Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices

Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices

Номер патента: US20030230754A1
Опубликовано: 18-12-2003
Автор(ы): Daniel Steigerwald, Jerome Bhat, Michael Ludowise
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate

Номер патента: US20030057421A1. Автор: Tzer-Perng Chen. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate

Номер патента: GB0131089D0. Автор: . Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-13.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180240948A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Yasunobu Shoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070120139A1. Автор: Reiji Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Nitride semiconductor light emitting device for flip chip

Номер патента: KR100631967B1. Автор: 이재훈,김용천,공문헌,백형기. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-10-11.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537049B2. Автор: Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110220911A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20090242906A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor light emitting device with increased luminous power

Номер патента: US6121637A. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor light emitting device including a pad electrode spaced apart from a transparent electrode

Номер патента: US09548422B2. Автор: Tae Hun Kim,Ki Seok Kim,Chan Mook Lim,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09508898B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100238687A1. Автор: Masaki ODAWARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20120032225A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takahiko Sakamoto,Yasutaka Hamaguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Light emitting device and the use thereof

Номер патента: US20060131595A1. Автор: Cheng-Chuan Chen. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus including the same

Номер патента: US09653515B2. Автор: Ju Heon YOON,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09425355B2. Автор: Han Kyu Seong,Kyung Ho Yoo,Tae Woong Kim,Nam Goo CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780260B2. Автор: Han Kyu Seong,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09548426B2. Автор: Sang Yeob Song,Masaaki Sofue,Chan Mook Lim,Mi Jeong Yun,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly

Номер патента: US8035120B2. Автор: Yasushi Ito,Naoji Nada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor for light emitting device

Номер патента: US20110266573A1. Автор: Geun ho Kim,Hee Seok Choi,Sung Kyoon Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor light-emitting device with InGaAlP

Номер патента: US5235194A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials

Номер патента: US7863635B2. Автор: James Ibbetson,Peter S. Andrews,Ronan P. Le Toquin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials and methods for forming the same

Номер патента: US9054282B2. Автор: James Ibbetson,Peter S. Andrews,Ronan P. Le Toquin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US09755108B2. Автор: Satoshi Wada,Yoshiki Taniyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light emitting device

Номер патента: EP1982361A1. Автор: Takaharu Hoshina. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09543470B2. Автор: Joong Kon Son,Jae Hyeok HEO,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160104815A1. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2016-04-14.

Infrared light-emitting diode

Номер патента: US20240282887A1. Автор: Chihhung Hsiao,Chunfu Tsai. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Light-emitting device having resin member with conductive particles

Номер патента: US09812625B2. Автор: Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of semiconductor light-emitting elements and method of making said element

Номер патента: RU2469435C1. Автор: Кендзи ХИРУМА,Синдзиро ХАРА,Дзунити МОТОХИСА,Такаси ФУКУИ. Владелец: Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити. Дата публикации: 2012-12-10.

Interconnects for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20070057271A1. Автор: Paul Martin,Daniel Steigerwald,Decai Sun,Stefano Schiaffino,Ashim Haque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Light-emitting device, light-emitting assembly, and integrated circuit flip-chip

Номер патента: US20220052230A1. Автор: Chen-Hsiu Lin,Min-Hsi Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Light-emitting device, light-emitting assembly, and integrated circuit flip-chip

Номер патента: US12009459B2. Автор: Chen-Hsiu Lin,Min-Hsi Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing light emitting device with multiple light emitting elements which are simultaneously connected to mounting board in flip chip manner

Номер патента: US10062814B2. Автор: Yuhki Ito,Yosuke Tsuchiya,Aya KAWAOKA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Light-emitting diode (led) package having flip-chip bonding structure

Номер патента: US20140252402A1. Автор: Young-Jin Cho,Kun-jeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Surface-mounted light-emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US09537057B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Chih-Wei Chao,Shaohua Huang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package including the same

Номер патента: US09508697B2. Автор: Jung Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20170125644A1. Автор: Yuhki Ito,Yosuke Tsuchiya,Aya KAWAOKA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Light emitting device package, backlight unit, and method of manufacturing light emitting device package

Номер патента: US09806245B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Seung-Hyun OH,Kang-Min HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Light emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064614A1. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting device, method for producing semiconductor light-emitting element, method for producing semiconductor light-emitting device, illumination device using semiconductor light-emitting device, and electronic apparatus

Номер патента: US8629473B2. Автор: Kyousuke Masuya,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Light emitting device bonded to a support substrate

Номер патента: RU2604956C2. Автор: Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД,Джером Чандра БХАТ,Салман АКРАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-12-20.

Light emitting device

Номер патента: US20120032196A1. Автор: Takahiro Sato,Shinya Nunoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130056789A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Light-emitting device with sealing member comprising zinc sulfide particles

Номер патента: US09786823B2. Автор: Eiichi Kanaumi,Jun Kaneno. Владелец: NS Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Light-emitting device using semiconductor

Номер патента: US20160197247A1. Автор: Eiichi Kanaumi,Jun Kaneno. Владелец: NS Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Nanostructure semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09490395B2. Автор: Jung Sung Kim,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911899B2. Автор: Hiroshi Katsuno,Masakazu Sawano,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Light emitting structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09748456B2. Автор: Chia-Liang Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Flip chip light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180212105A1. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jong-Jan Lee,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chang-Ho Chen,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang,Paul-John Schuele. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09941443B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Sam Mook KANG,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing light emitting device with exposed wire end portions

Номер патента: US09923134B2. Автор: Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device array

Номер патента: US09680063B2. Автор: Mamoru Miyachi,Noriko Nihei. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09608178B2. Автор: Toshitaka Nakamura,Hisataka Ito,Hironaka Fujii. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting element, and display device

Номер патента: US20240322084A1. Автор: Wonjae Chang,Jinsung Kim,Wonseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-26.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170012170A1. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120146086A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012107967A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2673813A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150221828A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911902B2. Автор: Shigetoshi Ito,Makoto Sawamura,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09553240B2. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US09484497B2. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of manufacturing semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor

Номер патента: US20080076316A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Light-emitting device and method for manufacturing same.

Номер патента: MY149763A. Автор: Tajima,Setsuo Kikuchi. Владелец: Fuji Polymer Ind. Дата публикации: 2013-10-14.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090020773A1. Автор: Kenichi Mori,Yuko Nomura,Isao Amemiya,Isao Takasu,Keiji Sugi,Miho Yoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Full spectrum white light emitting devices

Номер патента: US11887973B2. Автор: Yi-Qun Li,Xianglong Yuan,Jun-Gang Zhao. Владелец: Intematix Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package including the same

Номер патента: US20220190201A1. Автор: Youngwoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140361324A1. Автор: Kazuhiro Inoue,Yoshiharu Tsuboi,Teruo Takeuchi,Kazuhiro Tamura,Kenji Shimomura,Kazuhisa Iwashita,Toshihiro Kuroki,Toshihiro Komeya,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: EP2272102A1. Автор: Hideo Nagai,Yasuharu Ueno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: WO2009119034A4. Автор: Hideo Nagai,Yasuharu Ueno. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2010-01-21.

Full Spectrum White Light Emitting Devices

Номер патента: US20230290759A1. Автор: Yi-Qun Li,Xianglong Yuan,Jun-Gang Zhao. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10008648B2. Автор: Soo Kun Jeon,Kyoung Min Kim,Eun Hyun Park,Dong So JUNG,Kyeong Jea WOO. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US5763901A. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060243996A1. Автор: Mitsunori Ueda,Naoji Nada,Tetsuyuki Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US7371593B2. Автор: Mitsunori Harada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens

Номер патента: US20030230977A1. Автор: Howard Epstein. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-12-18.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230352643A1. Автор: Junghoon Kim,Chilkeun Park,Byoungkwon Cho,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9136253B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150001572A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150340348A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230187595A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Flip chip light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10164142B2. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jong-Jan Lee,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chang-Ho Chen,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang,Paul-John Schuele. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Light emitting element having protective layer

Номер патента: US20170012174A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara,Akiyoshi Kinouchi,Hirokazu Sasa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor light emitting device and flip chip package device

Номер патента: US8829543B2. Автор: Yi-Ru Huang,Yun-Li Li,Yu-Yun Lo,Chih-Ling Wu. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-09-09.

Gallium nitride light emitting diode for flip chip bonding and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3745763B2. Автор: 賢 秀 申. Владелец: 三星電機株式会社. Дата публикации: 2006-02-15.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180033914A1. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-02-01.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786813B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577167B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564554B2. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US12125942B2. Автор: Yongseok Choi,Donggun Lee,Youngjin Choi,Sungjin Ahn,Joosung KIM,Jeongwook LEE,Jonguk Seo,Youngjo TAK,Jonghoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Thin-film flip-chip light emitting diode having roughening surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170148952A1. Автор: Jing-En Huang,Yi-Fan Li,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160181488A1. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Direct bonding of flip-chip light-emitting diode and flip-chip ESD protection chip to electrodes in a package

Номер патента: EP1207563A3. Автор: Daniel A. Steigerwald,Steven A. Maranowski. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2007-03-21.

Light-emitting device and electronic equipment

Номер патента: EP4386726A1. Автор: Goshi Biwa,Masato Doi,Toshiaki Kanemitsu,Naoki Hirao,Akira Ohmae. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing

Номер патента: RU2436195C1. Автор: Ёхеи ВАКАИ,Хироаки МАЦУМУРА,Кендзи ОКА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-10.

