Gate turn-off thryistor.

Gate turn-off thryistor

Номер патента: DE3574083D1
Опубликовано: 07-12-1989
Автор(ы): Thomas Alexander Anderson
Принадлежит: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd, Westinghouse Brake and Signal Holdings Ltd

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gate turn-off thyristor of multi-emitter type

Номер патента: US5051806A. Автор: Shuroku Sakurada,Shuji Musha,Tadashi Sakaue,Toshihide Ujihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-09-24.

Manufacturing gate turn-off thyristor having the cathode produced in two diffusion steps

Номер патента: US5057440A. Автор: Peter Roggwiller. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1991-10-15.

Gate turn-off thyristor and method of producing same

Номер патента: US4910573A. Автор: Peter Roggwiller. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1990-03-20.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: GB2153586B. Автор: Thomas Alexander Anderson. Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-24.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JP2804216B2. Автор: 修六桜田,仁小室,重靖高槌,高斉藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-24.

Switchable power solid state device, e.g. gate turn-off thyristor

Номер патента: DE4435079C1. Автор: Hans-Joachim Dr Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-01-18.

High blocking voltage gate turn-off thyristor

Номер патента: JP4001249B2. Автор: バウアーフリートヘルム,アイッヒャーシモン. Владелец: アーベーベーシュヴァイツアクチェンゲゼルシャフト. Дата публикации: 2007-10-31.

Gate-turn-off-thyristor with high blocking voltage and small device thickness

Номер патента: EP0700095A2. Автор: Friedhelm Dr. Bauer,Simon Eicher. Владелец: ABB Management AG. Дата публикации: 1996-03-06.

Gate-turn-off-thyristor with high blocking voltage and small device thickness

Номер патента: EP0700095A3. Автор: Friedhelm Dr. Bauer,Simon Eicher. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 1999-06-30.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS59163867A. Автор: Futoshi Tokuno,徳能　太. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-09-14.

Gate Turn-off-Thyristor

Номер патента: DE69032766D1. Автор: Yoshiteru Shimizu,Shuroku Sakurada,Toshiyuki Ozeki,Yukimasa Sato,Kenji Yagishita,Tsutomu Yatsuo,Isamu Sanpei,Shingo Odai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-12-24.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5998554A. Автор: Katsuhiko Takigami,滝上　克彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-06-06.

Gate turn-off thyristor and method of making the same

Номер патента: EP0285923B1. Автор: Peter Dr. Roggwiller. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1993-10-06.

Insulated gate turn-off device with turn-off transistor

Номер патента: US20150349104A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Insulated gate turn-off device with turn-off transistor

Номер патента: US9391184B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Lateral insulated gate turn-off devices

Номер патента: US20140240025A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Gate turn-off thyristor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3823035A1. Автор: Simin LI. Владелец: Hangzhou Ug Min Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Insulated gate turn-off device having low capacitance and low saturation current

Номер патента: US10256331B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Номер патента: US20200312988A1. Автор: Richard A. Blanchard,Paul M. Moore,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Gate-turn-off thyristor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11705510B2. Автор: Simin LI. Владелец: Hangzhou Ug Min Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

INSULATED GATE TURN-OFF DEVICE WITH TURN-OFF SCHOTTKY-BARRIER MOSFET

Номер патента: US20180026121A1. Автор: Rodov Vladimir,Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori,Tworzydlo Woytek. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS63265466A. Автор: Takahiro Nagano,隆洋長野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-11-01.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5778172A. Автор: Takahiro Nagano,Tsutomu Yao. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-15.

Gate turn-off diodes and arrangments including such diodes

Номер патента: CA1112373A. Автор: John A.G. Slatter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-11-10.

Amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.)

Номер патента: US4177478A. Автор: Albert Senes. Владелец: Alsthom Atlantique SA. Дата публикации: 1979-12-04.

An improved silicon carbide gate turn-off thyristor arrangement

Номер патента: EP1021836A1. Автор: Anant Agarwal. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2000-07-26.

Gate turn-off thyristor and power convertor using the same

Номер патента: US5459338A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Susumu MURAKAMI,Hidekatsu Onose,Satoshi Matsuyoshi,Yuji Takayanagi,Yukimasa Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-17.

