Method of forming wiring pattern and method of forming gate electrode for TFT
Номер патента: TWI262599B
Опубликовано: 21-09-2006
Автор(ы): Shinri Sakai, Toshimitsu Hirai
Принадлежит: Seiko Epson Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-09-2006
Автор(ы): Shinri Sakai, Toshimitsu Hirai
Принадлежит: Seiko Epson Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same
Номер патента: EP4257659A3. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.