Semiconductor light-emitting device package

Номер патента: US09887332B2. Автор: Jun Ho Lee,Pun Jae Choi,Jin Wook Chung,Yong Min KWON,Geun Woo KO,Ah Young WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190131503A1. Автор: Kosuke Yahata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221716A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4203082A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Light emitting device package

Номер патента: US20220359803A1. Автор: Sangbok Yun,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US12125954B2. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09899356B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09543477B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110062477A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107201B2. Автор: Seung Ho Baek,Soo Kun Jeon,Won Jae Choi,Yeon Ho Jeong,Geun Mo JIN,Geon Il HONG. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Light-emitting diode

Номер патента: US12132152B2. Автор: Chung-Ying Chang,Hongbin Tang,Yu-Tsai Teng,Wen-Chia HUANG,Ji-pu WU,Yaowei CHUANG,Chiawen WU. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor light emitting device, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09559260B2. Автор: Geon-Wook YOO,Nam Goo CHA,Dong Kuk Lee,Geun Woo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Light-emitting diode structure

Номер патента: US20240266467A1. Автор: Ching-Yuan Tsai,Yueh-Lin Lee,Kun-Te Lin. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266472A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nanostructure semiconductor light emitting device having rod and capping layers of differing heights

Номер патента: US09595637B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09461205B2. Автор: Dong Hoon Lee,Nam Goo CHA,Hyun Seong KUM,Ju Bin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor light-emitting device with near-field multi-layer reflector

Номер патента: EP4385074A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09893238B2. Автор: Takeshi Kususe,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09887334B1. Автор: Sang Seok Lee,Joon Woo Jeon,Hyun Kwon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09793436B2. Автор: Shih-I Chen,Rong-Ren LEE,Ching-Yuan Tsai,Chih-Hung Hsiao,Hao-Min Ku,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang,Kuan-Chih KUO. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735312B2. Автор: Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Chih CHIU,Ching-Huai Ni. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09530941B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park,Yong Deok Kim. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Micro light-emitting device and display

Номер патента: US11804578B2. Автор: Chun-Yi Wu,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Shaohua Huang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Light emitting diode package

Номер патента: WO2017223255A4. Автор: Kevin Huang,Rohit Modi,Scott West,Michael D. Craven,Rafael I. Aldaz,Stefan Eberle,Aurelien J.F. David,Michael J. CHICH. Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9391238B2. Автор: Tae-hun Kim,Seung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09972657B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light emitting device package with wavelength conversion layer

Номер патента: US09871172B2. Автор: Hak Hwan Kim,Jung Tae Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691944B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device

Номер патента: US09608187B2. Автор: Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110278538A1. Автор: Yu Seung Kim,Jung Ja YANG,Youn Joon Sung,Hyung Duk KO,Soo Jin Jung,Dae Cheon KIM,Byung Kwun LEE. Владелец: Lee Byung Kwun. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A2. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336717A1. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A3. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150270462A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10910521B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: US20240213426A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230387363A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230011141A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor light-emitting element and display device comprising same

Номер патента: US20230335674A1. Автор: Junghoon Kim,Wonjae Chang,Chilkeun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220020905A1. Автор: Minoru Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Light-emitting diode chips and manufacturing processes thereof

Номер патента: US20230170335A1. Автор: Christopher P. Hussell,Brian T. Collins,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20190074415A1. Автор: Tsutomu Okubo. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11843080B2. Автор: Naoki Shibata,Tadaaki Maeda,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11870021B2. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200274038A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310889A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220165927A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Flip-Chip Light Emitting Diode and Fabrication Method

Номер патента: US20150115295A1. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Nitride semiconductor light emitting device for flip chip and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100506741B1. Автор: 김현경,신현수,김용천. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2005-08-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Wavelength converted light emitting device with textured substrate

Номер патента: US20180315901A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2018-11-01.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046627B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Frame based package for flip-chip LED

Номер патента: US09698323B2. Автор: Yourii Martynov,Marc Andre De Samber,Oleg Borisovich Shchekin,Ashim Shatil Haque,Norbertus Antonius Maria Sweegers,Stephen Andrew Stockman. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09553241B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230335696A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

Номер патента: EP1403934A3. Автор: Michael R. Krames,Gerd O. Mueller,Troy A. Trottier,Regina Mueller-Mach. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2005-07-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120138984A1. Автор: Masashi Deguchi,Masao Kamiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150008469A1. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09705053B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537051B2. Автор: Dong Hyun Cho,Jin Bock Lee,Nam Goo CHA,Dong Kuk Lee,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4394904A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Light emitting device with reflective electrode

Номер патента: US09847460B2. Автор: Tsun-Kai Ko,Chien-Kai Chung,De-Shan Kuo,Chun-Teng Ko. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers

Номер патента: US09666779B2. Автор: Jiajia Li,Yi Zhang,Zhicong Li,Yijun Sun,Guohong Wang,Yaping Feng,Yuzhe JIN. Владелец: YANGZHOU ZHONGKE SEMICONDUCTOR LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US09406635B2. Автор: Myong Soo Cho,Yong Il Kim,Ju Heon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

METAL FILLER, SEPARATING p- AND n-TYPE LAYERS, FOR LIGHT-EMITTING DIODES MOUNTED BY FLIP-CHIP METHOD

Номер патента: RU2597071C2. Автор: Цзипу ЛЭЙ,Яцзюнь ВЭЙ,Александер Х. НИКЕЛ,Стефано СЧИАФФИНО,Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Light-emitting device

Номер патента: US20230017727A1. Автор: Feng Wang,Qing Wang,Yu-Chieh Huang,Anhe HE,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Xiushan Zhu. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20230073726A1. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4099388A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-07.

Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4068371A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09853195B2. Автор: Kazuhiro Inoue,Takashi Arakawa,Yoshio Noguchi,Teruo Takeuchi,Masahiro Ogushi,Toshihiro Kuroki,Yuki Akamatsu,Hidenori Egoshi,Toshihiro Komeya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847452B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09691945B2. Автор: Tae Gyu Kim,Min Soo Han,Tai Oh Chung,Hyoung Cheol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660139B2. Автор: Yong Min Kim,Sung Hyun SIM,Kyung Wook HWANG,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09620669B2. Автор: Hideki Shibata,Akihiro Kojima,Hideo Tamura,Masayuki Ishikawa,Yoshiaki Sugizaki,Tetsuro Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09601665B2. Автор: Dong Hoon Lee,Jin Bock Lee,Mi Hyun Kim,Je Won Kim,Sung Hyun SIM,Hye Seok NOH,Dong Kuk Lee,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09490394B2. Автор: Chih-Chiang Lu,Shih-I Chen,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484500B2. Автор: Sang Seok Lee,Ki Seok Kim,Su Yeol Lee,Chan Mook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US8742394B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140225146A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20130020552A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230114703A1. Автор: Tetsuya Ikuta,Jumpei Yamamoto. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09818911B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09466763B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yufeng Weng,Susumu Ohmi,Kiminori TANABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Display device comprising semiconductor light-emitting elements and method for manufacturing same

Номер патента: EP4398305A1. Автор: Jungmin Kim,Moonsun Lee,Eunhye LEE,Wonseok Choi,Hun Jang,Hyeseon Eom,Gisang Hong,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: EP4246566A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20240021767A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240258480A1. Автор: Youngdo Kim,Hun Jang,Hyeseon Eom,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor light-emitting element and method of producing the same

Номер патента: US12125702B2. Автор: Osamu Tanaka,Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786817B2. Автор: Young Ho Ryu,Sung Joon Kim,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09543484B1. Автор: Yukihiro Nomura,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Light-Emitting Element

Номер патента: US20200287088A1. Автор: Soo Kun Jeon,Yeon Ho Jeong,Il Gyun CHOI,Geun Mo JIN,Jun Chun PARK. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Flip chip led with side reflectors and phosphor

Номер патента: EP3398211A1. Автор: Yeow-Meng Teo,Iwan-Wahyu SAPUTRA. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2018-11-07.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326349A1. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor light-emitting element, vehicle lamp, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4369426A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11769860B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Light-emitting device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20150236230A1. Автор: Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light-emitting device including a reflector layer having a multi-layered structure

Номер патента: US20220190207A1. Автор: Junghee KWAK,Jungsung Kim,Seong Seok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Light-emitting element

Номер патента: US20240266476A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Chien-Chih Liao,Min-Yen Tsai,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09997668B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09960320B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09899571B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09761760B2. Автор: Hidetoshi Tanaka,Mitsumasa Takeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09705039B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515224B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437779B2. Автор: Koji Asakawa,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Takanobu Kamakura,Shinji Nunotani,Kumi Masunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method for the same

Номер патента: US09437773B2. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2822034A3. Автор: Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Light emitting device

Номер патента: EP2339656A2. Автор: Nunoue Shinya,Takahiro Sato,Iwao Mitsuishi,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100102355A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916901B2. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Display device using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US20240072213A1. Автор: Mihee Heo,Jisoo KO,Hyeyoung Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150115298A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Apparatus and method for self-assembling semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11869871B2. Автор: Hyunwoo Cho,Kiseong Jeon,Jideok Kim,Bongchu Shim,Juchan CHOI,Seulbitna LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140332840A1. Автор: Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-11-13.

Bonding electrode structure of flip-chip led chip and fabrication method

Номер патента: US10276750B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Zhibai ZHONG,Chia-En Lee,Junyong KANG,Lixun Yang,Jinjian ZHENG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Light emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3979344A1. Автор: Yukio Suzuki,Shuji Tanaka,Yoshiaki Yasuda,Hirofumi Chiba,Mitsuyasu Kumagai. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Semiconductor light-emitting device having a photonic crystal pattern formed thereon, and method for manufacturing same

Номер патента: US09806231B2. Автор: Taegeun Kim,Homyoung An,Jaein Sim. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor light emitting diode package and lighting device using the same

Номер патента: US09537055B2. Автор: Ho Young Song,Kyung Seok Oh,Myoung Bo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09349918B2. Автор: Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Sachie Fujikawa,Hiromi Nishihara. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8878213B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Shigeya Kimura,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9472739B2. Автор: Hyung Jo Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2765618A3. Автор: Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI,Hiroshi Katuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200220044A1. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Light extraction structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: US20230411562A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,Alan Wellford Dillon,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Light extraction structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: WO2023250255A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,Alan Wellford Dillon,Michael Check. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-28.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168589A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-28.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor light emitting device for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240030182A1. Автор: Sunghyun Hwang,Wonjae Chang,Minwoo Lee,Chunghyun Lim,Myoungsoo Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230133634A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12002902B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Light emitting device with reflective electrode

Номер патента: US20160197241A1. Автор: Tsun-Kai Ko,Chien-Kai Chung,De-Shan Kuo,Chun-Teng Ko. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device package including light transmissive substrate having wavelength conversion regions

Номер патента: US09472729B2. Автор: Joong Kon Son,Sung Mok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light-emitting apparatus and vehicle headlight

Номер патента: US09726340B2. Автор: Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Kenji Akisada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2473152C1. Автор: Такуя НОИТИ,Юити ОКАДА,Такахито МИКИ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-01-20.

Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20240079538A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220093829A1. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11764335B2. Автор: Yudai Uratani. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12107194B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210043818A1. Автор: Masahiko Kobayakawa,Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Flip-chip light-emitting module

Номер патента: US20200185582A1. Автор: Chuan Jin. Владелец: AzureWave Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Flip chip LED with side reflectors encasing side surfaces of a semiconductor structure and phosphor

Номер патента: US12057535B2. Автор: Yeow-Meng Teo,Iwan-Wahyu SAPUTRA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light emitting device, composite light emitting device with arrangement of semiconductor light emitting devices, and planar light source using composite light emitting device

Номер патента: US8641256B2. Автор: Masanori Hoshino,Takeshi Sano,Kouji TSUKAGOSHI,Kazuyoshi Haga. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Light-emitting diode packages with lead frame structures for flip-chip mounting of light-emitting diode chips

Номер патента: US20230387356A1. Автор: David Suich,Colin Blakely,Guy Pickett. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting device including supporting body and wavelength conversion layer

Номер патента: US9653659B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Light-emitting diode packages with lead frame structures for flip-chip mounting of light-emitting diode chips

Номер патента: WO2023235258A1. Автор: David Suich,Colin Blakely,Guy Pickett. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20170213941A1. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972756B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Flip-chip light emitting diode and light emitting device

Номер патента: US20240063336A1. Автор: JIN Xu,Ke Liu,Qiang Wang,Dazhong Chen,Baojun Shi,Shuijie WANG,Meijian WU. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Substrates for packaging flip-chip light emitting device and flip-chip light emitting device package structures

Номер патента: US09477032B2. Автор: Sung-soo Park,Jong-Sup Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nitride semiconductor light emitting device for flip-chip

Номер патента: KR100708936B1. Автор: 신현수,김용천,김창완,이혁민. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-04-17.

Light emitting diode and flip-chip light emitting diode package

Номер патента: US20130221394A1. Автор: Yi-Ru Huang,Po-Jen Su,Yu-Yun Lo,Chih-Ling Wu. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2013-08-29.

SiC substrate-based nitride LED (Light Emitting Diode) film flip chip and preparation method thereof

Номер патента: CN104409594A. Автор: 胡兵,马亮,刘素娟,李金权,裴晓将. Владелец: BEIJING ZHONGKE TIANSHUN INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Light-emitting device with converted wavelength

Номер патента: RU2596179C2. Автор: Олег Борисович ЩЕКИН,Майкл Дэвид КАМРАС,ГРАНЕЛЬ Рафаэль Игнасио АЛЬДАС,Патрик Нолан ГРИЙО,Франк Майкл СТЕРАНКА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical light-emitting diode

Номер патента: US8653555B2. Автор: Xuejiao LIN,Huijun HUANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

Light emitting element

Номер патента: US09929316B2. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

A semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: EP4401135A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140319571A1. Автор: Shinichiro Sonoda,Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Quantum dot-based color-converted light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190081219A1. Автор: Chieh Chen. Владелец: Maven Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425583A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Light emitting element unit and method for manufacturing the same, light emitting element package and illuminating device

Номер патента: US09997682B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09935245B2. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,June O Song,Kwang Ki CHOI,Tchang Hun OH,Hee Seok Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Light emitting packages

Номер патента: US09905739B2. Автор: Jung-jin Kim,Si-han Kim,Jin-Wook Chung,Pun-Jae Choi,Sung-don GANG,Ah-young WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09537060B2. Автор: Chul Soo Yoon,Sang Hyun Kim,Chang Bun Yoon,Min Jung Park,Jeong Rok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9202986B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor light emitting device with light transmittable electrode and method for manufacturing same

Номер патента: US8623676B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Flip-chip light-emitting device and light emitting module having the same

Номер патента: US20240170615A1. Автор: Zhiwei Wu,Yu-Ren Peng,Weiping Xiong,Di Gao,Yanyun WANG,Huan-shao KUO. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130134385A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120228656A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya,Tsukasa Kitano,Fumiharu Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4425584A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12119333B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: US20240332453A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12087896B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US09887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Nanostructure light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871164B2. Автор: Dong Ho Kim,Nam Goo CHA,Geon Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device

Номер патента: US09666776B2. Автор: Toshiyuki Takada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting device and optical film

Номер патента: US09577164B2. Автор: Atsushi Suzuki,Hiroyuki Tsujimoto,Junji Kato,Shozo Takada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09577145B2. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09437787B2. Автор: Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Wavelength converted light emitting device

Номер патента: US09431585B2. Автор: Oleg Borisovich Shchekin,Michael David Camras,Patrick Nolan Grillot,Rafael Ignacio Aldaz Granell,Frank Michael Steranka. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2016-08-30.

Light-emitting device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2537091C2. Автор: Синдзи НИСИДЗИМА,Томохидэ МИКИ,Хирото ТАМАКИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2014-12-27.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4391063A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187446A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077250A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035845A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20100117114A1. Автор: Ryo Suzuki,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230253386A1. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-emitting device

Номер патента: US20240266484A1. Автор: Chen-Ke Hsu,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Changchin YU,Zhaowu HUANG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light-emitting device package and display device

Номер патента: US20240297284A1. Автор: Sangtae Park,Taehyun Kim,Daewoon HONG,Dahye Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-05.

Enhanced light extraction from light emitting diodes utilizing a nanoparticle meta-grid

Номер патента: US20230015425A1. Автор: John Brian Pendry,Joshua Edel,Alexei Kornyshev,Debabrata SIKDAR. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240372315A1. Автор: Yoshiro Takiguchi,Hisayoshi Motobayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of attaching a light emitting device to a support substrate

Номер патента: US09705047B2. Автор: Salman Akram,Jerome Chandra Bhat,Daniel Alexander Steigerwald. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US09590141B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same

Номер патента: US09570660B2. Автор: Seung Woo Choi,Sang Yeob Song,Jae In SIM,Gi Bum Kim,Jong Hoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-section rod semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478701B2. Автор: Chih-Chung Yang,Horng-Shyang Chen,Che-Hao Liao,Chia-Ying Su,Charng-Gan Tu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of attaching a light emitting device to a support substrate

Номер патента: US09431581B2. Автор: Salman Akram,Jerome Chandra Bhat,Daniel Alexander Steigerwald. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-08-30.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Номер патента: US09935242B2. Автор: Jonathan J. Wierer,Aurelien Jean Francois David,Henry Kwong-Hin Choy. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light-emitting device with near-field surface-lattice-resonance reflector

Номер патента: EP4385073A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor light-emitting device with near-field quasi-guided-mode reflector

Номер патента: EP4385072A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9728694B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220376154A1. Автор: LI YANG,Yang Li,Chang-Chin Yu,Xinglong LI,Zhaowu HUANG,Chenxi YAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240332339A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728694B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09590009B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing nano-structured semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09508893B2. Автор: Nam-Goo Cha,Dong-Ho Kim,Geon-Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09496471B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Masanobu Ando,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama,Gen Watari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9379294B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9478527B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160254254A1. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Emissive device including first and second adjacent pixels sharing the same semiconductor light-emitting stack

Номер патента: US09825089B2. Автор: David Vaufrey. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method

Номер патента: US09570664B2. Автор: Seunghoon Lee,Seunghyun Oh,Tehong NAM,Kangmin HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method

Номер патента: US09397278B2. Автор: Seunghoon Lee,Seunghyun Oh,Tehong NAM,Kangmin HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor light-emitting device with light output structures

Номер патента: RU2491682C2. Автор: Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Хенри Квонг-Хин ЧОЙ,Джонатан Дж. ВЬЕРЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Eutectic electrode structure of flip-chip LED chip and flip-chip LED chip

Номер патента: US11393967B2. Автор: Anhe HE,Jiansen Zheng,Suhui Lin,Kangwei Peng,Xiaoxiong Lin,Chenke Hsu. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Wavelength-converted semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2011033403A1. Автор: Oleg B. Shchekin. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2011-03-24.

Vertical light-emitting diode

Номер патента: US20110303895A1. Автор: Xuejiao LIN,Huijun HUANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor light emitting element, electronic apparatus, and light emitting device

Номер патента: US20120241721A1. Автор: Takehiko OKABE,Takashi Hodota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Light emitting element

Номер патента: US20170186915A1. Автор: Yoshiki Inoue,Keiji Emura,Takamasa SUNDA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220376142A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11777060B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9608170B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9356196B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8680568B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9059387B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8946763B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777068B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130146917A1. Автор: Takako Chinone. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130126937A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120012884A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200227595A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090121247A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor light emitting device with a film having a roughened surface

Номер патента: US9444017B2. Автор: Shinya Ito,Kazuo Fujimura,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150280072A1. Автор: Shinya Ito,Kazuo Fujimura,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor light emitting device package including reflective electrode pattern

Номер патента: US20220320370A1. Автор: Seungwan CHAE,Myunggoo CHEONG,Youngkyu Sung,Dooho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250229A1. Автор: Cheng Yu,Lixun Yang,Liqin ZHU,Daquan Lin. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Display device comprising semiconductor light-emitting elements

Номер патента: EP4432360A1. Автор: Minseok Kim,Sul Lee,Wonseok Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09997663B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Gallium nitride flip-chip light emitting diode

Номер патента: US09966519B2. Автор: Kei May Lau,Wing Cheung CHONG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953901B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09680050B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660163B2. Автор: Tae-hyung Kim,Cheol-soo Sone,Si-Hyuk Lee,Sang-Yeob Song,Hak-Hwan Kim,Jong-in Yang,Jin-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634212B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor light emitting device including GaAs substrate

Номер патента: US09583673B2. Автор: Tadahiro Hosomi,Kentaro Mineshita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Light emitting element

Номер патента: US09570658B2. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting device with a film having a roughened surface

Номер патента: US09444017B2. Автор: Shinya Ito,Kazuo Fujimura,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09444012B2. Автор: Koji Asakawa,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Takanobu Kamakura,Masaaki Ogawa,Eishi TSUTSUMI,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a monolithic LED micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology

Номер патента: US09349911B2. Автор: Kei May Lau,Chi Wing Keung,Zhaojun Liu. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor light-emitting devices grown on composite wafers

Номер патента: RU2515205C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-05-10.

Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824148B2. Автор: Kyoung Min Kim,Jung Woo Han,Bong Hwan KIM. Владелец: Elphoton Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package manufactured thereby, and display device comprising same

Номер патента: US20230361095A1. Автор: Hooyoung SONG,Joodo Park,Myungshin CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same

Номер патента: US20240038933A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US11888091B2. Автор: Taehun Kim,Jinhwan Kim,Bokyoung Kim,Sungwon KO,Wongoo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9337402B2. Автор: Tadaaki Ikeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220190556A1. Автор: Minoru Murayama,Satohiro Kigoshi,Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Gen Muto,Yuki Tanuma,Chikoto IKEDA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079386A1. Автор: Donghyun Kim,Jinseong Kim,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Sangwon WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160079485A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110156065A1. Автор: Yoshiki Inoue,Katsuyoshi Kadan. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: EP4391093A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-26.

Light emitting diode package structure

Номер патента: US9496461B2. Автор: Yu-Feng Lin,Po-Tsun Kuo,Meng-Ting Tsai. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Light emitting element

Номер патента: US20240363801A1. Автор: Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748446B2. Автор: Soo Kun Jeon,Geun Mo JIN. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Light emitting apparatus with recessed reflective resin and protruding reflection frame

Номер патента: US09728684B2. Автор: Yusuke Watanabe. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting device with a light-reflecting face

Номер патента: US09466768B2. Автор: Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof

Номер патента: US7067340B1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-Sung Chang,Tzer-Perng Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7112825B2. Автор: Yukio Matsumoto,Yukio Shakuda,Nobuaki Oguro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor, and compound semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070290216A1. Автор: Nobuyuki Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US8828751B2. Автор: Sung Tae Kim,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Do Young RHEE,Tan Sakong,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-09.

Wavelength converted light emitting device including a semiconductor wavelength converting material and a ceramic phosphor

Номер патента: US10490708B2. Автор: Oleg Borisovich Shchekin,Michael David Camras,Patrick Nolan Grillot,Rafael Ignacio Aldaz Granell,Frank Michael Steranka. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3217440A1. Автор: MATHEW Manish,Masakazu Sugiyama,Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100163893A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Display device using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240079387A1. Автор: Donghyun Kim,Jonghwa Won,Myungwhun CHANG,Yanghyun KIM,Jonggon SHIN,Kimun Paik,Seungho RYOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220165917A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200119230A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120132943A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Flip-chip light emitting device and production method thereof

Номер патента: US20220231197A1. Автор: XIN Wang,Zhiwei Wu,Duxiang Wang,Chun-I Wu,Weiping Xiong,Di Gao. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Highly reliable light emitting diode

Номер патента: US10580933B2. Автор: Hyun A Kim,Jong Kyu Kim,Se Hee OH. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Highly reliable light emitting diode

Номер патента: US20180323236A1. Автор: Hyun A Kim,Jong Kyu Kim,Se Hee OH. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Light-emitting device

Номер патента: US11978839B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Changchin YU,Zhaowu HUANG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Flip-chip light emitting device and production method thereof

Номер патента: US20210066551A1. Автор: XIN Wang,Zhiwei Wu,Duxiang Wang,Chun-I Wu,Weiping Xiong,Di Gao. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087806A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Flip-Chip Light Emitting Diode Chip

Номер патента: US20160197239A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Wen-Yuan Fan. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Micro light-emitting diode display

Номер патента: US20220130890A1. Автор: Kuo-Wei Chen,Chih-Ling Wu,Yen-Yeh Chen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150280061A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150206922A1. Автор: Tatsuma Saito,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor light emitting element and manufacture method thereof

Номер патента: US20240204134A1. Автор: Chengjun ZHANG,Senlin Li,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Yuanjie Wu,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12034100B2. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12021071B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Light emitting diode device

Номер патента: US20240204159A1. Автор: Shih-Lun Lai,Chih-Hao Lin,Jian-Chin Liang,Jo-Hsiang CHEN. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Light emitting diode device

Номер патента: US11961951B2. Автор: Shih-Lun Lai,Chih-Hao Lin,Jian-Chin Liang,Jo-Hsiang CHEN. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09929323B2. Автор: Toru Hashimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FLIP CHIP PACKAGE DEVICE

Номер патента: US20130277641A1. Автор: Li Yun-Li,Wu Chih-Ling,Huang Yi-Ru,LO Yu-Yun. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Flip-chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859483B2. Автор: Hsiu Chang Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Light-emitting device of elements of iii-v groups that includes light-emitting structure

Номер патента: RU2559305C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж.Ф. ДЭВИД. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-10.

Flip-chip light emitting diode, manufacturing method of flip-chip light emitting diode and display device including flip-chip light emitting diode

Номер патента: US20200052151A1. Автор: Jinhee KANG,Jaephil SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Light emitting device package

Номер патента: US20170338210A1. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030062531A1. Автор: Nobuhiro Suzuki,Chisato Furukawa,Hidato Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Light emitting device package

Номер патента: US09966369B2. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Light emitting device package

Номер патента: US09825016B1. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240222550A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140209921A1. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Nanorod light-emitting device, method of manufacturing the nanorod light-emitting device, and display apparatus including the nanorod lightemitting device

Номер патента: US20240266468A1. Автор: Junhee Choi,Kiho Kong,Hyochul KIM,Joohun HAN,Joosung KIM,Eunsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140061696A1. Автор: Kazuyoshi Furukawa,Shinji Nunotani,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09991420B2. Автор: Masakazu Sugiyama,Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor light emitting device growing active layer on textured surface

Номер патента: US09911896B2. Автор: Michael R. Krames,Nathan F. Gardner,Sungsoo Yi,Linda T. Romano. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735313B2. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09478706B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Light emitting module and thermal protection method

Номер патента: RU2491680C2. Автор: Цзянхун ЮЙ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Light-emitting diode with particles in sealing compound for high extraction of light and non-yellow colour in off state

Номер патента: RU2493635C2. Автор: Григорий БАСИН,Пол МАРТИН,Асхим Схатил ХАК,Чин-хой ЧЭНЬ,Роберт Скотт УЭСТ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-09-20.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170092828A1. Автор: Hideki TSUJIAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230178531A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1746665A3. Автор: Steven D. Lester,Virginia M. Robbins. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Nanorod light emitting device, method of manufacturing the same, and display apparatus including the same

Номер патента: US20220416122A1. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Joohun HAN,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140110744A1. Автор: Honglin Wang,Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9306119B2. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140361330A1. Автор: Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09972749B2. Автор: Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09614136B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09450145B2. Автор: Mitsuhiko Sakai,Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Strong light-emitting diode (led) structure for substrate separation

Номер патента: RU2477906C2. Автор: Цинвэй МО,Арнольд ДАГИО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-03-20.

Light-emitting device and image display apparatus

Номер патента: US12068441B2. Автор: Toyoharu Oohata,Takahiro Koyama,Mikio TAKIGUCHI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US09583674B2. Автор: Kenichi Matsui,Hitoshi MINAKUCHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150349207A1. Автор: Hisashi Kasai,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140091350A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8791498B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120032213A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8395263B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2418698A3. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting module, and method for manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20240282901A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-22.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US12062734B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09997670B2. Автор: Hyung Kun Kim,Ki Won Park,Dong Kuk Lee,Yong Min KWON,Dae Yeop HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Active matrix light emitting diodes display module with carbon nanotubes control circuits and methods of fabrication

Номер патента: US09748439B2. Автор: Hongyu Liu,Huaping Li. Владелец: ATOM NANOELECTRONICS Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US09627577B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09406656B2. Автор: MinGu Kang,Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: EP2631948A3. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070290222A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US20150044794A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Spherical flip-chip micro-LED, method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US11894490B2. Автор: Haiping Liu,Biao TANG,Zhongshan FENG. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Light emitting device

Номер патента: US20130146924A1. Автор: Takahiro Sato,Shinya Nunoue,Iwao Mitsuishi,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2009122371A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2009-10-08.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US9490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079480A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074147B2. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor light-emitting element and display device including same

Номер патента: US20230178686A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang,Kyoungtae WI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2263267A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2010-12-22.

White light emitting structures with controllable emission color temperature

Номер патента: US09985174B2. Автор: Chih-Li Chuang,Hussein S. El-Ghoroury,Mikhail V. Kisin,Yea-Chuan Milton Yeh,Jyh-Chia Chen. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module

Номер патента: US09978915B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09865773B2. Автор: Masahiko Sano,Motokazu Yamada,Isamu Niki,Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831222B2. Автор: Eunah Lee,Hwankuk YUH,Sangwook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786819B2. Автор: Mitsuhiko Sakai,Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09553234B2. Автор: Nam Goo CHA,Wan Tae Lim,Min Wook CHOI,Geun Woo KO,Ki Hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09472741B2. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US09466765B1. Автор: Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Yeon Ji Kim,Ju Heon YOON,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate

Номер патента: US20110114984A1. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-05-19.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the supporting substrate

Номер патента: EP2333845A2. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-06-15.

Semiconductor light emitting device growing active layer on textured surface

Номер патента: US10312404B2. Автор: Michael R. Krames,Nathan F. Gardner,Sungsoo Yi,Linda T. Romano. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-06-04.

Display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US11942457B2. Автор: Younghak Chang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-26.

Light emitting device package

Номер патента: US20180068991A1. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100102349A1. Автор: Yasunori Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337400B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Shigeya Kimura,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2219240A3. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: EP1808903A3. Автор: Yuichi c/o Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Taguchi,Akinori c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Shiraishi,Kei c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Murayama,Naoyuki c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Koizumi,Masahiro c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Sunohara,Hideaki c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Sakaguchi,Mitsutoshi c/o Shinko Elec Ind. Co. Ltd. Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-20.