Insulated gate turn-off device with hole injector for faster turn off

Номер патента: US20180006120A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Insulated gate turn-off device with designated breakdown areas between gate trenches

Vertical insulated gate turn-off thyristor with intermediate p+ layer in p-base

Номер патента: US20170256614A1. Автор: Hidenori Akiyama. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

INSULATED GATE TURN-OFF DEVICE HAVING LOW CAPACITANCE AND LOW SATURATION CURRENT

Номер патента: US20180254336A1. Автор: Rodov Vladimir,Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori,Tworzydlo Woytek. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Vertical insulated gate turn-off thyristor with intermediate p+ layer in p-base

Номер патента: US9806152B2. Автор: Hidenori Akiyama. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Active edge structures providing uniform current flow in insulated gate turn-off thyristors

Номер патента: US20140034995A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Vertical insulated gate turn-off thyristor with intermediate p+ layer in p-base formed using epitaxial layer

Номер патента: US10777670B2. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Insulated gate turn-off device with turn-off schottky-barrier mosfet

Номер патента: US20180026121A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Insulated gate turn-off device with turn-off Schottky-Barrier MOSFET

Номер патента: US09935188B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Insulated gate turn-off device with short channel pmos transistor

Номер патента: US20240088226A1. Автор: Hidenori Akiyama,Paul M Moore. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Lateral insulated gate turn-off device with induced emitter

Номер патента: US20200312987A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: GB8430310D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US4811072A. Автор: Robert L. Risberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-03-07.

High current gate turn-off thyristor

Номер патента: US5005065A. Автор: Dante E. Piccone,James E. McIntyre, deceased,Leroy B. Major. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-04-02.

Gate turn-off type thyristor - has base inlaid emitter zones for shorting base to emitters using FET gate drive

Номер патента: DE2945391A1. Автор: Hubert Dr.-Ing. 8000 München Patalong. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-05-21.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS54120588A. Автор: Yoshisuke Takita,Tetsuo Sueoka. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-19.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS6050959A. Автор: Saburo Oikawa,Takahiro Nagano,Tsutomu Yao,Yukimasa Sato,勉八尾,隆洋長野,佐藤　行正,及川　三郎. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-22.

Gate turn-off thyristor and manufacture thereof

Номер патента: JPS6115366A. Автор: Satoshi Ishibashi,Mitsuru Hanakura,満花倉,Mitsuo Kusano,草野　光男,石橋　聰. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-23.

Manufacture of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS60231363A. Автор: Hiroyasu Hagino,萩野　浩靖. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-11-16.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5871657A. Автор: Katsuhiko Takigami,Minoru Azuma,東　実,滝上　克彦. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-28.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS621271A. Автор: Saburo Oikawa,Tsutomu Yao,Yukimasa Sato,勉八尾,佐藤　行正,及川　三郎. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-01-07.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS60189261A. Автор: Takashi Yotsudo,孝四戸. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-09-26.

Gate turn off thyristor

Номер патента: JPS60169170A. Автор: Hideo Matsuda,Takashi Fujiwara,隆藤原,秀雄松田,Yasunori Usui,碓氷　康典. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-09-02.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS6124276A. Автор: Yasuhide Hayashi,林　泰英. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-01.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS61229363A. Автор: Saburo Oikawa,Yoshio Terasawa,Tsutomu Yao,Yukimasa Sato,勉八尾,佐藤　行正,及川　三郎,寺沢　義雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-13.

Gate turn off thyrister

Номер патента: JPS63301563A. Автор: Osamu Hashimoto,Hiroshi Haruki,Fumiaki Kirihata,理橋本,春木　弘,桐畑　文明. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-08.

Gate turn-off thyristor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP0297325A2. Автор: Hiroyasu C/O Mitsubishi Denki K.K. Hagino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-04.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: DE3067496D1. Автор: Takahiro Nagano,Tsutomu Yatsuo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-05-24.

Gate turn off thyristor

Номер патента: JPS58147066A. Автор: Hiroyasu Hagino,萩野　浩靖. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-09-01.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS61182260A. Автор: Akio Nakagawa,Katsuhiko Takigami,Hiromichi Ohashi,Takashi Yotsudo,明夫中川,弘通大橋,孝四戸,滝上　克彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-08-14.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5649567A. Автор: Tetsuo Sueoka. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-06.

