Protection scheme with dual programming of a memory system.

Protection scheme with dual programming of a memory system

Номер патента: US09582205B2
Опубликовано: 28-02-2017
Автор(ы): Abhijeet Manohar, Nagi Reddy Chodem, Vijay Sivasankaran
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Protection scheme with dual programming of a memory system

Номер патента: WO2015161064A1. Автор: Abhijeet Manohar,Nagi Reddy Chodem,Vijay Sivasankaran. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system with variable length page stripes including data protection information

Номер патента: US09983927B2. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost,James A. Fuxa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and method including determining a read voltage based on program order information and a plurality of mapping tables

Номер патента: US09921749B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Joon-Suc JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system and write and read operation method for the same

Номер патента: US09886197B2. Автор: Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09798480B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: US20240311016A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for managing the operating parameter of a nonvolatile memory

Номер патента: US09626109B2. Автор: Daisuke Nakata,Hironori KATSURAYAMA,Takanobu Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: US09632870B2. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Storage system having a host that manages physical data locations of a storage device

Номер патента: US12073093B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for managing data in a memory device

Номер патента: US09690491B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and user device including the same

Номер патента: US09564241B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system having system buffer and method of storing data by using the system buffer

Номер патента: US12131061B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Single-stage arbiter/scheduler for a memory system comprising a volatile memory and a shared cache

Номер патента: US09703493B2. Автор: Olivier Alavoine. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system for mapping SCSI commands from client device to memory space of server via SSD

Номер патента: US8463866B2. Автор: Yaron Haviv. Владелец: Mellanox Technologies TLV Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system, memory controller and method for operating memory system, capable of determining target meta memory block on the basis of detected target state

Номер патента: US12118217B2. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory comprising memory controller configured to determine a logical address of a target zone system and method of operating the memory controller

Номер патента: US12124733B2. Автор: Bo Kyeong KIM,Yu Jung Lee,Do Hyeong LEE,Min Kyu Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system with controller to write data to memory based on lifetime information in write command

Номер патента: US12073122B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09880939B2. Автор: Konosuke Watanabe,Tetsuhiko Azuma,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system for storing and processing translation information

Номер патента: US09798470B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12135903B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11748012B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12086444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory controller, memory system, information processing system, and memory control method

Номер патента: US20210081136A1. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of operating memory system and memory system performing the same

Номер патента: US20240319882A1. Автор: Young Bong KIM,Changho Choi,Eun-Kyung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system and method

Номер патента: US20240201866A1. Автор: Kiyotaka Iwasaki,Atsuo Shono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Small block write operations in non-volatile memory systems

Номер патента: US09898196B1. Автор: Vijay Karamcheti,Ashish Singhai,Swamy Gowda,Shibabrata Mondal. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305754A1. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210303464A1. Автор: Joung Young LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12056399B2. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Diagonal page mapping in memory systems

Номер патента: US20230049877A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Christopher M. Smitchger,Tawalin Opastrakoon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US20230418491A1. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory controller partitioning for hybrid memory system

Номер патента: US12032845B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Wear leveling in a memory system

Номер патента: US09390025B2. Автор: Trung Diep,Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system

Номер патента: US20160216894A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takahiro Nango,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system of increasing and decreasing first user capacity that is smaller than a second physical capacity

Номер патента: US09891825B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Takahiro Nango,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Recovery of multi-page failures in non-volatile memory system

Номер патента: US09569306B1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Byte addressable memory system for a neural network and method thereof

Номер патента: US20190073127A1. Автор: Anil Ravindranath. Владелец: RaptAi Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of controlling a memory system

Номер патента: US09720624B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Dong-Sub Kim,Kyung-Ryun Kim,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Distributed raid in a flash based memory system

Номер патента: US09639285B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao,Zuoying Wu. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Atomic rights in a distributed memory system

Номер патента: US09760295B2. Автор: Noritsugu Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory access requests in hybrid memory system

Номер патента: US09477591B2. Автор: Sumanth Jannyavula Venkata,James David Sawin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US20210374053A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US11775427B2. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller that loads a mapping table on a sub-bitmap and method of operating the memory controller

Номер патента: US09529705B2. Автор: Jinyeong Kim,Hyun-cheol Kim,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Controller and memory system having the controller

Номер патента: US20210165736A1. Автор: Young Ho Kim,Duck Hoi KOO,Suk Ho Jung,Seung Geol BAEK,Gun Woo Yeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US20240004789A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US20210357320A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system

Номер патента: US09990143B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977604B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09881662B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09552865B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210020208A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210241804A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory system

Номер патента: US09786389B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09477410B2. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory controller and memory system for allocating memory based on the ratio of hot/cold pages

Номер патента: US12086437B2. Автор: Jun Hee Ryu,Chang Hyun Park,Young Pyo Joo,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Protection zones in virtualized physical addresses for reconfigurable memory systems using a memory abstraction

Номер патента: US09501222B2. Автор: Richard C. Murphy,John Labry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory systems including a duplicate removing filter module that is separate from a cache module

Номер патента: US09465737B1. Автор: Sandeep Karmarkar,Paresh Phadke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Access controlling method of dual port memory system

Номер патента: US09766821B2. Автор: Soo Gang Lee,Dae Hyun Kwon. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and method of controlling cache memory

Номер патента: US09959206B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system

Номер патента: US09977606B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system, host system, and method of performing write operation in memory system

Номер патента: US09904628B2. Автор: Kwang-Hoon KIM,Sang-Kyoo Jeong,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Apparatus, Device, Method, and Computer Program for Managing Memory of a Computer System

