Method for manufacturing active matrix substrate and method for manufacturing organic light emitting display device
Номер патента: KR101058105B1
Опубликовано: 24-08-2011
Автор(ы): 최웅식
Принадлежит: 삼성모바일디스플레이주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-08-2011
Автор(ы): 최웅식
Принадлежит: 삼성모바일디스플레이주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.