Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Metal oxide semiconductor field effect transistor for high density device and its manufacturing method

Metal oxide semiconductor field effect transistor for high density device and its manufacturing method

Номер патента: TW200411932A
Опубликовано: 01-07-2004
Автор(ы): Chien-Hung Liu, Chun-Jung Chen, Je-Ping Hu, Jian-Chiun Liu
Принадлежит: Ind Tech Res Inst
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETS) used in ink-jet head chips and method for making the same

Номер патента: US20040124449A1. Автор: Chien-Hung Liu,Je-Ping Hu,Chun-Jung Chen,Jian-Chiun Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: AR193866A1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1973-05-31.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A4. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2548058C1. Автор: Сигехару ЯМАГАМИ,Тецуя ХАЯСИ,Таку СИМОМУРА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-04-10.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Field effect transistor having delay element with back gate

Номер патента: US09520391B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Myung-Hee Na,Terence B. Hook. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Silicon nanowire device and method for its manufacture

Номер патента: US09536947B1. Автор: Murat Okandan,Paul J. Resnick,Bruce L. Draper. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69031717T2. Автор: Hiroshi Momose,Yukari Unno. Владелец: Toshiba Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-04-09.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2328283A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-05-13.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: IT8322558D0. Автор: Keizo Nomura,Tai Hoshi,Yoichiro Tamiya,Koyo Morita,Hiroschi Nishizuka,Terashiga Asakawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-08-12.

Two-dimensional (2d) material for oxide semiconductor (os) ferroelectric field-effect transistor (fefet) device

Номер патента: US20240213367A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

A field effect transistor of sic for high temperature application, use of such a transistor and a method for production thereof

Номер патента: CA2370869C. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2010-09-21.

A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SiC FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATION, USE OF SUCH A TRANSISTOR AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: WO2000065660A3. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Susan Savage. Дата публикации: 2001-03-08.

A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SiC FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATION, USE OF SUCH A TRANSISTOR AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: EP1186053A2. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2002-03-13.

A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SiC FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATION, USE OF SUCH A TRANSISTOR AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: WO2000065660A2. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2000-11-02.

A field effect transistor of sic for high temperature application, use of such atransistor and a method for production thereof

Номер патента: AU4634700A. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2000-11-10.

Two-dimensional (2D) material for oxide semiconductor (OS) ferroelectric field-effect transistor (FeFET) device

Номер патента: US11955548B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180096901A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170365529A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2808122B1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Takuji Matsumoto,Takashi Ipposhi,Yuuichi Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2316741A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-01-28.

SWITCHED-CAPACITOR CIRCUIT, A RADIO FREQUENCY DEVICE, AND A SWITCHED-CAPACITOR CIRCUIT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180269862A1. Автор: JIA Hai Long. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP3827464A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Thin film transistor, display device, and thin film transistor manufacturing method

Номер патента: US11955559B2. Автор: Shigeru Ishida,Takao Matsumoto,Yoshiaki Matsushima,Nobutake Nodera,Ryohei Takakura,Satoru Utsugi,Satoshi Michinaka. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US11901431B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Coupled-quantum-well field-effect resonant tunneling transistor for multi-valued logic/memory applications

Номер патента: US5512764A. Автор: Alan C. Seabaugh,Gary Frazier,Chad H. Mikkelson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-04-30.

Monolithic ally integrated transistors for a buck converter

Номер патента: EP3127154A1. Автор: Jun Wang,Frank Baiocchi,Haian Lin. Владелец: Texas Instruments Japan Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

Monolithically integrated transistors for a buck converter using source down MOSFET

Номер патента: US09646965B2. Автор: Jun Wang,Frank Baiocchi,Haian Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: EP4241312A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: WO2022098434A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-12.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: US20220140153A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US20170213824A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Integration of field effect transistors and schottky diodes on a substrate

Номер патента: WO2024064145A1. Автор: Pierre Dermy. Владелец: Schottky Lsi, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A2. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20140035049A1. Автор: Hui-min Huang,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A3. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-07-06.

Systems, devices, and methods for integrated voltage regulators

Номер патента: WO2023049856A9. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for determining pretreatment conditions of heat treatment furnace, pretreatment method of heat treatment furnace, heat treatment device, and heat-treated semiconductor wafer manufacturing method and manufacturing device

Номер патента: TWI740285B. Автор: 桑野嘉宏. Владелец: 日商勝高股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-21.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102021111423A1. Автор: Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102008056206A1. Автор: Tetsuo Kariya Fujii,Hitoshi Kariya Yamaguchi,Nozomu Kariya Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor devices and method, semi-conductor device manufacturing method

Номер патента: CN103681673B. Автор: 金子贵昭,砂村润,林喜宏,古武直也,齐藤忍. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200066714A1. Автор: Bo Zhang,Song Pu,Ming Qiao. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for integrally forming an electrical fuse device and a MOS transistor

Номер патента: US20070221966A1. Автор: Liang-Kai Han,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Passive devices and modules for transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1276152A2. Автор: Insang Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE2160462C2. Автор: Ronald Alfred Crawley Sussex Ford,Keith Harlow Reigate Surrey Nicholas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-05-13.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1541490A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1968-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: BE782012A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1972-10-13.

Manufacturing method for optical device, and optical device

Номер патента: US20240153985A1. Автор: Yu Wang,Zhilei HUANG,Qiujun QIN. Владелец: Beijing Seetrum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Rotated channel semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20130181215A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Fabricating method of trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09525037B2. Автор: Chun-Hong Peng,Yu-Hsi LAI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: WO2017172908A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: EP3437136A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Combined Source And Base Contact For A Field Effect Transistor

Номер патента: US20170287835A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9607982B1. Автор: Su Xing,Hsueh-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and system of a silicon controlled rectifier (SCR)

Номер патента: US09882003B1. Автор: Efraim Aharoni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-protected metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20140015053A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Hybrid complementary metal-oxide semiconductor field effect transistor nanosheet device

Номер патента: US11769796B2. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09443856B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit comprising a mosfet having ballast resistors and corresponding manufacturing method

Номер патента: WO2013002941A8. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy,Siew Yong Chui. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit comprising a mosfet having ballast resistors and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2724376A1. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy,Siew Yong Chui. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-30.

Rotated channel field effect transistor

Номер патента: US20150123124A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4378004A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-05.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: AU2022319811A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-02-15.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: WO2023006410A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-02.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4125135A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-01.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: US20240363693A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-10-31.

Coating liquid for metal oxide film formation, oxide film, field effect transistor, and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102292382B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,사다노리 아라에,미네히데 구사야나기,유이치 안도. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09559212B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

SiC field-effect transistor and use thereof as gas sensor

Номер патента: EP1186053B1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Susan Savage. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2009-12-30.

A field effect transistor of SiC for high temperature application, use of such a transistor and a method for production thereof

Номер патента: SE9901440D0. Автор: Andrei Konstantinov,Chris Harris,Susan Savage. Владелец: Ind Mikroelektronik Ct Ab. Дата публикации: 1999-04-22.

High density semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: DE3172837D1. Автор: Nobuo Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-12.

Oxide semiconductor thin films for displays, thin film transistors for displays and sputtering targets

Номер патента: JP6756875B1. Автор: 功兵 西山,元隆 越智,裕美 寺前,喬生 川原田. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2020-09-16.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69030822D1. Автор: Hideaki Oka,Satoshi Takenaka,Masafumi Kunii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-07-03.

Ferroelectric device and method of its manufacture

Номер патента: US9818869B2. Автор: Masaki Kusuhara,Masaru Umeda,Masayuki Toda,Shigeki Sakai,Mitsue Takahashi. Владелец: Wacom R&D Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE2039988A1. Автор: Stoller Arthur Irwin. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-02-25.

Flip chip semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: US20070063316A1. Автор: Ling Ma. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE10160093A1. Автор: Shigenobu Maeda,Takuji Matsumoto,Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Active area shaping for Ill-nitride device and process for its manufacture

Номер патента: US20090189187A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2009-07-30.

Vertical semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102014116625A1. Автор: Rudolf Rothmaler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-05-19.

Light emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2528604C2. Автор: Масацугу ИТИКАВА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Photovoltaic device and method of its manufacture

Номер патента: RU2541698C2. Автор: Марк ВЕРМЕЕРШ,Брюно ЭСТИБАЛЬ,Коринн АЛОНСО,Лоик ФРАНК. Владелец: Тоталь Маркетинг Сервисиз. Дата публикации: 2015-02-20.

Light-emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2537091C2. Автор: Синдзи НИСИДЗИМА,Томохидэ МИКИ,Хирото ТАМАКИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-12-27.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Display device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2521223C1. Автор: Хироюки МОРИВАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-06-27.

Laminate for light-emitting device and method of its manufacture

Номер патента: RU2663086C2. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2018-08-01.

Integrated circuit device and process for its manufacture

Номер патента: TW436946B. Автор: Kenneth Raymond Carter,James Lupton Hedrick,Richard Anthony DiPietro,Hyuk-Jin Cha,Hugh Ralph Brown. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-05-28.

Integrated circuit device and process for its manufacture

Номер патента: MY115697A. Автор: Kenneth Raymond Carter,James Lupton Hedrick,Robert Dennis Miller. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-30.

Integrated circuit device and process for its manufacture

Номер патента: US5773197A. Автор: Kenneth Raymond Carter,James Lupton Hedrick,Robert Dennis Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Integrated circuit device and process for its manufacture

Номер патента: US5962113A. Автор: Kenneth Raymond Carter,James Lupton Hedrick,Robert Dennis Miller,Do Yeung Yoon,Richard Anthony DiPietro,Hyuk-Jin Cha,John Patrick Hummel,Hugh Ralph Brown. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69329635T3. Автор: Takao Ohta-ku Yonehara,Hideya Ohta-ku Kumomi,Nobuhiko Ohta-ku Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

GALLIUM PHOSPHIDE ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2315174A1. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-01-14.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69532907T2. Автор: Tokuhiko Sakai-shi Tamaki,Tatsuo Osaka-shi Sugiyama,Hiroaki Neyagawa-shi Nakaoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69329635T2. Автор: Takao Yonehara,Nobuhiko Sato,Hideya Kumomi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor memory device and method for its manufacture

Номер патента: DE69835780T2. Автор: c/o NEC Corp. Takanori Saeki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US12068204B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

A Vertical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280700A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2021-09-09.

A vertical metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) and a method of forming the same

Номер патента: EP3622559A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Array substrate and display device and method for making the array substrate

Номер патента: US09768204B2. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Enhancement-mode field effect transistor having metal oxide channel layer

Номер патента: US09680030B1. Автор: Albert Chin,Chen-Wei Shih. Владелец: Advanced Device Research Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US11810825B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods of Forming Epitaxial Structures in Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20190157162A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US20230377987A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of Forming Epitaxial Structures in Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20200098644A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Bottom-gate transistor including an oxide semiconductor layer contacting an oxygen-rich insulating layer

Номер патента: US09502572B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20210305394A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Coating solution for forming metal oxide film, oxide insulator film, field effect transistor, display device, image display device, and system

Номер патента: JP7305933B2. Автор: 有希 中村,由希子 安部,真二 松本,定憲 新江,尚之 植田,雄司 曽根,遼一 早乙女,嶺秀 草柳. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Composition for oxide semiconductor thin film, field effect transistor using the composition, and method of fabricating the transistor

Номер патента: US20090261389A1. Автор: Kyoung Ik Cho,Chi Sun Hwang,Hye Yong Chu,Doo Hee Cho,Shin Hyuk Yang,Chun Won Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-10-22.

EL display device and electronic device

Номер патента: US09954110B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Composition for Oxide Semiconductor Thin Film, Field Effect Transistors Using the Composition and Method for Preparation thereof

Номер патента: KR100990217B1. Автор: 조경익,추혜용,황치선,변춘원,양신혁,조두희. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2010-10-29.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

Field effect transistor and preparation method thereof, display element, image display device and system

Номер патента: CN109478560A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,草柳岭秀,早乙女辽,早乙女辽一,新江定宪. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-15.

Field-effect transistor, method for manufacturing the same, and wireless communication device and commodity label using the above

Номер патента: TWI698035B. Автор: 脇田潤史,村瀬清一郎,崎井大輔. Владелец: 日商東麗股份有限公司. Дата публикации: 2020-07-01.

Insulated gate field effect transistor and method of manufacturing same, and image pickup device and method of manufacturing same

Номер патента: US8188523B2. Автор: Hiroyuki Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Termination trench structure for MOSgated device and process for its manufacture

Номер патента: TW200840042A. Автор: Ling Ma. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130075804A1. Автор: LEE Seong-Jae,KIM Taeyoub,Jun Myungsim,KIM Yark-Yeon,JANG Moon-Gyu,CHOI Chel-Jong,PARK Byoungchul. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-03-28.

High density flash memory device and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008062974A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-05-29.

High density flash memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US8035157B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-11.

Connection storage grid storage unit and its operation and manufacture method

Номер патента: CN104600076B. Автор: 骆志炯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-11.

Superjunction device and process for its manufacture

Номер патента: US20040097038A1. Автор: Zhijun Qu,Kenneth Wagers,Daniel Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-05-20.

Non-volatile semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69316858D1. Автор: Takeshi Okazawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-12.

Charge transfer device and method for its manufacture

Номер патента: DE69027349D1. Автор: Katsuyuki Saito,Maki Sato,Akio Izumi,Koji Otsu,Tadakuni Narabu,Yasuhito Maki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-07-18.

Manufacturing method of soi high-voltage power device

Номер патента: US20120021569A1. Автор: Dawei He,Zhongjian Wang,Dawei Xu,Xinhong Cheng,Chao Xia,Yuehui Yu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160336392A1. Автор: Tomita Nobuyuki,TOMINAGA Takaaki,KAWABATA Naoyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Dual gate mosfet devices and pre-charging techniques for dc link capacitors

Номер патента: US20240007084A1. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual gate MOSFET devices and pre-charging techniques for DC link capacitors

Номер патента: US11955974B2. Автор: Benjamin Schmidt,Dirk Ahlers,Manuel Wilke,Jonas Groenvall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Ohmic contact structure and manufacturing method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240258395A1. Автор: Wangping WANG,Jieli TAN,Jiangshi XU. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

METHOD FOR PRELIMINARY CLEANING AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILMS OF LOW-TEMPERATURE SILICON, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016124648A. Автор: Лунсянь ЧЖАН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor-on-insulator device and method for its manufacture

Номер патента: US4262299A. Автор: William E. Ham. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-14.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1540875A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-09-27.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102010000729A1. Автор: Tetsuo Kariya-city Fujii,Masaki Kariya-city Inoue. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: GB9312825D0. Автор: . Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1993-08-11.