Номер патента: US20230004302A1. Автор: BaoHong Liu,Sajjid REZA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Initialization scheme during dual programming of a memory system

Номер патента: US09582358B2. Автор: Dinesh Agarwal,Vijay Sivasankaran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20200050391A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US12050780B2. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: WO2020033152A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20240248641A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory scrubbing in a mirrored memory system to reduce system power consumption

Номер патента: US09891990B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Marc A. Gollub,Tony E. Sawan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory scrubbing in a mirrored memory system to reduce system power consumption

Номер патента: US09864653B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Marc A. Gollub,Tony E. Sawan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Identifying center of valley in memory systems

Номер патента: US20240231673A9. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09785383B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Multidimensional pseudorandom binary sequence analysis for a memory device

Номер патента: US20200411121A1. Автор: Ravi Kumar,Richard Galbraith,Niranjay RAVINDRAN,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of managing a memory, and a memory system

Номер патента: US09910607B2. Автор: Sangyong Yoon,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory systems

Номер патента: US09747993B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device, memory system, and control method performed by the memory system

Номер патента: US09652180B2. Автор: Su-Ryun LEE,Sang-Cheol Lee,Youn-Won Park,Byung-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for configuring a memory device

Номер патента: US09606865B2. Автор: Abhijeet Manohar,Nian Yang,Daniel Edward Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US09442846B2. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power management for a memory system

Номер патента: US12050785B2. Автор: Feifei Zhu,Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US09728275B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US09547449B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US09940274B2. Автор: Masashi Nakata,Daisuke Nakata,Shigeo Kurakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory controller and memory system with data strobe signal calibration circuit

Номер патента: US20240302978A1. Автор: Seon Ha PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Adjustable access energy and access latency memory system and devices

Номер патента: US12105975B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory repair circuit, a memory repair method, and a memory device

Номер патента: US20240265987A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system and host device

Номер патента: US12086068B2. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reducing memory overhead associated with memory protected by a fault protection scheme

Номер патента: US09747035B2. Автор: Rakesh Kumar,Xun Jian. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Dynamic link error protection in memory systems

Номер патента: EP3673374A1. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Dynamic link error protection in memory systems

Номер патента: US20190324850A1. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Dynamic link error protection in memory systems

Номер патента: US10922168B2. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Dynamic link error protection in memory systems

Номер патента: WO2019040183A1. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Circuits for and methods of controlling the operation of a hybrid memory system

Номер патента: US09711194B2. Автор: Ling Liu,Kornelis A. Vissers,Michaela Blott. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory

Номер патента: US09904619B2. Автор: Hiroyuki Goto,Yasuhiro Nakamura,Fumio Hara,Hirofumi Shibuya,Shigemasa Shiota. Владелец: Emergence Memory Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Systems and methods for latency based data recycling in a solid state memory system

Номер патента: US09424179B2. Автор: Ning Chen,Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240338215A1. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system including key-value store

Номер патента: US09953107B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems and methods for data alignment in a memory system

Номер патента: US09563384B2. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods for data alignment in a memory system

Номер патента: US09417802B1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-08-16.

Dynamic memory cache size adjustment in a memory device

Номер патента: EP2715548A2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Michael George,Ruchir Shah,William E. Benson,Farshid TABRIZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Memory controllers having simplified bisr logic circuit, methods of operating the memory controller, and memory systems including the memory controller

Номер патента: US20220101941A1. Автор: Jae Il Lim,Bo Ra Kim,Su Hae WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09514827B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system and method for selecting memory dies to perform memory access operations in based on memory die temperatures

Номер патента: US09489146B2. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Managing memory systems containing components with asymmetric characteristics

Номер патента: US09514038B2. Автор: Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory system in which data is written to memory chips based on a distance from a memory controller

Номер патента: US09390000B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system, memory module, and methods of operating the same

Номер патента: US09753651B2. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory rank and ODT configuration in a memory system

Номер патента: US09747230B2. Автор: Amir Amirkhany,Ravindranath Kollipara,Minghui HAN,Ralf Michael SCHMITT. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system and method for power management using a token bucket

Номер патента: US09418712B1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

High performance transaction-based memory systems

Номер патента: US09904635B2. Автор: LIANG Yin,Mu-Tien Chang,Hongzhong Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for improving memory system performance in virtual machine systems

Номер патента: US09529728B2. Автор: Alexander Garthwaite,Yury BASKAKOV,Jesse POOL. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Adjustable data protection scheme using artificial intelligence

Номер патента: US11989421B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for transmitting extended commands to a memory system

Номер патента: US09501223B2. Автор: Martin Roeder,Martin Preiser. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system for managing namespace using write pointer and write count, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12131042B2. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nand aging protection scheme

Номер патента: US20240220129A1. Автор: Tri Tran,Jong Tai Park,Ashish Shukla,Sriram Balasubrahmanyam,Arti Sharma. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US12118239B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Reducing latency in an expanded memory system

Номер патента: US09812186B2. Автор: Mingyu Chen,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Program voltage selection during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240295970A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Reducing latency in pseudo channel based memory systems

Номер патента: EP4423618A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory system

Номер патента: US20240311047A1. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and write control method

Номер патента: US12093572B2. Автор: Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Fragmentation management for memory systems

Номер патента: WO2024129864A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: EP4361815A3. Автор: Jon C.R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20230297254A1. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12073098B2. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Memory system that carries out an atomic write operation

