Method of fabricating a high density eeprom cell .

Method of fabricating a high density eeprom cell

Номер патента: KR100264929B1
Опубликовано: 01-09-2000
Автор(ы): 민화 치, 알버트 베르그몬트
Принадлежит: 내셔널 세미콘덕터 코포레이션, 클라크 3세 존 엠.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050001259A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060108633A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09466787B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of fabricating capacitor over bit line and bottom electrode thereof

Номер патента: US20080124886A1. Автор: Cheng-Che Lee,Tsung-De Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory devices with dual encapsulation layers and methods of fabrication

Номер патента: US12108608B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debraj Guhabiswas. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Devices with continuous electrode plate and methods of fabrication

Номер патента: US12108607B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debraj Guhabiswas. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of Fabricating Memory

Номер патента: US20220399344A1. Автор: Haibin XIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US09748261B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

A method of producing superconducting tapes with a high current density

Номер патента: AU1062995A. Автор: QI Li,Leif Dalum,Kristian Brok,Torsten Freltoft. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 1995-05-29.

Method of producing superconducting tapes with a high current density

Номер патента: US6182351B1. Автор: QI Li,Leif Dalum,Kristian Brok,Torsten Freltoft. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2001-02-06.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor devices with magnetic regions and attracter material and methods of fabrication

Номер патента: US09786841B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion element module, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2641281A2. Автор: Takashi Kubo,Takaaki Higashida,Yasushi Taniguchi,Kaori Toyoda,Yoshihisa Ohido,Nobuaki Hirata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion element module, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2012066788A3. Автор: Takashi Kubo,Takaaki Higashida,Yasushi Taniguchi,Kaori Toyoda,Yoshihisa Ohido,Nobuaki Hirata. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same

Номер патента: US09966572B2. Автор: Jiangjiang JIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating light-scattering substrate

Номер патента: US09464351B2. Автор: Hyun Bin Kim,June Hyoung Park,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US12049068B2. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating a magnetoresistive bit from a magnetoresistive stack

Номер патента: US20240049607A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US20240343030A1. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabrication of an integrated thermoelectric converter, and integrated thermoelectric converter thus obtained

Номер патента: US20210359189A1. Автор: Paolo Ferrari,Bruno Murari,Flavio Francesco Villa,Luca Zanotti,Lucia Zullino,Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Martina SCOLARI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-18.

Display substrate and method of fabricating display substrate

Номер патента: EP3453052A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of fabricating one-dimensional nanostructure of organo-optoelectronic material

Номер патента: US20100233355A1. Автор: Tu Lee,Ming-Shiou Lin. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of forming a layer having a high precision pattern and layer

Номер патента: US6001537A. Автор: Toshiaki Takagi,Kouichi Ohsumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method of increasing the contrast of a high-intensity laser

Номер патента: US20080304523A1. Автор: Shuji Kondo,Hiroyuki Daido,Hiromitsu Kiriyama,Michiaki Mori,Shuhei Kanazawa. Владелец: JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of heating charge stock in a high-temperature furnace

Номер патента: RU2626382C1. Автор: Вячеслав Семенович Кузеванов,Андрей Борисович Гаряев,Сергей Сергеевич Закожурников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-07-26.

Method of forming phosphosilicate glass having a high wet-etch rate

Номер патента: EP1060286A1. Автор: Peter W. Lee,Cary Ching,Rong Pan,Francimar Campana,Paul Gee,Ishing Lou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341027A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: WO2012096774A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US09691698B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,Michael Raymond Weatherspoon,David B. Nicol. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US09420687B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,Michael Raymond Weatherspoon,David B. Nicol. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for controlling the power of a high-pressure gas-discharge lamp

Номер патента: US6051939A. Автор: Klaus Eckert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-04-18.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

An antenna assembly, a method of mounting an antenna assembly, a high impedance surface and a method of fabricating a high impedance surface

Номер патента: GB201807227D0. Автор: . Владелец: THALES HOLDINGS UK PLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Color selection electrode, method of producing color selection electrode and cathode ray tube

Номер патента: US20020163290A1. Автор: Shinzo Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of manufacturing termination

Номер патента: WO2024161098A1. Автор: Frank Schoofs,Yannik DIEUDONNE. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: US20040085011A1. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: EP1278227A4. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-07-05.

