Radio frequency silicon on insulator structure with superior performance, stability, and manufacturability
Номер патента: EP4235748A3
Опубликовано: 20-09-2023
Автор(ы): Hariprasad Sreedharamurthy, Jeffrey L. Libbert, Leif Jensen, Michael R. Seacrist, Robert W. Standley
Принадлежит: GlobalWafers Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-09-2023
Автор(ы): Hariprasad Sreedharamurthy, Jeffrey L. Libbert, Leif Jensen, Michael R. Seacrist, Robert W. Standley
Принадлежит: GlobalWafers Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Radio frequency silicon on insulator structure with superior performance, stability, and manufacturability
Номер патента: US20230215759A1. Автор: Leif Jensen,Robert W. Standley,Jeffrey L. Libbert,Michael R. Seacrist,Hariprasad Sreedharamurthy. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.