High reliability field effect power device and manufacturing method thereof
Номер патента: US20170133471A1
Опубликовано: 11-05-2017
Автор(ы): Byoung-Gue Min, Chull Won JU, Dong Min Kang, Dong-Young Kim, Hae Cheon Kim, Ho Kyun Ahn, Hyun Wook Jung, Hyung Sup Yoon, Jae Won DO, Jong Min Lee, Jong-Won Lim, Kyu Jun CHO, Sang-Heung Lee, Seong-Il Kim
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-05-2017
Автор(ы): Byoung-Gue Min, Chull Won JU, Dong Min Kang, Dong-Young Kim, Hae Cheon Kim, Ho Kyun Ahn, Hyun Wook Jung, Hyung Sup Yoon, Jae Won DO, Jong Min Lee, Jong-Won Lim, Kyu Jun CHO, Sang-Heung Lee, Seong-Il Kim
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.