Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of forming semiconductor structures

Номер патента: US20170263694A1
Опубликовано: 14-09-2017
Автор(ы): Chia-Wei Liu, Chien-Ying WU, Chun Hua CHANG, Fang-Ting KUO, Ren-Wei Xiao, Sheng Yu Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US10050103B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US09396996B2. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Thin film resistors and methods of manufacture

Номер патента: US20120126370A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Dustin K. Slisher,Robert R. Robison,David L. Harmon,Kimball M. Watson,Jeffrey H. Sloan,Joseph M. Lukaitis,Stewart E. Rauch, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of filling holes in a semiconductor structure using an adhesion layer deposited from ionized metal

Номер патента: KR100501460B1. Автор: 공다 야오,젱 수,피터 샤티트푼웨이챠,케니 킹-타이 갠. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-09-26.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230163025A1. Автор: TING Li,Hou-Hong Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230043941A1. Автор: Peng Yang,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of forming semiconductor package

Номер патента: US20240347447A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structures and devices including conductive lines and peripheral conductive pads

Номер патента: US09343669B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321740A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata,Masanori OISUGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321742A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09768132B2. Автор: Yung-Fa LEE,Ling Mei LIN,Chun Li WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure implementing sacrificial material

Номер патента: IL157828A. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: David Wei. Дата публикации: 2010-06-16.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09666491B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180277354A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures having an insulative island structure

Номер патента: US09754817B2. Автор: Se-Woong Park,Ki-Joon Kim,Kil-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Structure and Method of Forming

Номер патента: US20170301562A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09793230B1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200032413A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Silicided semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09437593B2. Автор: Jiang Yan,Henning Haffner,Sun-OO Kim,Frank Huebinger,Klaus Schruefer,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structures including carrier wafers and methods of using such semiconductor structures

Номер патента: US09472518B2. Автор: Sharon N. Farrens,Keith R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20190378846A1. Автор: Chih-Hung Wang,Hung-Wei Lin,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu,An-Hsiu Cheng,Cheng-Hua Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming mandrel and non-mandrel metal lines having variable widths

Номер патента: US09870942B1. Автор: Chengwen Pei,Xusheng Wu,Ziyan Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming semiconductor device having segmented interconnect

Номер патента: US20240347546A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of aligning semiconductor device and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2005122706A3. Автор: Joon-Mo Kang. Владелец: Joon-Mo Kang. Дата публикации: 2006-08-17.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of operating and forming semiconductor devices including dual-gate electrode structures

Номер патента: US09449677B2. Автор: Jiyoung Kim,Hyun-Woo CHUNG,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Yongchul Oh,Gyoyoung JIN,Sungkwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of forming a submerged semiconductor structure

Номер патента: US6410379B2. Автор: Sven E. Wahlstrom. Владелец: Sven E. Wahlstrom. Дата публикации: 2002-06-25.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming an isolated semiconductor structure

Номер патента: US4627883A. Автор: Roger P. Holmstrom,Jim-Yong Chi. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-12-09.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of controlling bow in a semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240154059A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: US20110306194A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Manufacturing method of silicon carbide wafer and semiconductor structure

Номер патента: US11987902B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160086903A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Ching-Wen Chiang,Hsien-Wen Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD OF ARRANGING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURAL ELEMENTS ON A CARRIER AND CARRIER COMPRISING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURAL ELEMENTS

Номер патента: US20180247896A1. Автор: Meyer Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US11764273B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Array of capacitors, array of memory cells, methods of forming an array of capacitors, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US12150312B2. Автор: Mark Fischer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Capacitors, And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20220037342A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of forming semiconductor structure with aligning mark in dicing region

Номер патента: US09960123B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming semiconductor package structure

Номер патента: US20240258193A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of Forming Semiconductor Device Including Tungsten Layer

Номер патента: US20180083010A1. Автор: Kenichi Kusumoto,Yasutaka Iuchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Alignment mark via assemblies for a composite interposer and methods of using the same

Номер патента: US20240347469A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang,Wei-An Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220384246A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Structure Having High Breakdown Voltage Etch-Stop Layer

Номер патента: US20240266292A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure with aligning mark and method of forming the same

Номер патента: US09659873B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure, integrated circuit device, and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US9893019B2. Автор: Yu-Chuan Lin,Shih-Hsien Ma,Haw-Chuan Wu,Shih-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220020725A1. Автор: LI ZHANG,Xinsheng Wang,Weihua Cheng,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Xianjin Wan,Gaosheng Zhang,Jiawen Wang,Taotao DING,Shining Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming electromagnetic interference shielding layer of ball grid array semiconductor package and base tape for the method

Номер патента: US09613913B2. Автор: Sung Hwan Choi,Tae Sup HAN. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2017-04-04.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing hemispherical granular polysilicon semiconductor structure

Номер патента: JP3493627B2. Автор: サクール、ランディール・ピー・エス. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476B1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-12-13.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: US20050178740A1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure with lining layer partially etched on sidewall of the gate

Номер патента: US7034354B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-25.

Methods of forming iii-v semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US20150255591A1. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200211637A1. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10916296B2. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor structure including metal silicide buffer layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150061030A1. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FORMING INTERCONNECTS AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20140154879A1. Автор: Akram Salman,Wark James M.,Hiatt William Mark. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US20170283954A1. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

METHODS OF FORMING OPENINGS IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20150380307A1. Автор: deVilliers Anton J.,Jain Kaveri,Gou Lijing,Brown William R.,Eom Ho Seop,Olson Adam L.,Chen Xue (Gloria). Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure with an epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200194252A1. Автор: Chin-Fu Lin,Yu-Cheng Tung,Hsiao-Pang Chou,Ming-Chang Lu,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structures

Номер патента: US20030132485A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Manufacturing method of semiconductor microwire or nanowire, semiconductor structure including the microwire or nanowire, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: JP6296993B2. Автор: アメリ・デュッサーニュ,フィリップ・ジレ,フランソワ・マルタン. Владелец: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ. Дата публикации: 2018-03-20.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: US20190148396A1. Автор: LEE Guan-Ru. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Body-contacted semiconductor structures and methods of fabricating such body-contacted semiconductor structures

Номер патента: US20070045697A1. Автор: Louis Hsu,Kangguo Cheng,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

The method of the breakdown voltage of semiconductor structure and test grid oxic horizon

Номер патента: CN106898562A. Автор: 宋永梁,朱月芹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE WAFER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220025547A1. Автор: Lin Ching-Shan. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-01-27.

METHOD OF MANUFACTURING METAL SILICIDE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20140154881A1. Автор: Chen Chun-Fu,Shih Yen-Hao,Tsai Shih-Chang,Chen Ying-Tso. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

METHOD OF MODIFYING CAPPING LAYER IN SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170125536A1. Автор: Liu Wayne,YU Xiong-Fei,Chen Liang-Yin,CHEN Chun-Heng,Chang Hui-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Method of fabricating a compound nitride semiconductor structure

Номер патента: KR101200198B1. Автор: 산? 니자완,데이비드 보어,로리 와싱톤,자코프 스미쓰,로날드 스티븐스,데이비드 이글샴. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-11-13.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: KR101316959B1. Автор: 폴 그리샴,브렌트 디. 길겐,워너 주엥링,리차드 에이치. 레인. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-10-11.

Method of aligning semiconductor device and semiconductor structure thereof

Номер патента: KR100713579B1. Автор: 강준모. Владелец: 강준모. Дата публикации: 2007-05-02.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: TWI396252B. Автор: Werner Juengling,Brent D Gilgen,Paul Grisham,Richard H Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-11.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: EP3082156A1. Автор: Brent D. GILGEN, Paul GRISHAM, Richard H. LANE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Crystallization method of metal oxide semiconductor layer, semiconductor structure, active array substrate, and indium gallium zinc oxide crystal

Номер патента: TWI651848B. Автор: 葉家宏,黃景亮. Владелец: 友達光電股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of making lead selenide-based semiconductor structure

Номер патента: RU2493632C1. Автор: Сергей Васильевич Непомнящий,Софья Борисовна Погодина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИКО". Дата публикации: 2013-09-20.

Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same

Номер патента: KR20120108066A. Автор: 폴 그리샴,브렌트 디. 길겐,워너 주엥링,리차드 에이치. 레인. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of constructing a stacked-die semiconductor structure

Номер патента: US7901955B2. Автор: Melissa Grupen-Shemansky. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-03-08.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US8969202B2. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of fabricating a lattice-mismatched semiconductor structure with reduced dislocation defect densities

Номер патента: EP2595175B1. Автор: Zhiyuan Cheng,James Fiorenza,Glyn Braithwaite,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11658070B2. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Methods of forming semiconductor packages with an intermetallic layer comprising tin and at least one of silver, copper or nickel

Номер патента: US09564409B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor package structures and methods of manufacture

Номер патента: US20230317576A1. Автор: Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Stephen St. Germain,Frank Robert CERVANTES,Andrew Celaya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream

Номер патента: US09640437B2. Автор: Belgacem Haba,Ilyas Mohammed,Vage Oganesian,Piyush Savalia,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor package, method of forming semiconductor package, and power module

Номер патента: EP4456132A1. Автор: Qian Liu,Roberto Tiziani. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: US20140327130A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09755056B2. Автор: Ying-Tsung Chen,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming semiconductor package using carbon nano material in molding compound

Номер патента: US09859199B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12009324B2. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190371751A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tsao-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11682638B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230268298A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

System on integrated chips (SoIC) and semiconductor structures with integrated SoIC

Номер патента: US11894309B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

System on Integrated Chips (SoIC) and Semiconductor Structures with Integrated SoIC

Номер патента: US20240153881A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102304A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Multi-chip package system and methods of forming the same

Номер патента: US09911724B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi-chip package system and methods of forming the same

Номер патента: US09589941B1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20080113501A1. Автор: Fred Fishburn,Scott Southwick,Terrence McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Methods of forming semiconductor circuit constructions and capacitor constructions

Номер патента: US20020025625A1. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of forming semiconductor device including capacitors with modified sidewalls and related devices

Номер патента: US09793133B2. Автор: Seong-Kyu Yun,Jung-Woo Seo,Kyoung-Ryul Yoon,Chan-Won Kim,Kee-Hong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US09536940B2. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor structures, and methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20060228880A1. Автор: Fred Fishburn,Scott Southwick,Terrence McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220238530A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049439A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Chia Che CHIANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240097002A1. Автор: Ya-Chin LIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming semiconductor devices including determining misregistration between semiconductor levels and related apparatuses

Номер патента: US09754895B1. Автор: YANG Chao,Keith E. Ypma,Kurt J. Bossart,Joseph L. Hess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20200075713A1. Автор: Wayne I. Kinney,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of forming semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150235841A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20210399101A1. Автор: Sheng-Hwa Lee,Hsiu-Ming Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240355805A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20090053873A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structures comprising polymeric materials

Номер патента: US20170330784A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods of forming semiconductor structures including tight pitch contacts and lines

Номер патента: US09437480B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Finfet device and method of forming same

Номер патента: US20240379853A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US09384973B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Methods of processing units comprising crystalline materials, and methods of forming semiconductor-on insulator constructions

Номер патента: EP2764551A1. Автор: Ming Zhang,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-13.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09627544B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140159081A1. Автор: Seong Suk Lee,Jeong Wook Lee,Dong Ju Lee,Dong Yul Lee,Heon Ho Lee,Ok Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09634118B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20210151442A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240324187A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: US09991122B2. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US12058851B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240274562A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09685318B2. Автор: Wonseok Yoo,Hanjin Lim,Young-Lim Park,Changyup Park,Hyokyoung Kim,Kongsoo Lee,Wook-Yeol Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method of forming semiconductor fin structure

Номер патента: US20180286966A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor film, method of forming semiconductor film, complex compound for doping, and method of doping

Номер патента: US20210013035A1. Автор: Takayuki Uchida,Shizuo Fujita,Kentaro Kaneko,Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming semiconductor devices

Номер патента: US20100144113A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20190148152A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US10658186B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US09613978B2. Автор: Deepak Thimmegowda,Andrew R. Bicksler,Roland Awusie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of forming semiconductor device including trench gate structure

Номер патента: US20090130823A1. Автор: Kyoko Miyata,Fumiki Aiso. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films

Номер патента: EP2676300A2. Автор: Hugh Hillhouse,Wooseok KI. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2013-12-25.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming semiconductor devices and FinFET devices, and FinFET devices

Номер патента: US09355920B2. Автор: Martin Christopher Holland,Matthias Passlack,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240274693A1. Автор: Ming-Hua Yu,Wei-Siang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor constructions, methods of forming semiconductor constructions, and methods of recessing materials within openings

Номер патента: US20080169504A1. Автор: David K. Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming semiconductor device assemblies and interconnect structures, and related semiconductor device assemblies and interconnect structures

Номер патента: US09520370B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160099179A1. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming semiconductor devices including contact holes

Номер патента: US09721808B2. Автор: DAE-YONG KANG,Eunsung KIM,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned top source/drain conductive contacts

Номер патента: US09530866B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09443952B2. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230223369A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11664366B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Methods of forming doped and un-doped strained semiconductor and semiconductor films by gas-cluster ion irradiation

Номер патента: EP1723667A2. Автор: John O. Epion Corporation BORLAND,John J. Epion Corporation HAUTALA,Wesley J. Epion Corporation SKINNER,Martin D. Epion Corporation TABAT. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of forming semiconductor fins

Номер патента: US20140148011A1. Автор: Dae-Han Choi,Chang Ho Maeng,Dae Geun Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of forming semiconductor layer

Номер патента: US20070042120A1. Автор: Keiji Ikeda,Yoshihiko Moriyama. Владелец: TOSHIBA AND FUJITSU Ltd KK. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170317123A1. Автор: JHY-JYI SZE,Shou-Gwo Wuu,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US8048787B2. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-01.

Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20120214296A1. Автор: Hyosan Lee,Siyoung Choi,Kang-ill Seo,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hye-Lan Lee,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO,Jun-Woong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050245044A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods of forming semiconductor devices using auxiliary layers for trimming margin

Номер патента: US09691627B2. Автор: Chan Ho Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Hyeonok JUNG,Jiung Pak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming semiconductor device having gate electrode

Номер патента: US09627207B2. Автор: DongSuk Shin,Jeongmin Lee,Juyeon KIM,Sunguk JANG,Hosung SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US20230197788A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of Forming Internal Spacer for Nanowires

Номер патента: US20180166534A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Soon Aik Chew. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming semiconductor device including edge chip and related device

Номер патента: US09761591B2. Автор: Dong-wan Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Junghoon Han,Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09755046B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09590072B1. Автор: Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09564520B1. Автор: Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming stressed semiconductor layer

Номер патента: US09543214B2. Автор: Pierre Morin,Olivier Nier,Denis Rideau,Emmanuel Josse,Elise Baylac. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a semiconductor structure including a ferroelectric material and semiconductor structure including a ferroelectric transistor

Номер патента: US09412600B2. Автор: Gunter Grasshoff,Ralf van Bentum. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming semiconductor isolation structure and semiconductor isolation structure

Номер патента: US11869802B2. Автор: Wei Feng,Haihan Hung. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods of forming semiconductor devices using embedded l-shape spacers

Номер патента: SG132642A1. Автор: Zhijiong Luo,Young Way Teh,Atul C Ajmera. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20220384251A1. Автор: Yu-Jui Chang,Kwang-Ming Lin,Ya-Huei Kuo,Chih-Cherng Liao,Ya-Ting Chang,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Yu Chang,Kai-Chuan KAN,zheng-xian Wu,I-Ping Lee,Yow-Shiuan LIU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US09679817B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of forming replacement gate structures and bottom and top source/drain regions on a vertical transistor device

Номер патента: US09640636B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20240087948A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Bonded semiconductor structures and method of forming same

Номер патента: US20130015442A1. Автор: Mariam Sadaka,Bich-Yen Nguyen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09685383B2. Автор: Zhen Wu,Chiu-Hsien Yeh,Yu-Ting Tseng,Yen-Cheng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: EP1070348A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A9. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-10-26.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20150179761A1. Автор: JHY-JYI SZE,Shou-Gwo Wuu,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160197110A1. Автор: JHY-JYI SZE,Shou-Gwo Wuu,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Rfsoi semiconductor structures including a nitrogen-doped charge-trapping layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240274659A1. Автор: Cheng-ta Wu,Chiu Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12080553B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A3. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-12-13.

System and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170084666A1. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240363349A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09741618B2. Автор: Gudrun Stranzl,Martin Zgaga,Markus Kahn,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09412612B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220028899A1. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240128265A1. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US12087860B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US20240339366A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20240363757A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure having insulator pillars and semiconductor material on substrate

Номер патента: US09793113B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240215218A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John H. Zhang,Haijiang YUAN,Yanzun Li,Chunyu WONG,Yuan Lung LIN,Chung-Chiang Lin. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structures, memory devices and systems, and methods of forming same

Номер патента: US20200075330A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09780199B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of selectively doping chalcogenide materials and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09614153B2. Автор: Theodore M. Taylor,Prashant Raghu,Scott E. Sills,Jerome A. Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601664B2. Автор: Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09530646B2. Автор: Chih-Wei Wu,Chao-Hung Lin,An-Chi Liu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,En-Chiuan Liou,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Mei-Chen Chen,Chia-Hsun Tseng,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure with template for transition metal dichalcogenides channel material growth

Номер патента: US09349806B2. Автор: YI Chang,Yen-Teng Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230036606A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: EP4439631A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20240321579A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming semiconductor device having dielectric layer and related system

Номер патента: US09953827B2. Автор: NaeIn Lee,Hyeoksang Oh,Woochoel NOH,Wonkyu HAN,Gyeongyun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming uniform and pitch independent fin recess

Номер патента: US09875939B1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Henry K. Utomo,Reinaldo Vega,Melissa A. Smith,Benjamin Moser,Yue Ke,Sameer Jain. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming a semiconductor structure containing high mobility semiconductor channel materials

