Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device including a laser light blocking layer which overlaps fuses

Semiconductor device including a laser light blocking layer which overlaps fuses

Номер патента: US7667290B2
Опубликовано: 23-02-2010
Автор(ы): Takeshi Iwamoto, Yasuhiro Ido
Принадлежит: Renesas Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090174029A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20060244145A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US7554178B2. Автор: Hiroyuki Nakanishi,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device, package structure including a heat dissipation element having a conductive base and a plurality of antenna patterns and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11444023B2. Автор: Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240071923A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Nara Lee,Minjun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with a light blocking layer

Номер патента: EP1178529A8. Автор: Akihiko Nakano,Hironori Matsumoto,Hideyuki Unno,Tadao Takeda,Hiroshi Ban,Eiji Yanagawa,Toshinori Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-07-31.

Semiconductor device and method including a superlattice as a gettering layer

Номер патента: EP3635789A1. Автор: Hideki Takeuchi. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210159184A1. Автор: Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Hyunwoo YANG,De Wei Shawn WONG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices including protection patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20150340314A1. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Hyoung-Yol Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190273089A1. Автор: Koichi Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device with modified pad spacing structure

Номер патента: US09922948B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Providing electrical connection between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes

Номер патента: EP1361608A3. Автор: Gad S. Haase. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230352340A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220028780A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220359267A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20230031274A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with multi-layer etch stop structure

Номер патента: US20240079267A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Po-Cheng Shih,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3944293A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11948879B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: US20180261501A1. Автор: Chang-Ming Wu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230361156A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chien-Chih Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186244A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09818696B1. Автор: Shinji Kudo,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371856A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371857A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including through vias in molded columns

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Yazhou Zhang,Cong Zhang,Chin-Tien Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20190279933A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20180337125A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11901289B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A2. Автор: Baher S. Haroun,Robert F. Mccarthy,Rajen M. Murugan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A3. Автор: Robert F Mccarthy,Baher S Haroun,Rajen M Murugan. Владелец: Rajen M Murugan. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12062624B2. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240363552A1. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US12119262B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190181088A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220262743A1. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device including dummy pillar and electronic system

Номер патента: US20220139943A1. Автор: Jongsoo Kim,Seongjae GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device including dummy pillar and electronic system

Номер патента: US11943916B2. Автор: Jongsoo Kim,Seongjae GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Power distribution network and semiconductor device

Номер патента: US20240105616A1. Автор: Jin Hyun Kim,Myeong Jin KIM,Ki Bum KANG,Yun RA,Gyu Sun PARK,Sei Hyung JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20210098563A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20240014250A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices including resistor structures

Номер патента: US11804516B2. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof, and memory system

Номер патента: US20240164090A1. Автор: LIANG XIAO,Huan WANG,Shu Wu,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210257358A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mustafa Acar,Dominicus Martinus Wilhelmus Leenaerts. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047358A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure with serpentine conductive feature and method for forming the same

Номер патента: US20220293519A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230282704A1. Автор: Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047359A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230343638A1. Автор: Chun-Hung LIAO,Huang-Lin Chao,Chia-Hao Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11798848B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Structure and formation method of semiconductor device with carbon-containing conductive structure

Номер патента: US20230230881A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20230326795A1. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027406A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20210280477A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200118926A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device package

Номер патента: US20210202410A1. Автор: Yi Chuan Ding,Guo-Cheng Liao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with die bumps aligned with substrate balls

Номер патента: US20200395326A1. Автор: Arkady Katz,Victor Kviat. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: EP4336986A1. Автор: Sangjae Lee,Seungyoon Kim,Jaehwang SIM,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190131231A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device assemblies including spacer with embedded semiconductor die

Номер патента: US20200105706A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Huibin CHEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Integrated circuit including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer, semiconductor device including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12062641B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200020579A1. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11967568B2. Автор: Kouta Tomita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device including a circuit for transmitting a signal

Номер патента: US11158617B2. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200006303A1. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240321832A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including through via structure

Номер патента: US12046538B2. Автор: Taeseong Kim,Hoonjoo NA,Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282846A1. Автор: Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220278063A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20210005561A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US11916031B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device including via plug connected to source/drain pattern

Номер патента: US12040275B2. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258410A1. Автор: Dongwoo Kim,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and data storage system including a landing pad on an external side region of a bypass via

