Integración de vías a través de sustrato en capas de la parte intermedia de la línea de circuitos integrados
Номер патента: ES2829898T3
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): Shiqun Gu, Vidhya Ramachandra
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): Shiqun Gu, Vidhya Ramachandra
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
CMOS interconectados de dos lados para circuitos integrados apilados
Номер патента: ES2866299T3. Автор: Brian Henderson,Arvind Chandreaskaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-19.