The stripping off device and stripping means and the manufacture method of electronic device of substrate

Номер патента: CN103972133B. Автор: 伊藤泰则,宇津木洋,泷内圭. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-25.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Transceiver device and method for its manufacture

Номер патента: RU2770237C1. Автор: Владимир Денисович Бурцев,Дмитрий Сергеевич Филонов,Татьяна Сергеевна Вошева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-04-14.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having asymmetric lightly doped drain regions

Номер патента: US09583618B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

High mobility power metal-oxide semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US09437424B2. Автор: Deva Pattanayak,Kuo-In Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

High mobility power metal-oxide semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US09425043B2. Автор: Deva Pattanayak,Kuo-In Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Active device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170194501A1. Автор: Ya-Ju Lu,Chin-Tzu Kao,Jin-Chuan Guo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Super-high density trench MOSFET

Номер патента: US09431530B2. Автор: Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,Karl Lichtenberger,Robert Q. Xu. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20200185522A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: US20240128323A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-04-18.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20190393340A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: EP3815147A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Applications of two-dimensional silicon carbide as the channel layer in field-effect transistors

Номер патента: US20230352538A1. Автор: Sakineh CHABI. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for forming planar metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US20220238674A1. Автор: Lei Zhong,Qintao Zhang,Samphy Hong,David Jon Lee,Felix Levitov,Carlos CABALLERO,Durgaprasad Chaturvedula. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: US20200105925A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332429A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Coating liquid for forming metal oxide film, metal oxide film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US09748097B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor, its manufacturing method and display device

Номер патента: US09653578B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets

Номер патента: WO2005124871A2. Автор: MIN Yang,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Meikei Ieong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-29.

Silicon carbide power mos field effect transistors and manufacturing methods

Номер патента: EP1576672A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: EP3857606A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-08-04.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: WO2020068697A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2020-04-02.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451826A1. Автор: Seungho YANG,Jun Hyung LIM,Sangwoo SOHN,Yeon Keon Moon,Eun Hyun Kim,Hyunjun JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09691905B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09496138B2. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Complementary metal-oxide semiconductor transistor logic using strained SI/SIGE heterostructure layers

Номер патента: US5534713A. Автор: Khaled E. Ismail,Frank Stern. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: US20120129305A1. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A3. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A2. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Metal-oxide semiconductor (MOS) field effect transistor having extremely shallow source/drain zones and silicide terminal zones, and a process for producing the transistor circuit

Номер патента: US4885617A. Автор: C. A. Mazure-Espejo,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-05.

Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220052176A1. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653614B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukie Suzuki,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method of TFT array substrate

Номер патента: US09647013B2. Автор: XIANG Liu,Jianshe XUE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Mosfet device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4270490A1. Автор: Xiang Li,Yukai Zhang,Zhiping Xie,Maojie CONG,Xinying LIANG. Владелец: Yuezhou Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for fabricating field-effect transistor

Номер патента: US20120009745A1. Автор: Wen-Han Hung,Tzyy-Ming Cheng,Meng-Yi Wu,Shyh-Fann Ting,Cheng-Tung Huang,Li-Shian Jeng,Kun-Hsien Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234431A1. Автор: Hyung Jun Kim,Jun Hyung LIM,Eok Su Kim,Kyung Jin JEON,Yun Yong NAM,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20230387137A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Junghwan Kim. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-11-30.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Wide bandgap high-density semiconductor switching device and manufacturing process thereof

Номер патента: US09711599B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna,Fabrizio Roccaforte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

WIDE BANDGAP HIGH-DENSITY SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20150372093A1. Автор: Saggio Mario Giuseppe,RASCUNÁ Simone,ROCCAFORTE Fabrizio. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

High density semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100898752B1. Автор: 이성재,박병철,장문규,김태엽,전명심,최철종,김약연. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-05-25.

Group 13 nitride semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP2662884A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Stephan Heil,Romain Delhougne,Hans Broekman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-11-13.

SEMI-CONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: NL162512B. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co. Дата публикации: 1979-12-17.

Group 13 nitride semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: US9147732B2. Автор: Stephan Heil,Romain Delhougne,Hans Broekman,Johannes Theodorus Marinus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-09-29.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20050186752A1. Автор: Motohisa Noguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240304498A1. Автор: Rui Ju,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Hongxu Shao. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

A lateral field effect transistor of sic, a method for production thereof and a use of such a transistor

Номер патента: CA2361752C. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2011-05-10.

IMPROVED µ-LED PROJECTION DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20240248381A1. Автор: Sergey Khrushchev,Christian Gammer,Philip Pikart. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

High density organic bridge device and method

Номер патента: US09548264B2. Автор: Mihir K. Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stefanie M. Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of storing GaN substrate, stored substrate, and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: TW200805549A. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-01-16.

MULTI-SPECTRAL LIGHT-SENSITIVE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012143942A. Автор: Сяопин ХУ. Владелец: БОЛИ МЕДИА КОММУНИКЕЙШНЗ (ШЭНЬЧЖЭНЬ) КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2013116877A. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-10-20.

Cooling device and method for its manufacture

Номер патента: TW507520B. Автор: Wilfried Dr Hofmann. Владелец: NFT Nanofiltertechnik GmbH. Дата публикации: 2002-10-21.

HYBRID CORE SUBSTRATE ARCHITECTURE FOR HIGH SPEED SIGNALING AND FLI/SLI RELIABILITY AND ITS MAKING

Номер патента: US20210125932A1. Автор: Chavali Sri Chaitra Jyotsna. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

High-density interconnection three-dimensional integrated device packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115527972A. Автор: 郝杰,俞国庆,叶义军. Владелец: Lixin Precision Intelligent Manufacturing Kunshan Co ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium

Номер патента: TWI220999B. Автор: Masato Hamatani,Toshio Tsukakoshi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-09-11.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20190019755A1. Автор: Roy Mihir K.,Jen Wei-Lun Kane,Lotz Stefanie M. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125349A1. Автор: Roy Mihir K.,Lotz Stefanie M.,Jen Wei-Lun Kane. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160133552A1. Автор: Roy Mihir K.,Lotz Stefanie M.,Jen Wei-Lun Kane. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

High density organic bridge device and method

Номер патента: SG2013093521A. Автор: Mihir K Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stephanie M Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

High density organic bridge device and method

Номер патента: KR101706997B1. Автор: 미히르 케이 로이,스테파니 엠 랏츠,웨이-룬 케인 젠. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-02-15.

High density organic bridge device and method

Номер патента: JP6677380B2. Автор: ケー ロイ、ミヒル,エム ロッツ、ステファニー,ケイン ジェン、ウェイ−ルン. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

High density organic bridge device and method

Номер патента: EP2747136A1. Автор: Mihir K Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stephanie M Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

High density organic bridge device and method

Номер патента: JP6572495B2. Автор: ケー ロイ、ミヒル,エム ロッツ、ステファニー,ケイン ジェン、ウェイ−ルン. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: BR102013032406A2. Автор: Mihir K Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stefanie M Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

High density organic bridge device and method

Номер патента: US12002762B2. Автор: Mihir K Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stefanie M Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Buried power bus utilized as a sinker for high current, high power semiconductor devices and a method for providing the same

Номер патента: US6894393B1. Автор: John Durbin Husher. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Iii nitride crystal substrate, and light-emitting device and method of its manufacture

Номер патента: KR20090056829A. Автор: 히로아키 요시다,신스케 후지와라. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-06-03.

III Nitride crystal substrate, and light-emitting device and method of its manufacture

Номер патента: EP2067884B1. Автор: Hiroaki Yoshida,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Processes and packaging for high voltage integrated circuits, electronic devices, and circuits

Номер патента: US20080081423A1. Автор: Laurence P. Sadwick,Ruey-Jen Hwu,Mohammad M. Mojarradi,Jehn-Huar Chern. Владелец: Innovate LLC. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor-on-insulator device and method of its manufacture

Номер патента: WO2004017398A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Stabilized photovoltaic device and methods for its manufacture

Номер патента: US20070256734A1. Автор: Subhendu Guha,Chi Yang,Baojie Yan,Guozhen Yue. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2007-11-08.

Integrated circuit device and process for its manufacture

Номер патента: US5883219A. Автор: Kenneth Raymond Carter,Craig Jon Hawker,James Lupton Hedrick,Robert Dennis Miller,Do Yeung Yoon,Richard Anthony DiPietro,Daniel Joseph Dawson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1220353A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-05-24.

A semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1577951A2. Автор: Patrick Un Siong c/o Toshiba Res. Europe Ltd See,Andrew James c/o Toshiba Res. Europe Ltd Shields. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: GB2331846B. Автор: Akira Matsumoto,Tadahiko Horiuchi,Ko Noguchi,Shinya Ito,Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo,Takashi Ishigami,Yoshinari Matsumoto,Noriaki Oda,Masahiko Nakamae,Yoshihasa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-10.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: US20050233600A1. Автор: Patrick See,Andrew Shields. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

MONOCRISTAL DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2358921A1. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-17.

Low-ohmic conductor for a semiconductor device and process for its manufacture

Номер патента: EP0023241B1. Автор: Karlheinrich Dr. Horninger,Ulrich Dr. Schwabe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of its manufacture

Номер патента: WO1999065083A1. Автор: Kenichi Kuroda,Satoshi Meguro,Shoji Shukuri. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 1999-12-16.

Stabilized photovoltaic device and methods for its manufacture

Номер патента: WO2008060683A2. Автор: Subhendu Guha,Chi Yang,Baojie Yan,Guozhen Yue. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE69231290D1. Автор: Junichi Kasai,Mitsutaka Sato,Masanori Yoshimoto,Kouichi Takeshita. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 2000-08-31.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: KR860001586B1. Автор: 히로시 고또. Владелец: 후지쑤 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 1986-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1161869B. Автор: MASUDA Masachika,Murakami Gen. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-03-18.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2015145191A. Автор: Йосинори КУМУРА. Владелец: Кабусики Кайся Тосиба. Дата публикации: 2017-04-28.

Non-volatile memory device and method for its manufacture

Номер патента: DE10206057B4. Автор: Weon-ho Suwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: IT8420481D0. Автор: Mitsumasa Koyanagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-04-10.

The manufacture method and the mobile body drive method of mobile body device, pattern formation device and pattern formation method, device manufacturing method, mobile body device

Номер патента: CN101611470A. Автор: 青木保夫,工藤芳彦,白数广. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-12-23.

Plate member substrate holding device exposure device and exposure method and device manufacturing method

Номер патента: KR101261658B1. Автор: 히로유키 나가사카,도모하루 후지와라. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-05-07.

HEMT device and self-isolation method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113394096B. Автор: 郭炜,叶继春,徐厚强,戴贻钧. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2022-05-31.

Transition device for flexible device and preparation method therefor, and manufacturing method for flexible device

Номер патента: WO2019227955A1. Автор: 龚云平. Владелец: 浙江清华柔性电子技术研究院. Дата публикации: 2019-12-05.

Mobile device, exposure device and exposure method, and component manufacturing method

Номер патента: TWI454859B. Автор: 田中慶一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-10-01.

Organic el display device and organic el display device manufacturing method

Номер патента: US20190341576A1. Автор: Takashi Ochi,Akihiro Matsui,Takeshi Hirase,Tohru Sonoda,Tohru Senoo,Hisao Ochi,Jumpei Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Electrode for cell of energy-accumulating device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2444816C2. Автор: Евген КАЛИНУШКИН,Петер НОВАК. Владелец: Наноэнер Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-03-10.

Multi-core fibre for optical pumping device and method for its manufacture; optical pumping device; fibre laser and fibre amplifier

Номер патента: RU2439627C2. Автор: Содзи ТАНИГАВА,Митихиро НАКАИ. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2012-01-10.

Stationary electric induction device and method of its manufacture

Номер патента: RU2516256C2. Автор: Кийокацу АКИМОТО,Кей ТАКАНО,Син ЯМАДА,Осаму ХОСОКАВА,Такеси ТИГИРИ. Владелец: Кабусики Кайся Тосиба. Дата публикации: 2014-05-20.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Separator for electrochemical device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2535205C1. Автор: Сатоси НЭМОТО,Ёсихару МАТИЙ,Эри МУРАКАМИ. Владелец: Токусю Токай Пейпер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-12-10.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Field transistor, display element, image display device and system

Номер патента: RU2702802C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-10-11.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for fabricating metal-oxide- semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20120329259A1. Автор: Wen-Han Hung,Tsai-Fu Chen,Tzyy-Ming Cheng,Ching-Sen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (ledmosfet) with tapered dielectric plates to achieve a high drain-to-body breakdown voltage, a method of forming the transistor and a program storage device for designing the transistor

Номер патента: US20130001589A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having a relatively high doped region in the channel for improved linearity

Номер патента: US20020125509A1. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming shielding polysilicon sidewall for protecting shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11749735B2. Автор: YI Su,Hong Chang. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180122921A1. Автор: Sen Zhang,Shukun QI,Guipeng Sun,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

Lateral field effect transistor

Номер патента: EP1089330A3. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-09-24.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing a depletion type double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US4902636A. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-02-20.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2494600A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US09972274B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11894458B2. Автор: Li Lu,Ling Yang,Longxing Shi,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Qichao Wang,Jiaxing WEI,Dejin Wang,Ran Ye. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-05-19.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20200303561A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuichi Ando,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Impact ionization devices, and methods of forming impact ionization devices

Номер патента: US09373716B2. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for manufacturing double-diffused metal-oxide semiconductor fieldeffect transistor device and the device thereby manufactured

Номер патента: CA1306313C. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Field-effect transistor, method for producing the same, display element, image display device, and system

Номер патента: SG11201900069UA. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806198B2. Автор: Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: US20230290788A1. Автор: Chih-Cheng Tsai,Te-Chen Chung,Xingang Wang,Huilong Zheng. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Performance-enhanced vertical device and method of forming thereof

Номер патента: US09847416B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09613990B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide field-effect transistors

Номер патента: US11894454B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) with bottom p-wells and deep p-wells

Номер патента: WO2024006912A1. Автор: Dongyoung Kim,Seung Yup Jang,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for The State University of New York. Дата публикации: 2024-01-04.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Trenched DMOS devices and methods and processes for making same

