Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
Номер патента: EP4358155A2
Опубликовано: 24-04-2024
Автор(ы): David D. Smith
Принадлежит: Maxeon Solar Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-04-2024
Автор(ы): David D. Smith
Принадлежит: Maxeon Solar Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
Номер патента: EP4358155A3. Автор: David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.