Optical trigger, optical quench, gate, turn-off, thyristor

Номер патента: JPH0752768B2. Автор: 潤一西澤,尚茂玉蟲. Владелец: 財団法人半導体研究振興会. Дата публикации: 1995-06-05.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS56160066A. Автор: Yasuo Kataoka. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-09.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: GB2125619A. Автор: Takeharu Kubo,Tetsuro Sueoka. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-07.

게이트 턴 오프 다이리스터(gate turn-off thyristor)

Номер патента: KR920002088B1. Автор: 데쓰로 스에오까,다게하루 구보. Владелец: 이마이 마사오. Дата публикации: 1992-03-10.

Tiristore del tipo gate turn off a condizione inversa

Номер патента: IT8967792A0. Автор: Katsumi Sato,Futoshi Tokunoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Manufacture of gate turn off thyristor

Номер патента: JPS56158477A. Автор: Satoshi Ishibashi,Tetsuo Sueoka,Mitsuru Hanakura. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-07.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5943573A. Автор: Yasuhide Hayashi,林　泰英. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-10.

Gate turn-off semiconductor device

Номер патента: JP2809419B2. Автор: ジャックリーンアンドレ,ツィンメルマンヴォルフガンク. Владелец: ASEA BURAUN BOERI AG. Дата публикации: 1998-10-08.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: GB8319926D0. Автор: . Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-24.

Reverse conducting gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS54157484A. Автор: Minami Takeuchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-12-12.

Tiristore del tipo gate turn-off a condizione inversa

Номер патента: IT1232299B. Автор: Katsumi Sato,Futoshi Tokunoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

Power thyristor with mos gated turn-off and turn-on

Номер патента: WO1996024166A1. Автор: Dante E. Piccone,Harshed Mehta. Владелец: Silicon Power Corporation. Дата публикации: 1996-08-08.

Method and circuit arrangement for measuring the depletion layer temperature of a gto (gate turn-off) thyristor

Номер патента: CA2126649C. Автор: Markus Keller,Christian Hauswirth,Gerhard Hochstuhl,Bruno Hofstetter. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 2002-02-12.

Gate turn-off triac with dual low conductivity regions contacting central gate region

Номер патента: US4214255A. Автор: John M. S. Neilson. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Gate-turn-off thyristor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257485A1. Автор: LI Simin. Владелец: HANGZHOU UG MIN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD. Дата публикации: 2021-08-19.

VERTICAL BIDIRECTIONAL INSULATED GATE TURN-OFF DEVICE

Номер патента: US20190259864A1. Автор: Rodov Vladimir,Blanchard Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Lateral insulated gate turn-off device with induced emitter

Номер патента: US20200312987A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

VERTICAL INSULATED GATE TURN-OFF THYRISTOR WITH INTERMEDIATE P+ LAYER IN P-BASE FORMED USING EPITAXIAL LAYER

Номер патента: US20190393331A1. Автор: Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Reverse conductive gate turn off thyristor

Номер патента: JPS627162A. Автор: Osamu Hashimoto,Kenya Oohira,Masahide Watanabe,理橋本,大衡　建也,渡邊　雅英. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-01-14.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57160161A. Автор: Yasuhide Hayashi. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-02.

LATERAL INSULATED GATE TURN-OFF DEVICES

Номер патента: US20140240025A1. Автор: Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori,Tworzydlo Woytek. Владелец: PAKAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Reverse-conducting gate turn-off thyristor circuit

Номер патента: JPS5516541A. Автор: Shuzo Saeki,Terumichi Hirata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-02-05.

VERTICAL INSULATED-GATE TURN-OFF DEVICE HAVING A PLANAR GATE

Номер патента: US20140240027A1. Автор: Rodov Vladimir,Blanchard Richard A.,Akiyama Hidenori,Tworzydlo Woytek. Владелец: PAKAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Buried gate type gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5969969A. Автор: Satoshi Ishibashi,石橋　聰. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1984-04-20.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JP2674641B2. Автор: 常雄小倉. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-11-12.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS6258679A. Автор: Osamu Hashimoto,Yoshikazu Takahashi,良和高橋,理橋本. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-14.

Gate turn-off thyristor stack

Номер патента: EP0069971A1. Автор: Yukio Yamada,Hiroshi Itahana,Hisashi Kuwana. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-01-19.