Номер патента: US20040232482A1. Автор: Tommy Lai,Johnny Sin. Владелец: Analog Power Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: US20240248353A1. Автор: Huan Yang,Shengdong Zhang,Congwei Liao,Te-Chen Chung,Xiaoliang Zhou,Qingping LIN,Zhongfei Zou. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Trenched dmos devices and processes for making same

Номер патента: WO2004102673A3. Автор: Kin On Johnny Sin,Mau Lam Tommy Lai. Владелец: Analog Power Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Dielectric metal oxide cap for channel containing germanium

Номер патента: US20180374928A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Ashish Agrawal,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Field-effect transistor, method for producing the same, display element, image display device, and system

Номер патента: US11018262B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Field-effect transistor, method for producing the same, display element, image display device, and system

Номер патента: EP3488470A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Mos field -effect transistor and method of making the same

Номер патента: WO2012068201A3. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068201A2. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570617B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Self-aligned metal oxide thin-film transistor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564536B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Metal oxide and field-effect transistor

Номер патента: US20230282648A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Amplified dual-gate bio field effect transistor

Номер патента: US09689835B2. Автор: Rashid Bashir,Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Trench mosfet device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2012079456A1. Автор: Jiakun Wang. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Compound semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: US5236854A. Автор: Yukio Higaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of Preparing and Storing GaN Substrate, Prepared and Stored GaN Substrate, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20110278588A1. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

High density serial capacitor device and methods of making such a capacitor device

Номер патента: US20140159199A1. Автор: Ki Young Lee,Sanggil Bae,Tony Joung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

GROUP 13 NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20130299846A1. Автор: Donkers Johannes Theodorus Marinus,Heil Stephan,Delhougne Romain,Broekman Hans. Владелец: NXP B.V. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CN1470080A. Автор: 中田仗v,中田仗祐. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20100237456A1. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102009034953A1. Автор: Hirokazu Toyota-shi Fujiwara,Masaki Toyota-shi Konishi,Takeshi Kariya-city Endo,Eiichi Kariya-city Okuno,Takeo Kariya-city Yamamoto,Yukihiko Aichi-gun Watanabe,Takashi Aichi-gun Katsuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

High density semiconductor memory device (MBC cell)

Номер патента: US5274258A. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-12-28.

Embedded sonos with triple gate oxide and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2018231410A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ali Keshavarzi,Igor Kouznetsov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

High density gate array cell structure and its manufacture

Номер патента: JPH10335612A. Автор: Jonathan Schmitt,シュミット ジョナサン,Timothy V Statz,ブイ．スタッツ ティモシー. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND GOODS TAG INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190378998A1. Автор: MURASE Seiichiro,Wakita Junji,SAKII Daisuke. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230010940A1. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-01-12.

PHOTOGALVANICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011151076A. Автор: Марк ВЕРМЕЕРШ,Брюно ЭСТИБАЛЬ,Коринн АЛОНСО,Лоик ФРАНК. Владелец: Тоталь Са. Дата публикации: 2013-06-20.

DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012141311A. Автор: Хироюки МОРИВАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-05-27.

LIGHT OUTPUT DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2013157522A. Автор: ДЕЛЬДЕН Мартинус Херманус Вильхельмус Мария ВАН,Хендрикус Хюбертус Петрус ГОММАНС,Джованни ЧЕННИНИ,Хюго Йохан КОРНЕЛИССЕН,Цзянхун ЮЙ,Леон Вильхельмус Годефридус СТОФМЕЛ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2015-07-20.

High density interconnection structure, semiconductor chip comprising this structure and manufacturing method.

Номер патента: FR2701336B1. Автор: Rose James Wilson,Cole Herbert Stanley Jr. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-11-10.

Cap for a chip device having a groove, device provided with said cap, assembly consisting of the device and a wire element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09888573B2. Автор: Jean Brun,Dominique Vicard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-06.

HIGH DENSITY SERIAL CAPACITOR DEVICE AND METHODS OF MAKING SUCH A CAPACITOR DEVICE

Номер патента: US20140159199A1. Автор: Lee Ki Young,BAE Sanggil,Joung Tony. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20200294924A1. Автор: Roy Mihir K.,Lotz Stefanie M.,Jen Wei-Lun Kane. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

HIGH-DENSITY FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Lue Hang-Ting,Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-05.

Heat removal device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2152697C1. Автор: Бернд ТИБУРТИУС,Хельмут КАЛЬ. Владелец: ЭМИ-тек Электронише Материалиен ГмбХ. Дата публикации: 2000-07-10.

Universal housing for an electronic semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1394855A2. Автор: Bernd Goller,Holger Wörner,Robert-Christian Hagen,Gerald Ofner,Christian Stümpfl,Stefan Wein. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-03.

SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELECTRICAL DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: IT987041B. Автор: . Владелец: Bosch Gmbh Robert. Дата публикации: 1975-02-20.

Asymmetric conductivity device and method for its manufacture

Номер патента: FR1463714A. Автор: . Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1966-12-23.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE102012211424B4. Автор: Masao Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Radiation-emitting device and method for its manufacture

Номер патента: DE102006055884B4. Автор: Dr. Klein Markus,Florian Schindler. Владелец: Pictiva Displays International Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1144882B. Автор: Hideharu Yamamoto,Hiroshi Tsuneno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-29.

ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: IT975882B. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1974-08-10.

Solid state electroluminescent device and process for its manufacture

Номер патента: DE69323884T2. Автор: LOMBARDO SALVATORE,Polman Albert,FERLA GIUSEPPE,Ugo Campisano Salvatore,Nicolaas Ba Ede Van Gerard. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 1999-07-22.

Advanced semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1529481A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1968-06-14.

OPTOELECTRONIC DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1156085B. Автор: Alessandro Stano,Padova Matteo De. Владелец: Cselt Centro Studi Lab Telecom. Дата публикации: 1987-01-28.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: DE1141029B. Автор: Hans Schering,Dipl-Ing Erich Waldkoetter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1962-12-13.

SEMICONDUCTIVE DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1161868B. Автор: Murakami Gen,Gappa Takeshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-03-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1152455B. Автор: USAMI Tamotsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-31.

SPIN DEVICE, AND OPERATING METHOD THEREFOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200058339A1. Автор: HONG Jin Pyo,PARK Hae Soo. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2020-02-20.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102203305B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-01-14.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102311833B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-10-12.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US11410586B2. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Spin device, and operating method therefor and manufacturing method therefor

Номер патента: US10885960B2. Автор: Jin Pyo Hong,Hae Soo PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-05.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: EP2905805A4. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US20210407354A1. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device and driving method thereof and manufacturing method of display substrate

Номер патента: WO2020062798A1. Автор: Guodong Liu,Donghui Zhang,Zhenyu Han,Xiaoye MA,Huan Ni,Xiaofang GU,Ruifang DU. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device and adhesive film used for manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5976326B2. Автор: 謙司 大西,俊平 田中,雄一郎 宍戸,文輝 浅井. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor unit, semiconductor device, light-emitting device, display device and method, semi-conductor device manufacturing method

Номер патента: CN106133930A. Автор: 大前晓,片冈祐亮,大桥达男,西中逸平,琵琶刚志. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device and mold used in this manufacturing method

Номер патента: JP3902846B2. Автор: 景仁 西林. Владелец: ユー・エム・シー・ジャパン株式会社. Дата публикации: 2007-04-11.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200043997A1. Автор: Sonoda Tohru,OCHI Takashi,TAKAHASHI Jumpei,MATSUI Akihiro,HIRASE TAKESHI,SENOO TOHRU,OCHI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190189713A1. Автор: Kondo Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200303670A1. Автор: Kawato Shinichi,Ohara Masanori,Koike Eiji,Niboshi Manabu,Tsukamoto Yuto,ITO Asae,Mitsui Seiichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190341576A1. Автор: Sonoda Tohru,OCHI Takashi,TAKAHASHI Jumpei,MATSUI Akihiro,HIRASE TAKESHI,SENOO TOHRU,OCHI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20150214384A1. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-07-30.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20170317219A1. Автор: Kenneth L. Shepard. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-11-02.

Systems and methods for CMOS-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US09741870B2. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-08-22.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Method for manufacturing metal-oxide-semiconduct or field-effect transistors

Номер патента: WO2012071990A1. Автор: Alihajy Aliyeu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Heterogeneous structures comprising III-V semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US11735643B2. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: EP1586119A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-19.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: WO2004064172A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Linear capacitors for high temperature applications

Номер патента: WO1996000982A1. Автор: Gary R. Gardner,Michael S. Liu. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1996-01-11.

Multiple carbon nanotube transfer and its applications for making high-performance carbon nanotube field-effect transistor (CNFET), transparent electrodes, and three-dimensional integration of CNFETs

Номер патента: US09748421B2. Автор: Chung Chun Wan,Subhasish Mitra,H.-S. Philip Wong,Nishant P. Patil. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230066509A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US20170309947A1. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Battery manufacturing method and battery manufacturing apparatus

Номер патента: US09935330B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

FEED-THROUGH INSULATOR FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2327629A1. Автор: Peter Massek,Guenther Matthaeus,Peter Dr Penczynski. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-12-12.

Electrode active material layer manufacturing device, and electrode active material layer manufacturing method employing same

Номер патента: EP4443545A1. Автор: Takahiro Ogawa,Yuto HOSONO. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Optical device and method for its manufacture

Номер патента: US20110149364A1. Автор: Andrew James Shields. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Field emission cathode device and method for its manufacture

Номер патента: DE4405768A1. Автор: Till Keesmann,Hubert Grosse-Wilde. Владелец: Till Keesmann. Дата публикации: 1995-08-24.

An optical device and method for its manufacture

Номер патента: GB2366666B. Автор: Andrew James Shields. Владелец: Toshiba Research Europe Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Laser light source device and laser light source device manufacturing method

Номер патента: JP6173303B2. Автор: 昌史 井出,剛男 小味山,薫 依田. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-02.

Expanding unit, multiple aperture plasma membrane manufacture device and multiple aperture plasma membrane manufacture method

Номер патента: CN107098190A. Автор: 渡边耕一郎,渡边耕郎,高冈裕二. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Power converter for high power density

Номер патента: US11750089B2. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Power converter for high power density applications

Номер патента: US20230412070A1. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power converter for high power density applications

Номер патента: US12015336B2. Автор: Lin Chen,Zhiqiang Niu,Ziwei Yu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Resistive processing units with complementary metal-oxide-semiconductor non-volatile analog memory

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Resistive RAM devices and methods

Номер патента: US09634250B2. Автор: Joseph N. Greeley,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Dye for photoelectric conversion device and photoelectric conversion device

Номер патента: US09424999B2. Автор: Mitsuhiro Okada,Masahiro Shinkai,Junji Tanabe,Toru Yano,Yusuke Kubota,Atsushi Monden,Yohei Aoyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Battery cell, battery, electrical device, and manufacturing method and device for battery cell

Номер патента: EP4429012A2. Автор: Zhijun Guo,Qingkui Chi,Kun FANG,Linlin Zhu,Zhisheng CHAI. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

High-density energy directing devices for two-dimensional, stereoscopic, light field and holographic head-mounted displays

Номер патента: US20230408757A1. Автор: Jonathan Sean KARAFIN,Brendan Elwood BEVENSEE. Владелец: Light Field Lab Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Series-fed antenna, communication device, and method for manufacturing series-fed antenna

Номер патента: EP4135128A1. Автор: Yuxiang Zhou,Jie Peng,Xiaopan YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

A kind of mechanical interlock mechanism for high-voltage vacuum circuit breaker device and its operating method

Номер патента: CN109038341A. Автор: 陈佳成,许见和,许海忠. Владелец: Hangzhou Zhijiang Switchgear Stock Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

WINDING OF THE INDUCTION DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016117884A. Автор: Людмила Михайловна Пестряева,Александр Андреевич Майер. Владелец: Александр Андреевич Майер. Дата публикации: 2017-11-10.

ANTI-ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2015113847A. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Дмитрий Вильямович Крыльский,Сергей Владимирович Филин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики". Дата публикации: 2016-11-10.

Antenna device and method for its manufacture

Номер патента: SE9903954D0. Автор: Stefan Moren. Владелец: Allgon Ab. Дата публикации: 1999-11-01.

Damage prevention electrode assembly, damage prevention electrode assembly manufacturing device, and damage prevention electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP4435913A1. Автор: Ju Hwan Baek,Jin Soo Lee,Seung Bae Lee,Kwang Un JO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: NZ542327A. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2007-12-21.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board therefor

Номер патента: CA2516977C. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2012-02-21.

Antenna duplexer and its design method ,manufacturing method and communication device

Номер патента: CN100342581C. Автор: 中村弘幸,关俊一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

CASE OF THE SWITCHING DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016122431A. Автор: Петр Васильевич Смирнов,Владимир Алексеевич Архипов,Дмитрий Николаевич Макаров,Андрей Геннадьевич Полутов,Андрей Николаевич Самойлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА"). Дата публикации: 2017-12-11.

ELECTROMAGNETIC INDUCTION DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2018134176A. Автор: Сяопин ХУ. Владелец: Болимедиа Холдингз Ко. Лтд.. Дата публикации: 2020-04-01.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: US7401402B2. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2008-07-22.

Discharge cathode device and method for its manufacture

Номер патента: FR2696867A1. Автор: Nagano Shinichirou. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-15.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board therefor

Номер патента: CA2516977A1. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: Peter Bresche. Дата публикации: 2004-09-23.

Electrochemical device and process for its manufacture

Номер патента: DE2818559C2. Автор: Des Erfinders Auf Nennun Verzicht. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 1983-01-05.

Fixing device and method for its manufacture

Номер патента: EP3239537B1. Автор: Hans-Georg Engbarth,Heinrich Bartholomäus Eyckmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for high-frequency tuning an electrical device,and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: RS20050693A. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: Adc Gmbh.. Дата публикации: 2006-12-15.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: HK1090245A1. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2006-12-15.

Semiconductor laser device and method for its manufacture

Номер патента: DE1764147A1. Автор: Willmott Kenneth Nash Knight. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1971-05-19.

Light-emitting device and method for its manufacture

Номер патента: DE69528334T2. Автор: Masanobu Yamamoto,Tadashi Kiyomiya,Toshio Ohoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Emitting visible light semiconductor laser device and method for its manufacture

Номер патента: RU2761318C1. Автор: Максим Владимирович Рябко,Александр Сергеевич ШОРОХОВ,Алексей Андреевич Щекин. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-12-07.

