Configuration of high-voltage semiconductor power device to achieve three dimensional charge coupling
Номер патента: US8461004B2
Опубликовано: 11-06-2013
Автор(ы): Francois Hebert, Tao Feng
Принадлежит: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-06-2013
Автор(ы): Francois Hebert, Tao Feng
Принадлежит: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Configuration of high-voltage semiconductor power device to achieve three dimensional charge coupling
Номер патента: US20100155878A1. Автор: Tao Feng,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.