Номер патента: US12051664B2. Автор: Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170200682A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871005B2. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290693A1. Автор: Bin Zhang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US09923011B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device having redistribution layers formed on an active wafer and methods of making the same

Номер патента: US20230307374A1. Автор: Chia-Ching Lin,Chien-Chung Wang,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Shun-Jang Laio. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus including process monitoring pattern overlapping with I/O pad

Номер патента: US20100102318A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112759A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device module and method of assembly

Номер патента: US20210183841A1. Автор: Elmar Wisotzki. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: EP3479405A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: US20180005983A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: WO2018005189A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10431520B2. Автор: Susumu Iwamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A2. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A3. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: EP4371156A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4411815A1. Автор: Yoshito Nakamura,Kanji Ishibashi,Kazushi Miyata,Naomi Fujiwara,Yudai Takamori,Syuho HANASAKA. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming a semiconductor device by activating regions with a laser light

Номер патента: US5561081A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma,Hongyong Zhang,Atsunori Suzuki,Akira Takenouchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-01.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230268638A1. Автор: Cheng-Yu Ho,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: EP4152378A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device manufacturing method including a counter layer for power conversion

Номер патента: US9461140B2. Автор: Yuichi Onozawa,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922938B2. Автор: Wei-Yu Chen,Ming-Horng Tsai,Huan Wun Li,Chun-Chia Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230187221A1. Автор: Masayuki Momose,Naoki Kuneshita,Takane YAMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202413A1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104495A1. Автор: Srinivasan Sivaram,Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla,Chih Yang Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047230A1. Автор: Hiroshi Yokota,Naoki Furukawa,Yutaka Okada,Naoki Maruyama,Tomohiko Kotake,Tomoko Higashiuchi,Nozomi Matsubara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230091217A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104494A1. Автор: Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104493A1. Автор: Nagesh Vodrahalli. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US10777540B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230178511A1. Автор: Young Chul Shin,Su Min Kim,Il Young Han,Minwoo Rhee,Kyeong bin LIM,Nung Pyo HONG,Seung Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: US20240347413A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: WO2024215485A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298974A1. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09960097B2. Автор: Yo Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US20240250042A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20190341270A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Molded packaging for wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US12087677B2. Автор: Jerome Teysseyre,Romel N Manatad,Bigildis Dosdos,Erwin Ian Vamenta ALMAGRO,Maria Clemens Ypil QUINONES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090448A1. Автор: Shigeru Harada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09905536B2. Автор: Makoto MODA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7321163B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-22.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7482202B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080090330A1. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190027358A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10475640B2. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: EP4307360A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251353A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device module

Номер патента: US20190131213A1. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device module

Номер патента: US10510642B2. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Compound semiconductor device including diffusion preventing layer to suppress current collapse phenomenon, method of manufacturing compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10217829B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor devices and substrates used in thereof

Номер патента: US20040135249A1. Автор: Wei Lin,Chung Wu,Wen-Yu Lo,Wen-Dong Yen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-15.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US20220392877A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Toh Kok Wei. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device assemblies and associated methods

Номер патента: US20240014170A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US11948924B2. Автор: Toh Kok Wei,Uthayarajan A L Rasalingam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387062A1. Автор: Fumihiko Momose,Hirohisa Oyama,Yasuaki Hozumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device package with exposed bond wires

Номер патента: US11942459B2. Автор: Hua Tan,Cong Zhang,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Elley Zhang,Rosy Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device assembly with a thermally-conductive channel

Номер патента: US20240145337A1. Автор: Walter L. Moden,Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901252B2. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: NL2022617B1. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270191A1. Автор: Shoji Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

High-yield semiconductor device modules and related systems

Номер патента: US20190067233A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186201A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US11901309B2. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20220140468A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210242165A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via and method for prepriang the same

Номер патента: US20230352433A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112802A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via

Номер патента: US20230352434A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device packages with electrical routing improvements and related methods

Номер патента: WO2020091993A1. Автор: Ekgachai Kenganantanon,Wichai Kovitsophon,Oliver Mabutas,Tarapong SOONTORNVIPART,Peerapat Bunkhem. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20200076051A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200035819A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134752A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170221803A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7230322B2. Автор: Hiroshi Sawano,Masataka Nanba,Norihide Funato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-12.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230307380A1. Автор: Ming-Chiang Lee,Yung-I Yeh,Cheng-Nan Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220359325A1. Автор: Shoji Saito,Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: WO2019032146A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device assemblies including low-stress spacer

