Organic photo diode with dual electron blocking layers
Номер патента: US09484537B2
Опубликовано: 01-11-2016
Автор(ы): Cheng-Yuan Tsai, Chia-Shiung Tsai, Chin-Wei Liang, Hsing-Lien Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-11-2016
Автор(ы): Cheng-Yuan Tsai, Chia-Shiung Tsai, Chin-Wei Liang, Hsing-Lien Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating an organic photodiode with dual electron blocking layers
Номер патента: US09960353B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.