Data storage cell, memory, and memory fabrication method thereof
Номер патента: US11956974B2
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Kuo-Hsing Lee, Sheng-Yuan Hsueh
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Kuo-Hsing Lee, Sheng-Yuan Hsueh
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Data Storage Cell, Memory, and Memory Fabrication Method Thereof
Номер патента: US20240215264A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.