Номер патента: US20210193551A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190051623A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device modules and related methods

Номер патента: US20190252342A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with die-skipping wire bonds

Номер патента: US20200098728A1. Автор: Xinzhi Xing,John T. Contreras. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20210183662A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240120250A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Sönke HABENICHT,Nam Khong Then. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor device package

Номер патента: US3839660A. Автор: H Stryker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1974-10-01.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10896886B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-19.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10262961B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Apparatus and Semiconductor Structure including a Multilayer Package Substrate

Номер патента: US20160225689A1. Автор: Nathan Perkins. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299193A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190189576A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20220271011A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US11842984B2. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Lid structure and semiconductor device package including the same

Номер патента: US11776862B2. Автор: Chun-Han Chen,Hsun-Wei Chan,Mei-Yi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20210202443A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125801B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041768B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4000102A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including spaced-apart superlattices and associated methods

Номер патента: EP4000101A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US20100258860A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Laser irradiation method and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7560397B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Masaaki Hiroki,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-14.

Negative Capacitance Transistor with a Diffusion Blocking Layer

Номер патента: US20200006547A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Negative Capacitance Transistor with a Diffusion Blocking Layer

Номер патента: US20210098618A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Negative Capacitance Transistor With A Diffusion Blocking Layer

Номер патента: US20230197851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20130228823A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09917183B2. Автор: Masatoshi Arai,Tatsuya Nishiwaki,Yoshitaka Hokomoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device structure with dielectric stressor

Номер патента: US12132115B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240355881A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234343A1. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Layered semiconductor, method for producing the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170207308A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Ishizuka,Yusuke Yoshizumi,Fuminori Mitsuhashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274656A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09871137B2. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09824928B2. Автор: YONG Cheng,Ming Wang,Qiancheng MA,Lihua TENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device fabrication apparatus and semiconductor device fabrication method using the same

Номер патента: US20240071768A1. Автор: Seong Gi Jeon,Sang - Il CHOI,Yeong Jun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Hybrid semiconductor device assembly interconnection pillars and associated methods

Номер патента: US20240038704A1. Автор: Hong Wan Ng,Faxing Che,Yeow Chon Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060281248A1. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090152615A1. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080246125A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US12084599B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US12089397B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device layout structure

Номер патента: US09997510B2. Автор: Ching-Wen Wang,Karuna NIDHI,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120181593A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Display device including a light control pattern

Номер патента: US20210013455A1. Автор: YoungJe CHO,Kwangsoo Bae,Minjeong Oh,Beomsoo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Wire bonded wide I/O semiconductor device

Номер патента: US09899347B1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (esd) paths

Номер патента: US20240178216A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092735A1. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12107127B2. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors

Номер патента: US09951422B2. Автор: Sukjin CHUNG,Jongcheol Lee,Jaechul Shin,Geunkyu CHOI,MinHwa Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929005B1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Satoshi Shimamoto,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4295409A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Frank Hui,Neal Kistler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12020926B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12029025B2. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus for and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200299829A1. Автор: Minkyung Lee,Daehan Kim,Keewon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220190118A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20220223697A1. Автор: Phil Rutter,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-07-14.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150137255A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Yung-Ju Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Thin-film semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20040063253A1. Автор: Kenji Sera,Mitsuasa Takahashi,Naoki Matsunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and interconnect structure

Номер патента: US20080111160A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Yuan-Sheng Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Cleaning apparatus of semiconductor device

Номер патента: US20080283089A1. Автор: Sang-wook Ryu,Jim-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966252B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966251B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Lateral diffused semiconductor device with ring field plate

Номер патента: US09859399B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hsien Song,Sue-Yi Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210328028A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor devices having buried contact structures

Номер патента: US09812539B2. Автор: Dae-won Kim,Yong-Jun Kim,Jae-Rok Kahng,Sung-In KIM,Jung-Woo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09793345B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Epitaxial block layer for a fin field effect transistor device

Номер патента: US9508850B2. Автор: Qi Zhang,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Andy Wei,Sruthi Muralidharan,Amy L. Child. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US11869968B2. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20220238710A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343380A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20240097026A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: EP3959747A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Substrate for semiconductor device

Номер патента: EP3855484A1. Автор: Yuji Umeda. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Multijunction semiconductor device

Номер патента: AU4811085A. Автор: Jun Takada,Yoshihisa Tawada,Minori Yamaguchi. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-04-17.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20200058652A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035897A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20210118885A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device package

Номер патента: US20180151790A1. Автор: Young Hyun Jeon,Eun Joo Kim,Jung Hwan Son,Ga Yeon Kim,Nak Hun KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US8115246B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device including vertical structures and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066588A1. Автор: Wonjun Lee,Youngtak KIM,Sangjine Park,Hyeyeong SEO,Jaeuk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20240047557A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US20240105848A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Electronic device including camera module

Номер патента: US11930686B2. Автор: Changkeun KIM,Jaecheol Bae,Sungho Ahn,Songhee JUNG,Sunggwan WOO,Kyeongeun Lee,Bowon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11942543B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170207339A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240038850A1. Автор: Kazuyuki Sato,Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20230378367A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and formation method of semiconductor device with oxide semiconductor channel

Номер патента: US20210327705A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Structure and formation method of semiconductor device with nanosheet structure

Номер патента: US11855167B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen,Po-Cheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Formation method of semiconductor device structure with semiconductor nanostructures

Номер патента: US11978773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8389423B2. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160190268A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Structure and formation method of semiconductor device with stressor

Номер патента: US20210135008A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20220190162A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120178269A1. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US10991811B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20220359695A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11908744B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288060A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device using close proximity wireless communication

Номер патента: US20120241888A1. Автор: Takeshi Nakayama,Masahiro Ishii,Daisaku Kitagawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402543A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20170033194A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190067074A1. Автор: Kensuke Yamaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230282521A1. Автор: Chi On Chui,Chunyao Wang,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862698B2. Автор: Hiroaki Katou,Toshifumi NISHIGUCHI,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Wide band gap semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP4258364A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Rudolf Elpelt,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device having a closed cavity structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397116B2. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230352594A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-Chi WEN,Yen-Sheng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11961806B2. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030077856A1. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6723571B2. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2004-04-20.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20220102532A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309310A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Yuta Saito,Shinji Mori,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Satoshi Nagashima,Shota KASHIYAMA,Keiichi SAWA,Junichi KANEYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246596A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240087895A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20230386842A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108491A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020064899A1. Автор: Itaru Matsuo,Hiroshi Ryu,Kayo Miyamura. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088220A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001680A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150187793A1. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Electrode and photoelectric semiconductor device using the same

Номер патента: US20180190872A1. Автор: Shiu-Li HUANG. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device, fabrication method for semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Atsushi Yamada,Tatsuya Hirose,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material

Номер патента: US7790555B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: EP4340039A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282723A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Sung-En Lin,Yi-Hsiu Liu,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with doped region adjacent isolation structure in extension region

Номер патента: US20210126126A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh,Frank Scott Johnson,Anvitha Shampur,Luigi Pantisano. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20160071976A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device packages having stacked semiconductor dice

Номер патента: US20220199601A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170040413A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237578A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384347A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US9666688B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Diode and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20240072178A1. Автор: Yan Gu,HUA Song,Sen Zhang,Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20190305113A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20220359726A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220259739A1. Автор: Hirotaka Mori,Hiroaki FUJIBAYASHI,Yuya KOIDE. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US10861968B1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170062561A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312253A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowire

Номер патента: US20190140105A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074813A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014269A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US20160276481A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20190115429A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4319532A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US11876109B2. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11849586B2. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381559A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402521A1. Автор: Chen-Yu Tai,Chih-Chang Hung,Chun-Liang Lai,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20150162334A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20210043732A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11810952B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US20240105753A1. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230328957A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Kiwamu Sakuma,Shoji Honda,Mutsumi Okajima,Masaya Toda,Taro SHIOKAWA,Kenichiro TORATANI,Takafumi Ochiai,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and jig set

Номер патента: US20230154889A1. Автор: Manabu Ishikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US11978739B2. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240792A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11984473B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817483B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140361295A1. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US11908885B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027173A1. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369455A1. Автор: Ling-Sung Wang,Yung-Yu Chen,Yi-Ming Lin,Jhen-Wei CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with improved current flow distribution

Номер патента: US20200161423A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US12002872B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240055485A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4343856A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Kentaro Ichinoseki,Keiko Kawamura,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20150041947A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods of uniformly removing silicon oxide and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US8435904B2. Автор: Nishant Sinha,Joseph N. Greeley,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11881509B2. Автор: Junbeom PARK,Minyi Kim,Sangmo KOO,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299192A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11824083B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US11840648B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20200399506A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150221640A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20160056255A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20230292496A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

Sic semiconductor device manufacturing method and sic semiconductor device

Номер патента: US20230307503A1. Автор: Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US11984495B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240047514A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20240093059A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230343870A1. Автор: Ho Jin YUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Sealing sheet and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20200006167A1. Автор: Takashi Sugino,Yusuke Nezu. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20180108768A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of a group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US11417524B2. Автор: Eiji Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Wire bonded wide i/o semiconductor device

Номер патента: US20180174996A1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230317844A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10008572B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US20180090575A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128083A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128084A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20160005860A1. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20160349556A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7338815B2. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Method of manufacturing semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20140193953A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device mounting structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20130341767A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20210125996A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US11244946B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity

Номер патента: US6265726B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: WO2007072292A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20150214045A1. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20240006193A1. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11728386B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Souzou KANIE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US20220093741A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US11646349B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and wafer structural object

Номер патента: US20230343578A1. Автор: Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11749722B2. Автор: Takuma Suzuki,Kazuhisa Goto,Susumu Obata,Sozo Kanie,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US20150228683A1. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11955543B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20110092075A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Shinichi Mitani. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SiC MOSFET

Номер патента: US20240071764A1. Автор: Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11769800B2. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device-manufacturing method

Номер патента: US20030059979A1. Автор: Ikuo Mori,Naotake Watanabe,Yasunari Ukita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: EP1966828A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216310A1. Автор: Taro Kondo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Capacitor and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230170382A1. Автор: Weiping BAI,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (ESD) paths

Номер патента: US11929363B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor device with novel spacer structures having novel configurations

Номер патента: US20190363173A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor devices having L-shaped cell blocks

Номер патента: US20100140666A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSISTOR INCLUDING A BODY CONTACT PART AND PRODUCTION METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102016104317A1. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (spad) structure

Номер патента: US20190312070A1. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US20100048010A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US7989321B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OTHER INCLUDING A FIELD POWER TRANSISTOR

Номер патента: SE437094B. Автор: J A Appels,M G Collet,P A H Hart,J F C M Verhoeven. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1985-02-04.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (SPAD) structure

Номер патента: US10636818B2. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371995A1. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824957B2. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US9070659B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130725A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162485A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255369A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device with a laser-connected terminal

Номер патента: US20210407955A1. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09905499B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230223296A1. Автор: Hajime Okuda,Yoshinori Fukuda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240120387A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210020443A1. Автор: Hiroaki Imamura. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20060131623A1. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20190221670A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device including selector layer

Номер патента: US20230301095A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180294279A1. Автор: Shigeru Kinoshita,Kenta Yamada,Ryosuke SAWABE,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355883A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo,Byeonghee Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Laser annealing apparatus, laser annealing method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12136548B2. Автор: Kenichi Ohmori,Ryosuke Sato,Nobuo Oku,Suk-Hwan Chung. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865638B2. Автор: Doo Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240266167A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09997568B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yukie Nemoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US9553152B2. Автор: LEI Zhu,Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices with ferroelectric layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347632A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Monitoring device, monitoring method and method of manufacturing semiconductor device using reflectivity of wafer