Номер патента: US09940071B2. Автор: Satoshi Arai,Hiroyuki Nemoto,Kazuya Kitsunai,Shunitsu KOHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system with nonvolatile memory

Номер патента: US09823852B2. Автор: Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20230025642A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20220004325A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Data relocation scheme selection for a memory system

Номер патента: US12032853B2. Автор: Nicola Colella,Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya,Dhruv Chauhan,Mani Raghavendra Aravapalli,Anil Sindhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: US20240248644A1. Автор: Shuichi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: US11126375B2. Автор: Jiangli Zhu,Ying Yu Kai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US09870156B2. Автор: Yuki Nagata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory controller and operation method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240160369A1. Автор: Youxin He,Huadong HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11768632B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system

Номер патента: US12124707B2. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system having a read and copy-back operation and method for the same

Номер патента: US09875035B2. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Deferred zone adjustment in zone memory system

Номер патента: US20240302984A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Byron Harris,Oyvind Hachre. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Detection and latency reduction of write-intensive procedures in a memory system

Номер патента: US20240345732A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system procedure detection and latency reduction

Номер патента: US20240345733A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system for controlling perforamce by adjusting amount of parallel operations

Номер патента: US09846541B2. Автор: Kenichiro Suzuki,Hironobu Miyamoto,Yoshihisa Kojima,Maoko Oyamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system

Номер патента: US20170109076A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240329882A1. Автор: Hiroki MIURA,Naoto Oshiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses and methods for securing an access protection scheme

Номер патента: US20240037045A1. Автор: Graziano Mirichigni,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatuses and methods for securing an access protection scheme

Номер патента: US11809335B2. Автор: Graziano Mirichigni,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Concept for Controlling a Memory Performance in a Computer System

Номер патента: US20210048958A1. Автор: Francesc Guim Bernat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for protection of reflective memory systems

Номер патента: US09928181B2. Автор: Gregory S. Droba,Oscar L. Meek. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and operating method for increasing data protection in storage failure scenarios and electronic device including the same

Номер патента: EP4336337A1. Автор: Sean Christopher KOCOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and a data managing method thereof

Номер патента: US09652179B2. Автор: Chun-Ta Lin,Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory management for a hierarchical memory system

Номер патента: US09524248B2. Автор: Dean A. Klein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

RAIDed memory system

Номер патента: US09753674B2. Автор: David M. Smith,Jon C. R. Bennett,Daniel C. Biederman. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory mapping method of nonvolatile memory system and system for providing the memory mapping method

Номер патента: US09501424B2. Автор: Jung-Sik Choi,Oh-seong Kwon,Sun-Young Lim,Hwan-soo Han. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory system

Номер патента: US09891837B2. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

System and method for efficient processing of queued read commands in a memory system

Номер патента: US09720860B2. Автор: Matthew Stephens,Philip David ROSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Bank-level fault management in a memory system

Номер патента: US09600189B2. Автор: Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Diyanesh B.Chinnakkonda Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system changing write mode and method of controlling nonvolatile memory by changing write mode

Номер патента: US12147333B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09594646B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory system for reliable predicted sequential read operation

Номер патента: US09477612B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131179B2. Автор: Hyeong Jae CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system and method for writing data to a block of an erased page

Номер патента: US09811477B2. Автор: David Meyer,Satish VASUDEVA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946644B2. Автор: Curtis LEHMAN,Frank Liao. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system and method for performing garbage collection on blocks based on their obsolescence patterns

Номер патента: US09916238B2. Автор: Rotem Sela,Amir Shaharabany,Hadas Oshinsky. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Controller for managing sequence for map data, operating method thereof and memory system

Номер патента: US10831671B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory system with accessible storage region to gateway

Номер патента: US20240295980A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Naoko Yamada,Kentaro Umesawa,Yuta KAGEYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and information processing device by which data is written and read in response to commands from a host

Номер патента: US09396141B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Kenichiro Yoshii,Keigo Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Partition-free multi-socket memory system architecture

Номер патента: US20140292772A1. Автор: Eric Sprangle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-02.

Partition-free multi-socket memory system architecture

Номер патента: US20130246719A1. Автор: Eric Sprangle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system characteristic control

Номер патента: US20240330174A1. Автор: Shawn Storm,Ji-Hye Gale Shin,Joseph A. Oberle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory system and electronic device including memory system

Номер патента: US09575759B2. Автор: Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Write verify programming of a memory device

Номер патента: US09679627B2. Автор: THOMAS Andre,Jon Slaughter,Syed M. Alam,Dimitri Houssameddine,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Method and apparatus for accelerating retrieval of data from a memory system with cache by reducing latency

Номер патента: US7318123B2. Автор: Nagi Nassief Mekhiel. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-08.

Method for allocation of address space in a virtual memory system

Номер патента: WO1995029446A1. Автор: Patrick W. Penzias Dirks. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 1995-11-02.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

System and Method for Simultaneously Storing and Reading Data from a Memory System

Номер патента: US20150339227A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Simultaneously Storing and Read Data From A Memory System

Номер патента: US20150106584A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Internal log management in memory systems

Номер патента: US20240311288A1. Автор: Steven Gaskill,Scheheresade Virani,Kyle Brock-Petersen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for storing data in a virtualized memory system with destructive reads

Номер патента: US8838934B2. Автор: Shang-Tse Chuang,Sundar Iver. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2014-09-16.

System and Method for Storing Data in a Virtualized Memory System With Destructive Reads

Номер патента: US20130311748A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2013-11-21.