System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch

Номер патента: WO2012003581A1. Автор: Hanching Fuh,Lui Ram (Ray). Владелец: SIGE SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

High sensitive relay and method of coating contactact surfaces of a highly sensitive relay

Номер патента: HUP9800122A3. Автор: . Владелец: Mecagis. Дата публикации: 1999-11-29.

Memory architecture and method of manufacture and operation thereof

Номер патента: US7139188B2. Автор: John T. Moore,Terry L. Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-21.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: EP2664224A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2013-11-20.

Method of batch-fabricating flip-chip bonded dual integrated circuit arrays

Номер патента: US4416054A. Автор: Richard N. Thomas,Michael M. Sopira. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-11-22.

Graphitic allotrope interface composition and method of fabricating the same

Номер патента: US6652705B1. Автор: Robert A. Rauch,Raymond G. Freuler,Gary E. Flynn. Владелец: Power Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-25.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US20120182701A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD OF TRANSFERRING AND ELECTRICALLY JOINING A HIGH DENSITY MULTILEVEL THIN FILM TO A CIRCUITIZED AND FLEXIBLE ORGANIC SUBSTRATE AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: US20140376197A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph,Weatherspoon Michael Raymond,NICOL DAVID B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD OF TRANSFERRING AND ELECTRICALLY JOINING A HIGH DENSITY MULTILEVEL THIN FILM TO A CIRCUITIZED AND FLEXIBLE ORGANIC SUBSTRATE AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: US20160322284A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph,Weatherspoon Michael Raymond,NICOL DAVID B.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Encoding and decoding method of a prml code for a high-density data storage apparatus, especially in connection with magnetically recording and reproducing digital data without interference between signals

Номер патента: KR100450782B1. Автор: 김진숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: TW201230222A. Автор: David Nicol,Michael Weatherspoon,Louis Joseph Rendek Jr. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2012-07-16.

Method of and device for encoding a high frequency signal relating to bandwidth expansion in speech and audio coding

Номер патента: EP3389048B1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2021-05-05.

Method of and device for encoding a high frequency signal relating to bandwidth expansion in speech and audio coding

Номер патента: EP3021323B1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Method of and device for encoding a high frequency signal relating to bandwidth expansion in speech and audio coding

Номер патента: EP2622601B1. Автор: Taleb Anisse,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Method of inspecting mass websites at high speed

Номер патента: US20140143866A1. Автор: Hyun Cheol Jeong,Chang Yong Lee,Hong Koo Kang,Tai Jin Lee,Byung Ik Kim,Ji Sang KIM. Владелец: Korea Internet and Security Agency. Дата публикации: 2014-05-22.

Contact assembly for high voltage fuse and method of assembly thereof

Номер патента: CA1077546A. Автор: Bruce A. Biller,Henry W. Scherer. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 1980-05-13.

Method of producing a semi-conductor with a highly doped zone situated between lightly doped zones, for the manufacture of transistors

Номер патента: US5705410A. Автор: Georges Guegan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-01-06.

Method of making a dimensionally stable commutator

Номер патента: US4056882A. Автор: Robert Arthur Letts. Владелец: Airscrew Howden Ltd. Дата публикации: 1977-11-08.

Method of forming a back end capacitor with high unit capacitance

Номер патента: US5571746A. Автор: YANG Pan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1996-11-05.

Method of forming components for a high-temperature secondary electrochemical cell

Номер патента: US4409168A. Автор: James E. Battles,Franklin C. Mrazek. Владелец: ENERGY United States, Department of. Дата публикации: 1983-10-11.

