUCTURE AND ALLOSTERIC EFFECTS OF LOW MOLECULAR WEIGHT ACTIVATORS ON THE PROTEIN KINASE PDK1

Номер патента: US20120003668A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITAET DES SAARLANDES. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Spring Bed Bottoms and in Wire Fabrics for use in the Construction thereof and of Chair Seats, Hammocks and other Articles.

Номер патента: GB190413949A. Автор: William Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-20.

Method of localization of explosion of air-dust or air-gas explosive mixtures in production equipment and structures and device for its embodiment

Номер патента: RU2111777C1. Автор: Владимир Иванович Ефремов,Евгений Федорович Жегров,Лев Иванович Семенов,Юрий Александрович Шепаров. Владелец: Юрий Александрович Шепаров. Дата публикации: 1998-05-27.

System of engineering protection against flooding of territories located on both banks of river section

Номер патента: RU2346106C1. Автор: Василий Петрович Ягин,Владимир Андреевич Вайкум,Надежда Романовна Папко,Валерий Михайлович Руднов,Тать на Витальевна Лейман,Татьяна Витальевна Лейман,Лиди Николаевна Путилина,Лидия Николаевна Путилина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская инжиниринговая компания". Дата публикации: 2009-02-10.

Evaporator for metals and alloys

Номер патента: RU2183693C2. Автор: А.В. Пастухов,Б.Н. Смирнов,В.П. Пастухов,А.А. Лубнин. Владелец: Пастухов Андрей Валерьевич. Дата публикации: 2002-06-20.

System of reading information from both sides of train on double-track section of railway

Номер патента: RU2203821C1. Автор: Н.Т. Рогатнев,М.М. Лебедев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Энергет и Ко". Дата публикации: 2003-05-10.

Improvements in Fabrics for the Manufacture of Wheel Tires, Hose, and the like.

Номер патента: GB190706654A. Автор: William Mansfield Stevenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-08-15.

Improvements in or in connection with Continuous and Rotary Presses for use in the Manufacture of Coated Fabrics, for Pressing Cloth and the like purposes.

Номер патента: GB190306865A. Автор: John Ingleby. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-05.

Improvements in the Treatment of Cotton Fabric for Imparting a Silk or Wool-like Appearance thereto

Номер патента: GB190300894A. Автор: Paul Edlich. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-02-26.

Hydraulic forming machine for metal tubes

Номер патента: MY151767A. Автор: Hsien-Wei Chou. Владелец: RIGHTWAY INDUSTRY CO Ltd. Дата публикации: 2014-07-14.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of increasing interference immunity of devices for automated fire prevention from sparking in electrical networks and electrical installations and device for its implementation

Номер патента: RU2572371C1. Автор: Алексей Николаевич Немцов,Александр Сергеевич Мкртумов,Федор Николаевич Немцов. Владелец: Федор Николаевич Немцов. Дата публикации: 2016-01-10.

Functional structure of reciprocating turning and vertical displacement of diagnostic and surgical tool elements of device of toroidal surgical robotic system with sliding lid (russian logic - version 19)

Номер патента: RU2594463C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-08-20.

Method of measurement of polarisation potential of underground metallic structure and device for its implementation

Номер патента: RU2376401C2. Автор: Юрий Алексеевич Иванов,Борис Федорович Назаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "ЭлектроХимЗащита". Дата публикации: 2009-12-20.

Horizontal machine for nonstop pouring and for metal deformation

Номер патента: RU2323801C1. Автор: Валерий Иванович Одиноков,Вячеслав Викторович Стулов,Валерий Иванович Одиноков (RU),В чеслав Викторович Стулов (RU). Владелец: Институт машиноведения и металлургии ДВО РАН. Дата публикации: 2008-05-10.

Method for heating tundish for metal continuous casting and device for its embodiment

Номер патента: RU2110363C1. Автор: В.И. Лебедев,А.Н. Ковалев,М.Г. Королев,Г.С. Чалышев,Д.Д. Козлов,Г.Б. Беремблюм,А.И. Борисов,Ю.Я. Красников. Владелец: Акционерное общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 1998-05-10.