Memory system with activate-leveling method

Номер патента: US20240232064A1. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for enabling access to two contiguous addresses in units of a memory segment simultaneously

Номер патента: US5761693A. Автор: Myung-Sik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-02.

Providing shared cache memory allocation control in shared cache memory systems

Номер патента: US09678875B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Resetting memory locks in a transactional memory system

Номер патента: US09524246B2. Автор: Michael Thomas Strosaker,Joel Howard Schopp,Nathan Fontenot,Ryan Patrick Grimm,Robert Cory Jennings, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

PCIE traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US09940286B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory systems and methods of operating thereof, memory controllers and readable storage media

Номер патента: US20240362169A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Guangyao Han,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Managing memory transactions in a distributed shared memory system supporting caching above a point of coherency

Номер патента: US09430380B2. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Managing memory transactions in a distributed shared memory system supporting caching above a point of coherency

Номер патента: US09418007B2. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

System and Method to Provide Non-Coherent Access to a Coherent Memory System

Номер патента: US20140372709A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Jeffrey A. Pangborn,Aseem Maheshwari. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

System and method to provide non-coherent access to a coherent memory system

Номер патента: US20130103909A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Aseem Maheshwari,Jeffrey Pangborn. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory system

Номер патента: US09990283B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

System and method to provide non-coherent access to a coherent memory system

Номер патента: US09569366B2. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Jeffrey A. Pangborn,Aseem Maheshwari. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Hardware processor core having a memory sliced by linear address

Номер патента: US20240126702A1. Автор: Ryan Carlson,Richard Klass,Mark Dechene,Paula Petrica,Sudeepto Majumdar,Rafael Trapani Possignolo,Meenakshi Marathe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

A memory arrangement for multi-processor systems

Номер патента: EP1896983A2. Автор: Suk Jin Kim,Bingfeng Mei,Osman Allam. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-03-12.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Performance optimization for storing data in memory services configured on storage capacity of a data storage device

Номер патента: WO2024173399A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Dynamic adjustment of data protection schemes in flash storage systems based on temperature, power off duration and flash age

Номер патента: US09571128B2. Автор: Aaron D. Fry,Andrew D. Walls,Lincoln T. Simmons,Gary A. Tressler,Franck Excoffier,Adam C. Chunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20240363185A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Power Management Integrated Circuit with Dual Power Feed

Номер патента: US20200075062A1. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory system and data transmission method

Номер патента: US09953686B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2018-04-24.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Power management integrated circuit with dual power feed

Номер патента: US20200411068A1. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system

Номер патента: US09711240B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system for mirroring data

Номер патента: US09436563B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09384847B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Granular error reporting on multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: US20210397509A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin,Sho Chun Shi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09495242B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09471422B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Systems and methods for improving efficiencies of a memory system

Номер патента: US09696920B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09983916B2. Автор: Kwang-su Kim,Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09876511B2. Автор: Yoshiyuki Sakamaki,Osamu Torii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-optimized power management for ddr-compatible memory systems

Номер патента: US20170365305A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Craig Hanson,Jangseok Choi,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems and methods for transmitting packets in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09733847B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nullifying incorrect sampled data contribution in decision feedback equalizer at restart of forwarded clock in memory system

Номер патента: US09865328B1. Автор: Craig DeSimone,Praveen Singh. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Inferring sampled data in decision feedback equalizer at restart of forwarded clock in memory system

Номер патента: US09860088B1. Автор: YUE YU,Alejandro Gonzalez,Yanbo Wang,Craig DeSimone,Praveen Singh. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09778980B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Signal monitoring by memory system

Номер патента: WO2024168574A1. Автор: Deping He,Huachen Li. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US12106804B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system having address synchronizer and operation method thereof

Номер патента: US09990974B2. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US09939855B2. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09575833B2. Автор: Myeong-Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system, memory module and method to backup and restore system using command address latency

Номер патента: US09471517B1. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US20240339168A1. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus in memory for input and output parameters optimization in a memory system during operation

Номер патента: US20200364049A1. Автор: Elancheren Durai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Cloning protection scheme for a digital information playback device

Номер патента: WO2000014658A1. Автор: Ajit Rajasekharan,Guy A. Story,Vipin Bharathan,Sugeet K. Shah. Владелец: AUDIBLE, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Protection scheme for embedded code

Номер патента: US09715463B2. Автор: Pranab Bhooma,Carlos Basto,Kulbhushan KALRA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Protection scheme for embedded code

Номер патента: US09514064B2. Автор: Pranab Bhooma,Carlos Basto,Kulbhushan KALRA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Bridging circuitry between a memory controller and request agents in a system having multiple system memory protection schemes

Номер патента: US09442864B2. Автор: Men Long,Siddhartha Chhabra,Uday R. Savagaonkar,Ramadass Nagarajan,Alpa T. Narendra Trivedi,Stanley S. Kulick,Edgar Borrayo,Carlos Ornelas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Mechanism to extend computer memory protection schemes

Номер патента: EP1374066A1. Автор: Kevin D. Kissell,Peter Koch Andersson. Владелец: MIPS Tech LLC. Дата публикации: 2004-01-02.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: GB2594258A. Автор: PARKER Jason,Elad Yuval,GARCIA-TOBIN Carlos,Brookfield Swaine Andrew,Donald Charles Chadwick Alexander. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: EP4139806A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: WO2021214428A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-10-28.