High current switch and method of operation

Номер патента: CA2736031C. Автор: Frank Stepniak,Larry Siebens,Charles Bindics,Anthony Reed. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2013-03-19.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of and device for encoding a high dynamic range video together with a low dynamic range video, method of and device for reconstructing one of an high dynamic range video and an ow dynamic range video coded together and non-transitory storage medium

Номер патента: CN104041046A. Автор: P.博德斯,Y.奥利维尔,D.图泽,F.希伦. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2014-09-10.

Evaluation Method of Solar Energy Utilization Potential in Urban High-density Areas Based on Low-altitude Photogrammetry

Номер патента: US20190197311A1. Автор: LIU Lei,Sun Cheng,DONG Qi,HAN Yunsong,PAN Yongjie,QU Dagang,JIA Yongheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Manufacturing method of system-in-package interconnection structure with high-density side wall bonding pads

Номер патента: CN110010496B. Автор: 冯光建. Владелец: Zhejiang Jimaike Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Method of forming an interconnection in a contact hole in an insulation layer over a silicon substrate

Номер патента: US5985756A. Автор: Toshiki Shinmura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of manufacturing CIS-based thin film having high density

Номер патента: CN103534818A. Автор: 郭智惠,安世镇,安承奎,尹载浩,尹庆勋,申基植,赵雅拉. Владелец: KOREA ENERGY TECHNOLOGY INST. Дата публикации: 2014-01-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Capacitor deposition apparatus and deposition method of dielectric film using same

Номер патента: US20180226468A1. Автор: Dong Won Seo,Byoung Ha Cho,Jae Chan Kwak. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD OF FORMING THE DIAGRAM OF A HIGH EFFICIENCY ACTIVE ANTENNA FOR ELECTRONICALLY SCANNED RADAR AND ANTENNA USING THE SAME.

Номер патента: FR2659500B1. Автор: Caille Gérard,Mangenot Cyril. Владелец: Alcatel Espace Industries SA. Дата публикации: 1992-05-15.

A method of insulating a conductor of a high voltage direct current power transmission line

Номер патента: FR3111747A1. Автор: Alberto Bertinato,Marc Petit,Bertrand Raison,Pascal TORWELLE,Trung Dung LE. Владелец: SuperGrid Institute SAS. Дата публикации: 2021-12-24.

SYSTEM AND METHOD OF TRANSISTOR SWITCH BIASING IN A HIGH POWER SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20130099845A1. Автор: Lam Lui,Fuh Hanching. Владелец: SIGE SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD OF PRODUCING AN INDUCTOR WITH A HIGH INDUCTANCE

Номер патента: US20140049350A1. Автор: Tseng Shih-Hsien. Владелец: CYNTEC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD OF MONITORING PARTIAL DISCHARGES IN A HIGH VOLTAGE ELECTRIC MACHINE, AND CONNECTION CABLE THEREFORE

Номер патента: US20180356457A1. Автор: CLOUTIER Marius,CLOUTIER Mathieu. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

METHOD OF REMEDYING LITHIUM PLATING IN A HIGH VOLTAGE BATTERY

Номер патента: US20190359066A1. Автор: DUAN Xiaohong Nina,PAIK Chi,HUANG JIANRONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Method of forming a capacitor having a high dielectric material

Номер патента: KR100285066B1. Автор: 이문희,송재인,장규환,송창룡. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-02.