Номер патента: US11764064B2. Автор: Tae Hee Han,Nam Hoon Lee,Jae Hee Lee,Ill Hyun PARK,Bong Ju Lee,Joo Yong Lee,Jin Won MA,Byung Joo Oh,Nam Ki CHO,Chang Seong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Monitoring device, monitoring method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220076957A1. Автор: Tae Hee Han,Nam Hoon Lee,Jae Hee Lee,Ill Hyun PARK,Bong Ju Lee,Joo Yong Lee,Jin Won MA,Byung Joo Oh,Nam Ki CHO,Chang Seong HONG. Владелец: EO Technics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823023A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Monitoring device, monitoring method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200075338A1. Автор: Tae Hee Han,Nam Hoon Lee,Jae Hee Lee,Ill Hyun PARK,Bong Ju Lee,Joo Yong Lee,Jin Won MA,Byung Joo Oh,Nam Ki CHO,Chang Seong HONG. Владелец: EO Technics Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240321819A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Atsushi Oga,Miki TOSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with a tunneling layer having a varying nitrogen concentration, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882018B2. Автор: Jae Young Ahn,Jae Ho Choi,Seung Hyun Lim,Kwang Min Park,Jeon Il LEE,Young Jin Noh,Dong Chul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240266431A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160005745A1. Автор: Jong Man KIM,Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US20050179054A1. Автор: Takayuki Toyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09748099B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Atsuo Isobe,Aiko Shiga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of manufacturing semiconductor device, method for separating substrate, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240304494A1. Автор: Mie Matsuo,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977186B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10943785B2. Автор: Daisuke Ito,Ryo Shimizu,Masashi Machida,Tatsuro MATSUSHIMA,Tamotsu ODAJIMA. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150262996A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310829A1. Автор: Akihiko Furukawa,Koichi Nishi,Tetsuya Nitta,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20190259828A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20180175139A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US10580852B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US10312320B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device

Номер патента: US9368616B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device provided with photodiode, manufacturing method thereof, and optical disc device

Номер патента: US20140319643A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Hiroshi Yumoto,Tomokazu Mukai,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device including backside transistors

Номер патента: US20240334705A1. Автор: Jin HO KIM,Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of manufacturing semiconductor device having a blocking insulation layer

Номер патента: US09960046B2. Автор: Jung Ho Kim,Jaeyoung Ahn,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09911844B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200212001A1. Автор: Andrew M. Bayless,Cassie L. Bayless. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140295616A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09941321B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming semiconductor device including edge chip and related device

Номер патента: US09761591B2. Автор: Dong-wan Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Junghoon Han,Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070164318A1. Автор: Teruo Takizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128795A1. Автор: Toshifumi Minami,Teppei Higashitsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3843164A1. Автор: Jungmin Park,Young-Geun Park,Haeryong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12125943B2. Автор: Huan-Yu LAI,Li-Chi PENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09910285B2. Автор: Koichiro Tanaka,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905702B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Shinohara,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837547B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837512B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements

Номер патента: US09786793B2. Автор: Sachiaki TEZUKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same

Номер патента: US12034080B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including data storage material pattern

Номер патента: US20200388758A1. Автор: Jiho Park,Hideki Horii,Gyuhwan Oh,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134956A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device including resonant tunneling diode structure having a superlattice and related methods

Номер патента: EP3494599A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device including a resonant tunneling diode structure with electron mean free path control layers comprising a superlattice and associated methods

Номер патента: EP3497728A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Color conversion panel and display device including the same

Номер патента: US20170307932A1. Автор: Young Min Kim,Hae IL Park,Moon Jung BAEK,Seon-Tae Yoon,Kwang Keun Lee,Jun Han Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor Device Manufacturing Apparatus Capable Of Reducing Particle Contamination

Номер патента: US20120003837A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same

Номер патента: US5149973A. Автор: Hiroaki Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Mobile Device Including Laser-Pumped Phosphor Light Source

Номер патента: US20230299564A1. Автор: Richard L. Baer,Florian R. Fournier,Angelo M. Alaimo,Garam Young,Blake M. Coughenour,Bryan Dang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Mobile device including laser-pumped phosphor light source

Номер патента: US12040598B2. Автор: Richard L. Baer,Florian R. Fournier,Angelo M. Alaimo,Garam Young,Blake M. Coughenour,Bryan Dang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20240332890A1. Автор: Daisuke Inoue,Konosuke AOYAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Laser light source device, and image device using the same

Номер патента: US20080165810A1. Автор: Takashi Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Laser system, pulse laser light generating method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240291220A1. Автор: Seiji Nogiwa,Takayuki OSANAI. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180205373A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US20240343551A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Laser light source projector

Номер патента: CA2809349C. Автор: Yasuhito Tanaka,Makoto Kuriaki,Hisanobu Miyanaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Display panel and electronic device including the same

Номер патента: US11825724B2. Автор: Yong Seok Kim,JeongWoo Park,Youngchan Kim,Byeong-Hee Won,Minhee SON,Saet Byeol Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP4187836A1. Автор: Jiyoung Kim,Jaehyun Park,Seuk SON,Dongchul Choi,Sooeun Lee,Hyeonju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240074188A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180198442A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device drive circuit

Номер патента: US20240072791A1. Автор: Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Organic light emitting display panel including a plurality organic and inorganic layers

Номер патента: US11825692B2. Автор: Jaehyun Kim,Seokhoon Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

A laser-based lighting device

Номер патента: US20240210011A1. Автор: Rifat Ata Mustafa Hikmet,Dominique Maria Bruls,Robert Van Asselt. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240244846A1. Автор: Kwangmin Park,JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device comprising light-blocking region enclosing semiconductor element

Номер патента: US7728410B2. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20060231855A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251549A1. Автор: Suhyun KIM,Chul Lee,Sang-Il Han,Sanggyu KO,Jungjin PARK,Sungho Jang,Hyuckchai Jung,Hyeongwon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Display device including light-blocking layer directly attached to supporting member for improved visibility

Номер патента: US11744107B2. Автор: Sung Chul CHOI,Jin Yong SIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Cover window, method of manufacturing the cover window, and display device including the cover window

Номер патента: US09832890B2. Автор: Myung An MIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20140167806A1. Автор: Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Chul Won Ju,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor Device Testing with Lead Extender

Номер патента: US20240302426A1. Автор: Nee Wan Khoo,Soon Lai Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Display panel and display device including the same

Номер патента: US20180292687A1. Автор: Jae-Hwan Jeon,Sung-Dong PARK,Sanghwan Lee,Jungsoo Ok. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and Apparatus of Patterning Semiconductor Device

Номер патента: US20120227018A1. Автор: Ru-Gun Liu,Jiing-Feng Yang,Chii-Ping Chen,Wen-Chun Huang,Ming-Hui Chih,Cheng-Kun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Double-sided tape, method for producing the same and electronic device including the same

Номер патента: WO2019048955A1. Автор: Hayoung Lee,Seunghoon JUNG. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20080309378A1. Автор: Hiroki Taniguchi,Kazunari Ikeda,Masaya Hirose,Kinya Daio,Takahisa Tokushige. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Apparatus and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240077424A1. Автор: Hidong Kwak,Jeongho Ahn,Seulji SONG,Hyunwoo RYOO,Minji Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device performing in-memory processing and operation method thereof

Номер патента: US11875840B2. Автор: Hae Rang Choi,Sungjoo YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Simple light-blocking and air-exhausting device, and stage light fixture including same

Номер патента: US11774086B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Double-sided tape, method for producing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20200207065A1. Автор: Hayoung Lee,Seunghoon JUNG. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Imaging lens, light blocking sheet and electronic device

Номер патента: EP4266090A1. Автор: Chen Wei Fan,Ming-Ta Chou,Ssu-Hsin LIU,Wen-Yu Tsai,Chien-Pang Chang. Владелец: Largan Precision Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Error detection for a semiconductor device

Номер патента: US20230395183A1. Автор: Matthew Young,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Laser light source arrangement, illumination unit and laser projection device

Номер патента: US20240295803A1. Автор: Tilman Ruegheimer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Laser processing device and automatic correction method for focal point position of laser light

Номер патента: US20240082950A1. Автор: Jingbo Wang,Shunsuke Kawai,Kenzo Shibata,Jin MATSUZAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Laser light control device and image forming apparatus

Номер патента: US20140240439A1. Автор: Hiroshi Abe,Masayuki Sago. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Laser light control device and image forming apparatus

Номер патента: US9207560B2. Автор: Hiroshi Abe,Masayuki Sago. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Noda Susumu,Miyai Eiji,Ohnishi Dai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LASER LIGHT SOURCE, WAVELENGTH CONVERSION LASER LIGHT SOURCE AND IMAGE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002263A1. Автор: FURUYA Hiroyuki,HORIKAWA NOBUYUKI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR STORING A LASER OPTICAL FIBER

Номер патента: US20120002933A1. Автор: Williams Richard Alan,Seftel Allen D.,Pastor Stephen T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.