MEMS structure and method of forming the same
Номер патента: US20140367805A1
Опубликовано: 18-12-2014
Автор(ы): Chia-Huei Lin, Chung-Yi Chiu, Hui-Min Wu, Kuan-Yu Wang, Kun-Che Hsieh, Li-Che Chen, Te-Yuan Wu
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-12-2014
Автор(ы): Chia-Huei Lin, Chung-Yi Chiu, Hui-Min Wu, Kuan-Yu Wang, Kun-Che Hsieh, Li-Che Chen, Te-Yuan Wu
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same
Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.