Method of processing a signal and a High efficiency and directivity speaker system using a Block-based Detecting Signal

Номер патента: KR101128353B1. Автор: 이종현. Владелец: 제주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor device and method of forming an IPD over a high-resistivity encapsulant separated from other IPDS and baseband circuit

Номер патента: US9269598B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch

Номер патента: CN102270982A. Автор: 黄俊文,马克道赫堤,菲利浦麦可安多格纳堤. Владелец: Sige Semiconductors Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Method of monitoring partial discharges in a high voltage electric machine, and connection cable therefore

Номер патента: CA3007729A1. Автор: Marius Cloutier,Mathieu Cloutier. Владелец: VibroSystm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Method of producing an inductor with a high inductance

Номер патента: US9455081B2. Автор: Shih-Hsien Tseng. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

System and method of processing composite substrate within a high throughput reactor

Номер патента: WO2003058679A3. Автор: Michael J Tanguay. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2003-10-16.

Method of assembling a device comprising a high frequency cavity in which an inner conductor is mounted

Номер патента: EP0082767A1. Автор: Daniel Louet,Gilbert Darnois. Владелец: Alcatel Thomson Faisceaux Hertziens SA. Дата публикации: 1983-06-29.

System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch

Номер патента: US8330519B2. Автор: Hanching Fuh,Lui (Ray) Lam. Владелец: Sige Semiconductors Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of manufacturing a rotor for a high-speed electric motor provided with a magnetic field by a permanent magnet

Номер патента: JP2004523194A. Автор: トードアグネグスタフニルソン. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of and device for amplifying a high-energy laser beam with no transverse lasing

Номер патента: US20060171427A1. Автор: Emmanuel Marquis. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2006-08-03.

Method of computing path metrics in a high-speed viterbi detector and related apparatus thereof

Номер патента: TW200614754A. Автор: Meng-Ta Yang,Wen-Yi Wu,Pi-Hai Liu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of determining the temperature of a high-temperature installation and a temperature-indicating body

Номер патента: US3869919A. Автор: Karl-Heinz Presser,Der Decken Claus-Benedict Von. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1975-03-11.

Methods of treating cancers characterized by a high expression level of spindle and kinetochore associated complex subunit 3 (ska3) gene

Номер патента: EP3796914A1. Автор: Benjamin Haibe-Kains,David CESCON. Владелец: University of Health Network. Дата публикации: 2021-03-31.

Methods of treating cancers characterized by a high expression level of spindle and kinetochore associated complex subunit 3 (SKA3) gene

Номер патента: AU2019273871A1. Автор: Benjamin Haibe-Kains,David CESCON. Владелец: University of Health Network. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of treating cancers characterized by a high expression level of spindle and kinetochore associated complex subunit 3 (ska3) gene

Номер патента: WO2019222848A1. Автор: Benjamin Haibe-Kains,David CESCON. Владелец: UNIVERSITY HEALTH NETWORK. Дата публикации: 2019-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Method of selecting microorganism isolates on a high-density growth platform

Номер патента: WO2020185817A1. Автор: Alexander Hallock,Peter CHRISTEY,Maria VILLANCIO-WOLTER. Владелец: General Automation Lab Technologies Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of cooling the rotor of a high pressure turbine (hpt) of gas turbine engine (gte), hpt rotor and hpt rotor blade cooled by this method, knot of the device of twisting of air of hpt rotor

Номер патента: RU2684298C1. Автор: Николай Павлович Селиванов,Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк,Николай Александрович Кононов,Виктор Андреевич Андреев,Михаил Юрьевич Комаров. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-04-05.

Method of producing ammonium polyvanadate from a high-concentration vanadium-containing solution

Номер патента: RU2701564C1. Автор: Цзюнь Ван,Ин Ван,Зиби ФУ,Лин ЦЗЯНЬ,Цзикэ ГО,Ицунь ПЭН,Кэсин ХУАН,Чжаоцянь ИНЬ,Сюевэнь ЛЮ,Цзюнь ЖАНЬ,Шаоянь ПАНЬ. Владелец: Паньган Груп Паньчжихуа Стил Энд Ванадиум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-09-30.

Method of shed opening of planar warp for high density three dimensional weaving

Номер патента: US5449025A. Автор: Amotz Weinberg. Владелец: Shenkar College of Textile Technology and Fashion. Дата публикации: 1995-09-12.

