Semiconductor device and method of forming the same
Номер патента: US11462623B2
Опубликовано: 04-10-2022
Автор(ы): Dae Hyun Kim, Dongchan Kim, Euiju KIM, Jisoo Lee, Junghwan HUH
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2022
Автор(ы): Dae Hyun Kim, Dongchan Kim, Euiju KIM, Jisoo Lee, Junghwan HUH
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device
Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.