Parallel connector for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5917862A. Автор: Shinji Yamada,Hiroshi Fukui,宏福井,Masayoshi Sato,正好佐藤,Arata Kimura,新木村,Shuji Musha,山田　紳治,武者　修二. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-01-30.

Gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5739575A. Автор: Hiroyasu Hagino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-03-04.

Gate turn off thyristor module

Номер патента: JPS59172759A. Автор: Kozo Yamagami,山上　倖三. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-09-29.

Gate turn off thyristor

Номер патента: JPS5984457A. Автор: Kozo Yamagami,山上　倖三. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-05-16.

Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor

Номер патента: US4758942A. Автор: Tatsuo Shimura,Masayuki Wada,Chooji Shiina,Tadaki Kariya. Владелец: Hitachi Haramachi Electronics Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

Driver circuits for emitter switch gate turn-off SCR devices

Номер патента: US4581542A. Автор: Robert L. Steigerwald. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-04-08.

Short-circuit switch for e.g. gate turn-off thyristor in inverter, has electric striker triggered to cause breakage of release element, blocking and movement of operating member, relaxation of elastic element and closing of switch

Номер патента: FR2964783A1. Автор: Said Kantas. Владелец: Areva T&D SAS. Дата публикации: 2012-03-16.

Short circuit switch for short-circuiting e.g. gate turn-off thyristor of inverter of high voltage direct current equipment, has striker that is triggered to drive detachment of hook from fixation element and unblocking of operating member

Номер патента: FR2964784A1. Автор: Said Kantas. Владелец: Areva T&D SAS. Дата публикации: 2012-03-16.

Gate turning off control circuit for solid circuit breaker

Номер патента: JPS6243214A. Автор: エドワード・ケイス・ホーウェル. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-02-25.

Enhancements to cell layout and fabrication techniques for mos-gated devices

Номер патента: WO2019195192A3. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2019-10-31.

一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管

Номер патента: CN116469928. Автор: 张波,刘超,夏云,陈万军,孙瑞泽,郑崇芝,周彭炜. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-07-21.

一种具有pn叠型耐压层结构的可关断晶闸管

Номер патента: CN116314310. Автор: 张波,刘超,夏云,陈万军,孙瑞泽,郑崇芝,周彭炜. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-23.

一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管

Номер патента: CN116469928A. Автор: 张波,刘超,夏云,陈万军,孙瑞泽,郑崇芝,周彭炜. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-07-21.

一种具有pn叠型耐压层结构的可关断晶闸管

Номер патента: CN116314310A. Автор: 张波,刘超,夏云,陈万军,孙瑞泽,郑崇芝,周彭炜. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-23.

Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET

Номер патента: US4500801A. Автор: William J. Janutka. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Turn-off circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57101428A. Автор: Michiharu Ishido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-24.

An off-gate circuit for a gate-turn-off thyristor

Номер патента: EP0228226A2. Автор: Yukinori Patent Division Tsuruta,Kazuto Patent Division Kawakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-07-08.

Switch-off stability improving circuit for gate turn-off thyristor - has two-layer diode with low blocking voltage and rapid switch on, connected across inductor for limiting gate current

Номер патента: DE4225083A1. Автор: York Christian Di Gerstenmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-02-03.

Turn-off circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS59127422A. Автор: Koichi Murakami,Katsuyoshi Mase,浩一村上,勝好間瀬. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-07-23.

Snubber circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57110072A. Автор: Hiroshi Fukui,Satoru Horie,Takahiro Nagano,Tsutomu Yao. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-07-08.

Method and device for forming an extinction blocking signal for gate-turn-off power semiconductors

Номер патента: AU6100290A. Автор: Michael Peppel. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1991-03-14.

Controlling circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS55143838A. Автор: Kazuo Tominaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-11-10.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5684033A. Автор: Takashi Sano,Kazunori Masuda. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1981-07-09.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5533350A. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-08.

Gate driving method of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5917723A. Автор: Akira Honda,晃本多. Владелец: Infineon Technologies Americas Corp. Дата публикации: 1984-01-30.

Gate control circuit for gate turn off thyrister

Номер патента: JPS56103966A. Автор: Yorio Hosokawa,Katsumi Fukazawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-08-19.