Testing methods of a semiconductor integrated incorporating a high-frequency receiving circuit and a demodulation circuit

Номер патента: US7693223B2. Автор: Shinya Kishigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Method of operating an engine with a high heat of vaporization fuel

Номер патента: US4446830A. Автор: Aladar O. Simko,Joseph A. Harrington,Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1984-05-08.

Method of and system for determining a highly accurate and objective maximum medical improvement status and dating assignment

Номер патента: US11854700B1. Автор: John William Alchemy,Jerry Lee Artz,Daniel Ryan Penn. Владелец: Alchemy Logic Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of holding down bottles in a high pressure wash

Номер патента: US6009889A. Автор: Frank M. Brenkus,Craig B. Garrett. Владелец: Portola Packaging Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Improvements in method of thermochemically cutting steel having a high chromium content

Номер патента: GB667739A. Автор: . Владелец: Air Reduction Co Inc. Дата публикации: 1952-03-05.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: EP2786459A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Methods of forming high-density arrays of holes in glass

Номер патента: US09802855B2. Автор: Alexander Mikhailovich Streltsov,Robert Carl Burket,Heather Debra Boek,Daniel Ralph Harvey. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Axially symmetric high-density beamforming topology

Номер патента: US20220216903A1. Автор: Siddhartha Ghosh,Daniel Steven Roukos. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of fabricating high-voltage CMOS device

Номер патента: US20050142723A1. Автор: Kwang Ko. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Microporous high density polyethylene film and method of producing the same

Номер патента: EP1765920A4. Автор: Byoung Cheon Jo,Young Keun Lee,Jang Weon Rhee,Jung Moon Sung,In Hwa Jung,Chol Ho Lee,Won Young Cho,Byung Rae Jung. Владелец: SK Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of Fabricating High-Power Module

Номер патента: US20200171578A1. Автор: Hung-Cheng Chen,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Steve Lien-Chung Hsu,Chia-Ming Yang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190393080A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190206724A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Methods and materials for lithography of a high resolution hsq resist

Номер патента: US20140134524A1. Автор: Richard Hobbs,Justin Holmes,Nikolay PETKOV. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2014-05-15.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of annealing after deposition of gate layers

Номер патента: US09620386B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun Hsiung Tsai,Da-Wen Lin,Xiong-Fei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Epitaxial wafer, light-emitting element, method of fabricating epitaxial wafer and method of fabricating light-emitting element

Номер патента: US20110057214A1. Автор: Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of Forming A Gated Diode Structure for Eliminating RIE Damage From Cap Removal

Номер патента: US20140206160A1. Автор: Edward P. Maciejewski,Arvind Kumar,Dustin K. Slisher,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Transition metal-containing composite hydroxide and production method thereof, and production method of positive electrode active material for nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20190379038A1. Автор: Tetsufumi Komukai,Takahiro Toma,Taira Aida,Hiroko SENBA. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus for compressing plasma and method of compressing plasma

Номер патента: RU2503159C2. Автор: Дуглас Х. РИЧАРДСОН,Мишель Жорж ЛАБЕРЖЕ. Владелец: Дженерал Фьюжен, Инк.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of fabricating a radiative and conductive thermal metamaterial composite

Номер патента: US20210283569A1. Автор: Ercan M. Dede. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of fabricating a porous metal substrate structure for a solid oxide fuel cell

Номер патента: US09796021B2. Автор: Shih-Wei Cheng,Chang-Sing Hwang,Chun-Huang Tsai,Chun-Liang Chang,Jun-Meng Lin,Jen-Feng Yu. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Logic cell layout design for high density transistors

Номер патента: US12046651B2. Автор: Jia ZENG,Motoi Ichihashi,Elizabeth Strehlow,Xuelian ZHU,James P. Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

High density 3d layout enhancement of multiple cmos devices

Номер патента: US20220140112A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semi conductors with high cure temperature

Номер патента: US20040182307A1. Автор: Sang Lim,Sang Song. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of fabricating metal silicide layer

Номер патента: US20060154474A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Yiing Chiang,Yu-Lan Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semiconductors with high cure temperature

Номер патента: US6946301B2. Автор: Sang Hoon Song,Sang Ho Lim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-09-20.