Номер патента: US09633908B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20230261046A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Hsien-Shih Chu,Te-Hao HUANG,Yun-Fan CHOU,Feng-Ming Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of forming semiconductor structures and resulting semiconductor structures

Номер патента: US20240128336A1. Автор: Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of forming semiconductor structures and resulting semiconductor structures

Номер патента: WO2024081401A1. Автор: Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US12068318B2. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Fin Field-Effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12051626B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor structure comprising an implantation of ions of a non-doping element

Номер патента: US20090035924A1. Автор: Manfred Horstmann,Andreas Gehring,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12068380B2. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240355680A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate

Номер патента: US09997398B2. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate

Номер патента: US09786548B2. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2007002426A3. Автор: Justin Brask,Uday Shah,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Amlan Majumdar. Дата публикации: 2007-03-15.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems and methods of testing semiconductor devices using simultaneously scanning of a plurality of regions therein and methods of forming semiconductor devices using the same

Номер патента: US20180356349A1. Автор: Chung Sam Jun,Yun Jung Jee,Yu Sin YANG,Min Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021738A1. Автор: Chien-Wei Lee,Ching-Hung Kao,Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Meng-I Kang,Kai-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of forming interconnect structures

Номер патента: US20240297073A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Yong Jin Kim,Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Xiangjin Xie,Kevin Kashefi,Carmen Leal Cervantes,Aaron Dangerfield,Jesus Candelario MENDOZA-GUTIERREZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming interconnect structures

Номер патента: US20240355675A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Yong Jin Kim,Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Xiangjin Xie,Kevin Kashefi,Carmen Leal Cervantes,Aaron Dangerfield,Jesus Candelario MENDOZA-GUTIERREZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09520379B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US11908914B2. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: EP4371150A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US09859381B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld,Jizhong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming a gate structure on a vertical transistor device

Номер патента: US09799751B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structures including liners comprising alucone and related methods

Номер патента: US09484196B2. Автор: Cole S. Franklin,Dan Gealy,Zhe Song,Tuman E. Allen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Vertical devices and methods of forming

Номер патента: US09356095B2. Автор: Marcello Mariani,Andrea Filippini,Luca Ferrario. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers

Номер патента: US7160747B2. Автор: David Todd Emerson,Raymond Rosado,Kevin Ward Haberern,Michael John Bergman. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices

Номер патента: EP1573871B1. Автор: David T. Emerson,Michael J. Bergmann,Kevin W. Haberern,Raymond Rosado. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20230327002A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang,Yu-Shih Wang,Po-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of Forming A Gated Diode Structure for Eliminating RIE Damage From Cap Removal

Номер патента: US20140206160A1. Автор: Edward P. Maciejewski,Arvind Kumar,Dustin K. Slisher,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of forming substrate contact for semiconductor on insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09478600B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240186396A1. Автор: Kai Jen,Shou-Chi Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12087578B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chun-Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-Gate Field-Effect Transistors and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240371696A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming low-defect strain-relaxed layers on lattice-mismatched substrates and related semiconductor structures and devices

Номер патента: US09343303B2. Автор: Wei-E Wang,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230369466A1. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046597B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a semiconductor device comprising at least one germanium nanowire

Номер патента: US10714595B2. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09570598B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of selecting optical modes in microresonators using nanoantibodies

Номер патента: RU2721586C2. Автор: Михаил Викторович Максимов,Алексей Евгеньевич Жуков,Иван Сергеевич Мухин,Наталия Владимировна Крыжановская,Эдуард Ильмирович Моисеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук". Дата публикации: 2020-05-20.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US10672612B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US8518778B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20120231595A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20190311901A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Manufacturing method of light emitting diode apparatus

Номер патента: US20090014747A1. Автор: Shih-Peng Chen,Ching-Chuan Shiue,Huang-kun Chen,Chao-Min Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Resistance variable memory structure and method of forming the same

Номер патента: US09847480B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09842986B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Hsia-Wei CHEN,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a biCMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09831135B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150349082A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming a BICMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09595480B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583705B2. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of forming semiconductor device with reduced loading effect

Номер патента: EP3937210A1. Автор: Li-Te Lin,Wei-Lun Chen,Chao-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Method of forming semiconductor structure having sets of iii-v compound layers

Номер патента: US20170236709A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of detecting photoresist scum, method of forming semiconductor package and photoresist scum detection apparatus

Номер патента: US20240363450A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers

Номер патента: RU2638575C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2017-12-14.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of detecting photoresist scum, method of forming semiconductor package and photoresist scum detection apparatus

Номер патента: US12080609B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20210320104A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11502075B2. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Hardmask structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240096625A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Hardmask structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240096624A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Wet etching chemistry and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US12046476B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming semiconductor device using wet etching chemistry

Номер патента: US20240339327A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09761494B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: US20060113641A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

A method of forming nano-patterns on a substrate

Номер патента: SG11201901931UA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Yefeng YU,Kwang Wei Joel Yang,Zhaogang DONG,Ramon Paniagua-Dominguez. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-04-29.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of reducing backside contact resistance

Номер патента: WO2024205982A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Gregory Costrini,El Mehdi Bazizi,Nicolas Breil,Veeraraghavan S. Basker,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Pratik B. Vyas. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20240365569A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions

Номер патента: US09793288B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of treating substrates and substrate treated using said method

Номер патента: RU2459312C2. Автор: Казуя САЙТО,Сусуму САКИО,Хидео ТАКЕИ,Казухиро ВАТАНАБЕ,Синсуке ИГУТИ,Хироюки ЯМАКАВА,Кюзоу НАКАМУРА,Юй-хсынь ЛИНЬ,Хуан-чун ЧАН,Тун-Цзюн У. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-08-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of forming a field effect transistor comprising a stressed channel region

Номер патента: US20060076652A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Methods of reducing backside contact resistance

Номер патента: US20240332388A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Gregory Costrini,El Mehdi Bazizi,Nicolas Breil,Veeraraghavan S. Basker,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Pratik B. Vyas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate

Номер патента: US09741580B2. Автор: Kevin R. Shea,William R. Brown,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Shane J. Trapp,Vishal Sipani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device array

Номер патента: US09633982B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing a semiconductor micro- or nano-wire, semiconductor structure comprising such a micro- or nano-wire, and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09331233B2. Автор: Francois Martin,Amélie DUSSAIGNE,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220139851A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming differential direction diagrams in antennas of circular electronic scanning

Номер патента: RU2680732C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of transverse pumping of working medium of laser

Номер патента: RU2714781C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Григорий Николаевич Качалин,Станислав Михайлович Куликов,Станислав Александрович Сухарев,Николай Александрович Кирдяев,Кирилл Викторович Комаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming a transmitting and receiving radiation pattern in an antenna of circular electronic scanning

Номер патента: RU2714533C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of generating an encryption/decryption key

Номер патента: RU2695050C1. Автор: Виктор Алексеевич Яковлев,Павел Владимирович Лебедев,Юрий Владимирович Ковайкин,Андрей Владимирович Бесков,Павел Геннадьевич Романенко,Михаил Леонардович Вотинов,Андрей Викторович Уйманов,Александр Юрьевич Жук,Антон Владимирович Шатров. Владелец: Павел Владимирович Лебедев. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of forming elliptical direction diagram for active phased antenna array

Номер патента: RU2642515C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Александр Федотович Крячко,Таджидин Экберович Саркаров,Александр Сергеевич Шкурко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of producing superconducting articles

Номер патента: RU2706214C2. Автор: Борис Петрович Михайлов,Валерий Яковлевич Никулин,Анастасия Сергеевна Цаплева,Елена Нинелевна Перегудова,Павел Викторович Силин,Александра Борисовна Михайлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-11-15.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: WO2023172295A2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: US12108688B2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341093A1. Автор: Shun-Li Lan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming a molecular memory element in a via hole

Номер патента: WO2011013092A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of producing biosensor structure

Номер патента: RU2644979C2. Автор: Светлана Викторовна Стецюра,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-02-15.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor constructions having a buried bit line, and methods of forming same

Номер патента: EP1723674A2. Автор: H. Montgomery Manning,Todd R. Abbott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of forming parameters of electric signals for digital electrical substations and device for its implementation

Номер патента: RU2706723C1. Автор: Ильдар Ахатович Гиниятуллин,Глеб Борисович Гублер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Марс-Энерго". Дата публикации: 2019-11-20.

Streaming dot pattern, method of forming streaming dot pattern, method for information input/output using streaming dot pattern and dot pattern

Номер патента: RU2568308C2. Автор: Кенджи ЙОШИДА. Владелец: Кенджи ЙОШИДА. Дата публикации: 2015-11-20.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

A method of providing a marking to a solid-state material, markings formed from such a method and solid-state materials marked according to such a method

Номер патента: WO2022127759A9. Автор: Jianxing Huang,Yingnan WANG. Владелец: GOLDWAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: US11849639B2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of making multilayer photocell chips

Номер патента: RU2492555C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Владимир Михайлович Лантратов,Анна Александровна Усикова,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-09-10.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of making multistage photocell chips

Номер патента: RU2493634C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Владимир Михайлович Лантратов,Анна Александровна Усикова,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

Method of identifying elastic afterworking cause, method of displaying influence of elastic afterworking, method of identifying location of elastic afterworking cause, method of identifying position of elastic afterworking preventer, devices for their implementation and programmes

Номер патента: RU2424074C2. Автор: Ясухару ТАНАКА,Тосиюки НИВА,Сеиити ДАИМАРУ,Юкихиса КУРИЯМА,Такаси АРИГА,Тору Ёсида,Сундзи ХИВАТАСИ,Сатору ОКАЯМА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: RU2528277C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Electrode for electric discharge surface treatment, method of electric discharge surface treatment, and device for electric discharge surface treatment

Номер патента: RU2325468C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-05-27.

METHOD OF SIMULTANEOUS REDUCTION OF AMOUNT OF NOx, CO AND CARBON IN ASH AND ADDITIVE FOR COAL

Номер патента: RU2268915C1. Автор: Стефен А. ФЭКТОР,Томмасо ДИДЖИАМБЕРАРДИНО. Владелец: Афтон Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2006-01-27.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of forming articles of composite material

Номер патента: RU2603798C1. Автор: Николай Викторович Степанов,Галина Михайловна Разина,Татьяна Петровна Асеева,Елена Юрьевна Зайцева. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of forming porous fibres

Номер патента: RU2739906C1. Автор: Василий А. ТОПОЛКАРАЕВ,Райан Дж. МАКИНИНИ,Юэвень СЮЙ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of obtaining agent for the treatment of solid-hoofed animals with parasitosis

Номер патента: RU2681214C1. Автор: Шахаб Вахидович Вацаев,Владислав Евгеньевич Абрамов,Виктор Васильевич Гришин,Маулды Баудинович Мусаев,Иван Алексеевич Архипов,Ирина Евгеньевна Шумакович,Надежда Борисовна Емельянова,Павел Павлович Кочетков,Имран Русланович Салгириев,Айшет Зеудыевна Джамалова,Хеди Имрановна Берсанова,Виктория Владимировна Защепкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии имени К.И. Скрябина и Я.Р. Коваленко Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of forming and apparatus for generating satellite constellation

Номер патента: RU2719067C2. Автор: Дзунити АМИМОТО,Масанобу ФУДЗИМУРА. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of metals extraction form oil dross

Номер патента: RU2348707C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий В чеславович Тен,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of making photoelectric converter chips

Номер патента: RU2391744C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Владимир Михайлович Лантратов,Сергей Александрович Минтаиров,Вячеслав Михайлович Андреев (RU),Владимир Михайлович Лантратов (RU),Наталья Дмитриевна Ильинская (RU),Николай Александрович Калюжный (RU),Александра Вячеславовна Малевская (RU),Сергей Александрович Минтаиров (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of forming steps of resistance increment in a four-wire simulator of signals of strain gauges and a simulator of signals of strain gauges

Номер патента: RU2724321C1. Автор: Евгений Георгиевич Зубов,Геннадий Андреевич Витютин,Шамиль Магамедович Загидуллин,Михаил Александрович Левченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2020-06-22.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Perfected method of producing composite materials

Номер патента: RU2451601C2. Автор: Бенджамин ФЭРМЕР,Марсель БАКЛИ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-05-27.

Respirator made of one or more webs of material, airlaid, manufactured on place of forming respirator

Номер патента: RU2564624C1. Автор: Тьен Т. ВУ,Джон Т. ТУШАУС,Джерри А. ХОФФДАЛ. Владелец: 3М Инновэйтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-10-10.

Method of forming fiber bragg grating with phase shift

Номер патента: RU2676191C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов,Виктория Александровна Новикова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-12-26.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming recommended routes for railway cars

Номер патента: RU2745549C1. Автор: Александр Владимирович Докучаев,Андрей Петрович Котенко,Андрей Андреевич Котенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of determining humidity threshold for formation of gas hydrate in samples of natural coal

Номер патента: RU2725047C1. Автор: Валерий Васильевич Дырдин,Вячеслав Геннадьевич Смирнов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of forming ocular lens and lenses thus formed

Номер патента: RU2495749C2. Автор: Питер В. САЙТС,Майкл Ф. УИДМЭН,Джон Б. ЭННС,П. Марк ПАУЭЛЛ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of forming anti-friction coating by the automated device of powder material supply in the laser processing area

Номер патента: RU2652335C1. Автор: Евгений Викторович Харанжевский,Алексей Геннадьевич Ипатов,Юлия Юрьевна Матвеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФторКОМ". Дата публикации: 2018-04-25.

Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates

Номер патента: RU2566142C2. Автор: Александр Сергеевич Быков,Юрий Николаевич Пархоменко,Дмитрий Александрович Киселев,Михаил Давыдович Малинкович,Роман Николаевич Жуков,Илья Викторович Кубасов,Седрак Гургенович Григорян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of forming transport road (versions)

Номер патента: RU2582685C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Vibration isolator "double bell" (versions) and method of manufacturing of its elastic hysteresis elements from wire material

Номер патента: RU2626787C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2017-08-01.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of making element from fibrous composite material and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2584739C2. Автор: Гернот ШНАЙДЕРБАУЭР,Олаф КОХ. Владелец: Фасс Аг. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of producing stereoscopic images with a synthesized stereo base value

Номер патента: RU2703611C1. Автор: Аркадий Сергеевич Фомкин,Леонид Семёнович Капелюшник. Владелец: Акционерное общество "Стелла-К". Дата публикации: 2019-10-21.

Method of forming photo-alignment film and method of forming liquid crystal layer

Номер патента: US12124061B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Fumitake Mitobe,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of providing data relating to the patients of medical institution

Номер патента: RU2586854C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Светлана Александровна Балахонова,Антон Александрович Иванчуков,Абдуразак Оразгелдиевич Касимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of forming of composite material of empty aerodynamic surfaces - 1

Номер патента: RU2674972C2. Автор: Виктор Степанович Ермоленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "МВЕН". Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming hydraulic resistance lengthwise fish conduit and fish pass implementing the method

Номер патента: RU2245415C1. Автор: А.А. Чистяков,ков А.А. Чист. Владелец: Новочеркасская государственная мелиоративная академия НГМА. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of producing metal parts, in which deposition of material is used, and device for realizing said method

Номер патента: RU2723496C2. Автор: Ян СМОЛИК,Иван ДИВИС,Томас ФОРМУСЕК,Франтисек КОМАРЕК,Ян МАЛЫ,Станислав ХОСНЕДЛ. Владелец: Ковосвит Мас, А.С.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming composite image, system for realising said method, method of calculating mismatch value and data medium

Номер патента: RU2475850C2. Автор: Джини А. ГРИНДСТАФФ,Шейла Дж. УАЙТЭКЕР. Владелец: Интегрэф Софтвеа Текнолоджис Кампэни. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming dump

Номер патента: RU2667395C2. Автор: Сергей Павлович Вострецов,Эльвира Вагизовна Пономарева. Владелец: Акционерное общество "ВНИИ Галургии" (АО "ВНИИ Галургии"). Дата публикации: 2018-09-19.

Surgical treatment method of hypospadias

Номер патента: RU2738557C1. Автор: Герман Владимирович Козырев,Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА,Радош Джинович. Владелец: Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of forming coating on metal with electron-beam surfacing of ceramic powder

Номер патента: RU2735688C1. Автор: Илья Юрьевич Бакеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2020-11-05.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of producing powder of uranium and molybdenum-based alloy

Номер патента: RU2586373C2. Автор: Мерил БРОТЬЕР,Жером АЛЛЕНУ,Франсуа ШАРОЛЛЕ,Ксавье ИЛТИ,Оливье ТУГЭ,Матье ПАСТЮРЕЛЬ,Анри НОЭЛЬ. Владелец: Юниверсите Де Ренн 1. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of making component of fibrous composite for aircraft and space engineering

Номер патента: RU2492046C2. Автор: Кристиан НИТШ. Владелец: Эйрбас Оператионс Гмбх. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of forming medium of specified temperature in working chamber of 3d printer

Номер патента: RU2736449C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Дмитрий Николаевич Трушников,Игорь Игоревич Безукладников,Александр Андреевич Осколков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ф2 ИННОВАЦИИ". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of selecting an object on a distant background with optical systems from an air carrier

Номер патента: RU2714701C1. Автор: Владимир Аминович Подгорнов,Семён Владимирович Подгорнов,Алексей Евгеньевич Кипкаев,Георгий Анатольевич Крестьянинов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-02-19.

Esters of hyaluronic acid with rhein, method of preparing said esters and composition containing said esters

Номер патента: RU2383554C2. Автор: Антонелло ПЬЕТРАНДЖЕЛО,Вальтер ТРАВАЛЬ. Владелец: Лаборатуар Медидом С.А.. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of holographic recording remote formation

Номер патента: RU2707582C1. Автор: Сергей Александрович Шойдин. Владелец: Сергей Александрович Шойдин. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of separating discrete portion from web

Номер патента: RU2601220C2. Автор: Джеффри Алан ДЕБРО,Эрик Луис ШРЁДЕР,Кирк Джон ДЕМПСИ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of treating fresh ruptures of the thigh quadriceps muscle tendon

Номер патента: RU2723218C1. Автор: Илья Вячеславович Сутягин,Евгений Александрович Дудко,Сергей Петрович Бойчук. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени академика Г.А. Илизарова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-09.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of determining workpiece shape, workpiece molded with pressed article, method of forming by pressing, computer program and recording medium

Номер патента: RU2682735C1. Автор: Тосиюки НИВА,Сигеру ЙОНЕМУРА,Тохру ЙОСИДА,Дзун НИТТА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-21.

Stack of sheets of paper, a dispenser having such a pile, and a method of forming such pile

Номер патента: RU2709394C1. Автор: Иоанн Дени,Магнус ФАЛЬК,Пол КАРЛСОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2019-12-17.

Ceramic element for packing and method of forming layer of packing elements

Номер патента: RU2281156C2. Автор: Томас Жимански,Хассан С. НИКНАФС,Ричард Н. РОБИНЕТТ,Стивен Л. ДАХАР,Джон РЕЙД. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of sandwiched panel assembly and shaping

Номер патента: RU2516508C2. Автор: Эндрю ЛЕВЕРС,Гари УИЛЕС. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Method of calculation of the molding sand properties, method of calculation of component composition of molding and/or core mixtures, device for calculation of the properties of molding sand and/or component composition of forming and/or core mixtures, automated data medium for its implementation

Номер патента: RU2654384C2. Автор: Илья Александрович Кузнецов,Андрей Викторович Лоптев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2018-05-17.

System and method of forming training set for machine learning algorithm

Номер патента: RU2711125C2. Автор: Александр Александрович Чигорин,Константин Викторович Лахман,Виктор Сергеевич Юрченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-01-15.

Method of forming coating from ultra-high molecular polyethylene on tillage working tools

Номер патента: RU2725548C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Сергей Иванович Старовойтов,Андрей Юрьевич Измайлов,Николай Георгиевич Кынев,Бадри Хутаевич Ахалая,Игорь Анатольевич Пехальский,Юлия Сергеевна Ценч,Сергей Андреевич Квас,Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-07-02.

Method of forming a competence model

Номер патента: RU2701993C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Иванович Стародубцев,Ольга Владимировна Ильина,Евгения Александровна Алисевич,Малика Абдимуратовна Давлятова. Владелец: Михаил Валерьевич Митрофанов. Дата публикации: 2019-10-02.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20140009524A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20150174895A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of incorporating carbon nanotubes in a medical appliance, a carbon nanotube medical appliance, and a medical appliance coated using carbon nanotube technology

Номер патента: WO2006052538A3. Автор: Shrirang V Ranade. Владелец: Shrirang V Ranade. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Stacked semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09975762B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method of forming an image of an augmented reality that provides the correlation of visual characteristics of real and virtual objects

Номер патента: RU2667602C2. Автор: Андрей Леонидович Горбунов,Андрей Юрьевич Зелинский,Андрей Иванович Кауров,Александра Андреевна Горбунова,Марина Федоровна Козлова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВИАРЕАЛ". Дата публикации: 2018-09-21.

Method of adaptive control of active power and frequency of hydraulic unit with kaplan turbine

Номер патента: RU2531068C1. Автор: Анатолий Сергеевич Гольцов,Сергей Анатольевич Гольцов. Владелец: Сергей Анатольевич Гольцов. Дата публикации: 2014-10-20.

Device, plant and method of sheet metal workpiece forming, and part, produced according to this method

Номер патента: RU2634830C2. Автор: Петер КЕНИГ,Михаэль ВОЛЬФ,Оттмар ЛЕР,Клаус ЛЯЙНМЮЛЛЕР,Дитер ВАЙДМАНН. Владелец: Алльгайер Верке Гмбх. Дата публикации: 2017-11-03.

Method of automated establishment and use of the basis of electronic information data of remote sensing of the earth and a multifunctional ground complex for its implementation

Номер патента: RU2646370C1. Автор: Анатолий Васильевич Шишанов,Владимир Васильевич Ромашкин,Михаил Ефимович Синькевич,Павел Алексеевич Лошкарев,Александр Игоревич Макеров,Валерий Александрович Заичко,Овнан Олегович Тохиян,Валерий Павлович Поселяничев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точных приборов". Дата публикации: 2018-03-02.

Method of surgical treatment of the chronic lateral instability of the ankle joint with the anteromedial access

Номер патента: RU2680179C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Александр Алексеевич Очкуренко,Авет Гагикович Ширмазанян,Артак Мацакович Мацакян,Бутай Гайдарович Бутаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-02-18.

Method of forming mismatch parameters in a radio-electronic system for controlling an air-to-air missile with its self-homing on an aircraft of a pair of them according to its functional purpose on the principle of "master-slave"

Номер патента: RU2695762C1. Автор: Александр Викторович Богданов,Валентин Александрович Голубенко,Александр Александрович Кучин,Сергей Александрович Горбунов,Александр Григорьевич Коваленко,Александр Александрович Лобанов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making construction slabs

Номер патента: RU2602628C1. Автор: Владислав Петрович Полиновский,Вячеслав Александрович Селезнев,Анна Константиновна Иванова,Алексей Анатольевич Речкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Тверьстеклопластик". Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2652269C2. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Владимир Сергеевич Жернаков,Сергей Николаевич Никитин,Виктор Леонидович Юрьев,Арсен Маратович Ахметов. Владелец: Акционерное общество "Институт технологии и организации производства" (АО НИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Methods of moulding chewing gum and caramel confectionery material (versions)

Номер патента: RU2585462C2. Автор: Бхарат ДЖАНИ,Леонард СКАРОЛА,НИКЕРК Майлз ВАН,Кришна АДИВИ,Джесси КИФЕР. Владелец: ИНТЕРКОНТИНЕНТАЛ ГРЕЙТ БРЭНДЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-05-27.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of forming wear-resistant surface layer in cobalt-containing hard-alloyed article in the form of die

Номер патента: RU2599315C1. Автор: Анатолий Борисович Коршунов,Валерий Константинович Ковальков,Тамара Борисовна Сагалова,Лариса Николаевна Корсунская,Валентина Егоровна Рысева,Эльвира Анатольевна Карнажицкая,Владимир Анатольевич Коршунов,Илья Викторович Николаев,Татьяна Васильевна Носова. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2016-10-10.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US20170369327A1. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of drying panels and other building structures

Номер патента: WO2013171475A2. Автор: Robert Bresnahan,David MAYLE,Max BURBIDGE,Piers ASHLEY-CARTER,Mark PATTEN,Ian PRITCHETT. Владелец: Lime Technology Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of manufacturing multi-segmented optical fiber and preform

Номер патента: US20020189296A1. Автор: Michael Cain,Richard Fiacco,Liam dePaor,Robert Desorcie,Cynthia Giroux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of Na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US09714174B2. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making mesh containers with a rail and mesh container formed therefrom

Номер патента: US09687074B2. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,R. Neal Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of glass forming body and forming die

Номер патента: US09650278B2. Автор: Katsuhiro Suzuki,Shiro Funatsu,Tomoharu Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Radius fillers for composite structures, composite structures that include radius fillers, and systems and methods of forming the same

Номер патента: US09616594B2. Автор: Robert L. Anderson,Juan C. Guzman,Douglas A. Mccarville. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of producing calcium carbonate

Номер патента: RU2676292C1. Автор: Елена Александровна Вилкай,Игорь Александрович Кабанов,Луиза Яковлевна Коноплина,Александр Павлович Шушкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Комбинат "Электрохимприбор". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming nonround perforations in underground bed bearing hydrocarbons, non-linear cumulative perforator, firing perforator (versions)

Номер патента: RU2358094C2. Автор: Эрнест Л. БЕЙКЕР,Дейвид К. ДЕЙНИЭЛ,Дейвид С. ВЕССОН,Джон Л. БЁРБА III,Артур С. ДЕЙНИЭЛС,Роберт И. ДЕЙВИС. Владелец: Моликорп, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for choosing a method of surgical treatment of stage ii keratoconus

Номер патента: RU2747248C1. Автор: Александр Владимирович Терещенко,Сергей Константинович Демьянченко,Екатерина Николаевна Вишнякова,Максим Александрович Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of packing solid materials during underground treatment operations

Номер патента: RU2679934C1. Автор: Раджеш К. САИНИ,Клейтон С. СМИТ,Мэтью М. СЭМЮЭЛ,Керн Л СМИТ,Чин-Чау ХВАН,Леонид Вигдерман,Дуэйн ТРЕЙБИГ. Владелец: Зе Лубризол Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Containers made from aluminium scrap processed by method of impact compaction

Номер патента: RU2593799C2. Автор: Джон Л. САЙЛС,Сэмьюэл МЕЛАНКОН,Энтони ШАТЕ,Стенли М. ПЛАТЕК. Владелец: Болл Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Rotary detonation gas turbine and the method of detonation combustion in it

Номер патента: RU2745975C1. Автор: Сергей Константинович Исаев. Владелец: Сергей Константинович Исаев. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of forming clear wettable articles from silicone hydrogel

Номер патента: RU2469053C2. Автор: Диана ЗАНИНИ,Карен АЛЬТХЕЙМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of non-ferrous metals extraction

Номер патента: RU2362818C2. Автор: Станислав Львович Орлов,Дмитрий Борисович Басков,Иван Павлович Агалаков,Игорь Эдуардович Ященко. Владелец: Дмитрий Борисович Басков. Дата публикации: 2009-07-27.

Three-dimensional matrixes from structured porous monetite for tissue engineering and bone regeneration and method of their obtaining

Номер патента: RU2491960C2. Автор: ПЕРЕС Хулио ФОНТ,ФЕО Мария Бегонья КАСТРО,ОЛЬМО БАСТЕРРЕЧЕА Маите ДЕЛЬ,ВАСКЕС Мария Долорес ГАРСИЯ,РЕТАМА Хорхе РУБИО,КАБАРКОС Энрике ЛОПЕС,РОДРИГЕС Кармен РУЭДА,МАРИНЬО Фале ТАМИМИ,АЛИ АЛХРАИСАТ Мохаммад ХАМДАН. Владелец: Истоселль, С.Л.. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of vanadium extraction

Номер патента: RU2348716C1. Автор: Борис Дмитриевич Халезов,Владислав Валентинович Тетюхин,Николай Анатольевич Ватолин,Владимир Иванович Аликин,Алексей Геннадьевич Крашенинин,Алексей Сергеевич Борноволоков,Виктор Арсентьевич Неживых. Владелец: ОАО "Корпорация "ВСМПО-АВИСМА" (Верхне-Салдинское металлургическое производственное объединение). Дата публикации: 2009-03-10.

Solar cell frame construction made of carbon fiber and method of frame manufacture

Номер патента: RU2654882C1. Автор: Елена Анатольевна Гаврилова,Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Александр Вениаминович Родионов,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of heating glass panels in hardening furnace equipped with rollers and device for realization of this method

Номер патента: RU2281922C2. Автор: Йорма ВИТКАЛА. Владелец: ТАМГЛАСС ЛТД. ОЙ. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of making instrument conical aircraft compartment from polymer composites and instrument conical compartment of aircraft from polymer composites

Номер патента: RU2584731C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Владимир Иванович Плотников,Александр Михайлович Тимаков,Роман Владимирович Плотников,Илья Николаевич Розов,Вячеслав Петрович Янков,Игорь Викторович Потехин. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of applying solid solder

Номер патента: RU2420375C2. Автор: Лудвиг ВИРЕС. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of addition of goods and services of different suppliers to electronic basket on the internet

Номер патента: RU2671621C1. Автор: Максим Анатольевич Красавин,Василий Васильевич Корольков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Картис" (Ооо "Картис"). Дата публикации: 2018-11-02.

Method of forming a coating on stamped steels

Номер патента: RU2746518C1. Автор: Александр Александрович Фомин,Владимир Александрович Кошуро,Максим Евгеньевич Федосеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-04-14.

Method of forming a section of engagement in a part

Номер патента: RU2726515C2. Автор: Томас БЕТТЕРМАНН. Владелец: Хомаг Борзюстеме Гмбх. Дата публикации: 2020-07-14.

Droplet forming devices for liquid treatment and methods of forming droplets in liquid treatment device

Номер патента: RU2509058C2. Автор: Ричард Пол РИДЕЛЬ,Дуглас Роберт УТЩ. Владелец: Пюр Уотер Пьюрификейшн Продактс, Инк.. Дата публикации: 2014-03-10.

Method of forming a secondary anode of an aluminum electrolysis cell with a self-baking anode

Номер патента: RU2698121C1. Автор: Сергей Андреевич Храменко,Евгений Юрьевич Курьянов,Владимир Райнгольдович Шмаль,Андрей Михайлович Константинов,Виктор Юрьевич Бузунов,Игорь Васильевич Черских,Сергей Салихович Ресмятов,Константин Николаевич Бычков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-08-22.

Method of medical image forming

Номер патента: RU2736160C1. Автор: Вольдемар Освальдович Ребони,Василий Иванович Нагаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательская производственная компания "Электрон" (АО "НИПК "Электрон"). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of forming solid encasing lining for inner trim with several non-coloured surfaces

Номер патента: RU2584639C2. Автор: Хаолянг Майкл САН. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2016-05-20.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Mesh containers and method of making

Номер патента: WO2006014707A9. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,Neal R Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

METHODS OF PROVIDING ELECTRICAL ISOLATION AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING SAME

Номер патента: US20120181605A1. Автор: Grisham Paul,Lane Richard H.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD OF MANUFACTURING METAL SILICIDE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chen Chun-Fu,Shih Yen-Hao,Tsai Shih-Chang,Chen Ying-Tso. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of determining boundary potential in semiconductor structures

Номер патента: SU1001236A1. Автор: Виктор Анатольевич Петров,Василий Иванович Поляков,Полиевкт Иванович Перов. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср. Дата публикации: 1983-02-28.

Method of reducing carrier lifetime in semiconductor structures

Номер патента: CA915830A. Автор: Yeh Tsu-Hsing,L. Joshi Madhukar,J. Masters Burton,R. Viva Osvaldo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-11-28.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: TW201137982A. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of forming of volumetric and curvilinear components for an article

Номер патента: RU2266863C1. Автор: В.И. Стельмашенко,Е.В. Баранова,Л.Н. Лисиенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет сервиса" (ГОУВПО "МГУС"). Дата публикации: 2005-12-27.

Method of the thermal treatment of the forming rollers

Номер патента: RU2298043C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Валерий Яковлевич Чинокалов,Олег Валерьевич Дикань,Вадим Петрович Симаков,Виктор Васильевич Саломыкин,Сергей Александрович Дубинин,Владимир Михайлович Никиташев,Семен Прохорович Некипелов,кин Сергей Валентинович Затеп,Сергей Валентинович Затепякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" ОАО "ЗСМК". Дата публикации: 2007-04-27.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of forming multidimensional image of cardiovascular system state and its visualisation

Номер патента: RU2496409C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Митрофанович Довгаль,Елена Андреевна Липунова,Инесса Андреевна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming the system of forces of flying vehicle and flying vehicle-ground-air-amphibian for realization of this method

Номер патента: RU2317220C1. Автор: Сергей Михайлович Семенов,Валентин Васильевич Назаров,Дмитрий Валентинович Назаров,Евгений Алексеевич Лозовик. Владелец: Валентин Васильевич Назаров. Дата публикации: 2008-02-20.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of distal blocking of intramedullary rods in osteosynthesis of long tubular bones and device for its realisation

Номер патента: RU2387401C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Михайлович Воронин,Михаил Викторович Воронин,Елена Андреевна Липунова. Владелец: ООО "ВМВ-Медицина". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming and trimming vines

Номер патента: RU2478278C1. Автор: Николай Васильевич Матузок. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of automatic control of crop condition

Номер патента: RU2537912C2. Автор: Илья Михайлович Михайленко. Владелец: Государственное научное учреждение Агрофизический научно-исследовательский институт Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ АФИ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-01-10.

Crystalline form ii of tilorone and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2521595C2. Автор: Александр Сергеевич Семенов,Олег Александрович Игнатенко,Сергей Викторович Пирогов,Игорь Алексеевич Концевой,Александр Фуатович Габитов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Активный Компонент". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots on vine plantation (version of russian logic - version 9)

Номер патента: RU2537572C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming waterproof screen in cracked watercut mountain arrays using bridging

Номер патента: RU2531410C1. Автор: Александр Порфирович Андриевский,Алексей Евгеньевич Зуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming carbon nano-objects on glass-ceramic substrates

Номер патента: RU2601044C2. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Виктор Прокопьевич Шелохвостов,Алексей Геннадьевич Стивкин,Максим Николаевич Дутов,Денис Владимирович Образцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming articles out of explosive composition

Номер патента: RU2346918C1. Автор: Исак Гасинович Гатаулин,Геннадий Васильевич Куценко,Геннадий Эдуардович Кузьмицкий,Николай Сергеевич Божья-Воля,Рафис Фассахович Салахов,Анатолий Михайлович Кранидов,Валентина Алексеевна Ступникова,-Вол Николай Сергеевич Божь,Владимир Михайлович Лисовский,Нина Ивановна Куркина,Ирина Викторовна Артемова,Юрий Васильвич Замахаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-02-20.

