Nonvolatile memory capable of storing multibits binary information and the method of forming the same
Номер патента: US6740927B1
Опубликовано: 25-05-2004
Автор(ы): Erik S. Jeng
Принадлежит: Applied Intellectual Properties Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-05-2004
Автор(ы): Erik S. Jeng
Принадлежит: Applied Intellectual Properties Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and methods of forming and operating the same
Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.