Roughness selectivity for mems movement stiction reduction
Номер патента: US20230264945A1
Опубликовано: 24-08-2023
Автор(ы): Chia-Chun Hung, Chia-Yu Lin, Ching-Hsiang Hu, Hsi-Cheng Hsu, Ji-Hong CHIANG, Jia-Syuan LI, Jui-Chun Weng, Kuo-Hao Lee, Lavanya SANAGAVARAPU, Yu-Pei Chiang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-08-2023
Автор(ы): Chia-Chun Hung, Chia-Yu Lin, Ching-Hsiang Hu, Hsi-Cheng Hsu, Ji-Hong CHIANG, Jia-Syuan LI, Jui-Chun Weng, Kuo-Hao Lee, Lavanya SANAGAVARAPU, Yu-Pei Chiang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device
Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.