Method of energy distribution and consumption control based on melt quality improvement for plastic injection and extrusion processes
Номер патента: US8182724B2
Опубликовано: 22-05-2012
Автор(ы): Gong Zhang, Ling Tian
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-05-2012
Автор(ы): Gong Zhang, Ling Tian
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of etching a crystalline semiconductor material by ion implantation and then chemical etching based on hydrogen chloride
Номер патента: US09570340B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.