Flip chip light emitting diode having trnsparent material with surface features

Номер патента: US09634187B2. Автор: Vladimir A. Odnoblyudov. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US7547587B2. Автор: Hitoshi Nakamura,Hajime Abe,Noriaki Ishio. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20180062035A1. Автор: Yusaku Fujii. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor light-emitting device with groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935910B2. Автор: Donggun Lee,Joosung KIM,Suhyun JO,Jongin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11804513B2. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Flip-chip light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US11785793B2. Автор: Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Shu-fan YANG,Wei-ping XIONG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Flip-chip Light Emitting Diode and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190140208A1. Автор: Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Shu-fan YANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160197229A1. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Flip-chip Light Emitting Diode and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230413599A1. Автор: Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Shu-fan YANG,Wei-ping XIONG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Micro light-emitting diode display

Номер патента: US20220131040A1. Автор: Chih-Ling Wu,Yen-Yeh Chen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus

Номер патента: US20210074885A1. Автор: Masatoshi Nakamura,Mamoru Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210366982A1. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Light emitting diode element and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348569A1. Автор: Hiroshi Ohno,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

LIGHT EMITTING DIODE AND FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE

Номер патента: US20130146915A1. Автор: Su Po-Jen,Wu Chih-Ling,Huang Yi-Ru,LO Yu-Yun. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2013-06-13.

Iii-nitride light-emitting device having light-emitting area with double heterostructure

Номер патента: RU2412505C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Сатоси ВАТАНАБЕ,Натан Ф. ГАРДНЕР,Герд О. МЮЛЛЕР,Юй-Чэнь ШЭНЬ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-02-20.

Light-emitting heterostructure with quantum wells of combined profile

Номер патента: RU2720046C1. Автор: Василий Сергеевич Солдаткин,Василий Иванович Туев,Валерий Николаевич Давыдов,Михаил Валерьевич Давыдов,Анатолий Александрович Вилисов,Олег Федорович Задорожный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2020-04-23.

Epitaxial structure of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20240145627A1. Автор: Chung-Ying Chang,Meng-hsin YEH,Bing-Yang Chen,Zhousheng JIANG,Dongpo CHEN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Car lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190217768A1. Автор: Shinwoo YOON,Hankyu CHO,Myungwoo Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09722162B2. Автор: Toshiyuki Oka,Koji Kaga,Jumpei Tajima,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Light-emitting device

Номер патента: US20220102606A1. Автор: Shinya Kondo,Takeshi Tamura,Atsushi Yamamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Номер патента: EP1589592A3. Автор: Yu-Chen c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Shen,James C. c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Kim. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Light-emitting device

Номер патента: EP4415062A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Light-emitting device

Номер патента: US20240274757A1. Автор: Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG,Sungwoo CHOl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Vehicle lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210062989A1. Автор: Jinhyoun Joe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415063A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140084316A1. Автор: Shinya Nunoue,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Light emitting device package

Номер патента: US12119437B2. Автор: Sangbok Yun,Jongho Lim,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865770B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09472724B2. Автор: Keiji Emura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150023379A1. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1503431A3. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8946750B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240290915A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor light-emitting apparatus having light reflection adjusting member of gray resin and its manufacturing method

Номер патента: US10825972B2. Автор: Mitsunori Harada,Satoshi Ando,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09991418B2. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09741898B2. Автор: Yu-Chu Li,Ching-Liang Lin,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09608161B2. Автор: Yu-Chu Li,Shen-Jie Wang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light emitting element and light emitting device

Номер патента: US09496459B2. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Light emitting device having opening for extracting light and method for manufacturing light emitting device having opening for extracting light

Номер патента: US09425367B2. Автор: Tadao Hayashi,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2494498C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2013-09-27.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: KR20060109559A. Автор: 이봉일,채승완,고건유,심현욱,윤석길. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-10-23.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200144450A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9741896B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120190146A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US8963186B2. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor light-emitting device and photocoupler

Номер патента: US20230238483A1. Автор: Naoki Murakami,Takanobu Kamakura,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US20140217442A1. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Wavelength-converted semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4425585A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09947833B2. Автор: Mamoru Miyachi,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09929311B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor light-emitting element and optical coupling device

Номер патента: US09847447B2. Автор: Kenji Fujimoto,Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Ultraviolet light emitting apparatus

Номер патента: US09640717B2. Автор: Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor light-emitting element comprising an insulating reflection layer including plural opening portions

Номер патента: US09472718B2. Автор: Takashi Hodota. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412910B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Flip-chip light-emitting diode unit

Номер патента: US20140339576A1. Автор: Po-Jen Su,Cheng-Yen Chen,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Flip-chip light-emitting diode unit

Номер патента: US9373768B2. Автор: Po-Jen Su,Cheng-Yen Chen,Sie-Jhan WU. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2016-06-21.

Ultraviolet semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420613A1. Автор: Akio Ogawa,Hiroyuki Kano,Toru Kinoshita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Lamp using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US11114598B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor light-emitting device with high light-extraction efficiency and method for fabricating the same

Номер патента: US20090045419A1. Автор: Tzong-Liang Tsai. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device

Номер патента: US12107205B2. Автор: Kyoungtae WI,Sunghyun Moon,Jina JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light emitting device package and light source module using same

Номер патента: US09876149B2. Автор: Young Kyung KIM,Jae Jun BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09537066B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120001151A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140042388A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060163593A1. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7388231B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7432535B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US09831385B2. Автор: Yen Chieh Huang,Jing Jie Dai,shu ying Yang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09825067B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US09748438B2. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Group-III nitride compound semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor and semiconductor light emitting device

Номер патента: US09444009B2. Автор: Koji Hirata,Takahiro Mori,Takashi Kawai,Koichi Goshonoo,Masao Kamiya,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087805A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Flip-chip side emitting LED with top reflector, peripheral wavelength conversion element, and optical element between light emitting element and lightguide element

Номер патента: US09960330B2. Автор: Giovanni Cennini,Kenneth VAMPOLA,Jianghong Yu,Nicolaas Joseph Martin Van Leth,Hugo Johan Comelissen. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09912123B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Display device using semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666765B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Boron-containing iii-nitride light-emitting device

Номер патента: RU2523747C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-07-20.

Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices

Номер патента: US20080142783A1. Автор: Amber Abare,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kevin Haberern. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing

Номер патента: US8455907B2. Автор: Kosaburo ITO,Takeshi WARAGAWA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Vehicular headlamp and semiconductor light emitting element

Номер патента: US7168837B2. Автор: Hiroyuki Ishida,Masashi Tatsukawa,Kiyoshi Sazuka. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230411439A1. Автор: Shunichi Sato,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light-emitting device and light-emitting apparatus including the same

Номер патента: US20230178689A1. Автор: Gong Chen,Qing Wang,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Dazhong Chen,Quanyang Ma. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1511090A3. Автор: Franklin J. Wall. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210210654A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chia-Hung CHANG,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8017954B2. Автор: Takafumi Nakamura,Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor light emitting apparatus having multiple conductive bonding layer elements and its manufacturing method

Номер патента: US20190363233A1. Автор: Kazuhisa SHINNO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Nano-structure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150303350A1. Автор: Han Kyu Seong,Jung-Sub KIM,Young Jin Choi,Jae Hyeok HEO,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun,Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light emitting device including graded region

Номер патента: EP2289117A1. Автор: Rafael I Aldaz,Sateria Salim,Patrick N. Grillot,Eugene I. Chen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-02.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240274749A1. Автор: Seiji Ishimoto,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080689B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Light emitting element and production method therefor

Номер патента: US20240313147A1. Автор: Koji Okuno,Masaki OYA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09755127B2. Автор: Yukihiro Nomura,Akihiro Kojima,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09673352B2. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09559279B1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09524869B2. Автор: Chang-Hua HSIEH,Wen Hsiang LIN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor light emitting device having a plurality of semiconductor layers having P-type dopant

Номер патента: US09484494B2. Автор: Dae Sung Kang,Hyo Kun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09478702B2. Автор: Je Won Kim,Soo Jeong Choi,Sung Won HWANG,Il Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8525195B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US6576933B2. Автор: Hirohisa Abe,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,Hideto Sugawara,Yasuo Idei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US5103271A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements

Номер патента: US9599305B2. Автор: Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20070145385A1. Автор: Hitoshi Sugiyama,Yasuharu Sugawara,Kenichi Ohashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8698123B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221715A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130256727A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Light-emitting device

Номер патента: US20200312823A1. Автор: Shinya Kondo,Takeshi Tamura,Atsushi Yamamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20150325756A1. Автор: Tadao Hayashi,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US11316073B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Light-emitting diode and light-emitting device

Номер патента: US20240014355A1. Автор: Qing Wang,Peng Liu,Minyou He,Zhanggen Xia,Guangyao WU,Chungying Chang,Lingyuan Hong. Владелец: Hubei Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor light emitting device and light emitting device assembly including the same

Номер патента: US20230253535A1. Автор: Jungwook Lee,Sungwook Lee,Sanghyun Kim,Sumin Hwangbo,YuJung KIM,Minwook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Light-emitting device

Номер патента: US20140225138A1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Tsung-Hsien Yang,Shih-I Chen,Ching-Sheng Chen,Tzu-Chieh Hsu,Yi-Tang Lai,Chih-Wei WEI,Ye-Ming Hsu,Jhih-Jheng YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Display device and self-assembly method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3989284A2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Compound Semiconductor Light Emitting Device and Method of Preparing the Same

Номер патента: CA2170922A1. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-09-28.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same

Номер патента: US5756374A. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20160149081A1. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130075771A1. Автор: Kenji Nakamura,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Tsutomu Nakanishi,Takanobu Kamakura,Shinji Nunotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, lamp, electronic device and mechanical apparatus

Номер патента: US20120326169A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor light-emitting element and method of producing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11888090B2. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Yuta Koshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Light-emitting element and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20180006190A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US9431578B2. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20140209956A1. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130292644A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8872210B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120286284A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US9356424B2. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648181A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140110667A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150008470A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Flip chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680059B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US09653657B2. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Light emitting device

Номер патента: US8933482B2. Автор: Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same

Номер патента: US09978724B2. Автор: Vladimir A. Odnoblyudov. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837389B2. Автор: Hwanjoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Illumination device with inclined light emitting element disposed on a transparent substrate

Номер патента: US09488321B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien,Zhi-Ting YE. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09425173B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Fabrication method of semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20030008430A1. Автор: Junichi Nakamura,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12032239B2. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Light emitting element

Номер патента: US20170330995A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light-emitting device and method of producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250503A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Full spectrum white light emitting devices

Номер патента: EP4411842A1. Автор: Yi-Qun Li,Xianglong Yuan,Jun-Gang Zhao. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor-light emitting device

Номер патента: US09892981B2. Автор: Seong-Jae Hong,Cheol-jun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Module for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element and method for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element by using same

Номер патента: US12046484B2. Автор: Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-23.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Optoelectronic light emitting device and manufacturing method

Номер патента: US12095015B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Stefan Groetsch,Andreas Dobner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor light emitting device substrate including an uneven structure having convex portions, and a flat surface therebetween

Номер патента: US09515223B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240204133A1. Автор: Chengjun ZHANG,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009017338A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9837793B1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using same

Номер патента: US20170025573A1. Автор: Jung Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Oxide Semiconductor Light Emitting Device

Номер патента: US20100264411A1. Автор: Tetsuo Fujii,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-21.