Using a memory address to form a tweak key to use to encrypt and decrypt data

Номер патента: US09910790B2. Автор: Vinodh Gopal,Gilbert M. Wolrich,Wajdi K. Feghali,Kirk S. Yap. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Isochronous agent data pinning in a multi-level memory system

Номер патента: US09542336B2. Автор: Aditya Sreenivas,Bryan White,Blaise Fanning,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Marc Torrant,Todd Witter,Neil Schaper. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system

Номер патента: US09454496B2. Автор: Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for code protection in non-volatile memory systems

Номер патента: US09390278B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory controller and method of operating a memory controller

Номер патента: US09940186B2. Автор: Dirk Wendel,Joachim Fader,Ray Charles Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Managing information protection schemes in memory systems

Номер патента: US11797385B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory controller and method of operating a memory controller

Номер патента: US20170177432A1. Автор: Dirk Wendel,Joachim Fader,Ray Charles Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Multiple data protection schemes for a single namespace

Номер патента: US20180189148A1. Автор: Arun Raghunath,Michael P. Mesnier,Ian F. Adams. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Data processing system having a uniquely organized memory using object-based information and a unique protection scheme for determining access rights to such information and using unique multilevel microcode techniques

Номер патента: CA1173172A. Автор: Thomas M. Jones,David H. Bernstein,Brett L. Bachman,Steven J. Wallach,Ronald H. Gruner,Gerald F. Clancy,Craig J. Mundie,Stephen I. Schleimer,Richard G. Bratt,Edward S. Gavrin,Walter A. Wallach, Jr.,John K. Ahlstrom,Michael S. Richmond,Richard A. Belgard,Douglas M. Wells,Lawrence H. Katz. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1984-08-21.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Reset techniques for protocol layers of a memory system

Номер патента: US20240297928A1. Автор: Junjun Wang,Zhanqiang Su. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory controllers and memory systems including the same

Номер патента: US20240178861A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system for portable telephone

Номер патента: US09473603B2. Автор: Masatoshi Kimura,Takayuki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Schedule instructions of a program of data flows for execution in tiles of a coarse grained reconfigurable array

Номер патента: US12039335B2. Автор: Skyler Arron Windh,Allan Kennedy Porterfield,Bashar Romanous. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Handling of single-copy-atomic load/store instruction with a memory access request shared by micro-operations

Номер патента: US11748101B2. Автор: Raja Abhishek,Albin Pierrick TONNERRE. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Scalable protection scheme for protecting destaged data units

Номер патента: US09471429B2. Автор: Yechiel Yochai. Владелец: INFINIDAT LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system and method

Номер патента: US20110252162A1. Автор: Jun Li,Gabriel Li. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Use of a precursor to select cached buffer

Номер патента: US20060271940A1. Автор: Madhusudhan Talluri,Muthian Sivathanu. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and control method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230299794A1. Автор: Yuki Kondo,Hironori Uchikawa,Naoaki Kokubun. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20240320097A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US12135641B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

System and method for providing a command buffer in a memory system

Номер патента: US09552175B2. Автор: Riccardo Badalone,Michael L. Takefman,Maher Amer. Владелец: Diablo Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory controller, memory system, and memory control method

Номер патента: US09389957B2. Автор: Osamu Torii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Method and apparatus for detecting or correcting multi-bit errors in computer memory systems

Номер патента: US09703625B1. Автор: Steven Lee Shrader,Marc Greenberg. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Chip lockout protection scheme for integrated circuit devices and insertion thereof

Номер патента: US8484481B2. Автор: Jesse E. Craig,Stanley B. Stanski,Scott T. Vento. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Data correction scheme with reduced device overhead

Номер патента: US20240004756A1. Автор: Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Marco Sforzin,Paolo Amato,Joseph M. McCrate. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for decrypting data blocks of a pattern-encrypted subsample

Номер патента: WO2019217042A1. Автор: Shalaj JAIN,Angus Wong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-11-14.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Protection scheme for remotely-stored data

Номер патента: US09852299B2. Автор: Thanunathan Rangarajan,Hariprasad Nellitheertha,Anil S. Keshavamurthy,Deepak S.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Preserving data integrity in a memory system

Номер патента: US09563501B2. Автор: Sean Eilert,Christopher Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

At speed tap with dual port router and command circuit

Номер патента: US09507679B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Blower system with dual opposite outlets and fan diameter approaching to blower housing dimension for information handling systems

Номер патента: US20200340493A1. Автор: Qinghong He,Arnold Thomas Schnell. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Data processing system having addressing mechanisms for processing object-based information and a protection scheme for determining access rights to such information

Номер патента: US4498131A. Автор: Thomas M. Jones,David A. Farber,David H. Bernstein,Brett L. Bachman,Steven J. Wallach,Gerald F. Clancy,Craig J. Mundie,Stephen I. Schleimer,Richard G. Bratt,Edward S. Gavrin,Walter A. Wallach, Jr.,John K. Ahlstrom,Michael S. Richmond,John F. Pilat,Richard A. Belgard,Douglas M. Wells,Lawrence H. Katz. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Method and apparatus for accessing a memory core multiple times in a single clock cycle

Номер патента: US20040109381A1. Автор: Eric Badi,Jean-Marc Bachot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: EP4391376A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Data center using a memory pool between selected memory resources

Номер патента: US11146630B2. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-12.

