Image sensor and fabrication method thereof
Номер патента: US20240234599A1
Опубликовано: 11-07-2024
Автор(ы): Changcheng GAO, Dayong YAN, Qiang SHI, Wei Zhang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-07-2024
Автор(ы): Changcheng GAO, Dayong YAN, Qiang SHI, Wei Zhang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Backside structure and methods for BSI image sensors
Номер патента: US09613996B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Wen-De Wang,Keng-Yu Chou,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.