Backside contact to a final substrate
Номер патента: US09852944B2
Опубликовано: 26-12-2017
Автор(ы): Anthony K. Stamper, Jeffrey P. Gambino, Mark D. Jaffe, Steven M. Shank
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-12-2017
Автор(ы): Anthony K. Stamper, Jeffrey P. Gambino, Mark D. Jaffe, Steven M. Shank
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Backside contact to improve thermal dissipation away from semiconductor devices
Номер патента: US11756936B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Yi-Shin Chu,Ping-Tzu Chen,Che-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.