METHOD OF PRODUCING A MICROELECTRONIC DEVICE IN A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH ISOLATION TRENCHES PARTIALLY FORMED UNDER AN ACTIVE REGION
Номер патента: US20150340275A1
Опубликовано: 26-11-2015
Автор(ы): Loubet Nicolas, Vinet Maud, WACQUEZ Romain
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-11-2015
Автор(ы): Loubet Nicolas, Vinet Maud, WACQUEZ Romain
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing semiconductor device
Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.