Light emitting device

Номер патента: US20120104356A1. Автор: HA Jong Bong,Dae Seob Han,Yong Tae Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090298213A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor light emitting device including oxide layer

Номер патента: WO2008129462A1. Автор: Michael R. Krames,JR. Jonathan J. WIERER. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2008-10-30.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090294756A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of manufacturing lighting emitting device with aligned-bonding

Номер патента: US09653333B2. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Uv light-emitting device, uv light-emitting device production method and uv light-emitting module production method

Номер патента: US20200274040A1. Автор: Yoshihiko Sakane,Akira Hirano,Ko Aosaki,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Yuki SUEHARA. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting module

Номер патента: US09941451B2. Автор: Daisuke KISHIKAWA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09634200B2. Автор: Yasuyuki Miyake,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Full color light emitting diode display

Номер патента: US5583349A. Автор: Paige M. Holm,Michael P. Norman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same

Номер патента: US20200168586A1. Автор: Vladimir A. Odnoblyudov. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: EP4322216A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-14.

Stripe type semiconductor light emitting element having InGan active layer, combined with optical resonator including wavelength selection element

Номер патента: US20030147448A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20160149089A1. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240055412A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US20110027922A1. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US8043879B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Reflective type semiconductor light emitting device

Номер патента: US7834371B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20020053681A1. Автор: Koichi Nitta,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20050249253A1. Автор: Jonathan Heffernan,Valerie Bousquet,Stewart Hooper,Matthias Kauer,Katherine Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5943355A. Автор: Masao Ikeda,Yumi Sanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Junctionless semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20140291609A1. Автор: Chun Li,Deli Wang,Muchuan Yang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-10-02.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US12080825B2. Автор: Junho Sung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110031528A1. Автор: Jugo Mitomo,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20240339567A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Junctionless semiconductor light emitting devices

Номер патента: US09793685B2. Автор: Chun Li,Deli Wang,Muchuan Yang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-10-17.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US09490388B2. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Group-III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6153894A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Display device using semiconductor light emitting devices having different structures

Номер патента: US9711692B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: EP3602630A1. Автор: Younghak Chang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-05.

Light emitting device having a light extraction layer

Номер патента: US9478698B2. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Tsung-Hsien Yang,Shih-I Chen,Ching-Sheng Chen,Tzu-Chieh Hsu,Yi-Tang Lai,Chih-Wei WEI,Ye-Ming Hsu,Jhih-Jheng YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor-light emitting device

Номер патента: EP2469616A3. Автор: Seong-Jae Hong,Cheol-jun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-30.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9546956B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device thereof

Номер патента: US20240222588A1. Автор: Zhiwei Wu,Weiping Xiong,Di Gao,Huanshao KUO,Yuren PENG,Shutian QIU. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Light-emitting device with nano-structured light extraction layer

Номер патента: US11942587B2. Автор: Toni LOPÉZ,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09660150B2. Автор: Isamu Nishimura,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4623907A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-18.

Display device using semiconductor light-emitting devices, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240038930A1. Автор: Jisoo KO,Jungsub KIM,Gunho Kim,Yoonchul KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: US20200286940A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: EP3622563A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-03-18.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: WO2018208763A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230402490A1. Автор: Tae Hyun Kim,Sung Chan Lee. Владелец: Sl Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

A semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: EP4312269A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-31.

Display apparatus having a semiconductor light emitting source

Номер патента: US11848316B2. Автор: Motonobu Takeya,Young Hyun Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor light emitting device for a display pixel and a display device including the same

Номер патента: US20240038825A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220326570A1. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor light-emitting device and method for producing same

Номер патента: US20190198737A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190325790A1. Автор: Hyunwoo Cho,Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4354225A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of manufacturing display device using semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220393074A1. Автор: Junghoon Kim,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-08.

Lighting system including colllimators aligned with light emitting segments

Номер патента: EP2564418A2. Автор: Serge J. Bierhuizen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2013-03-06.

Flip chip semiconductor device in a moulded chip scale package (csp) and method of assembly

Номер патента: EP1229577A3. Автор: Anthony L. Colye. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

SUBSTRATES FOR PACKAGING FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DEVICE AND FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE STRUCTURES

Номер патента: US20150187999A1. Автор: Park Sung-Soo,Song Jong-sup. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for fabricating white-light-emitting flip-chip diode having silicon quantum dots

Номер патента: US20070243660A1. Автор: Tsun-Neng Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2007-10-18.

Light-emitting device with wavelength-converting side coating

Номер патента: RU2639565C2. Автор: Кеннет ВАМПОЛА,Хан Хо ЧОЙ. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09755118B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09530821B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180331152A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-15.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09997678B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting device, lighting apparatus, and lighting unit for vehicles

Номер патента: US10267469B2. Автор: Mitsunori Harada,Yuji Takehara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor light source with a first and a second LED chip and a first and a second fluorescent substance

Номер патента: US09799633B2. Автор: Christian Gärtner,Ales Markytan. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting element and the manufacturing method of the same

Номер патента: US09780264B2. Автор: Pei-Lun CHIEN,Hsing-Chao Chen,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570655B2. Автор: Hiroshi Fukunaga,Kenichi Yoshimura,Kohsei Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09559083B2. Автор: Takashi Iino. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415064A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Light emitting apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220102323A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09917236B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takuya Nakabayashi,Suguru Beppu,Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09837388B2. Автор: Byungjoon Rhee,Yoonho Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09666774B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takuya Nakabayashi,Suguru Beppu,Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor light emitting module comprising an exposed plate surface

Номер патента: US09484515B2. Автор: Satoshi Komatsubara,Kenichi Fukuda,Toru Furuta,Shinobu Otao. Владелец: SEI Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Light-emitting diode device with driving mechanism

Номер патента: US20210066270A1. Автор: Cheng-Han Hsieh,Chun-Ting Kuo,Kuo-Lun Huang. Владелец: MY-SEMI Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Light source device, projection display device, and method of cooling semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200319538A1. Автор: Yusuke Tani. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor light-emitting device and method

Номер патента: US20110198650A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material

Номер патента: EP2831933A1. Автор: Kenneth VAMPOLA,Han Ho Choi,Mark Melvin Butterworth. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor light emitting devices and partition wall structure, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12125869B2. Автор: Inho Kim,Sungwook Lee,Jonghyun Lee,Kiwon Park,Byungchul Choi,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material

Номер патента: US09997674B2. Автор: Kenneth VAMPOLA,Han Ho Choi,Mark Melvin Butterworth. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Light emitting diode package structure and fabrication method

Номер патента: US09966514B2. Автор: Hao Huang,Chen-Ke Hsu,Chih-Wei Chao,Pei-Song Cai,Junpeng Shi,Qiuxia Lin,Zhenduan Lin,Chenjie Liao. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

High brightness, low-cri semiconductor light emitting devices including narrow-spectrum luminescent materials

Номер патента: US09905735B1. Автор: Brian Thomas Collins,Florin A. TUDORICA. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Wavelength converted semiconductor light emitting device

Номер патента: US09761768B2. Автор: Peter Josef Schmidt,Oleg Borisovich Shchekin,April Dawn Schricker,Han Ho Choi. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Light-emitting module

Номер патента: US09634211B2. Автор: Masumi Abe,Kenji Sugiura,Yasufumi Wada,Toshifumi Ogata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8320421B2. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100019255A1. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3904760A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-03.

Display device using semiconductor light emitting devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842764B2. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Flip chip light emitting diode packaging structure

Номер патента: US09406842B2. Автор: Pin-Chuan Chen,Chao-Hsiung Chang,Hou-Te Lin,Lung-hsin Chen. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Light-emitting diode light source with biologically adequate radiation spectrum

Номер патента: RU2693632C1. Автор: Владимир Николаевич Уласюк. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научно-технический центр «Биолюмен» (ООО «НТЦ «Биолюмен»). Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP3943575A1. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11011686B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210234077A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200313050A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Light emitting device package strip

Номер патента: US09824952B2. Автор: Seung-Hyun OH,Yun-Geon CHO,Jun-Hyeok Han,Hong-Geol CHOI,Sung-OK CHOI,Sang-Hyub GIM,Bo-Gyun KIM,Suk-Min HAN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter

Номер патента: WO2010023624A1. Автор: Michael R. Krames. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5519720A. Автор: Ryoichi Hirano,Kimio Shigihara,Etsuji Omura,Akira Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor light emitting device, and backlight and display device comprising the semiconductor light emitting device

Номер патента: US8541798B2. Автор: Tsutomu Ishii,Hajime Takeuchi,Yasuhiro Shirakawa,Yasumasa Ooya,Ryo Sakai. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Luminescene conversion based light emitting diode and phosphors for wave length conversion

Номер патента: US20040124758A1. Автор: Frank Jermann,Manfred Kobusch,Martin Devenney,Daniel Giaquinta,Wolfgang Rossner,Andries Ellens,Earl Danielson. Владелец: Symyx Technologies Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US11916175B2. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20170005240A1. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8912555B2. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140054627A1. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Light-emitting device with configurable spatial distribution of emission intensity

Номер патента: EP4150679A1. Автор: Toni LOPÉZ,Floris Crompvoets. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-03-22.