Improvements in and relating to Doors or Panels for Metal Lockers and the like.

Номер патента: GB190620036A. Автор: James Smith Merritt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-10.

Improved Attachments for Metal Cutting and Stamping Apparatus

Номер патента: GB190420666A. Автор: George Gardner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-10-27.

Waterproof Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20120000687A1. Автор: . Владелец: Casio Hitachi Mobile Communications Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SHIELDED CABLE CONNECTING STRUCTURE AND SHIELDED CABLE CONNECTING METHOD

Номер патента: US20120000692A1. Автор: Tsuchiya Kazuhiko. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Rubberised fabric workpiece and fabrication of conveyor belt

Номер патента: RU2563700C1. Автор: Александр Алексеевич Реутов. Владелец: Александр Алексеевич Реутов. Дата публикации: 2015-09-20.

Device to perform repair and construction works, particularly on ceilings and areas near the ceilings, and method of device usage

Номер патента: RU2275481C1. Автор: Александр Павлович Жуков,пин Евгений Анатольевич Л,Евгений Анатольевич Ляпин,Константин Валерьевич Тучинский,Григорий Геннадиевич Вольных. Владелец: Григорий Геннадиевич Вольных. Дата публикации: 2006-04-27.

Method to develop soil-reinforced basements and foundations of buildings and structures and device for its realisation

Номер патента: RU2415229C2. Автор: Владимир Петрович Дыба,Татьяна Петровна Кашарина,Юрий Викторович Галашев,Анна Сергеевна Глаголева. Владелец: Анна Сергеевна Глаголева. Дата публикации: 2011-03-27.

Improvements in the Construction of the Supporting Frame Works of Wire Mattresses and Fabrics, for Bedsteads, Cots, & like Articles of Furniture.

Номер патента: GB190221844A. Автор: Robert Percy Taunton,Robert Evan Llewellyn Evans. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-08-13.

BARRIER STRUCTURE AND CONFINEMENT CRATE

Номер патента: US20120000430A1. Автор: Rauch Robert R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ATTACHING STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20120000907A1. Автор: . Владелец: FIH (HONG KONG) LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Building structure and section of building structure

Номер патента: RU2413060C1. Автор: Сергей Иванович Мазенков. Владелец: Сергей Иванович Мазенков. Дата публикации: 2011-02-27.

Structure for astronomical observations, tool for observing celestial bodies, method for assembling the structure and method for its operation

Номер патента: RU2307899C1. Автор: Владимир Михайлович Мурашев,Константин Николаевич Свиридов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО Астрофизика". Дата публикации: 2007-10-10.

Column structure and device based on said structure

Номер патента: RU2418340C2. Автор: Михаил Евгеньевич Гиваргизов. Владелец: Михаил Евгеньевич Гиваргизов. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of making heat-dissipating panel, heat-dissipating panel made using said method, panel-formed structure and heat-dissipating system

Номер патента: RU2467519C2. Автор: Йосиказу ДАММУРА,Тосиаки ИТО,Такаказу САВАДА,Эцуо ХИНО,Ясутоси ХОНДА,Гаку ОКУНО,Кацунобу ЯМАНАКА,Мунеюки ТАНАКА. Владелец: Фигла , Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-11-20.

Structure and construction method of motor roads

Номер патента: RU2365700C2. Автор: Игорь Антонович Холмянский. Владелец: Игорь Антонович Холмянский. Дата публикации: 2009-08-27.

Reflective structure and speaker

Номер патента: AU2020104332A4. Автор: DING He,Zhi Liu,Zhenhua Yang,Hailong Zhou. Владелец: Shenzhen Thousandshores Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Improvements in Hubs for Metal Wheels.

Номер патента: GB190417613A. Автор: Lawrence Zamboni. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-09-29.

Improvements in and relating to the Manufacture of Pattern Cards and Fabrics, and to Apparatus therefor.

Номер патента: GB190225749A. Автор: Curt Handwerck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-12.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.