Euv photo masks and manufacturing method thereof
Номер патента: US20210397075A1
Опубликовано: 23-12-2021
Автор(ы): Yun-Yue Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-12-2021
Автор(ы): Yun-Yue Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US20200249558A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-08-06.