Gate control circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57162962A. Автор: Hiroshi Fukui,Masayuki Hirose,Masayoshi Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-10-06.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5545276A. Автор: Kenichi Onda,Hisao Amano,Sadaji Tashiro. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57186834A. Автор: Eiji Akagawa,Hideo Koo,Shunichi Yuya,Atsushi Kaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-17.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS56119529A. Автор: Hiroshi Fukui,Arata Kimura,Kiichi Tokunaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-09-19.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57208731A. Автор: Akira Uenishi,Hideo Koo,Shunichi Yuya,Atsushi Kaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-12-21.

Gate drive circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS58179156A. Автор: Masayuki Hirose,Tsutomu Komatsu,Goichi Aoki,正之廣瀬,青木　吾一,小松　力. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-10-20.

Gate controller for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5992763A. Автор: Teruo Yoshino,輝雄吉野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-05-29.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5691676A. Автор: Yukinori Genda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-24.

Gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5778224A. Автор: Shuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-15.

Gate driving circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS59158127A. Автор: Katsuji Iida,克二飯田. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1984-09-07.

Gate driving circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57208732A. Автор: Michiharu Ishido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-12-21.

Gate controlling circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5638977A. Автор: Katsuhiko Takigami,Mamoru Kurata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-14.

Gate drive circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS58222774A. Автор: Akira Honda,晃本多. Владелец: Infineon Technologies Americas Corp. Дата публикации: 1983-12-24.

Pulse transformer type on gate controller for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS60137126A. Автор: Hidetoshi Kobayashi,Minoru Yanagisawa,英敏小林,実柳沢. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-20.

Gate driving circuit for gate turn off thyristor

Номер патента: JPS57145571A. Автор: Hiroshi Fukui,Masayuki Hirose,Masayoshi Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-09-08.

Pulse-on-gate circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57192131A. Автор: Yoshiaki Kato,Akira Matsunaga,Shigeo Tomita. Владелец: Hitachi Haramachi Electronics Ltd. Дата публикации: 1982-11-26.

Gate circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5623029A. Автор: Juichi Irie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1981-03-04.

Gate driving circuit of gate turn off thyristor

Номер патента: JPS5913424A. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshiyasu Hiroi,隆小林,広井　吉保. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-24.

MULTI-STAGE GATE TURN-OFF WITH DYNAMIC TIMING

Номер патента: US20180041205A1. Автор: THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

MULTI-STAGE GATE TURN-OFF WITH DYNAMIC TIMING

Номер патента: US20200259488A1. Автор: THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Protecting method for gate turn-off thyristor power converter

Номер патента: JPS57126271A. Автор: Ichiro Miyashita. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1982-08-05.

Protecting circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS57126268A. Автор: Tetsuo Sueoka. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-05.

Drive circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5914355A. Автор: Takashi Kobayashi,Shigeo Tomita,隆小林,富田　滋男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-25.

Protective device for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5688667A. Автор: Katsuhiko Takigami,Minami Takeuchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-18.

Driving circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5799033A. Автор: Seiichi Muroyama,Kazuhiko Sakakibara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-06-19.

Control circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5785575A. Автор: Mitsuhiko Hirota. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1982-05-28.

Control signal generating circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5883578A. Автор: Yoshihiro Yanagida,柳田　佳廣. Владелец: Furukawa Battery Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-19.

Protecting method for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5937880A. Автор: Masayuki Hirose,正之廣瀬. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-01.

Diode-assisted gate turn-off thyristor

Номер патента: US6426666B1. Автор: Yuxin Li,Alex Q. Huang,Kevin Motto. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2002-07-30.

Drive circuit for gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS61230519A. Автор: Hiroshi Mitsuoka,光岡　宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-14.

Method for protecting a gate turn-off thyristor against short circuit

Номер патента: DE3911464A1. Автор: Bernhard Dr Ing Eggert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1990-10-11.

Low inductance anode-cathode r-c circuit for gate turn-off power thyristor

Номер патента: AU5009185A. Автор: Stefan Umbricht,Claude Egger. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 1986-06-05.

Multi-stage gate turn-off with dynamic timing

Номер патента: KR102336161B1. Автор: 얀 탈하임. Владелец: 파워 인티그레이션즈 스위츨런드 게엠베하. Дата публикации: 2021-12-08.