Waveguide device and method for its manufacture

Номер патента: DE69720105D1. Автор: Anders Qvist,Kennet Berntsson,Per Glinder. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-04-30.

Miniature x-ray device and method of its manufacture

Номер патента: WO2002056952A3. Автор: Ali Jaafar,Victor I Chornenky,Enusung Park,Graham S Kerslick,Mark Gailloux. Владелец: Medtronic AVE Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Electric cable comprising a novel screen device, and method for its manufacture

Номер патента: FR1098107A. Автор: Louis Domenach. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1955-07-18.

Coil device and method for its manufacture

Номер патента: DE60137612D1. Автор: Keiji Inoue,Jun Nagai,Tadahiro Matsumoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for high-frequency tuning an electrical device, and a printed circuit board suitable therefor

Номер патента: US20060264106A1. Автор: Ulrich Hetzer,Peter Bresche. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2006-11-23.

Waveguide device and method for its manufacture

Номер патента: SE9601955D0. Автор: Anders Qvist,Kennet Berntsson,Per Glinder. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1996-05-23.

Magnetically operated switching device and method for its manufacture

Номер патента: DE2001188A1. Автор: Gregory John Edward Reginald,Clarke Edward Frederick. Владелец: Flight Refuelling Ltd. Дата публикации: 1970-07-30.

STATIONARY INDUCTION ELECTRICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012132969A. Автор: Кийокацу АКИМОТО,Кей ТАКАНО,Син ЯМАДА,Осаму ХОСОКАВА,Такеси ТИГИРИ. Владелец: Кабусики Кайся Тосиба. Дата публикации: 2014-02-10.

Self-regulating conductive heating device and method for its manufacture

Номер патента: DE112015003311T5. Автор: Jack Barfuss,Syed Rafat Iqbal. Владелец: GENTHERM CANADA LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Electrical heating device and method of its manufacture

Номер патента: US7288749B1. Автор: Igor Papirov,Irina Loktev,Vladimir Kominar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-30.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4318740A1. Автор: Xiaoming Ge,Manman Wang,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Lithium-ion battery manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: US20240014436A1. Автор: Shinya Kobayashi,Hideaki Horie,Ryosuke KUSANO,Yusuke Nakashima,Mayu NAITOU. Владелец: APB Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Composite ceramics composition for ultra high frequency device and ceramic substrate thereby and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230099059A. Автор: 김동현,신효순,김효태. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2023-07-04.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Left handed body, wave guide device and antenna using this body, manufacturing method for this body

Номер патента: US20110012791A1. Автор: Bernard Viala,Evangéline Benevent,Kevin Garello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-20.

Cold cathode display device and cold cathode display device manufacturing method

Номер патента: CN1557011A. Автор: 彦,西村邦彦,中田修平. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Target for neutron-generating device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2644390C2. Автор: Казуки ЦУТИДА. Владелец: Ягами Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-12.

Manufacturing method for semi-finished part for electric contacts, semi-finished part and electric contact part

Номер патента: RU2501133C2. Автор: Андреас КРАУС,Хельмут ХАЙНЦЕЛЬ,Эвелин МАЛЕ-МЁСНЕР,Йоханн ВЕНЦ. Владелец: Додуко Гмбх. Дата публикации: 2013-12-10.

Electro-luminescent device and method for its manufacture

Номер патента: RU2269876C2. Автор: Паскаль МАГЭН,Рене УИНАН. Владелец: Решерш Е Девелопман Дю Груп Кокрилл Самбр. Дата публикации: 2006-02-10.

Triboelectric generating device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2745850C1. Автор: Чарльз Кисеок СОНГ. Владелец: Чарльз Кисеок СОНГ. Дата публикации: 2021-04-02.

Laminate for light emitting device and method for its manufacture

Номер патента: RU2666962C2. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2018-09-13.

Signal acquisition device for high-voltage loop, detector, battery device, and vehicle

Номер патента: US20190158054A1. Автор: Jia Xu,Wei Zhang,Zhimin Dan,Yizhen HOU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Combination of image display device and diffractive optical filter and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Makoto Okada,Daisuke Seki,Yosuke SAKOHIRA. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Dye for photoelectric conversion device and photoelectric conversion device

Номер патента: US20150027542A1. Автор: Mitsuhiro Okada,Masahiro Shinkai,Junji Tanabe,Toru Yano,Yusuke Kubota,Atsushi Monden,Yohei Aoyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009084798A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: DUKSAN HI-METAL CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-09.

STATIC ELECTRICITY DISCHARGER DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1142952B. Автор: Uno Kenkichi. Владелец: Kohkoku Inc. Дата публикации: 1986-10-15.

Switch device and method for its manufacture.

Номер патента: DE68913220D1. Автор: Hiroshi Matsuda,Kunihiro Sakai,Osamu Takamatsu,Kiyoshi Takimoto,Haruki Kawada,Yuko Morikawa,Hisaaki Kawade. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-03-31.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE (OPTIONS)

Номер патента: RU2006137039A. Автор: Матс ЙОХАНССОН,Ханс Гуде Гудесен,Пер-Эрик НОРДАЛ,Гёран ГУСТАФССОН,Матс САНДБЕРГ,Гжеорг ГРЕЧИНСКИ,Пер КАРЛСЕН,Линда АНДЕРССОН,Матс ЙОХАНССОН (SE),Ханс Гуде ГУДЕСЕН (BE),Геран ГУСТАФССОН (SE),Пер-Эрик НОРДАЛ (NO),Матс САНДБЕРГ (SE),Гжеорг ГРЕЧИНСКИ (SE),Пер КАРЛСЕН (NO),Линда АНДЕРССОН (SE). Владелец: Тин Филм Электроникс Аса (No). Дата публикации: 2008-05-10.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100272598A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: Duksan Hi Metal Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Flexible printed laminate board manufacturing device and flexible printed laminate board manufacturing method

Номер патента: KR102385839B1. Автор: 히데아키 다나카,야스유키 이토,다카시 나카오,요시타카 노모토. Владелец: 니폰 메크트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-11.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Cover structure for a wireless communication device and method in its manufacture as well as a wireless communication device

Номер патента: US20010038528A1. Автор: Timo Herranen,Jyri Rauhala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US11980101B2. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-05-07.

HIGH DENSITY ORGANIC BRIDGE DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20140174807A1. Автор: Roy Mihir K.,Jen Wei-Lun Kane,Lotz Stephanie M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Piezoelectric motor with rotor position detector and its piezomotor stator manufacturing method

Номер патента: KR100341871B1. Автор: 로랜드루디어. Владелец: 아스라브 쏘시에떼 아노님. Дата публикации: 2002-11-29.

Tubular thermoelectric module and its structural element manufacturing method

Номер патента: RU2615211C2. Автор: Рольф БРЮКК,Вильфрид МЮЛЛЕР. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2017-04-04.

Electric luminescent device and process of its manufacture

Номер патента: RU2227340C2. Автор: Ирина КИРЮЩЕВ,Лев ЗАЙДЕНБЕРГ. Владелец: ВИССОН АйПи, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2004-04-20.

A kind of PCB radiating subassemblies, PCB circuit devcies and its radiating and manufacture method

Номер патента: CN106961786A. Автор: 李红雨,姜桂宾. Владелец: Zhuhai Enpower Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Support coil with mechanical locking device and method for its manufacture

Номер патента: EP2022152A1. Автор: Thilo Simonsohn. Владелец: Tyco Electronics Raychem GmbH. Дата публикации: 2009-02-11.

Electric Heating Device And Method For Its Manufacture

Номер патента: US20210033303A1. Автор: Kachelhoffer Patrick,Walz Kurt. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SIGNAL ACQUISITION DEVICE FOR HIGH-VOLTAGE LOOP, DETECTOR, BATTERY DEVICE, AND VEHICLE

Номер патента: US20190158054A1. Автор: ZHANG Wei,XU Jia,Dan Zhimin,Hou Yizhen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Organic electroluminescence device and method of its manufacture

Номер патента: KR100538608B1. Автор: 호소카와지시오,히가시히사히로,사카이도시오. Владелец: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-12-22.

Organic electroluminescence device and method of its manufacture

Номер патента: US6531234B1. Автор: Chishio Hosokawa,Hisahiro Higashi,Toshio Sakai. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-11.

LAMINATE FOR LIGHT EMISSION DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016117270A. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2017-11-15.

Electrical device and method for its manufacture

Номер патента: FR1488875A. Автор: . Владелец: Sybron Corp. Дата публикации: 1967-07-13.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1375693A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1964-10-23.

Thermoelectric device and method for its manufacture

Номер патента: FR1538733A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1968-09-06.

Elastic boundary wave device and method of its manufacture

Номер патента: EP0920129B1. Автор: Naoyuki Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

ELECTRICAL SURFACE HEATING DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: SE7909526L. Автор: H D Altmann,E Haupt. Владелец: Bauerhin Gmbh I G. Дата публикации: 1980-05-21.

Elastic boundary wave device and method of its manufacture

Номер патента: EP0920129A4. Автор: Naoyuki Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

LAMINATED MATERIAL FOR A LIGHT-RADIATING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016104511A. Автор: Йоунг-Сеонг ЛИ,Дзин-Воо ХАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2017-08-18.

Surface wave device and process for its manufacture

Номер патента: DE602005024473D1. Автор: Atsushi Takano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Anchor in a rotating electrical device and method for its manufacture

Номер патента: DE112006003155T5. Автор: Masaki Kiryu Taguchi. Владелец: Mitsuba Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Surface acoustic wave device and method for its manufacture

Номер патента: DE69424887D1. Автор: Kenjiro Higaki,Hideaki Nakahata,Akihiro Hachigo,Shinichi Shikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-07-20.

One kind is used for high voltage converter pre-charging device and method

Номер патента: CN106877709A. Автор: 司伟. Владелец: Nanjing Sky Electrical Engineering Technology Co Ltd Of Middle Smelting China. Дата публикации: 2017-06-20.

Data phase correction method for high-speed serial communication, electronic device, and storage medium

Номер патента: CN112260814B. Автор: 蔡鹏�,钟锋浩,方建正. Владелец: Hangzhou Changchuan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Thermoelectric device and process for its manufacture

Номер патента: CH442453A. Автор: J Mole Cecil,M Wepfer William. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-31.

Organic electroluminescence device and method of its manufacture

Номер патента: EP1033904A1. Автор: Chishio Hosokawa,Hisahiro Higashi,Toshio Sakai. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-06.

Electroluminescent device and method for its manufacture

Номер патента: EP1826821A2. Автор: SHAHROL IZZANNI Abdul Manaf,Silvio Grespan. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-08-29.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: FR1413866A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1965-10-15.

Support coil with mechanical locking device and method for its manufacture

Номер патента: AU2007253582A1. Автор: Thilo Simonsohn. Владелец: Tyco Electronics Raychem GmbH. Дата публикации: 2007-11-29.

High dynamic range image sensing device and image sensing method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103139488A. Автор: 刘智民. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

Spin device, and operating method therefor and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2018080159A1. Автор: 홍진표,박해수. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-05-03.

Metal heating body, metal heating device, and metal heating body manufacturing method

Номер патента: US20230328846A1. Автор: Ruguo Hu. Владелец: Wuhu Aldoc Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

WIRELESS POWER TRANSFER DEVICE, SUPPLIED-POWER CONTROL METHOD FOR WIRELESS POWER TRANSFER DEVICE, AND WIRELESS-POWER-TRANSFER-DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160056638A1. Автор: Hatanaka Takezo,TSUDA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

COMBINATION OF IMAGE DISPLAY DEVICE AND DIFFRACTIVE OPTICAL FILTER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Okada Makoto,Seki Daisuke,SAKOHIRA Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

CAP FOR A CHIP DEVICE HAVING A GROOVE, DEVICE PROVIDED WITH SAID CAP, ASSEMBLY CONSISTING OF THE DEVICE AND A WIRE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150230336A1. Автор: Brun Jean,Vicard Dominique. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-08-13.

Wireless power transfer device, supplied-power control method for wireless power transfer device, and wireless-power-transfer-device manufacturing method

Номер патента: EP2985879A4. Автор: Hisashi Tsuda,Takezo Hatanaka. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: WO2010087211A1. Автор: 三河巧,有田浩二,三谷覚,藤井覚. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814A. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814B. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Organic light-emitting element, light source device and organic light-emitting element manufacturing method

Номер патента: WO2013011833A1. Автор: 広貴 佐久間,荒谷　介和,石原　慎吾,俊一郎 信木. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2013-01-24.

Organic el display device, and organic el display device manufacturing method

Номер патента: WO2018066038A1. Автор: 通 園田,久雄 越智,越智　貴志,純平 高橋,剛 平瀬,亨 妹尾,松井　章宏. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2018-04-12.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Interocclusion device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2468769C2. Автор: Фрэнк М. ЛЕСНЯК. Владелец: Хэйлофт Энтерпрайзес, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Set of blades for hair cutting device and method of its manufacture

Номер патента: RU2632339C2. Автор: Мартинус Бернардус СТАПЕЛЬБРУК,Ян ВАН ДАЛЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-10-04.

Wood chopping device and method of its manufacture

Номер патента: RU2656967C2. Автор: Микко ХЕЙНЕ,Мика СОККА,Теему САНДЕЛИН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-06-07.

Input device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2690968C1. Автор: Иван Александрович Корин,Николай Николаевич Бурдин,Вадим Вадимович Пальчиковский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2019-06-07.

Damping device and method of its manufacture

Номер патента: RU2656202C2. Автор: Горник ТОМАШ,Цзыз ПЕТР,Вагалик ЗДЕНЕК. Владелец: Хэнон Системз. Дата публикации: 2018-05-31.

Ultrasonic device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2310522C2. Автор: Тони АМАТО,Майкл Джон КРЕЙН. Владелец: Сонико Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Peptide-attached pillar[5]arene for highly permeable and selective artificial water channel, and its synthesis and characterization

Номер патента: WO2019182517A1. Автор: Qing Li,Rong Wang,Choon Hong Tan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-26.

Light slab, connection device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2576584C1. Автор: Бруно РАЙТЕР,Хельмут НЕРФ. Владелец: Фриц Эггер Гмбх Унд Ко. Ог. Дата публикации: 2016-03-10.

Drop dispensing device and method for its manufacture

Номер патента: CA1284284C. Автор: Philip M. Kimball. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: AU5466700A. Автор: . Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2000-12-28.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: CA2291411C. Автор: Alexander Dubson. Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Fastening Device and Method for its Manufacture

Номер патента: US20230375027A1. Автор: Jan Müller,Albert Sbongk,Gerit Vollmer,Melanie Sindel. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Water treatment device and ion concentration adjusted water manufacturing method

Номер патента: EP3842130A1. Автор: Yasushi Shimizu,Toshio Takagi,Katsuyuki Murata,Naoto TANIGAKI. Владелец: Kotobuki Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Volume solid electrolyte for high-temperature electrotechnical devices and method of its manufacturing

Номер патента: RU2422952C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Сергей Николаевич Паранин,Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Владимир Рудольфович Хрустов,Сергей Николаевич Шкерин,Алексей Викторович Никонов,Виктор Владимирович Иванов (RU),Сергей Николаевич Шкерин (RU),Владимир Рудольфович Хрустов (RU),Александр Сергеевич Липилин (RU),Алексей Викторович Никонов (RU),Алексей Викторович Спирин (RU),Сергей Николаевич Паранин (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт электрофизики Уральского отделения РАН (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2011-06-27.

Lightweight structural panel, device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2381337C2. Автор: Леонхард ШИТТЕР. Владелец: М. Кайндль. Дата публикации: 2010-02-10.

Method of testing for high-intensity shock effects of devices and equipment

Номер патента: RU2745342C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва». Дата публикации: 2021-03-24.

Liquid-crystal optical device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2415452C2. Автор: Сатоси НИИЯМА,Реми ТАНАКА. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-03-27.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US12121064B2. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

High-density lipoprotein assay device and method

Номер патента: CA2473244C. Автор: Ronald M. Jones,Thomas E. Worthy,Anthony J. Nugent. Владелец: Cholestech Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C9. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-03-19.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C2. Автор: Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев,Алексей Сергеевич Чувашнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-01-11.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: CA3165445C. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Display device and display panel thereof, and manufacturing method for display device

Номер патента: US20210165295A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Electronic atomization device and atomization assembly thereof, and manufacturing method of atomization assembly

Номер патента: US20220071290A1. Автор: Chunfeng Zhang,Hongming Zhou,Jianxin XIAO,Caiqiang ZHU,Chaoyong BIE. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: WO2014066152A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-01.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: EP2912772A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) based voltage regulator circuit

Номер патента: EP3980858A1. Автор: Bernard James Griffiths. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Methods and devices for high-sensitivity memory interface receiver

Номер патента: US09767888B1. Автор: Thomas Evan Wilson,Hari Anand Ravi,Balbeer Singh Rathor. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

BUILDING ELEMENT, DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE AND A LAMINATED PANEL MANUFACTURED FROM A BUILDING ELEMENT

Номер патента: RU2004103528A. Автор: Йозеф ШТУТЦ,Йозеф ШТУТЦ (CY). Владелец: Кроноспан Текникал Компани ЛТД. (CY). Дата публикации: 2005-07-10.

Drop dispensing device and method for its manufacture

Номер патента: AU588208B2. Автор: Philip M. Kimball. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1989-09-07.

Driving device and method for a droplet injecting nozzle, film manufacturing device and method, electronic machine and manufacturing method of device

Номер патента: TWI237596B. Автор: Hidenori Usuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Driving device and method for a droplet injecting nozzle, film manufacturing device and method, electronic machine and manufacturing method of device

Номер патента: TW200402365A. Автор: Hidenori Usuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

High density nanowire hydrogen gas sensor and its fabrication method

Номер патента: KR100655640B1. Автор: 이관희,이우영,박호동,전민홍,정원용. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-12-11.

GRID STRUCTURE, AND ALSO THE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2018101983A. Автор: АЛЛЬМЕН Ханс-Петер ФОН. Владелец: Геобругг Аг. Дата публикации: 2019-07-24.

Material adapted for high-frequency welding and process and appa ratus for its manufacture

Номер патента: GB1306505A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-02-14.

PURIFIED SILICON AND DEVICES AND SYSTEMS FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2022102529A. Автор: Роберт М. ШОУОЛТЕР. Владелец: МИЛУОКИ СИЛИКОН, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2022-03-03.

BODY FOR RAILWAY VEHICLE WITH HITCH MOUNTING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2013118100A. Автор: Томас ШВИГЕЛЬ,Торстен ЗОН,Кристиан ГАЛЛЕ,Георг КУССАТЦ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2014-10-27.

WORKING SURFACE OF A HOUSEHOLD WASHING OR DRYING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2004137060A. Автор: Янез УПЛАЗНИК,Йоже КАТАНЕК,Боян ОРЕШНИК,Йоже ЛАХ,Франк КОШЕК,Душан ГОШНИК,Янез УПЛАЗНИК (SI),Йоже КАТАНЕК (SI),Бо н ОРЕШНИК (SI),Йоже ЛАХ (SI),Франк КОШЕК (SI),Душан ГОШНИК (SI). Владелец: ГОРЕНЕ д.д. (SI). Дата публикации: 2006-05-27.

PACKAGING CONTAINER WITH OPENING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016130971A. Автор: Бенгт ХОКАНССОН,Пер ШАРФЕНОРТ,Терезе ЭКЛУНД,Клаудия ЛЯЙДИНГЕР,Карин МАРКОВЕККЬО,Карл НОРДЕНШЕЛЬД,Пер ОЛЬССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-02-06.

DAMPING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2016101544A. Автор: Горник ТОМАШ,Цзыз ПЕТР,Вагалик ЗДЕНЕК. Владелец: Хэнон Системз. Дата публикации: 2017-10-09.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

High density holes thin wall honeycomb ceramic extrusion mold and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101259637A. Автор: 潘吉庆. Владелец: CHUANGDAO AOFU FINE CERAMICS Co Ltd BEIJING. Дата публикации: 2008-09-10.

Peptide-attached pillar[5]arene for highly permeable and selective artificial water channel, and its synthesis and characterization

Номер патента: SG11202004694YA. Автор: Qing Li,Rong Wang,Choon Hong Tan. Владелец: Univ Nanyang Tech. Дата публикации: 2020-06-29.

Organ with microchannel imitates device and its use and manufacture method

Номер патента: CN104328050B. Автор: 唐纳德·E·英格贝尔,胡东恩. Владелец: Childrens Medical Center Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

A kind of metallic aluminium fiber melt-blowing device and its melt-blown manufacture method

Номер патента: CN107876788A. Автор: 袁洋,殷世春. Владелец: Jiangsu Wodesai Mold Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Additive manufacturing method and device for ceramic and composite thereof

Номер патента: US11890780B2. Автор: Cheng Yang,Guilan Wang,Hai'ou Zhang,Xiaoqi Hu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856B1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Fiber Reinforced Putty, Device And Method For Its Manufacture, Device And Method To Make Laminates And Other Finished Parts From The Putty, And A Laminate Made From The Putty

Номер патента: US20130196138A1. Автор: Fusco Luciano. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Mixing device and method for its manufacture

Номер патента: CA1319679C. Автор: Jeffrey C. Widen,Richard B. Kennedy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-06-29.

Stone paving kit and a device and method for its manufacture

Номер патента: FI942353A. Автор: Gerhard Hagenah. Владелец: Sf Koop Gmbh Beton Konzepte. Дата публикации: 1994-05-20.

Fiber reinforced putty, device and method for its manufacture, device and method to make laminates and other finished parts from the putty, and a laminate made from the putty

Номер патента: WO2011116923A2. Автор: Luciano Fusco. Владелец: Luciano Fusco. Дата публикации: 2011-09-29.

Enveloping pipe or the like for prestressed concrete, devices and methods for its manufacture and their various applications

Номер патента: FR1487218A. Автор: Oskar Weise. Владелец: . Дата публикации: 1967-06-30.

Coupons for high temperature gas pathway components with manufacturing support mechanisms and their manufacturing methods

Номер патента: JP6937621B2. Автор: ハインド・キャベイン,マティアス・ホーベル. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-09-22.

DEFORMABLE TUBULAR CONTAINER AND ITS ONE PIECE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2627463B1. Автор: . Владелец: Simon Patrick. Дата публикации: 1990-06-15.

A kind of sandwich structure divertor module and its integrally formed manufacturing method

Номер патента: CN109036590A. Автор: 王冲,文世峰,周燕,杨展,段隆臣,谭松成,方小红. Владелец: Wuhan Huake 3d Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

CONTAINER FOR DAIRY PRODUCTS AND DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: ATE33809T1. Автор: Gerard Jean-Marie Charpentier. Владелец: MONOPLAST SA. Дата публикации: 1988-05-15.

FORM-BLASTED STEP SCANNER AND DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING.

Номер патента: NO894034D0. Автор: Wolfram Schiemann. Владелец: Schiemann Dr Wolfram. Дата публикации: 1989-10-10.

Writing device and protective device and method for its manufacture provided for this

Номер патента: DE2142641A1. Автор: Der Anmelder Ist. Владелец: Smagala Romanoff, Edward Anthony, Beverly, Mass (V St A ). Дата публикации: 1972-03-02.

Mixing device and method for its manufacture

Номер патента: US4863276A. Автор: Jeffrey C. Widen,Richard B. Kennedy. Владелец: Total Foam Inc. Дата публикации: 1989-09-05.

A case for storing eyelash extensions and its use and manufacturing method

Номер патента: JP2023129458A. Автор: LOTTI Sahara,ロッティ サハラ. Владелец: Lashify Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin cooling system, cooling fins and its increasing material manufacturing method

Номер патента: CN108161002A. Автор: 王智勇,刘学胜,何欢,闫岸如,曹明真. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-06-15.

Bonded tab and tooling device and method for its manufacture

Номер патента: EP2899013B1. Автор: Steven D Bye. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-07-26.

Drop dispensing device and method for its manufacture

Номер патента: AU7725187A. Автор: Philip M. Kimball. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1988-03-17.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: TW464544B. Автор: Alexander Dubson. Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2001-11-21.

HYDRO (PNEUMO) DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2018117550A. Автор: Кодзи ХАРА,Юсуке САИТО,Коициро ИСИБАСИ. Владелец: СМСи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-11-11.

ULTRASONIC DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2005118068A. Автор: Тони АМАТО,Майкл Джон КРЕЙН,Тони АМАТО (GB),Майкл Джон КРЕЙН (GB). Владелец: Сонико Лимитед (Gb). Дата публикации: 2006-02-27.

LOCKING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2010100924A. Автор: Герри МЕЙВИН,Тимоти СТЕФЕНСОН,Герри МЕЙВИН (GB),Тимоти СТЕФЕНСОН (GB). Владелец: Портола Пекеджин Лимитед (Gb). Дата публикации: 2011-08-10.

Precast concrete element as well as device and method for its manufacture.

Номер патента: FR2719518A1. Автор: Klotzek Peter. Владелец: HM BETONFERTIGTEILWERK HANS MA. Дата публикации: 1995-11-10.

WOUND TRANSPORT DEVICE AND BLANK FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2579183A1. Автор: Jerry Franklin Wilson. Владелец: Manville Corp. Дата публикации: 1986-09-26.

Multiple reflection device and method for its manufacture

Номер патента: FR1142186A. Автор: . Владелец: Kodak Pathe SA. Дата публикации: 1957-09-13.

WOUND TRANSPORT DEVICE AND BLANK FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2579183B1. Автор: Jerry Franklin Wilson. Владелец: Manville Corp. Дата публикации: 1990-06-08.

FLEXIBLE LAMINATED CHARACTER DISK FOR A WRITING DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: IT1016590B. Автор: . Владелец: Olivetti & Co Spa. Дата публикации: 1977-06-20.

MIXING DEVICE AND METHODS FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: ES2032889T3. Автор: Ronald J. Weetman,Richard A. Howk. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1993-03-01.

STATIC MIXING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2010137105A. Автор: Эрвин КРУМБЕК,Эрвин КРУМБЕК (AT). Владелец: Грубер Унд Ко Гроуп Гмбх (At). Дата публикации: 2012-08-10.

OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2004104348A. Автор: Збинек РИЗИ,Кеннет Джон ДРИНКУОТЕР,Франтишек МАТЕЙКА,Збинек РИЗИ (CZ),Кеннет Джон ДРИНКУОТЕР (GB),Франтишек МАТЕЙКА (CZ). Владелец: Оптальио Лимитед (Gb). Дата публикации: 2005-03-27.

KNIFE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2005103834A. Автор: Гюнтер БЕЛЛЬМАНН,Сильвано ФРЕТИ,Гюнтер БЕЛЛЬМАНН (CH),Сильвано ФРЕТИ (CH). Владелец: Бтг Эклепенс С.А. (Ch). Дата публикации: 2005-07-20.

Packing container opening device and method of its manufacture

Номер патента: RU2102295C1. Автор: Недштедт Улф. Владелец: Тетра Лаваль Холдингз энд Файнэнс. Дата публикации: 1998-01-20.

Damping device and method of its manufacture

Номер патента: RU2677410C1. Автор: Горник ТОМАШ,Цзыз ПЕТР,Вагалик ЗДЕНЕК. Владелец: Хэнон Системз. Дата публикации: 2019-01-16.

Pourout device and method of its manufacture

Номер патента: RU2091279C1. Автор: Райль Вильхельм,Кноблох Герд,Пуш Готтфрид. Владелец: Тетра Лаваль Холдингз Энд Файненс С.А.. Дата публикации: 1997-09-27.

Tamper-proof container closure device and method for its manufacture

Номер патента: CH467703A. Автор: Marcel Henri. Владелец: Marcel Henri. Дата публикации: 1969-01-31.

Suction orifice tube for refrigerating device and device for its manufacturing

Номер патента: RU2377479C2. Автор: Детлеф ЦИСЛИК,Торстен КУСНИК,Альфред МАДЕР. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2009-12-27.

FILTERING DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING.

Номер патента: NO852856L. Автор: Marshall Graham Bailey. Владелец: Thule United Ltd. Дата публикации: 1986-01-22.

INVISIBLE ANCHORING DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: NL7805954A. Автор: . Владелец: THIRIET FILS SARL. Дата публикации: 1978-12-05.

Nozzle device and method for its manufacture

Номер патента: DE102021209272A1. Автор: Christopher Weber. Владелец: SMS group GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Body for rail vehicle with hitch mounting device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2548711C2. Автор: Томас ШВИГЕЛЬ,Торстен ЗОН,Кристиан ГАЛЛЕ,Георг КУССАТЦ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2015-04-20.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011152315A. Автор: Ясухиро КОХАРА,Акира Накагава. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-07-27.

TUBULAR HEAT-INSULATING DEVICE AND METHODS OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2003102620A. Автор: ГРЕГОРИО Пьераттилио ДИ,РОККА Марко ДЕЛЛА,Мануэль ПУЛЬЗОНИ,ГРЕГОРИО Пьераттилио ДИ (IT),РОККА Марко ДЕЛЛА (IT),Мануэль ПУЛЬЗОНИ (IT). Владелец: Саес Геттерс С.п.А. (IT). Дата публикации: 2004-09-20.

Filtering Device and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20090101554A1. Автор: Norbert Strassenberger,Anton Kreiner,Bernd Büchner,Anton Rabanter. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2009-04-23.

Durable composite piece for use as a high pressure sealing ring with instrument connection devices and method for its manufacture

Номер патента: DE2926447C3. Автор: Albert Quincy Odessa Tex. Butler. Владелец: El Paso Polyolefins Co 07652 Paramus Nj Us. Дата публикации: 1982-10-07.

Microfluidic device and method for its manufacture

Номер патента: DE102020210276A1. Автор: Franz Laermer,Hannah Bott,Aaron Doerr. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-02-17.

WATER WALKING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2017130451A. Автор: Геннадий Леонидович Багич. Владелец: Геннадий Леонидович Багич. Дата публикации: 2017-10-23.

Composite table device and method for its manufacture

Номер патента: DE602004002670D1. Автор: Yin-Chu Lai. Владелец: LAYANA Co. Дата публикации: 2006-11-16.

Superoleophobic device and method for its manufacture

Номер патента: DE102012208190B4. Автор: Hong Zhao,Kock-Yee Law. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Storage device, container with such device and method of its manufacture

Номер патента: RU2669235C2. Автор: Габор ФАЗЕКАШ,Михай РИДЕГ. Владелец: Габор ФАЗЕКАШ. Дата публикации: 2018-10-09.

UNPACKING DEVICE AND METHOD, AND UNPACKED CONTENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130125517A1. Автор: GOMI Kazuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2013-05-23.

Triple-sheet manufacturing method and soldered using this device, and residual flux pickup cartridges manufacturing method and cartridges

Номер патента: KR101425715B1. Автор: 홍성철. Владелец: 홍성철. Дата публикации: 2014-07-31.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: US20240166560A1. Автор: Yusuke Fujiwara,Izuru Kashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-Dimensional Shaping Device And Three-Dimensional Shaped Object Manufacturing Method

Номер патента: US20230405934A1. Автор: Masaaki Ogihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

The stripping off device and stripping means and the manufacture method of electronic device of substrate

Номер патента: CN103972142B. Автор: 伊藤泰则,宇津木洋,泷内圭. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: WO2021006043A1. Автор: 出 鹿島,祐輔 藤原. Владелец: Ａｇｃ株式会社. Дата публикации: 2021-01-14.

Air packaging device and inflation valve thereof and manufacturing method

Номер патента: TWI609824B. Автор: hui-ping Nie. Владелец: Nie hui ping. Дата публикации: 2018-01-01.

Glass substrate, cover glass, assembly, assembly manufacturing method, in-vehicle display device, and in-vehicle display device manufacturing method

Номер патента: EP3998242A4. Автор: Yusuke Fujiwara,Izuru Kashima. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

High-pressure tank liner manufacturing device and high-pressure tank liner manufacturing method

Номер патента: US20230417369A1. Автор: Takaharu Sato,Shinya Sato,Mikio Ishiyama,Yuka Kishi,Junya YOSHIOKA. Владелец: Yachiyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

WATER TREATMENT DEVICE AND ION CONCENTRATION ADJUSTED WATER MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210214247A1. Автор: Takagi Toshio,Shimizu Yasushi,Murata Katsuyuki,TANIGAKI Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

THREE-DIMENSIONAL SHAPING DEVICE AND THREE-DIMENSIONAL SHAPED OBJECT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Saito Koichi,YUWAKI Kohei,GOZU Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Metal band stabilizing device and hot-dip metal band manufacturing method

Номер патента: WO2017110667A1. Автор: 雄亮 石垣,西名　慶晃. Владелец: Ｊｆｅスチール株式会社. Дата публикации: 2017-06-29.

Liquid crystal display device and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: WO2012017883A1. Автор: 祐一郎 山田,智至 榎本,菊地　英夫,真伸 水▲崎▼,仲西　洋平,健史 野間,祐樹 原. Владелец: 東洋合成工業株式会社. Дата публикации: 2012-02-09.

Filament three-dimensional conjugate manufacturing device and filament three-dimensional conjugate manufacturing method

Номер патента: JP6909823B2. Автор: 晃 水野,水野　晃,昌和 小島,将志 渕上,成孝 牧野. Владелец: Airweave Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A9. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A1. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

Medical devices comprising a porous metal oxide or metal material and a polymer coating for delivering therapeutic agents

Номер патента: CA2647308C. Автор: Rajesh Radhakrishnan,Chandru Chandrasekaran. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2014-06-17.

Adaptive writing method for high density optical recording device and its circuit

Номер патента: CN1245329A. Автор: 金成洙,赵明昊,高成鲁,大塚达宏,安龙津,徐赈教,尹斗燮,李垌根,朱盛晨,杨苍镇,卢明道,金宗圭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-23.

A kind of hot-rolled round steel for high carbon manganese and chrome grinding ball and its manufacturing method

Номер патента: CN108385031A. Автор: 李俊峰,王忠伟,邹建国. Владелец: TIANJIN ROCKCHECK STEEL GROUP. Дата публикации: 2018-08-10.

The excellent steel wire for high strength spring of anticorrosion stress-resistant and its manufacturing method

Номер патента: CN108220805A. Автор: 全英洙,金汉辉,李炳甲,金宽镐. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-29.

Occlusion device and method for its manufacture

Номер патента: US09877726B2. Автор: Xiangdong Liu,Weijun Zeng. Владелец: Lifetech Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Read-out device and procedure for its manufacture

Номер патента: EP1430464A1. Автор: Henrik Henriksen Bladt. Владелец: Bang and Olufsen AS. Дата публикации: 2004-06-23.

Read-out device and procedure for its manufacture

Номер патента: EP1430464B1. Автор: Henrik Henriksen Bladt. Владелец: Bang and Olufsen AS. Дата публикации: 2005-01-26.

A kind of ecological aquaculture high density stereo breeding device and its application method

Номер патента: CN110089490A. Автор: 张永辉. Владелец: 张永辉. Дата публикации: 2019-08-06.

Microelctronic device and method of its manufacture

Номер патента: WO2002101342A3. Автор: William Lane,Paul Lambkin. Владелец: Nat Microelectronic Res Ct. Дата публикации: 2004-02-12.

Microelctronic device and method of its manufacture

Номер патента: WO2002101342A2. Автор: William Lane,Paul Lambkin. Владелец: National Microelectronic Research Centre. Дата публикации: 2002-12-19.

Charge-Trapping Memory Device and Methods for its Manufacturing and Operation

Номер патента: US20080279004A1. Автор: Tholasampatti Subramanian Sudhindra Prasad. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Compound paper yarn, compound paper yarn manufacturing device, and compound paper yarn manufacturing method

Номер патента: EP3957784A1. Автор: Toru Itoi. Владелец: Itoi LSR Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Occlusion device and method for its manufacture

Номер патента: US09532772B2. Автор: Hans-Reiner Figulla,Robert Moszner,Friedrich Moszner,Florian Krizanic. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2017-01-03.

A kind of feed S. cervisiae high density fermentation culture medium formula and its application

Номер патента: CN104403953B. Автор: 卢向阳,方俊,符晨星. Владелец: Hunan Agricultural University. Дата публикации: 2018-09-18.

High-temperature reflecting optical device and process of its manufacture

Номер патента: RU2169935C1. Автор: Барри Джон МАЙЛЗ,Курт Огг ВЕСТЕРМАН. Владелец: Бвкс Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2001-06-27.

Composition for high performance glass, high performance glass fiber and its product

Номер патента: JP5674274B2. Автор: ダグラス エイ ホフマン,ダグラス エイ ホフマン,ピーター ビー マクギニス,ピーター ビー マクギニス. Владелец: オーシーヴィー インテレクチュアル キャピタル リミテッド ライアビリティ カンパニー. Дата публикации: 2015-02-25.

STENT PREVENTING OWN MIGRATION AND DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2013156816A. Автор: То-Хён ПАК,Чон-Чхэ ПАК,Пён-Юн КИ. Владелец: Эм.Ай. ТЕК КО., ИНК.. Дата публикации: 2015-06-27.

High density carbon fiber felt and process for its manufacture.

Номер патента: DE69009797D1. Автор: Hirofumi Kyutoku,Kouichi Yamamoto,Yoshihisa Otani. Владелец: Japan Felt Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-21.

High density glassy carbon material and process for its manufacture.

Номер патента: DE69113828D1. Автор: Kazuo Saito,Yutaka Takahashi,Toshio Suzuki,Akira Takaku,Toshimasa Hashimoto. Владелец: Nisshin Spinning Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-23.

Waste plastic high density volume reduction molding machine and its exhaust method

Номер патента: JP4847800B2. Автор: 正治 中村,泰彦 森. Владелец: Nippon Steel Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Centrifugal pump suitable for high temperature and high coagulating point medium and its use method

Номер патента: CN101354044B. Автор: 赵伟平. Владелец: Beijing Aerospace Petrochemical Technology and Equipment Engineering Corp Ltd. Дата публикации: 2010-12-22.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012125271A. Автор: Коити МИЯТИ,Иитирох ИНОУЕ,Хидетоси НАКАГАВА,Акихиро СЕХРАКУ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

WEAR PROTECTION DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2008149687A. Автор: Лех МОЧУЛЬСКИ,Майкл Айс БЕНЗОН,Джеспер Вайс ФОГ,Майкл Айс БЕНЗОН (DK),Лех МОЧУЛЬСКИ (DK),Джеспер Вайс ФОГ (DK). Владелец: МАН ДИЗЕЛЬ, Филиал аф МАН Дизель СЕ, Тискланд (DK). Дата публикации: 2010-06-27.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011134665A. Автор: Ясуси АСАОКА,Еидзи САТОХ,Казухиро ДЕГУТИ,Саюри ФУДЗИВАРА,Такафуми МАЦУДА,Кацухиро МИКУМО,Казунори ТАНИМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-04-20.

WEARABLE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2014106218A. Автор: Мартин АУВЕРКЕРК,Йоанне Хенриэтта Дезире Моник ВЕСТЕРИНК. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2015-08-27.

AUTOMATICALLY OPENING PACKAGING FOR A MEDICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2004131539A. Автор: Джон Дж. АЛЛЕН,Джон Дж. АЛЛЕН (US). Владелец: Лайфскен, Инк. (Us). Дата публикации: 2005-06-27.

GAS MEASURING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2010117371A. Автор: Л. Родни БРИСТОЛ,Л. Родни БРИСТОЛ (US). Владелец: Скотт Текнолоджиз, Инк. (Us). Дата публикации: 2011-11-10.

High-density disk recording medium having a reflecting surface and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100470027B1. Автор: 김진용,박경찬,김외열. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-02-04.

High density fiber optic device and bandwidth

Номер патента: DK2443497T3. Автор: Terry L Cooke,Harley J Staber,Kevin L Strause,Alan W Ugolini,Jr David L Dean. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-06-02.

High-density lipoprotein assay device and method

Номер патента: AU2003210544B2. Автор: Ronald M. Jones,Thomas E. Worthy,Anthony Nugent. Владелец: Alere San Diego Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

High density bioreactor system, devices, and methods

Номер патента: US8003379B2. Автор: Michael Kagan,Arnold J. Goldman,Yuri Kokotov. Владелец: BrightSource Energy Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

High-density lipoprotein assay device and method

Номер патента: US20030166291A1. Автор: Anthony Nugent,Ronald Jones,Thomas Worthy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

High density lipoprotein assay device and method

Номер патента: JP4261369B2. Автор: ロナルド エム． ジョーンズ，,トーマス イー． ウォーシー，,ジェフ シンデルマン，,ニール ベレット，,アンソニー ヌゲント，. Владелец: コレステック コーポレイション. Дата публикации: 2009-04-30.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415A. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415B. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Energy-saving electric heating fan and its electrothermal element manufacture method

Номер патента: CN101334214A. Автор: 劳鑑滔. Владелец: BIJI INTERNATION Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

The color melamine material of one kind seven and its melamine product manufacture method

Номер патента: CN108003561A. Автор: 诸葛剑锋. Владелец: From Dongguan Science And Technology Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Oral care product and its use and manufacture method

Номер патента: CN107106473A. Автор: 斯泰西·拉文德,R·萨利文,纳杰马·卡恩. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Ophthalmologic measuring device and and its measuring method

Номер патента: JPS54115596A. Автор: Gurooruman Baanaado. Владелец: American Optical Corp. Дата публикации: 1979-09-08.

Inorganic composition and its products and manufacturing method

Номер патента: CN101265064B. Автор: 中川温. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Enteric sustained-release fine particles of tamsulosin and its salt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040253309A1. Автор: Akira Ito,Shigeru Yamazaki,Tetsuya Tamura,Takao Mizumoto,Yoji Tanijiri,Hiroya Sugao,Mare Nishura. Владелец: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Contact lens for inhibiting myopia progression and its design and manufacturing method

Номер патента: KR102522801B1. Автор: 다카시 후지카도,아사키 스자키,미쓰히코 나카다,유키히사 사카이. Владелец: 가부시끼가이샤 메니콘. Дата публикации: 2023-04-19.

Hot-worked copper alloy and its usage and manufacturing method of hot-worked copper alloy

Номер патента: JP7017316B2. Автор: アルテンバーガー ルゴール,ハンス アチーム クアン. Владелец: Wieland Werke AG. Дата публикации: 2022-02-08.

Oral care product and its use and manufacturing method

Номер патента: CN108472514A. Автор: 图兰·马图尔,安德烈·布鲁内拉,露丝·欣里希斯. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-08-31.

Fingerprint detection device and method of its manufacture, and apparatus for f orming a projective film

Номер патента: EP1752912A2. Автор: Shuichi Oka,Seiichi Miyai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-14.

Lighting device and method for its manufacture and assembly

Номер патента: DE102018106040A1. Автор: Anton Biersack. Владелец: Occhio GmbH. Дата публикации: 2019-09-19.

NEEDLE FOR TEXTILE MACHINES AND A DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2516946A1. Автор: Josef Egerer. Владелец: Staedtler and Uhl KG. Дата публикации: 1983-05-27.

Animal feed composition and its use and manufacturing method

Номер патента: KR950700747A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-02-20.

Functional nano particles evenly adsorbing textile products and it's effective manufacturing method

Номер патента: KR101773547B1. Автор: 박흥수,전영민,김영률,이상락,양중식,전준후,황민수. Владелец: 사단법인 코티티시험연구원. Дата публикации: 2017-09-01.

Anti-microbial device and method for its manufacture

Номер патента: US20240050629A1. Автор: Matthew Hedrick,Chang Yao. Владелец: Nanovis LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Occlusion Device And Method For Its Manufacture

Номер патента: US20240016488A1. Автор: Hans-Reiner Figulla,Robert Moszner,Friedrich Moszner,Florian Krizanic. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2024-01-18.

Anti-microbial device and method for its manufacture

Номер патента: US11779684B2. Автор: Matthew Hedrick,Chang Yao. Владелец: Nanovis LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Occlusion device and method for its manufacture

Номер патента: US11751858B2. Автор: Hans-Reiner Figulla,Robert Moszner,Friedrich Moszner,Florian Krizanic. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Turbocharger overheating protection device and method of its manufacture

Номер патента: US20120110997A1. Автор: Karlheinz Wienand,Mario Bachmann. Владелец: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2012-05-10.

Occlusion Device and Method for its Manufacture

Номер патента: US20130178886A1. Автор: Liu Xiangdong,Zeng Weijun,Zhang Delong. Владелец: LIFETECH SCIENTIFIC (SHENZHEN) CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

ANTI-MICROBIAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20170007743A1. Автор: Hedrick Matthew,YAO CHANG. Владелец: NANOVIS, LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

THERMAL FLOW MEASURING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20190025103A1. Автор: Pfau Axel,Baur Tobias,Gaberthüel Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

ANTI-MICROBIAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20220047779A1. Автор: Hedrick Matthew,YAO CHANG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

OCCLUSION DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20170065264A1. Автор: Figulla Hans-Reiner,Moszner Robert,Moszner Friedrich,Krizanic Florian. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2017-03-09.

Occlusion device and method for its manufacture

Номер патента: US20200146662A1. Автор: Hans-Reiner Figulla,Robert Moszner,Friedrich Moszner,Florian Krizanic. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2020-05-14.

ANTI-MICROBIAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20200237965A1. Автор: Hedrick Matthew,YAO CHANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

ANTI-MICROBIAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20170296702A9. Автор: Hedrick Matthew,YAO CHANG. Владелец: NANOVIS, LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

ELECTROCHROMIC DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURING

Номер патента: US20190285958A1. Автор: Podshibyakin Vitaly Alekseevich,Shepelenko Evgeny Nikolaevich. Владелец: OKTOPOLYMER LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

CONNECTING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012101706A. Автор: Манфред Крюгер. Владелец: НОРМА Германи ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

TEST-CONTACT PROBE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2000122456A. Автор: Владимир Николаевич Давыдов,Александр Роджер ДИЗ,Владимир Николаевич Давыдов (RU),Александр Роджер ДИЗ (GB). Владелец: Владимир Николаевич Давыдов (RU). Дата публикации: 2002-10-10.

MEDICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2017107091A. Автор: Франк ДЕКК. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2018-09-07.

Medicinal agent delivery device and method of its manufacture

Номер патента: RU2139093C1. Автор: Бронстед Хелле,Ховгорд Ларс. Владелец: Астра Актиеболаг. Дата публикации: 1999-10-10.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2017120034A. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2018-12-07.

ANTI-ELECTRODE OF ELECTROCHROME DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2020111874A. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Алексей Геннадьевич Дмитриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2021-05-28.

Medical device and method for its manufacture

Номер патента: DE112009001065A5. Автор: Lothar Sellin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-14.

FRAME DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: EA200971071A1. Автор: Хенрик Даниэльсен. Владелец: Вкр Холдинг А/С. Дата публикации: 2010-04-30.

Improved securing device and method of its manufacture

Номер патента: FR1504195A. Автор: . Владелец: Huck Manufacturing Co. Дата публикации: 1967-12-01.

Exhaust gas recycling device and method for its manufacture.

Номер патента: FR2692940B1. Автор: Fumihiko Maeda,Seikichi Manaka. Владелец: Showa Aluminum Corp. Дата публикации: 1995-03-24.

OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2765348B1. Автор: Yasushi Sato. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2003-06-06.

Bourdon tube element for use in measuring devices and process for its manufacture

Номер патента: DE2140086C3. Автор: Wolfgang 8240 Schoenau Haertling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-01-18.

Forecasting method for high-frequency band signal, encoding device and decoding device

Номер патента: CN103971693B. Автор: 苗磊,齐峰岩,刘泽新. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Medical device and process for its manufacture

Номер патента: ES2899901T3. Автор: Herbert Harttig. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Anti-microbial device and method for its manufacture

Номер патента: AU2015235977B2. Автор: Matthew Hedrick,Chang Yao. Владелец: Nanovis LLC. Дата публикации: 2019-02-14.

Occlusion device and method for its manufacture

Номер патента: EP2617386B1. Автор: Xiangdong Liu,Weijun Zeng. Владелец: Lifetech Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-11.

ROTATING BRUSH FOR AN ELECTROSTATIC DEVELOPMENT DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2064231B2. Автор: Thomas W Fairport N Y Solarek (VStA). Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1977-07-07.

Liquid crystal display device and process for its manufacture Separated from: 2238429

Номер патента: DE2264407B2. Автор: Frank V. New York N.Y. Allan,Paul Y. Ridgewood N.J. Hsieh. Владелец: Ing C Olivetti and C SpA. Дата публикации: 1974-08-15.

Occlusion Device and Method for its Manufacture

Номер патента: US20070225760A1. Автор: Hans-Reiner Figulla,Robert Moszner,Friedrich Moszner,Florian Krizanic. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2007-09-27.

Structural unit of battery of electrochemical device and process of its manufacture

Номер патента: RU2037238C1. Автор: А.И. Груздев,П.М. Бологов,В.Л. Туманов. Владелец: Российско-итальянское совместное предприятие "Технопарк". Дата публикации: 1995-06-09.

Fixing device and method for its manufacture

Номер патента: FR711361A. Автор: . Владелец: United Carr Fastener Corp. Дата публикации: 1931-09-08.

Glove with a protective device and method for its manufacture

Номер патента: DE102018104929B4. Автор: Jochen Gehring. Владелец: T1tan GmbH. Дата публикации: 2022-09-22.

FLUID SEALING DEVICE AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT8567314D0. Автор: Ronald Jackowski. Владелец: Chicago Rawhide Mfg Co. Дата публикации: 1985-03-29.

Fender, as well as the device and method for its manufacture

Номер патента: DE1941591A1. Автор: Werner Kilian. Владелец: Continental Gummi Werke AG. Дата публикации: 1971-02-18.

Nonocclusive drug delivery device and process for its manufacture

Номер патента: CA2259526A1. Автор: Donald A. Johnson,John W. Lyle,Gastone P. Bello. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-08.

Controlled drug release device and process for its manufacture.

Номер патента: DE69007270T2. Автор: Guy Derrieu. Владелец: Laboratoires Virbac SA. Дата публикации: 1994-08-25.

Exhaust gas recycling device and method for its manufacture.

Номер патента: FR2692940A1. Автор: Maeda Fumihiko,Manaka Seikichi. Владелец: Showa Aluminum Corp. Дата публикации: 1993-12-31.

PREVENTING LIGHT-CLEARANCE TEMPORARY EYE DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007107858A. Автор: Жиль БОС,Оливье БЕНУА,Лоран ЭРМИТТ,Жиль БОС (CH),Оливье БЕНУА (FR),Лоран ЭРМИТТ (FR). Владелец: Кселенс С.А. (Ch). Дата публикации: 2008-09-10.

Combined surgical needle-suture device and method for its manufacture

Номер патента: EP0420605A1. Автор: Richard N. Granger,Herbert W. Korthoff. Владелец: United States Surgical Corp. Дата публикации: 1991-04-03.

LIGHTED BUILDING PANEL, DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007111530A. Автор: Леонхард ШИТТЕР,Леонхард ШИТТЕР (AT). Владелец: М. Кайндль (At). Дата публикации: 2008-11-10.

Ventilation device and method of its manufacture

Номер патента: EE200200548A. Автор: Polegato Moretti Mario. Владелец: GEOX S.p.A.. Дата публикации: 2004-02-16.

Equalizer designed for optical communication devices and process of its manufacture ( variants )

Номер патента: RU2128353C1. Автор: Парк Чан-Сик,Ким Еонг-Джу. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1999-03-27.

NOZZLE BEAM FOR A SAMPLE INJECTION PRESSURE DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2458159A1. Автор: Norman Edward Klein,Jun William Hogue Stewart. Владелец: Milliken Research Corp. Дата публикации: 1975-07-17.

INFRARED METAL HEATING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2013156777A. Автор: Инчжи ВАН,Тянуи ЛУО. Владелец: Х & Н (Чжуншань) Гэс Текнолоджи Сток Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-07-10.

Plastic heat exchange device and process for its manufacture

Номер патента: DE2141019A1. Автор: Thomas Adam North Augusta S.C; Reitz Charles Frederick; Smith Robert Delman; Wilmington Del.; Reilly (V.StA.). Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1972-02-24.

SELF-LOCKING FIXING DEVICE AND MOLD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1165611B. Автор: . Владелец: Nedschroef Octrooi Maats. Дата публикации: 1987-04-22.

Turbocharger overheat protection device and method for its manufacture

Номер патента: DE102010050216A1. Автор: Mario Bachmann,Dr. Wienand Karlheinz. Владелец: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2012-05-10.

Bearing bracket for a cooling device and method for its manufacture

Номер патента: DE102020215274A1. Автор: Ercan Engin,Muharrem Ümit Caglin,Özgür Uysal,Ali Akça. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2021-06-24.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011153031A. Автор: Масанобу МИДЗУСАКИ,Юхэй НАКАНИШИ. Владелец: Шарп Кабушики Каиша. Дата публикации: 2013-08-10.

LED lighting device and method for its manufacture

Номер патента: DE112012003621T5. Автор: Peng Chen,Shengmei Zheng,Chuanpeng ZHONG,Tingming LIU. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-05-15.

Position measuring device and position measuring method, mobile body driving system and mobile body driving method, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW200736574A. Автор: Akihiro Watanabe,Toru Imai,Susumu Makinouchi. Владелец: Sendai Nikon Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Optical medium enabling copy detection, copy detection device and method, and optical media manufacture method and system

Номер патента: EP2405431A1. Автор: Mohamed Karroumi. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2012-01-11.

Measurement device and measurement method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: WO2016125790A1. Автор: 哲寛 上田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2016-08-11.

Display device and driving method therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230089004A1. Автор: HUI Wang,XIN Yi,Huijuan YU,Yanni LIU,Shengguang WANG,Jinming Zhu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Liquid crystal aligning agent, liquid crystal alignment film and manufacturing method for the same, liquid crystal display device, and phase difference film and manufacturing method for the same

Номер патента: KR102237289B1. Автор: 코우지 가시시타,타카시 오카다,료우 가와지리. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-04-06.

Optical axis orientation measuring device, optical axis orientation measuring method, spherical surface wave device manufacturing device, and spherical surface wave device manufacturing method

Номер патента: US20090236170A1. Автор: Susumu Segawa,Yusuke Ebi. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE AND ATOMIZATION ASSEMBLY THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF ATOMIZATION ASSEMBLY

Номер патента: US20220071290A1. Автор: ZHOU Hongming,XIAO Jianxin,ZHANG Chunfeng,ZHU Caiqiang,BIE Chaoyong. Владелец: SHENZHEN SMOORE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-03-10.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210080791A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND REFLECTIVE POLARIZING PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170115528A1. Автор: Ohmuro Katsufumi,Saitoh Yukito,YONEMOTO Takashi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-04-27.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210165295A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Microlens, optical plate, diffuser plate, light guide plate, backlight, projection screen, projection system, electro-optical device and electronic apparatus, and microlens manufacturing method

Номер патента: JP4225291B2. Автор: 宏宣 長谷井. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and reflective polarizing plate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10175528B2. Автор: Katsufumi Ohmuro,Yukito Saitoh,Takashi Yonemoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

AlN bulk single crystal and semiconductor device, and AlN single crystal bulk manufacturing method

Номер патента: JP5461859B2. Автор: 俊郎 永田,ウイナカー アルブレヒト,エペルバーム ボリス,ビッカーマン マティアス,フィリップ オクタビアン,ハイマン パウル. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2014-04-02.

Plug for contacting a cable with an implantable device and cable with plug and manufacturing method

Номер патента: DE102018204610A1. Автор: Thomas Alexander Schlebusch. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2019-10-02.

Noodle wire cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: KR20220098220A. Автор: 요시아키 나가야마. Владелец: 산요 푸즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-11.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: EP4082347B1. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200272009A1. Автор: Nakagawa Teruhisa. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Acoustic sensor device, acoustic analysis diagnosis device, and acoustic analysis diagnosis device manufacturing method

Номер патента: TW200718927A. Автор: Toshiyuki Matsumoto,Naoki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-05-16.

Heat shield member, single crystal pulling device, and single crystal silicon ingot manufacturing method

Номер патента: KR102253607B1. Автор: 료타 스에와카,카오루 카지와라,슌지 쿠라가키,šœ지 쿠라가키,카즈미 타나베. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-05-18.

Variable power optical system, optical device, and variable power optical system manufacturing method

Номер патента: WO2020250671A1. Автор: 幸介 町田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2020-12-17.

Molecular detection methods using molecular detection chips including a metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20080093229A1. Автор: Sun-Hee Kim,Yoon-kyoung Cho,Geun-bae Lim,Chin-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Gas detector based on aminated graphene and method for its manufacture

Номер патента: RU2753185C1. Автор: Сергей Игоревич Павлов,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Максим Андреевич Соломатин,Максим Константинович Рабчинский,Сергей Александрович Рыжков,Дина Юрьевна Столярова,Николай Владимирович Улин,Святослав Даниилович Савельев,Павел Николаевич Брунков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ГрафСенсорс». Дата публикации: 2021-08-12.

Methods for producing 2,5-furandicarboxylic acid, and its intermediate compounds, and derivatives

Номер патента: RU2750483C2. Автор: Валерий СОКОЛОВСКИЙ,Эрик Л. Диас,Винсент Дж. Мерфи,Томас Р. БУССИ,Гари М. ДИАМОНД,Гуанг ЧЖУ,Джеймс М. ЛОНГМИРЕ,Стэнли ХЕРРМАНН,Стаффан ТОРССЕЛЛ,Майя ЛАВРЕНКО. Владелец: СТОРА ЭНЗО ОуВайДжей. Дата публикации: 2021-06-28.

Titanium sulfide whiskers based chemoresistive type gas sensor and its manufacturing method

Номер патента: RU2684429C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Андрей Витальевич Лашков,Илья Анатольевич Плугин,Алексей Владимирович Липатов,Александр Сергеевич Синицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-04-09.

Low-power, p-channel enhancement-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) SRAM cells

Номер патента: US20060018147A1. Автор: Pramod Kolar,Hisham Massoud. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2006-01-26.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

Номер патента: WO2014189360A1. Автор: Zain Azlina Mohd,Mohd Rofei Mat Hussin,Muhamad Ramdzan Buyong,Zaini Khairil Mazwan MOHD,Sharaifah Kamariah WAN SABLI. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-27.

A method of fabricating ion sensitive field effect transistor (isfet) device

Номер патента: MY163969A. Автор: Binti Mohd Zain Azlina,Rofei Bin Mat Hussin Mohd,Ramdzan Bin Buyong Muhamad,Mazwan Bin Mohd Zaini Khairil,Kamariah Binti Wan Sabli Sharaifah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-11-15.

N-p balanced multi-port register file with complementary field-effect transistors (cfets)

Номер патента: US20240331761A1. Автор: Patrick Morrow,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Amlan Ghosh,Feroze Merchant,Seenivasan Subramaniam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US11940479B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Neutral coated article with low radiating power and method of its manufacture

Номер патента: RU2159158C2. Автор: Эндрю НЬЮМЭН Джордж,Линн Стюарт-Дэвис Ройэнн. Владелец: Ппг Индастриз Огайо Инк.. Дата публикации: 2000-11-20.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Bushing for high-pressure bottles, and its manufacturing method

Номер патента: RU2507437C2. Автор: Джованни ФРАТТИ. Владелец: К.Т.С.С.П.А.. Дата публикации: 2014-02-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Actuating element of lock device and method of its manufacturing out of alloy with shape memory effect

Номер патента: RU2555890C1. Автор: Сергей Иванович Синельников,Алла Игоревна Логачёва,Александр Васильевич Логачев,Валентина Григорьевна Кобелева,Николай Геннадьевич Александров,Игорь Геннадьевич Оленин. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-07-10.

Double stamped-welded finger for cutting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2428830C2. Автор: Борис Александрович Белокопытов,Петр Иванович Пекшев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Завод "Симферопольсельмаш". Дата публикации: 2011-09-20.

Actuating element of lock device and method of its manufacturing out of alloy with shape memory effect

Номер патента: RU2555890C9. Автор: Сергей Иванович Синельников,Алла Игоревна Логачёва,Александр Васильевич Логачев,Игорь Георгиевич Оленин,Валентина Григорьевна Кобелева,Николай Геннадьевич Александров. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2507634C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Виктор Алексеевич Курмачев,Надежда Борисовна Гладышева,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-02-20.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

COMMUNICATION AREA STRUCTURE EXECUTED ON THE MEDIA ONLY FOR READING HIGH DENSITY RECORDS, AND METHOD AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURE / READING

Номер патента: RU2004124954A. Автор: Сан Вун СУ,Джин Ен. КИМ,Сан Вун СУ (KR),Джин Ен. КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк. (Kr). Дата публикации: 2005-06-27.

Net-shaped rescue device and method of its manufacture

Номер патента: RU2146634C1. Автор: А.И. Максимов,Р.А. Долматова. Владелец: Долматова Раиса Александровна. Дата публикации: 2000-03-20.

High-density mask ROM device and process thereof

Номер патента: TW289862B. Автор: Shing-Ren Sheu,Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-11-01.

High density polyethylene drainage protection board and its preparation method

Номер патента: CN100350118C. Автор: 王新,王开东,承全兴,胡士勤,吴留成,方再荣,胡品贤,顾武英. Владелец: Jiangyin Huahong Rubber & Plastic Factory. Дата публикации: 2007-11-21.

Electric heating element and device and method for its manufacture

Номер патента: AU1866962A. Автор: Michel Jean. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-12-12.

Filtering material and device and method of its manufacture

Номер патента: IL130322A0. Автор: . Владелец: Nicast Ltd. Дата публикации: 2000-06-01.

JOSEPHSON'S SUPERCONDUCTING DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2012115033A. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Анатолий Иванович Козлов,Александр Львович Гудков,Анатолий Николаевич Самусь. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2013-10-27.

TEST STAND FOR HIGH-INTENSITY SHOCK IMPACTS OF DEVICES AND EQUIPMENT

Номер патента: RU2004110670A. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов,Александр Сергеевич Орлов (RU),Сергей Александрович Орлов (RU). Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно- производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева" (RU). Дата публикации: 2005-09-20.

Bicmos device and process of its manufacture

Номер патента: RU2106719C1. Автор: Г.Я. Красников,Б.И. Казуров,М.И. Лукасевич. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 1998-03-10.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202008754D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: GB9219218D0. Автор: . Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1992-10-28.

Encapsuled photoelectric semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA649208A. Автор: Emeis Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1962-09-25.

High-density cermet material resistant to molten aluminum corrosion and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103938051A. Автор: 何兆龙. Владелец: JIANGSU ZHAOLONG ELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Anode for high temperature electrolysis of fused chloride salt and its making process

Номер патента: CN1318654A. Автор: 杨琼,刘业翔,谢中. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2001-10-24.

MAGNETIC MATERIAL FOR HIGH-FREQUENCY USE, HIGH-FREQUENCY DEVICE AND MAGNETIC PARTICLES

Номер патента: US20120256118A1. Автор: . Владелец: MITSUMI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-11.

Fluid bearing device and its sealing member manufacturing method

Номер патента: JP2006077860A. Автор: Mitsugi Kaji,貢 加治. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

A kind of cycle frame and its integrated forming manufacture method

Номер патента: CN107599442A. Автор: 朱元勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-19.

Coil bracket component and its mould and manufacture method

Номер патента: CN104066218B. Автор: 李河,肖移龙. Владелец: Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal band for magnetic circuits of electric machines and devices and method of its manufacturing

Номер патента: SU1488886A1. Автор: Dragomir Chekh,Vatslav Gavlichek,Milan Mikulets,Vladislav Viglash. Владелец: Vyzk Ustav Gutnistvi Zheleza. Дата публикации: 1989-06-23.

Guide plate and its dot pattern manufacturing method

Номер патента: TWI567435B. Автор: 羅秉澤. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-21.

A kind of very thin directional silicon steel and its short route manufacture method

Номер патента: CN104962816B. Автор: 刘海涛,刘振宇,王国栋,刘文强,曹光明,李成刚,张宝光,宋红宇,王银平,安灵子,赵士淇. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2017-10-24.

Gas container and its cap and manufacturing method thereof

Номер патента: TW334409B. Автор: Mamoru Shibasaka,Sumio Takeishi,Naoshi Morishita,Hiroo Ikenoue,kuniichi Iwabuchi. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 1998-06-21.

Engine and its camshaft, the manufacture method of camshaft

Номер патента: CN107587908A. Автор: 奚勇,杨洲,朱松. Владелец: Shanghai Universoon Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

A bean loose being eaten together with rice or bread and its processing and manufacturing method

Номер патента: CN101161101A. Автор: 陈崧. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-16.

Piezoelectric actuator and its driving method, manufacturing method for piezoelectric actuator, and droplet injection device

Номер патента: JP2003243741A. Автор: Maki Ito,Koji Sumi,浩二 角,マキ 伊藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

Specific for washing of machine elements and electric devices and method of its manufacture

Номер патента: PL268431A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1989-05-02.

The high contrast screen for projector and its self-aligned manufacturing method

Номер патента: TW293887B. Автор: Jeng-Jong Lin,Shyh-Yuan Yu. Владелец: CTX Opto Electronics Corp. Дата публикации: 1996-12-21.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202009810D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-08-12.

Corona ignition device and method for its manufacture

Номер патента: US20120056522A1. Автор: STIFEL Timo,GIFFELS Thomas,Mueller Helmut,Bohne Steffen,RUAN Ganghuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

PHOTOELECTRIC CONVERTER DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120325315A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-12-27.

Medical crutch, device and method for its manufacture

Номер патента: RU2002107237A. Автор: Владимир Алексеевич Муравьев,Геннадий Николаевич Посохов,Евгений Иванович Кощеев,Виктор Федорович Егошин,Дмитрий Данилович Смирнов,Иван Ерофеевич Бежан. Владелец: ФГУП "Уфимский завод металлических и пластмассовых изделий". Дата публикации: 2004-02-10.

SELF-RECOVERABLE CONDENSER PROTECTED BY THERMAL SHUT-DOWN DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE.

Номер патента: ATE40490T1. Автор: Franz Voglaire. Владелец: Asea Jumet Sa. Дата публикации: 1989-02-15.

ELASTIC MATERIAL CUFF, DEVICE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2014107274A. Автор: Александр Викторович Дахно,Ольга Викторовна Иванова,Денис Сергеевич Сердюков,Василий Васильевич Харлашин,Владислав Васильевич Харлашин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Переход". Дата публикации: 2015-09-10.

Package for high-power semiconductor light emitting devices and semiconductor light emitting device using the same

Номер патента: KR100455089B1. Автор: 조재호,박광일,한관영,서정후. Владелец: 서울반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-11-06.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: AU2001277779A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2003-05-29.

Anti-burglary device and method of its manufacture

Номер патента: RU2250333C2. Автор: В.Н. Никишин,Д.В. Амелин,И.И. Трухин. Владелец: Государственное предприятие Рязанский завод "Банктехника". Дата публикации: 2005-04-20.

Electrofluorescent device and method of its manufacture

Номер патента: RU2042078C1. Автор: Сергей Михайлович Кокин. Владелец: Сергей Михайлович Кокин. Дата публикации: 1995-08-20.

Case for microwave semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: RU2351037C1. Автор: Маргарита Анатольевна Павлова,пин Леонид Викторович Л,Леонид Викторович Ляпин,Михаил Владимирович Лебедев,Сергей Степанович Семенюк,Татьяна Семеновна Суслова,Тать на Семеновна Суслова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-03-27.

Abrasive supply container for high-pressure liquid jet cutting device and abrasive supply method

Номер патента: JP4808451B2. Автор: 謙 木村,昌明 山本,政幸 松原,聡 立岩. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-11-02.

Electrode for electrochemical devices and method of its manufacture

Номер патента: CA750496A. Автор: Jung Margarete,H. Von Dohren Hans. Владелец: VARTA AG. Дата публикации: 1967-01-10.

Hybrid light modulating/emitting device and method for its manufacturing

Номер патента: RU2324237C2. Автор: ев Виктор Васильевич Бел,Виктор Васильевич Беляев,Артур Рубенович Гейвандов. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-05-10.

HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSING DEVICE AND IMAGE SENSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130128083A1. Автор: LIU Chih-Min. Владелец: HIMAX IMAGING LIMITED. Дата публикации: 2013-05-23.

Exposing device and exposing method, and device manufacturing method

Номер патента: CN100490064C. Автор: 谷津修,西永寿,北尚宪,水野恭志,萩原恒幸,引间郁雄,丰田光纪,中川正弘,江村望. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-05-20.

Silicon carbide semiconductor device inspection method and inspection device, and silicon carbide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4886761B2. Автор: 俊介 和泉,秀一 土田,功穂 鎌田,武志 俵. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2012-02-29.

Portable electronic device and antenna structure thereof and manufacturing method of antenna

Номер патента: CN103036022A. Автор: 张胜杰,罗文魁,许馨卉. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2013-04-10.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120154460A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-06-21.

Variable magnification optical system, imaging device, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205855B2. Автор: 浩史 山本,山本　浩史,柴田　悟,悟 柴田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Variable magnification optical system, imaging device, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205858B2. Автор: 浩史 山本,山本　浩史,柴田　悟,悟 柴田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Variable-magnification optical system, optical device, and variable-magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6205702B2. Автор: 雅史 山下,昭彦 小濱. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-10-04.

Developer amount regulating blade, developing device, and developer amount regulating blade manufacturing method

Номер патента: JP4804821B2. Автор: 亨 石垣,圭子 多賀,和明 岩田,直彦 仲野. Владелец: Canon Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

COLOR FILTER FORMED SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND COLOR FILTER FORMED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP6186743B2. Автор: 誠治 俵屋,俵屋　誠治,裕樹 坂田,充史 小野. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-30.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, image formation device and surface emitting laser element manufacturing method

Номер патента: JP2014096515A. Автор: Naoto Jikutani,直人 軸谷,Kazuhiro Harasaka,和宏 原坂. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Micro-fluidic paper chip manufacturing device and micro-fluidic paper chip manufacturing method

Номер патента: CN104475178A. Автор: 傅建中,贺永,吴文斌. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-04-01.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEREOSCOPIC DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DRIVE CIRCUIT

Номер патента: US20120001956A1. Автор: Sato Yoshihisa. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE ULTRAFINE FIBER-BASED COMPOSITE SEPARATOR WITH HEAT RESISTANCE AND SECONDARY BATTERY USING SAME

Номер патента: US20120003524A1. Автор: Jang Sung-Yeon,KIM Dong Young,JO Seong Mu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003556A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120003558A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING MATERIAL COMPRISING ORTHOMETALATED IRIDIUM COMPLEX, LIGHT-EMITTING DEVICE, HIGH EFFICIENCY RED LIGHT-EMITTING DEVICE, AND NOVEL IRIDIUM COMPLEX

Номер патента: US20120004410A1. Автор: Igarashi Tatsuya,KIMURA Keizo,Nii Kazumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING DEVICE AND IMAGE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002067A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL SHEET LAMINATING METHOD, OPTICAL SHEET LAMINATING DEVICE AND PROGRAM USED THEREWITH, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003434A1. Автор: HIROYA Tsutomu,SHIGEMURA Koji. Владелец: NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.