Inverse diode with charge carrier extraction regions
Номер патента: EP3451386B1
Опубликовано: 09-02-2022
Автор(ы): Kyoung Wook SEOK
Принадлежит: Littelfuse Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-02-2022
Автор(ы): Kyoung Wook SEOK
Принадлежит: Littelfuse Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Charge Carrier Extraction Inverse Diode
Номер патента: US20190067493A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: IXYS, LLC. Дата публикации: 2019-02-28.