Gate turn-off type alternating current switch circuit

Номер патента: JPS58100540A. Автор: Haruyuki Yoshino,Hiroyasu Uehara,Mitsuo Matsuyama,Yasunobu Inabe,Kanji Mukai,Yasuo Mikami,光男松山,吉野　春幸,井鍋　泰宣,上原　啓靖,向井　幹二,三上　靖夫. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1983-06-15.

Multi-stage gate turn-off with dynamic timing

Номер патента: US9825625B2. Автор: Jan Thalheim. Владелец: CT Concept Technologie AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and circuit for protecting overcurrent of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS55147972A. Автор: Yoshimoto Tamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-11-18.

Trigger circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS6097722A. Автор: Katsuhiko Takigami,Takashi Yotsudo,孝四戸,滝上　克彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-05-31.

Snubber circuit of gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS5781727A. Автор: Hiroshi Fukui. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-21.

Method and device for driving gate turn-off thyristor

Номер патента: JPS6174415A. Автор: ライナー、マルクアルト,テオドール、ザルツマン,ミヒアエル、ペツペル. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-04-16.

Gate turn-off thyristor failure detection circuit

Номер патента: DE3370727D1. Автор: Nagataka C O Patent Divis Seki,Yukio C O Patent Divi Watanabe,Shunichi C O Patent Divi Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-05-07.

MULTI-STAGE GATE TURN-OFF WITH DYNAMIC TIMING

Номер патента: US20160013788A1. Автор: THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Control method of reverse conduction type gate turn-off type thyristor

Номер патента: JPH0638707B2. Автор: 堀江　　哲,孝坪井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-05-18.

Series circuit arrangement of gate turn-off power semiconductor elements

Номер патента: EP0509118A1. Автор: Horst Dr. Grüning. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1992-10-21.

Protection circuit for a gate turn-off device in an electrical braking system for an electric traction motor vehicle

Номер патента: US5436540A. Автор: Ajith K. Kumar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Protection of inverter applied to gate turn off thyristor

Номер патента: JPS57166886A. Автор: Hideo Tanaka,Toshiaki Jofu,Tadao Goshi. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-14.

Control circuit for gate turn off thyristor

Номер патента: JPS57153466A. Автор: Junichi Watanabe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-09-22.

Insulated gate power device using a MOSFET for turning off

Номер патента: US09806181B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Modular multiple converter provided with reverse-conducting power semiconductor relays

Номер патента: RU2587683C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-06-20.

Direct converter and system with this type of converter

Номер патента: RU2531358C2. Автор: Манфред ВИНКЕЛЬНКЕМПЕР,Артур КОРН. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2014-10-20.

Heat sinks with c-shaped collectors and milli-channel cooling

Номер патента: RU2580374C2. Автор: Адам Грегори ПАУЧ,Сатиш Сиварама ГУНТУРИ,Патрик Хосе ЛАЗАТИН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2016-04-10.

Gto module with piggyback bypass diode

Номер патента: CA2104971A1. Автор: Ronald Barry Bailey,Stephen Thomas Radack, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-07-16.

반도체 소자 진단을 위한 전압-전류 측정 장치

Номер патента: KR20070052421A. Автор: 정재호. Владелец: 정재호. Дата публикации: 2007-05-22.

Medium or low voltage transformer with step changing and its operating method

Номер патента: RU2516462C2. Автор: Райнхард МАЙЕР,Герд ГРИПЕНТРОГ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-05-20.

High-voltage circuit breaker

Номер патента: RU2439737C2. Автор: Юрий ОНУФРИЕНКО,Эдуард УЛАНОВСКИЙ,Дов ЙЕГЕР,Ефим ГОФМАН. Владелец: Арколин Лтд.. Дата публикации: 2012-01-10.

Switching circuit and power conversion circuit

Номер патента: US09923557B2. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Bootstrapped switch with a highly linearized resistance

Номер патента: US09621149B2. Автор: Benedict C. K. Choy,James T. Walker,Ming-Yuan Yeh. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

High gain latching Darlington transistor

Номер патента: US4456839A. Автор: Robert L. Steigerwald. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-06-26.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

Transforming circuit for commutation of a set of levels of commutated voltage

Номер патента: RU2307442C1. Автор: Юрген ШТАЙНКЕ,Тьерри Мейнар,Люк МАЙСЕНК,Петер БАРБОЗА,Петер ШТАЙМЕР. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2007-09-27.

Solid-state switch

Номер патента: CA2099944C. Автор: Hiroshi Arita,Yukio Kurosawa,Junzo Kida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-09.