Fairness in memory systems

Номер патента: WO2009014896A3. Автор: Thomas Moscibroda,Onur Mutlu. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Updating memory contents of a processing device

Номер патента: WO2006072410A1. Автор: Christian Gehrmann. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2006-07-13.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory for storing the number of activations of a wordline, and memory systems including the same

Номер патента: US09799390B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Flexible memory systems and methods

Номер патента: US09538038B2. Автор: Pierre Boulanger,Nicholas Högasten,Katrin Strandemar,Theodore R. Hoelter,Barbara Sharp,Eric A. Kurth,David W. DART,Weilming Sieh. Владелец: Flir Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Line based image processing and flexible memory system

Номер патента: US09521289B2. Автор: Pierre Boulanger,Nicholas Högasten,Katrin Strandemar,Theodore R. Hoelter,Barbara Sharp,Eric A. Kurth,David W. DART,Weilming Sieh. Владелец: Flir Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Copy protection schemes for copy protected digital material

Номер патента: WO1999048290A3. Автор: Johan P M G Linnartz,Johan C Talstra. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-12-09.

Analysis Method for Closed-Loop Supply Chain with Dual Recycling Channels

Номер патента: US20220027864A1. Автор: Xuelian Zhang,Shizhen Bai. Владелец: Harbin University of Commerce. Дата публикации: 2022-01-27.

Packaging of high performance system topology for NAND memory systems

Номер патента: US09728526B2. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Recovery of nearby data in programming of non-volatile multi-level multiple memory die

Номер патента: EP2948956A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-02.

Non-volatile memory system with reset control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140226390A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140177317A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-volatile memory system with reset verification mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09646690B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus for externally timing high voltage cycles of non-volatile memory system

Номер патента: US20020054534A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-09.

METHOD AND DEVICE FOR MAGNETO-INDUCTIVE READING OF A WALL-THROUGH MEMORY SYSTEM USING A DIFFICULT AXIS CONTROL FIELD AND A NOISE SUPPRESSION DETECTION LINE

Номер патента: FR2322428A1. Автор: David Shih-Fang Lo,Maynard Carlton Paul. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1977-03-25.

Transfer apparatus with dual transfer-assist blades

Номер патента: US6233423B1. Автор: Gerald M. Fletcher,Christian O. Abreu,John T. Buzzelli,Palghat S. Ramesh. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Circuit for verifying the write enable of a one time programmable memory

Номер патента: US20110267869A1. Автор: Alexander B. Hoefler,Mohamed S. Moosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Linked XOR flash data protection scheme

Номер патента: US11935609B2. Автор: Man Lung Mui,Sahil Sharma,Oleg Kragel,Vijay Sivasankaran. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Linked XOR Flash Data Protection Scheme

Номер патента: US20230368857A1. Автор: Man Lung Mui,Sahil Sharma,Oleg Kragel,Vijay Sivasankaran. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Pseudo-2-port memory with dual pre-charge circuits

Номер патента: WO2022146625A1. Автор: Harold Pilo,Michael Myungho LEE,Vijit Gadi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-07-07.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system for rapidly testing data lane integrity

Номер патента: US09837169B2. Автор: Matthew Weber,Timothy M. Wiwel,Paul D. Kangas,Robert Diokno. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US12057159B2. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Detecting data integrity in memory systems

Номер патента: US09984759B1. Автор: NaiPing Kuo,Yi-Chun Liu,Yuchih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatuses and methods for coupling semiconductor devices of a memory module in a memory system

Номер патента: US09524756B2. Автор: Koji Matsuo,Yoji Nishio,Tadaaki YOSHIMURA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Management method for nonvolatile memory system following power-off

Номер патента: US09431069B2. Автор: Taekkyun Lee,Wonchuri Zoo,Jinhyuk Kim,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20150049556A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240347097A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Storage device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US09627079B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing memory system including a storage device

Номер патента: US12148469B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory system, control system and method of predicting lifetime

Номер патента: US09424927B2. Автор: Yuichiro Mitani,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method of determining a failure in the memory system

Номер патента: US09412453B2. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory offset scheme with nodes of intersection

Номер патента: RU2651191C2. Автор: Натан ФРАНКЛИН,Сандип ГУЛИАНИ,Мазе ТАУБ,Киран ПАНГАЛ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-04-18.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Controlling pillar voltage using wordline boost voltage and select gate leakage during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240339158A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Fulvio Rori,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Albert Fayrushin,Jeffrey S. McNeil,Justin Bates,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2. Автор: Jun Jin Kong,Changkyu Seol,Hong Rak Son,Kwanghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Dynamic program window determination in a memory device

Номер патента: US09455043B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,William H. Radke,Tommaso Vali,Massimo Rossini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory systems and operating methods of memory controllers

Номер патента: US09390805B2. Автор: JINYUB LEE,Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Stacked memory structure with dual-channel transistor

Номер патента: EP4149231A1. Автор: Scott B. Clendenning,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Hui Jae Yoo,Sean T. MA,Tristan A. TRONIC,Abhishek Anil Sharma,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20190296888A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20210351908A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12080352B2. Автор: Yasuyuki Ushijima,Hisaki Niikura,Kyoka KONISHI,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Variable programming voltage step size control during programming of a memory device

Номер патента: US12125537B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Bo Lei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermal aware data placement and compute dispatch in a memory system

Номер патента: US09947386B2. Автор: Indrani Paul,Manish Arora,Yasuko ECKERT,Dong Ping Zhang,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672892B2. Автор: Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and assembling method of memory system

Номер патента: US09620218B2. Автор: Yuji Nagai,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system including a memory chip configured to receive an erase suspend command and a program suspend command from a controller chip

Номер патента: US09947411B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system storing 4-bit data in each memory cell and method of controlling thereof including soft bit information

Номер патента: US09934847B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory circuit and stack type memory system including the same

Номер патента: US09761288B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09627025B2. Автор: Jae-il Kim,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory modules and memory systems

Номер патента: US09558805B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and memory system

Номер патента: US09508441B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US09443571B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory system

Номер патента: US20230223097A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Area-efficient dynamic memory redundancy scheme with priority decoding

Номер патента: US20210350865A1. Автор: Chulmin Jung,Bin Liang,Chi-Jui Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Memory, memory system including the same and method for operating memory

Номер патента: US20150043292A1. Автор: Choung-Ki Song,Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: WO2024210913A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: US20240339136A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09583194B2. Автор: Young-Jin Park,Gi-Pyo UM,Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage testing circuit with error protection scheme

Номер патента: US20240038321A1. Автор: Dong Pan,Subhasis Sasmal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system, computer system and memory

Номер патента: US7949852B2. Автор: Shinji Tanaka. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: US20240249789A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A. Herrera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Read circuit and memory system

Номер патента: US20240274166A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: WO2024158647A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A HERRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: US20240321340A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: WO2024205813A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Multi-communication device in a memory system

Номер патента: US09934830B2. Автор: Jongmin Park,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko,Sungup Moon,Kyoyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Multiple-hot (multi-hot) bit decoding in a memory system for activating multiple memory locations in a memory for a memory access operation

Номер патента: US09830965B2. Автор: David Paul Hoff,Milind Ram KULKARNI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of voltage calibration and apparatus thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240379135A1. Автор: Tianyi YE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system including semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607699B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09478290B1. Автор: Kyung-Hwa Kang,Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory, operation method of memory, and memory system

Номер патента: US20240331749A1. Автор: CHONG Jin,Yan Wang,Ke Liang,Jing Zhang,Jie Ma,Weiwei He,Teng CHEN,Difei Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Compensation of deterministic crosstalk in memory system

Номер патента: US09865315B1. Автор: Craig DeSimone. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory and memory system including the same

Номер патента: US09691467B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09646703B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Address comparator circuit for generating transmission control signal, memory device and memory system including the same

Номер патента: US09564195B2. Автор: Ki-Chon Park,Jung-Hwan JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device including power-up control circuit, and memory system having the same

Номер патента: US09455018B2. Автор: Seung-Hun Lee,Won-Jae Shin,Hyung-chan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09437286B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device with dual address memory read amplifiers

Номер патента: US5619473A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US7035134B2. Автор: Samuel D. Naffziger,Scott A. Anderson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: US09870818B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system with encoding

Номер патента: US09824732B2. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory controller, memory system including the same, and electronic device including the memory system

Номер патента: US09767869B2. Автор: In Sung Joe,Dong Jae Shin,Hyunil Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system with a content addressable superconducting memory

Номер патента: US09741419B1. Автор: William R Reohr,Brian R Konigsburg. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

System method and apparatus for screening a memory system

Номер патента: US09653180B1. Автор: Bhuvan Khurana,Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Impedance calibration circuit, and semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: US09552894B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory system, driver circuit thereof and method for setting resistance thereof

Номер патента: US09443588B2. Автор: Chia-Chen Kuo,Meng-Fan Chang,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Ling Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Pseudo-2-port memory with dual pre-charge circuits

Номер патента: EP4252232A1. Автор: Harold Pilo,Michael Myungho LEE,Vijit Gadi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method and system for refreshing memory of a portable computing device

Номер патента: EP4248444A1. Автор: Kunal Desai,Pranav Agrawal,Akash SUTHAR,Aman CHHETRY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Nand-type floating gate memory device with dual source side select transistors and programming method

Номер патента: EP1019914A1. Автор: Yu Sun,Shane Charles Hollmer,Chi Chang,Sameer Haddad,Shoichi Kawamura,Pau-Ling Chen,Michael Van Buskirk,Chung-You Hu,Bing Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11183245B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Improvements in or relating to direct current protection schemes

Номер патента: CA2984877C. Автор: Hengxu Ha,Sankara Subramanian Sri Gopala Krishna Murthi. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2023-09-26.

Improvements in or relating to direct current distance protection schemes

Номер патента: CA2984881A1. Автор: Hengxu Ha,Sankara Subramanian Sri Gopala Krishna Murthi. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2016-11-17.

Improvements in or relating to direct current distance protection schemes

Номер патента: CA2984881C. Автор: Hengxu Ha,Sankara Subramanian Sri Gopala Krishna Murthi. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for influencing a control program of a control device

Номер патента: US09791844B2. Автор: Thorsten Hufnagel,Andre Rolfsmeier. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2017-10-17.

Beam detection with dual gain

Номер патента: US12102567B2. Автор: Conrad Sawicz,Derek Y Chen. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Power control circuit for setting triggering reference point of over current protection scheme

Номер патента: US09871443B2. Автор: Heng-Lung Lin. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Rf home automation system comprising nodes with dual functionality

Номер патента: EP1275037A2. Автор: Carlos Melia Christensen,Jesper Knudsen. Владелец: Zensys AS. Дата публикации: 2003-01-15.

Time to digital circuitry with error protection scheme

Номер патента: US11742868B1. Автор: Tyler J. Gomm,Eric A. Becker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Time to digital circuitry with error protection scheme

Номер патента: US20230268927A1. Автор: Tyler J. Gomm,Eric A. Becker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Protection for optical transport network with dual homed attachment circuits

Номер патента: US09774387B2. Автор: Sergio Lanzone,Andrea Corti,Annamaria Fulignoli. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-09-26.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: EP2520051A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-11-07.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: WO2011081742A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2011-07-07.

Protection for optical transport network with dual homed attachment circuits

Номер патента: WO2014114349A1. Автор: Sergio Lanzone,Andrea Corti,Annamaria Fulignoli. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2014-07-31.

Sidewall protection scheme for contact formation

Номер патента: US09837304B2. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Protection scheme

Номер патента: EP2098020A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-09-09.

Method and System for Improved Noise Isolation in an Electrostatic Discharge Protection Scheme

Номер патента: US20210398920A1. Автор: Michael A. Stockinger,Radu Mircea Secareanu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Image processing apparatus, and control method and program of image processing apparatus

Номер патента: US09591170B2. Автор: Hiroyuki Yaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package structure, fabrication method and memory system

Номер патента: US20240332269A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-stage overload protection scheme for pipeline analog-to-digital converters

Номер патента: US09893737B1. Автор: Mansour Keramat,Vijay Srinivas,KiYoung Nam. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

High performance memory system for 3D color correction

Номер патента: US09392143B1. Автор: Leslie D. Kohn,Manish Kumar Singh. Владелец: Ambarella Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

System and method for monitoring the connectivity of a path between nodes in a network

Номер патента: EP2288079A1. Автор: Stephen Graham,Nimer Yaseen,Albert Smith,Zanjun Lu,Joseph K. Nguyen,Sushanth Vallath,Steven M. Simmons. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

A service-oriented protection scheme for a radio access network

Номер патента: EP1504615A1. Автор: Sudhir Dixit,Zoe Antoniou. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-09.

A service-oriented protection scheme for a radio access network

Номер патента: EP1504615A4. Автор: Sudhir Dixit,Zoe Antoniou. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-01-24.

A fault protection scheme

Номер патента: WO2002011296A3. Автор: Kenneth Guild,Damian Cowell. Владелец: Ditech Comm Corp. Дата публикации: 2002-05-10.

Inverter bridge controller implementing short-circuit protection scheme

Номер патента: EP1738454A2. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: SMC Electrical Products Inc. Дата публикации: 2007-01-03.

Overvoltage and overcurrent protection scheme

Номер патента: WO2012024160A1. Автор: Thomas Loewe. Владелец: Snap-on Incorporated. Дата публикации: 2012-02-23.

Inverter bridge controller implementing short-circuit protection scheme

Номер патента: WO2006002229A3. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: SMC Electrical Products Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Inverter bridge controller implementing short-circuit protection scheme

Номер патента: WO2006002229A2. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: SMC Electrical Products, Inc.. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and system for reducing packet loss in a service protection scheme

Номер патента: US09769091B2. Автор: Han Yang,Chi Zhang,Yanwei LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Hydraulic control system for cooling and lubrication of automatic transmission with dual clutch

Номер патента: RU2723052C1. Автор: Вэй Чжан,Хуасюэ ЛЮ,Линь ЧЖОУ,Гуанцин ТАН,Цзяньчэн ГАО. Владелец: Грэйт Уолл Мотор Компани Лимитед. Дата публикации: 2020-06-08.

Protection scheme configuration in communication network environment

Номер патента: WO2023248160A1. Автор: SUNG Won,Saurabh KHARE,Ranganathan Mavureddi Dhanasekaran. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-12-28.

Power transmission structure with dual blade shaft of a circular saw

Номер патента: US20060081104A1. Автор: Chun-Hsiang Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Current control for a boost converter with dual anti-wound inductor

Номер патента: GB2626679A. Автор: J King Eric,L Melanson John,W Lawrence Jason. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Using multiple error correction code decoders to store extra data in a memory system

Номер патента: US12095474B1. Автор: Jun Zhu,Biswanath Tayenjam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Hair brush with dual shaped head for managing baby and mature hair

Номер патента: US09961988B2. Автор: Felisa Wedlock. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of controlling engine with dual fuel injection system (versions)

Номер патента: RU2717784C2. Автор: Джозеф Лайл ТОМАС,Стивен Джордж РАСС,Скотт Аллан ЛЕХТО,Кристофер Арнольд ВУДРИНГ,Жанна ВЭЙ,Дэвид ШЕЛЛИ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2020-03-25.

Process integration flow for embedded memory enabled by decoupling processing of a memory area from a non-memory area

Номер патента: US11765909B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

MODIFIED KEYBOARD, STRSD scheme, WITH SYSTEMATIZATION OF TEXT KEYS, INCREASING CHARACTERISTICS OF A COMPUTER, WRITING MACHINE

Номер патента: RU2011120873A. Автор: Виктор Николаевич Зимин. Владелец: Виктор Николаевич Зимин. Дата публикации: 2012-11-27.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

COMMUNICATION DEVICE, RECORDING MEDIUM FOR CONTROL PROGRAM OF COMMUNICATION DEVICE, COMMUNICATION SYSTEM AND COMMUNICATION METHOD

Номер патента: US20120003940A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SURGICAL ILLUMINATOR WITH DUAL SPECTRUM FLUORESCENCE

Номер патента: US20120004508A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-braking asynchronous electric motor with dual massive rotor

Номер патента: RU2551893C1. Автор: Сергей Анатольевич Попов,Николай Васильевич Ладенко,Вера Сергеевна Спичак,Лилия Михайловна Шишканова,Кристина Юрьевна Романенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2015-06-10.

Protection scheme with dual programming of a memory system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты