Method for selectively depositing bismuth based ferroelectric films
Номер патента: WO1999032685A1
Опубликовано: 01-07-1999
Автор(ы): Bryan Hendrix, Frank Hintermaier, Jeffrey R. Roeder, Peter Van Buskirk, Thomas H. Baum
Принадлежит: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC., SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-07-1999
Автор(ы): Bryan Hendrix, Frank Hintermaier, Jeffrey R. Roeder, Peter Van Buskirk, Thomas H. Baum
Принадлежит: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC., SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition
Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.