Method and apparatus for matching turn-off times of parallel connected semiconductor switching devices

Номер патента: US5051603A. Автор: Loren H. Walker. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-09-24.

Electronic commutator circuits

Номер патента: US8487566B2. Автор: Allan David Crane. Владелец: Converteam UK Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Power supply system for reluctance motor

Номер патента: IE850092L. Автор: . Владелец: Jeremiah B O Dwyer. Дата публикации: 1986-07-15.

Guard system for inverter apparatus

Номер патента: CA1249642A. Автор: Akira Horie,Shigetoshi Okamatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-01-31.

GTO thyristor control circuit

Номер патента: US4918340A. Автор: Chao-Cheng Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-04-17.

GTO circuits

Номер патента: US4016433A. Автор: Ronald Robert Brooks. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-04-05.

Power supply systems for reluctance motors

Номер патента: US4763056A. Автор: John V. Byrne,Jeremiah B. O'dwyer. Владелец: Kollmorgen Technologies Corp. Дата публикации: 1988-08-09.

Magneto Systems

Номер патента: GB1156522A. Автор: . Владелец: Globe Union Inc. Дата публикации: 1969-06-25.

Diesel-electric drive system with synchronous generator excited with constant magnets

Номер патента: RU2414046C2. Автор: Андреас ФУКС,Олаф КЕРНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-03-10.

오씨피 파워 서플라이

Номер патента: KR20020034573A. Автор: 현득수. Владелец: 현득수. Дата публикации: 2002-05-09.

Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices

Номер патента: US5338994A. Автор: Georges R. E. Lezan,Loren H. Walker. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-08-16.

Converter connection with a balancing circuit

Номер патента: CA2156688C. Автор: Gunnar Asplund. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 2000-01-25.

Method and apparatus for generating and injecting reactive power into an electrical AC power grid system using an inverter

Номер патента: US6130524A. Автор: Herbert Stemmler. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

Direction reversing direct current motors and their control

Номер патента: US4095155A. Автор: Ronald Robert Brooks,Jack Edward Wojslawowicz. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Pulse width modulation high voltage direct current transmission system and converter

Номер патента: CA1313219C. Автор: Boon-Teck Ooi. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 1993-01-26.

Induction motor control apparatus and method

Номер патента: CA1285609C. Автор: Habib Dadpey,David J. Shero. Владелец: AEG Westinghouse Transportation Systems Inc. Дата публикации: 1991-07-02.

Control equipment for high voltage direct current transmission system with equipment of self-commutated converter

Номер патента: US5535113A. Автор: Hiroo Konishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-09.

Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices

Номер патента: CA2021076C. Автор: Georges R. E. Lezan,Loren H. Walker. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Polyphase power converter circuits

Номер патента: GB1344534A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-01-23.

Imaging and recording apparatus

Номер патента: US5801847A. Автор: Manabu Wakabayashi,Shigeyuki Itoh,Iwao Aizawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Power control circuit for inductive loads

Номер патента: WO1990002476A1. Автор: Arlon D. Kompelien,Robert A. Black, Jr.. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1990-03-08.

Solid state chopper ballast for gaseous discharge lamps

Номер патента: CA1042500A. Автор: Robert L. Steigerwald,John N. Park,Steven C. Peak. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1978-11-14.

Semiconductor ballast for operating a discharge lamp

Номер патента: GB2050723A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-07.

Improvements relating to electrical pulse generating apparatus

Номер патента: GB1110214A. Автор: Graham John Scoles. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1968-04-18.

Apparatus for data retention and supply noise mitigation using clamps

Номер патента: US09766827B1. Автор: Muhammad M. Khellah,Anupama A. Thaploo,Stephen T. Kim,Pascal A. MEINERZHAGEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Display driving method, display panel and display device

Номер патента: US20180082651A1. Автор: Yun Sik Im,Yoon Sung Um,Kuanjun PENG,Yu'e JIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for driving display panel, display drive circuit, and display device

Номер патента: US20240363084A1. Автор: Zheng Zhang,Shulin Yao,Jiantao Liu,Dongchuan CHEN,Pengfei Hu,Yanping Liao,Yinlong ZHANG,Wenpeng MA,Yingmeng MIAO,Yuhang Tian. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate turn-off thryistor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты