Halbleiter-bauelement und verfahren zu dessen herstellung
Номер патента: DE102018105953B4
Опубликовано: 21-09-2023
Автор(ы): Carlos H. Diaz, Cheng-Yi Peng, Chih-Sheng Chang, Chun-Chieh Lu, Ling-Yen Yeh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-09-2023
Автор(ы): Carlos H. Diaz, Cheng-Yi Peng, Chih-Sheng Chang, Chun-Chieh Lu, Ling-Yen Yeh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
Номер патента: DE102018106581A1. Автор: Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.