Semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20200161327A1
Опубликовано: 21-05-2020
Автор(ы): Jin Won Lee
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-05-2020
Автор(ы): Jin Won Lee
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device
Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.