Schemata zur Integration von Vorrichtungen unter Einsatz eines Bulk-Halbleitersubstrats mit einer <111>-Kristallorientierung
Номер патента: DE102021123323A1
Опубликовано: 21-04-2022
Автор(ы): Jeonghyun Hwang, Mark Levy, Siva P. Adusumilli
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-04-2022
Автор(ы): Jeonghyun Hwang, Mark Levy, Siva P. Adusumilli
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Monolithische Integration von diversen Vorrichtungstypen mit geteilter elektrischer Isolation
Номер патента: DE102022117158A1. Автор: Francois Hebert,Handoko Linewih. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-23.