Light emitting device

Номер патента: US09590152B2. Автор: Naoki Mori,Motokazu Yamada,Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Light-emitting device

Номер патента: RU2509393C2. Автор: ГРАФ Ян ДЕ,Мартен СИККЕНС,Йозеф А. ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-03-10.

Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20080055901A1. Автор: Akiko Saito,Masahiro Izumi,Tomohiro Sanpei,Shinji Nogi. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means

Номер патента: US5466950A. Автор: Kazuhiko Itaya,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140055048A1. Автор: Yuan-Hsiao Chang,Jhih-Sin Hong,Shih Tsun Yang. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9190586B2. Автор: Yuan-Hsiao Chang,Jhih-Sin Hong,Shih Tsun Yang. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Light emitting module

Номер патента: US20130099261A1. Автор: Akihiro Matsumoto,Tetsuya Suzuki,Tomoyuki Nakagawa. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Light emitting module

Номер патента: US8803168B2. Автор: Akihiro Matsumoto,Tetsuya Suzuki,Tomoyuki Nakagawa. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-12.

Light emitting device and vehicle lamp

Номер патента: US9080732B2. Автор: Takahiko Nozaki. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180313514A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-01.

Thermal and electrical interface for flip-chip devices

Номер патента: US12033932B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Thermal And Electrical Interface For Flip-Chip Devices

Номер патента: US20220037249A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element

Номер патента: US8692285B2. Автор: Hideo Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor light emitting devices with densely packed phosphor layer at light emitting surface

Номер патента: US8410679B2. Автор: James Ibbetson,Peter S. Andrews. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Номер патента: US7569407B2. Автор: Gerald H. Negley,Michael Leung. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Light emitting apparatus

Номер патента: US20040164311A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Flip-Chip Packaging Structure For Light Emitting Diode And Method Thereof

Номер патента: US20090124031A1. Автор: Ching-Wen TUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8294165B2. Автор: Naomi Shida,Shinji Saito,Shinya Nunoue,Masahiro Yamamoto,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength-converting structure with uneven top surface and its manufacturing method

Номер патента: US20180158989A1. Автор: Hiroshi Kotani,Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200328331A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359800A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Light-emitting apparatus with shaped wavelength converter

Номер патента: EP2097935A2. Автор: Egbert Lenderink,Aldegonda L. Weijers,Joseph L. A. M. Sormani,Matthias D. Epmeier. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2009-09-09.

Light-emitting device and lighting apparatus

Номер патента: US20120161194A1. Автор: Makoto Sakai,Keiichi Shimizu,Akiko Takahashi,Kiyoshi Nishimura,Ryotaro Matsuda,Kozo Ogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, light source device, and lamp

Номер патента: EP4297107A1. Автор: Soichi Shibusawa,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, light source device, and lamp

Номер патента: US20240125443A1. Автор: Soichi Shibusawa,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Wavelength converter and semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2657999A3. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements and transparent plates

Номер патента: US9570426B2. Автор: Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor light-emiting device and method

Номер патента: US20110101407A1. Автор: Kaori Namioka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213430A1. Автор: Dongwoo Kim,Jiheon OH,Joongil LEE,Kwonjoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Light emitting device

Номер патента: US20050151143A1. Автор: Tomoyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Wavelength converting module and semiconductor light-emitting apparatus using the same

Номер патента: US09869927B2. Автор: Soji Owada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Light emitting device

Номер патента: US20230193126A1. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor light emitting device, backlight, color image display device and phosphor to be used for them

Номер патента: US09541238B2. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140084305A1. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit flip-chip and light-emitting device

Номер патента: US20240347486A1. Автор: Chen-Hsiu Lin,Yu-Hsuan Chu,Shan-Hui Chen,Chang-Hung Hsieh,Min-Hsi Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus

Номер патента: US09884990B2. Автор: Masatsugu Masuda,Kenji Terashima. Владелец: GE Phosphors Technology LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Phosphor, method of producing the same, and light emitting apparatus

Номер патента: US09624427B2. Автор: Masatsugu Masuda,Kenji Terashima. Владелец: GE Phosphors Technology LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Light extraction product for semiconductor light emitting device and light emitting device

Номер патента: US09419249B2. Автор: Jun Koike,Fujito Yamaguchi,Aya Takagiwa. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Heating system comprising semiconductor light sources

Номер патента: RU2669549C2. Автор: Павел ПЕКАРСКИ,Стефан ГРОНЕНБОРН,Хольгер МЁЕНХ,Гюнтер Ханс ДЕРРА,Йоханна Софи КОЛЬБ,Ральф Гордон КОНРАДС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-10-11.

Display device using semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2617917C1. Автор: Бюнгдзоон РХЕЕ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2017-04-28.

Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus

Номер патента: EP1649514A2. Автор: Hideo Nagai,Kenji Mukai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing

Номер патента: US09865572B2. Автор: Byungjoon Rhee,Kyoungtae WI,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Light emitting device

Номер патента: US7242029B2. Автор: Tomoyoshi Nishimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-07-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190280460A1. Автор: Kazuaki Kaneko,Shigetoshi Ito,Teruyuki Oomatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09954152B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Display apparatus using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09846510B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-19.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09799634B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-24.

Surface-modified metal oxide particle material, dispersion liquid, silicone resin composition, silicone resin composite body, optical semiconductor light emitting device, lighting device, and liquid crystal imaging device

Номер патента: US09651821B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Light-emitting apparatus, backlight unit, liquid crystal display apparatus, and illumination apparatus

Номер патента: US09601669B2. Автор: Kenji Sugiura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Flip chip devices with flexible conductive adhesive

Номер патента: WO1999056509A9. Автор: Kevin Kwong-Tai Chung. Владелец: Chung Kevin Kwong Tai. Дата публикации: 2000-03-16.

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09876196B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Toshiki Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09583735B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Toshiki Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Номер патента: US09343691B2. Автор: Nobuharu Ohsawa,Satoshi Seo,Toshiki Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor light emitting element array and image forming apparatus

Номер патента: EP1887627A2. Автор: Takao Yonehara,Tetsuya Takeuchi,Kenji Yamagata,Makoto Koto,Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240106196A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20130241399A1. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US8926865B2. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: EP1992016A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050087734A1. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US7259398B2. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: WO2007101239A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-07.

Flip chip ball grid array package

Номер патента: US20240243046A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Tai-Yu Chen,Chun-Yin Lin,Li-song LIN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Bonding tool of flip chip laser bonding apparatus

Номер патента: US20240258265A1. Автор: Hyun Gu Kang. Владелец: Mi Equipment Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Bonding tool of flip chip laser bonding apparatus

Номер патента: EP4407662A1. Автор: Hyun Gu Kang. Владелец: Mi Equipment Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978726B2. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Display device using semiconductor light emitting devices

Номер патента: US09627363B2. Автор: Byungjoon Rhee,Chisun KIM,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Vehicular headlamp and light-emitting module therefor

Номер патента: US20040240219A1. Автор: Kiyoshi Sazuka,Kazutami Oishi. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor light emitting element and backlight assembly including the same

Номер патента: US10312424B2. Автор: Seung Hyun Oh,Jun Hyeok Han,Yun Geon CHO,Bo Gyun KIM,Suk Min HAN,In Woo SON. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Light emitting device

Номер патента: US20240101899A1. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Light emitting device

Номер патента: US11873435B2. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11799266B2. Автор: Yuki Tanuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Lamp using semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20210026056A1. Автор: Jeongin Cheon,Seokhoon KANG,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor light source device

Номер патента: US20130168710A1. Автор: Hung-Lieh Hu,Chun-Hsing Lee,Chao-Wei Li,Chen-Kun Chen,Ya-Hui Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor light-emitting apparatus integrated with heat-conducting/dissipating module

Номер патента: CA2610220C. Автор: Jen-Shyan Chen. Владелец: NeoBulb Technologies Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US7297984B2. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: CA1234421A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Photocoupler and semiconductor light emitting element

Номер патента: US9070817B2. Автор: Kenji Fujimoto,Masanobu Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Light emitting device, ranging device, and movable object

Номер патента: US20240332913A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Light emitting elements drive control device, droplets-deposited layer drying device, and image forming apparatus

Номер патента: US09502862B2. Автор: Takashi Fujimoto,Akira Sakamoto,Jun Isozaki,Chikaho Ikeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7423294B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20240313501A1. Автор: Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Surface light-emission type semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4047761A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor light source and method for manufacturing a semiconductor light source

Номер патента: US20180219350A1. Автор: Martin Mohrle,Ariane Sigmund,Ute Troppenz,Michael Theurer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor light source and method for manufacturing a semiconductor light source

Номер патента: US10855051B2. Автор: Martin Mohrle,Ariane Sigmund,Ute Troppenz,Michael Theurer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-12-01.

Laser light-emitting apparatus

Номер патента: US09595806B2. Автор: Tatsuma Saito,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Light emitting module

Номер патента: US20200081203A1. Автор: Toshiaki Kihara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry

Номер патента: US09948065B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09787059B2. Автор: Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High-reliability low-defect semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222931A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everybright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light source driving apparatus and projection type display apparatus

Номер патента: US09497822B2. Автор: Shinji Miyoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5684824A. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US09871347B2. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5627851A. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420909A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Semiconductor Light-emitting device

Номер патента: US20100200868A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Terukazu Naruse,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216275A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Driver circuit for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4900912A. Автор: Takashi Shoji. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10186838B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Norio Iizuka,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki,Hirotaka Uemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Light-emitting device, ranging device, and movable body

Номер патента: EP4343990A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns

Номер патента: US11777276B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Soh UENOYAMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200412102A1. Автор: Shinichi Takigawa,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same

Номер патента: US20010040908A1. Автор: Tsutomu Munakata,Kashima Yasumasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Light source arrangement including semiconductor light source

Номер патента: US09614348B2. Автор: Ulrich Hartwig,Joerg Sorg,Martin Daniels. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-04-04.

Light emitting device, ranging device and movable object

Номер патента: US20240085534A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device

Номер патента: US11962122B2. Автор: Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240079847A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Lighting fixture comprising semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: RU2605451C2. Автор: Хие Ман ДЗУНГ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for driving semiconductor light-emitting device assembly

Номер патента: US09480111B2. Автор: Weiqiang Zhang,Lizhi Xu,Yuanyuan Zhong. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Illumination apparatus including semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US09591709B2. Автор: Hye Man Jung. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Light-emitting driving device and a backlight apparatus

Номер патента: US20240260153A1. Автор: Ji Hwan Kim,Jin Ho Choi,Jang Su Kim,Sang Suk Kim. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A light-emitting driving device and a backlight apparatus

Номер патента: EP4412399A1. Автор: Ji Hwan Kim,Jin Ho Choi,Jang Su Kim,Sang Suk Kim. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional display method for large field of view and small viewing-zone interval

Номер патента: US20220174263A1. Автор: Dongdong TENG,Lilin LIU. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor light-emitting module and vehicle luminaire

Номер патента: US09453638B2. Автор: Peter Frey,Roland Fiederling,Harald Kaps,Jenny Trommer. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-09-27.

Light-emitting module and control module

Номер патента: US20190364635A1. Автор: Naoki Nakamura,Minoru Kitahara,Naohide MIYASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Rotating display apparatus using semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4030412A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-07-20.

Light-emitting module and lighting apparatus with the same

Номер патента: US8608340B2. Автор: Akiko Saito,Tsuyoshi Oyaizu,Seiko Kawashima,Haruki Takei. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Nitride semiconductor light emitting device for flip chip

Номер патента: KR100631970B1. Автор: 이재훈,김용천,공문헌,정영준,백형기. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-10-11.

Nitride semiconductor light emitting diode for flip chip structure

Номер патента: KR100587018B1. Автор: 박영호,김민주,민복기,고건유,황석민,조효경. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-06-08.

Image navigating browser for large number image and small window size applications

Номер патента: CA2426570A1. Автор: Gary Ross Ricard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Pixel circuit with large and small OLED elements connected to a single driving transistor wherein the large OLED element is further controlled by a memory circuit within the pixel

Номер патента: US09711084B2. Автор: Naoki Uetake. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Light-emitting diode lamp

Номер патента: RU2686156C1. Автор: Лев Николаевич Фролов,Григорий Владимирович Иткинсон,Олег Валерьевич Осипов,Юрий Наумович Зельдин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ИРСЭТ-Центр". Дата публикации: 2019-04-24.

Method of light-emitting diode transient thermal characteristics measuring

Номер патента: RU2609815C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Антон Евгеньевич Черняков,Алексей Валентинович Беринцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук. Дата публикации: 2017-02-06.

Light output estimation method for light-emitting device

Номер патента: US20240201244A1. Автор: Naoki Shibata,Kenta URA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Projection device, projection control method, and storage medium, suitable for projector or the like using semiconductor light-emitting element as light source

Номер патента: US09958763B2. Автор: Toshiharu Arai,Takeo ISHIZU. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light engine for automotive lighting

Номер патента: CA2632044A1. Автор: David J. Valcamp,Ronald Gregory Hare,Ronald Woodward. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor light engine for automotive lighting

Номер патента: WO2007062500A1. Автор: David J. Valcamp,Ronald Gregory Hare,Ronald Woodward. Владелец: Magna International Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12100319B2. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-24.

Rotatable display device using semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: US12073744B2. Автор: Sungwhan LEE,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor light source with optical feedback

Номер патента: US20070063125A1. Автор: John Downing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor light source apparatus

Номер патента: US09970605B2. Автор: Soji Owada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Wafer testing device of flip chip VCSEL

Номер патента: US11585845B2. Автор: Ben-Mou Yu. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Method of measuring the cut-off frequency of electroluminescence of local regions of a light-emitting heterostructure

Номер патента: RU2725613C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-07-03.

Control valve ensuring outflow of coloring paste both in large and small amount

Номер патента: RU2683008C2. Автор: Сун Хуан,Вэйхун НЮ. Владелец: ЧЖЭНЧЖОУ САНЬХУА ТЕКНОЛОДЖИ энд ИНДАСТРИ КО., ЛТД. Дата публикации: 2019-03-25.

Light-emitting module

Номер патента: RU2638027C1. Автор: Григорий Владимирович Иткинсон,Олег Валерьевич Осипов,Юрий Наумович Зельдин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ИРСЭТ-Центр". Дата публикации: 2017-12-11.

Apparatus for measuring light output from semiconductor light emitting element

Номер патента: US5065007A. Автор: Toshiaki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Estimation method and apparatus for semiconductor light emitting element capable of inspecting by wafer

Номер патента: US5541416A. Автор: Syoichi Washizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Semiconductor light-emitting element mounting module, semiconductor light-emitting element module, semiconductor light-emitting element light fixture, and manufacturing method of semiconductor light-emitting element mounting module

Номер патента: US20120051052A1. Автор: Atsushi Sato,Toru Wagatsuma. Владелец: Kyocera Elco Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Light source unit having semiconductor light emitting elements and projector having same light source unit

Номер патента: US20160077418A1. Автор: Kyo Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4068254A1. Автор: Sungwhan LEE,Jaewoon LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Light-emitting unit and vehicle lamp

Номер патента: US20190041020A1. Автор: Ryuho Sato. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Rotatable display device using semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: US20220343812A1. Автор: Sunghwan LEE,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-27.

Car lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200025347A1. Автор: Mongkwon JUNG,Joongtaek CHA. Владелец: ZKW Group GmbH. Дата публикации: 2020-01-23.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4033478A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor light engine for automotive lighting

Номер патента: EP1963739A1. Автор: David J. Valcamp,Ronald Gregory Hare,Ronald Woodward. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Nitride semiconductor light emitting device for flip chip and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100593891B1. Автор: 박영호,한경택. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-06-28.

GaN Light Emitting Diode of flip-chip bonding type

Номер патента: KR100550846B1. Автор: 이수민,박영호,김인응,함헌주. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-02-10.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-Emitting Diode Packaging Structure and Substrate Therefor

Номер патента: US20120001212A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung,Shao Chien-Min. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING MODULE AND ILLUMINATION DEVICE

Номер патента: US20120001215A1. Автор: . Владелец: TOSHIBA LIGHTING & TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT UNIT

Номер патента: US20120001221A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE LIGHT SOURCE MODULES

Номер патента: US20120002407A1. Автор: Huang Yangcheng,Long Menghua,WANG Guilin,WANG Haijun,WEI Cuie,Li Qing (Charles),Lei Guowen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Light-emitting diode unit

Номер патента: RU2474928C1. Автор: Станислав Александрович Штыков,Виктор Юрьевич Павлов,Александр Федорович Ширанков,Алексей Михайлович Хорохоров,Виктор Андреевич Полкунов,Константин Николаевич Сиденко,Сергей Викторович Полкунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Новые экологические технологии и оборудование". Дата публикации: 2013-02-10.

Polymer-coated light-emitting diode module

Номер патента: RU2402110C1. Автор: Елена Дмитриевна Васильева,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Любовь Михайловна Втюрина. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2010-10-20.

Light-emitting diode with optical element

Номер патента: RU2506663C1. Автор: . Владелец: Шепеленко Виталий Борисович. Дата публикации: 2014-02-10.

Light-emitting diode radiation source for transport control systems

Номер патента: RU2402108C1. Автор: Алексей Алексеевич Иванов,Владимир Семенович Абрамов,Сергей Григорьевич Никифоров,Петр Васильевич Пензев,Гельмут Вилли Мухов,Николай Петрович Петроченко,Сергей Станиславович Рудиков. Владелец: Владимир Семенович Абрамов. Дата публикации: 2010-10-20.

Polymer-coated semiconductor light source

Номер патента: RU2402109C1. Автор: Елена Дмитриевна Васильева,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Любовь Михайловна Втюрина,Елена Дмитриевна Васильева (RU),Анатолий Валерьевич Феопёнтов (RU),Любовь Михайловна Втюрина (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2010-10-20.

Connecting press for large-format matrices

Номер патента: RU2586088C1. Автор: Валерий Михайлович Ефимов,Александр Александрович Гузев,Александр Сергеевич Строганов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductor light-emitting device with porous buffer layer

Номер патента: RU2402837C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм,Дмитрий Александрович Закгейм (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2010-10-27.

Multichip light-emitting matrix

Номер патента: RU2465689C1. Автор: Илья Олегович Григорьев,Валерий Николаевич Молодцов,Анатолий Валерьевич Феопёнтов,Анатолий Валерьевич Феопёнтов (RU),Валерий Николаевич Молодцов (RU),Илья Олегович Григорьев (RU). Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед". Дата публикации: 2012-10-27.

Light-emitting diode device

Номер патента: RU2170995C1. Автор: В.С. Абрамов,Гельмут Вилли Мухов,Н.В. Щербаков,А.В. Шишов,Д.Р. Агафонов,В.Н. Лысенков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Корвет - Лайтс". Дата публикации: 2001-07-20.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE AND LUMINAIRE

Номер патента: US20120002435A1. Автор: Van Gorkom Ramon Pascal,Van Oers Denis Joseph Carel. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-emitting diode light source (versions)

Номер патента: RU2569312C2. Автор: Сергей Александрович Панин. Владелец: Сергей Александрович Панин. Дата публикации: 2015-11-20.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

Light-emitting body and led lighting fixture containing such body

Номер патента: RU2565419C1. Автор: Юрий Борисович Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС". Дата публикации: 2015-10-20.

Light-emitting diode

Номер патента: RU2451365C1. Автор: Анатолий Валерьевич Феопёнтов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед". Дата публикации: 2012-05-20.

Semiconductor light-emitting instrument

Номер патента: RU2461916C1. Автор: Юрий Владимирович Сахаров,Павел Ефимович Троян,Сергей Петрович Усов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2012-09-20.

Light-emitting diode matrix

Номер патента: RU2369943C2. Автор: Валентин Николаевич Щербаков,Валентин Николаевич Щербаков (RU). Владелец: Трансрегиональное потребительское общество "ЕвроАзиатская сервисная корпорация". Дата публикации: 2009-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.