Method of forming profile of rail head by forming cutters furnished with change polyhedral blades and milling cutters for rail forming

Номер патента: RU2291929C2. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Сергей Александрович Чевычелов,нов Сергей Геннадьевич Емель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-01-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of forming high brightness and contrast location image and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483323C1. Автор: Игорь Леонидович Мисюченко,Николай Тимофеевич Ничипоренко,Антон Александрович Булатов,Игорь Евгеньевич Маренич,Иван Елисеевич Ушаков,Борис Сергеевич Трофимов,Вадим Георгиевич Яковлев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Морские комплексы и системы". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of localisation of explosions of methan-air mixture and/or coal dust in underground mine workings and facility for implementation of this method (versions)

Номер патента: RU2342535C1. Автор: Виктор Прокопьевич Тациенко,Дмитрий Иванович Адамидзе,Анатолий Владимирович Джигрин,Андрей Юрьевич Горлов,Юрий Владимирович Горлов,Константин Владимирович Горлов. Владелец: ЗАО "Межведомственная комиссия по взрывному делу при Академии горных наук" (ЗАО "МВК по ВД при АГН"). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming objects on surface of materials using focused ion beam

Номер патента: RU2457573C1. Автор: Евгений Владиславович Пустовалов,Владимир Сергеевич Плотников,Борис Николаевич Грудин,Алексей Петрович Глухов,Алексей Валерьевич Кириллов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of teaching subject "physical education" to students of special medical group

Номер патента: RU2411906C1. Автор: Нина Геннадьевна Коновалова,Анна Исмагиловна Яруллина,Елена Владимировна Красильникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кузбасская государственная педагогическая академия. Дата публикации: 2011-02-20.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of surgical treatment of tongue and oral cavity floor

Номер патента: RU2391923C1. Автор: Павел Викторович Светицкий,Абдуаваз Абдулахатович Ганиев,Василий Васильевич Калий,Мамука Важаевич Баужадзе. Владелец: Мамука Важаевич Баужадзе. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of stitch formation in pyelitis and pyelitisuretroanastomosis

Номер патента: RU2369343C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Илья Иосифович Каган,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ОрГМА Росздрава). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming rectangular groove for mounting open shed in wooden structure members joined by said groove and milling cutter for working rectangular groove

Номер патента: RU2278023C1. Автор: Владимир Яковлевич Нагорный. Владелец: Владимир Яковлевич Нагорный. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of manufacturing vermicompost and device for its implementation

Номер патента: RU2546893C1. Автор: Владимир Яковлевич Спевак,Николай Владимирович Спевак,Роман Максимович Медведев,Владислав Васильевич Лифатов,Анастасия Александровна Никульникова,Ирина Геннадьевна Шарапова,Евгений Владимирович Моисеев. Владелец: Николай Владимирович Спевак. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 10)

Номер патента: RU2537569C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing microoptical raster

Номер патента: RU2554595C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Галина Кирилловна Костюк,Максим Михайлович Сергеев,Евгений Борисович Яковлев,Роман Алексеевич Заколдаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming frameless centrifugal structure (versions) and device for realization of this method

Номер патента: RU2309875C1. Автор: Виталий Михайлович Мельников,Владимир Александрович Комков,Виталий Михайлович Мельников (RU),Владимир Александрович Комков (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ТехКом". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming vines

Номер патента: RU2478279C1. Автор: Николай Васильевич Матузок,Петр Пантелеевич Радчевский. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2376964C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2009-12-27.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of and device for orientation of different-shape articles at transportation

Номер патента: RU2288871C2. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Device and method of forming absorbing cores which are obtained by pneumostacking

Номер патента: RU2405516C2. Автор: Хенрик КАРЛЕН,Гуннар ЭДВАРДССОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2010-12-10.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Electrolyte for forming black ceramic coat on rectifying metals and their alloys; method of forming such coat and coat formed by this method

Номер патента: RU2285066C1. Автор: Анатолий Иванович Мамаев,Павел Игоревич Бутягин,ков Евгений Васильевич Хохр,Евгений Васильевич Хохряков,гин Павел Игоревич Бут. Владелец: Анатолий Иванович Мамаев. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of forming decorative vinegrove head

Номер патента: RU2473206C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of rolling metal billet

Номер патента: RU2488455C2. Автор: Евгений Николаевич Чумаченко,Николай Николаевич Грунин,Сергей Алексеевич Аксенов,Ирина Валентиновна Логашина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики". Дата публикации: 2013-07-27.

Method of forming of electronic documents and device for its realisation

Номер патента: RU2365047C2. Автор: Александр Иванович Иванов,Вячеслав Александрович Фунтиков. Владелец: Вячеслав Александрович Фунтиков. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of preparing combined fish mass

Номер патента: RU2255612C2. Автор: В.Д. Богданов,Л.П. Ольхова,Л.П. Ольховая,Л.Д. Петрова. Владелец: Тихоокеанский государственный экономический университет. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

Method of maintenance of thermal conditions in space rocket head module and device for realization of this method

Номер патента: RU2293044C2. Автор: Вячеслав Михайлович Филин,Михаил Викторович Рожков,Виктор Николаевич Веселов,Владимир Петрович Клиппа,Виктор Иванович Негодяев,В чеслав Михайлович Филин,ев Виктор Иванович Негод. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2007-02-10.

Method of forming coatings of tantalum pentoxide on substrate

Номер патента: RU2518257C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Михаил Азарьевич Медков,Кирилл Николаевич Килин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing semiconductor nanostructure

Номер патента: RU2460166C1. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Дмитрий Игоревич Петухов,Илья Владимирович Росляков,Ришат Галеевич Валеев,Владимир Михайлович Ветошкин,Артемий Николаевич Бельтюков,Дмитрий Викторович Сурнин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming of furrow slices and device for its implementation

Номер патента: RU2537554C1. Автор: Адаман Габдинагимович Габдуллин,Станислав Степанович Литвинов,Иван Иванович Вирченко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 4)

Номер патента: RU2582735C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of repeated producing formation exposing and device for its implementation

Номер патента: RU2365743C1. Автор: Сергей Сергеевич Яковлев,Максим Павлович Копотилов. Владелец: Максим Павлович Копотилов. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of forming vertically oriented vegetable crops (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2476065C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming neck of urinary bladder after prostatectomy

Номер патента: RU2462201C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Михаил Иванович Васильченко,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов,Дмитрий Александрович Зеленин,Евгений Александрович Яшин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2537571C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming antifriction coating on thin-walled steel shells of sliding supports

Номер патента: RU2319049C1. Автор: Лев Борисович Леонтьев,Ванда Болиславовна Хмелевская,Надежда Анатольевна Рассказова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Морской государственный университет имени адмирала Г.И. Невельского". Дата публикации: 2008-03-10.

Method of decomposing sludge, formed after processing of utilised emulsion cutting fluids

Номер патента: RU2537293C1. Автор: Игорь Александрович Малыхин,Сергей Марциянович Совка,Олег Владимирович Пелипенко,Геннадий Васильевич Сазонов. Владелец: Сергей Марциянович Совка. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of forming data support aircraft flight path and device for its implementation

Номер патента: RU2597309C1. Автор: Валерий Иванович Петунин,Любовь Михайловна Неугодникова,Валерий Дмитриевич Елисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Method of separating layer of stems of flax fibre into portions

Номер патента: RU2584123C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Юрий Федорович Лачуга,Вячеслав Анатольевич Романов,Федор Владимирович Зубов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства" (ФГБНУ ВНИИМЛ). Дата публикации: 2016-05-20.

Method of surface hardening

Номер патента: RU2375465C1. Автор: Святослав Феоктистович Кукин,Олег Георгиевич Девойно,Александр Алексеевич Баркун,Александр Святославович Кукин. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Минский тракторный завод". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2445722C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-03-20.

Method of forming end-side oesophageal-gastric anastomosis after proximal stomach resection

Номер патента: RU2535075C2. Автор: Илья Иосифович Каган,Анатолий Андреевич Третьяков,Петр Владимирович Самойлов,Валерий Иванович Ким. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации /ГБОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России/. Дата публикации: 2014-12-10.

Method of treating obesity in case of external type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264232C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306523C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of suture fixation of intraocular lens in ciliary sulcus

Номер патента: RU2472474C1. Автор: Виктор Петрович Фокин,Александр Михайлович Марухненко,Наталья Валентиновна Кадатская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2013-01-20.

Method of producing abrasive wheel by water-ice jet

Номер патента: RU2407625C2. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Михаил Анатольевич Бурнашов,Михаил Алексеевич Степанищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2010-12-27.

Method of forming information space-time field

Номер патента: RU2492517C2. Автор: Владимир Степанович Телешевский,Анатолий Павлович Арцебарский,Арман Анетович Кульбеков. Владелец: Акционерное общество "Национальная компания "Казакстан Ғарыш Сапары". Дата публикации: 2013-09-10.

Method of obtaining calcium apatite

Номер патента: RU2473461C2. Автор: Альберт Семенович Алой,Николай Константинович Мокин,Анастасия Вадимовна Макарова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of laparoscopic anti-reflux operation of fundoplication

Номер патента: RU2463004C1. Автор: Михаил Владимирович Бурмистров,Евгений Иосифович Сигал,Алексей Владимирович Бердников,Том Леонидович Шарапов,Антон Александрович Морошек,Ксения Владимировна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2012-10-10.

Method of determining parameters of heart rhythm variability

Номер патента: RU2546103C9. Автор: Игорь Анатольевич Ермоленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-01-27.

Method of forming single information pattern from interlinked fragments for display thereof in viewing window of demonstration stand

Номер патента: RU2530854C2. Автор: Сергей Евгеньевич Маркин. Владелец: Сергей Евгеньевич Маркин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of measuring temperature, autoelectronic emission thermoelectronic-mechanical transducer and method of making said transducer

Номер патента: RU2447411C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев. Владелец: Владимир Михайлович Ачильдиев. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2582724C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of hip joint endoprosthesis in case of juvenile arthritis in combination with osteoporosis in teenagers

Номер патента: RU2482810C1. Автор: Олег Алексеевич Малахов,Олег Олегович Малахов,Сергей Юрьевич Морев,Екатерина Иосифовна Алексеева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научный центр здоровья детей РАМН (НЦЗД РАМН). Дата публикации: 2013-05-27.

Thermal processing method of deep-lying slate coals

Номер патента: RU2388790C1. Автор: Ефим Вульфович Крейнин,Алексей Юрьевич Зоря,Александр Мирославович Карасевич. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром промгаз" (ОАО "Газпром промгаз"). Дата публикации: 2010-05-10.

Method of floors repair

Номер патента: RU2381344C1. Автор: Анатолий Сергеевич Ведяшкин,Николай Леонидович Великанов,Юрий Михайлович Сапрыкин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of forming nanosized conducting element

Номер патента: RU2478239C1. Автор: Дмитрий Борисович Омороков,Владимир Александрович Русецкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2013-03-27.

Method of forming protective coating

Номер патента: RU2597460C2. Автор: Виктор Иванович Кубанцев,Михаил Леонидович Трачевский,Евгений Михайлович Рязанов,Анатолий Петрович Криволапов. Владелец: Виктор Иванович Кубанцев. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of preventing stenosis of frontonasal fistula in surgical treatment of chronic frontitis

Номер патента: RU2421165C1. Автор: Вячеслав Валерьевич Вавин,Николай Васильевич Мингалев,Андрей Владимирович Шелковников. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2011-06-20.

Method of restoring impaired innervation of stomach in case of operations of proximal stomach resection

Номер патента: RU2487674C1. Автор: Георгий Цыренович Дамбаев,Михаил Михайлович Соловьев,Василий Васильевич Скиданенко,Александр Николаевич Вусик,Чахангирбай Карипович Абилов. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГБОУ ВПО СибГМУ Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2013-07-20.

Method of forming ultra-fine-grained structure in billets from metal and alloys

Номер патента: RU2456111C1. Автор: Владимир Валентинович Латыш,Владимир Алексеевич Шундалов,Сергей Петрович Павлинич,Владимир Юрьевич Иванов,Альфред Васимович Шарафутдинов,Игорь Николаевич Михайлов,Юрий Васильевич Артюхин. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское моторостроительное производственное объединение". Дата публикации: 2012-07-20.

Method of assessment of reservoir bed porosity in horizontal wells by implemeting three-probe neutron survey

Номер патента: RU2351963C1. Автор: Владимир Петрович Стенин,Алексей Алексеевич Чередниченко,Андрей Владимирович Тепляков,Борис Евгеньевич Лухминский. Владелец: ПетроАльянс Сервисис Компани лимитед (Кипр). Дата публикации: 2009-04-10.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2011-02-10.

Synthesis method of superconducting intermetallic compound in films

Номер патента: RU2287614C2. Автор: Адил Жианшахович Тулеушев,Валерий Николаевич Володин,Юрий Жианшахович Тулеушев. Владелец: Дочернее государственное предприятие (на праве хозяйственного ведения) "Институт ядерной физики" Республиканского государственного предприятия (на праве хозяйственного ведения) "Национальный ядерный центр Республики Казахстан" Министерства энергетики и минеральных ресурсов Республики Казахстан. Дата публикации: 2006-11-20.

Manufacturing method of formed fish product

Номер патента: RU2360541C2. Автор: Владимир Александрович Гроховский,Ольга Федоровна Низковская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Мурманский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of controlled change of form of frontal eye cornea surface by creation of pseudo membrane in ablation zone

Номер патента: RU2504354C1. Автор: Владимир Анатольевич Семчишен,Антон Владимирович Семчишен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of differential diagnostics of form of erectile dysfunction

Номер патента: RU2460462C1. Автор: Пётр Витальевич Глыбочко,Юрий Михайлович Есилевский,Армаис Альбертович Камалов,Петр Витальевич Глыбочко (RU),Армаис Альбертович Камалов (RU),Юрий Михайлович Есилевский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-10.

Method of arc welding or building-up

Номер патента: RU2490101C2. Автор: Алексей Алексеевич Казинский,Роман Юрьевич Ещенко,Никита Алексеевич Казинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-08-20.

Method of forming cavitation jets for treatment of surfaces submerged in liquid

Номер патента: RU2271300C2. Автор: Анатолий Иванович Харламов,Валерий Борисович Мустафин,Бандула ВИДЖАЯРАТХНА. Владелец: Анатолий Иванович Харламов. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of forming protective coat (versions)

Номер патента: RU2292325C2. Автор: ров Александр Петрович Стол,Александр Петрович Столяров. Владелец: Александр Петрович Столяров. Дата публикации: 2007-01-27.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of catalytic purification of hydrogen-containing gaseous mixture from carbon oxides

Номер патента: RU2534249C1. Автор: Алексей Викторович Дульнев,Анатолий Васильевич Обысов,Мария Александровна Круглова,Валерий Иванович Головков,Татьяна Ивановна Мозгунова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НИАП-КАТАЛИЗАТОР". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.

Liana-shaped method of forming vines

Номер патента: RU2535734C1. Автор: Александр Юрьевич Ваулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия" (ФГБОУ ВПО ЧГАА). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of forming vessels with sliding devices, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2580387C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of forming crown of vineyard at lower part of poplar woody plants (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2532426C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of obtaining hydrogel of medicinal purpose (versions)

Номер патента: RU2432954C1. Автор: Андрей Павлович Морыганов,Наталия Дмитриевна Олтаржевская,Мария Анатольевна Коровина,Лариса Ивановна Макарова,Ирина Михайловна Липатова,Елена Александровна Мезина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии растворов РАН. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of making abrasive tool

Номер патента: RU2523863C2. Автор: Сергей Александрович Рябцев,Владислав Георгиевич Боровский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 5)

Номер патента: RU2537917C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Article with dimensionally stable polymeric multiple-filament yarn (versions) and method of forming yarn

Номер патента: RU2286409C2. Автор: Питер РИМ,Фаранджис КАЙАНИ. Владелец: Перформанс Файберс, Инк.. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of making sculptures or copies thereof

Номер патента: RU2541945C1. Автор: Николай Алексеевич Козин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ростр". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of treating obesity in case of emotiogenic type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264233C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of positioning of tool in reference system of machine tool in automated engraving complex

Номер патента: RU2279964C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Андрей Владимирович Журавлев,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов. Владелец: Научно-исследовательский институт Гознака. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of forming teeth for arming borehole calibrator

Номер патента: RU2592589C1. Автор: Оксана Юрьевна Елагина,Андрей Геннадьевич Буклаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2016-07-27.

Method of forming double curvature sheet parts

Номер патента: RU2259248C1. Автор: О.С. Куклин,В.Ю. Шуньгин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения" (ФГУП "ЦНИИТС"). Дата публикации: 2005-08-27.

Compound bar for casting of driven elements of impeller pumps with bicurvative blades and method of its manufacturing

Номер патента: RU2359778C1. Автор: Яков Абрамович Глускин. Владелец: "Центр Разработки Нефтедобывающего Оборудования (Црно)". Дата публикации: 2009-06-27.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of increasing adaptive capacity of holstein cows under conditions of monsoon climate during formation of breeding herd on productive longevity

Номер патента: RU2553559C2. Автор: Наталья Федоровна Ключникова,Михаил Тихонович Ключников,Елена Михайловна Ключникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Дальневосточный научно-исследовательский институт сельского хозяйства (ФГБНУ "ДВ НИИСХ"). Дата публикации: 2015-06-20.

Method of manufacturing detachable dental prostheses

Номер патента: RU2427345C1. Автор: Танка Ибрагимович Ибрагимов,Александр Александрович Копытов,Сергей Юрьевич Казаков,Владислав Анатольевич Сныткин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный медико-стоматологический университет Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию РФ". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of forming of discrete wearproof coating of part

Номер патента: RU2562584C1. Автор: Александр Григорьевич Григорьянц,Игорь Николаевич Шиганов,Александр Иванович Мисюров,Роман Сергеевич Третьяков,Петр Евгеньевич Самарин,Антон Яковлевич Ставертий,Андрей Андреевич Холопов,Алексей Николаевич Трушников,Роман Дмитриевич Асютин,Дмитрий Сергеевич Колчанов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of coloured image formation on metallic surfaces

Номер патента: RU2357844C2. Автор: Евгений Иванович Пряхин,Михаил Григорьевич Афонькин,Екатерина Владимировна Ларионова,Владимир Борисович Звягин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-западный государственный заочный технический университет (СЗТУ). Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming ordered array of nanosized spheroids on substrate

Номер патента: RU2444084C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2012-02-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.