Fuel cell electrodes using high density support material

Номер патента: US09431662B2. Автор: Taehee Han. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of fabricating a high-voltage transistor

Номер патента: EP2562819A3. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

High density nanowire array

Номер патента: US09558942B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Complimentary metal-insulator-metal (MIM) capacitors and method of manufacture

Номер патента: US09424992B2. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Fuel cell electrodes using high density support material

Номер патента: US09865883B2. Автор: Taehee Han,Ellazar Niangar. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of fabricating electrical machine

Номер патента: US09692282B2. Автор: Subhash Marutirao Brahmavar. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: EP4038674A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: WO2021064356A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: EP4095886A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: AU2019477107A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Manufacturing sequences for high density interconnect printed circuit boards and a high density interconnect printed circuit board

Номер патента: US12063751B2. Автор: Sven Lamprecht,Kai-Jens Matejat,Akif ÖZKÖK,Mustafa Özkök,Bert Reents,Markus Youkhanis,Marko MIRKOVIC,Horst Brüggmann. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A4. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: WO2006031984A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2006-03-23.

High-temperature electrical device and method of making the same

Номер патента: US20240249878A1. Автор: Mahdi Mohajeri,Eric Passman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of making a low leakage dynamic threshold voltage mos (dtmos) transistor

Номер патента: US20020076887A1. Автор: Sheng Hsu,Yanjun Ma. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

High-temperature electrical device and method of making the same

Номер патента: EP4407639A1. Автор: Mahdi Mohajeri,Eric Passman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Method of fabricating highly conductive low-ohmic chip resistor having electrodes of base metal or base-metal alloy

Номер патента: US09928947B1. Автор: Wen-Hsi Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods to form high density through-mold interconnections

Номер патента: US09741692B2. Автор: Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Eric J. Li,Edvin Cetegen,Bassam M. Ziadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US20170154903A1. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Advanced dielectric energy storage device and method of fabrication

Номер патента: EP3435391A3. Автор: DAVID Frank. Владелец: Blue Horizons Innovations LLC. Дата публикации: 2019-05-08.

Method of fabricating light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby

Номер патента: US09947845B2. Автор: Seong-Ju Park,Young-Chul LEEM. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-17.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US09601329B2. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09496455B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: US20130143338A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and system for inspecting semiconductor wafer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230103349A1. Автор: Sujin Lee,Donggun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Q-Han PARK,Seunghyeok SON,Chan Gi JEON,Su-Hyun GONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US12053636B2. Автор: Benjamin K. Yaffe,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20100032783A1. Автор: Pradyumna Kumar Swain,Mahalingam Bhaskaran,Peter Alan Pal Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of preparing a high density interconnect printed circuit board including microvias filled with copper

Номер патента: US20240341042A1. Автор: Akif ÖZKÖK,Bert Reents,Soungsoo Kim,Marko MIRKOVIC,Horst Brüggmann,Thomas Schiwon,Herwig Josef BERTHOLD,Marcin Klobus. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-10.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US20240342493A1. Автор: Bo Lu,Benjamin K Yaffe. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-woven fabric current collector, method of fabricating battery using the same, and system for fabricating the same

Номер патента: US09935316B2. Автор: Min Gyu Choi,Chang Hyeon Kim,Lee Hyun Shin. Владелец: Jenax Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09905732B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of growing a high quality III-V compound layer on a silicon substrate

Номер патента: US09691855B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vacuum interrupter contact structure and method of fabrication

Номер патента: US4513186A. Автор: Robert L. Thomas. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-04-23.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: EP2438663A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2012-04-11.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: WO2010140909A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK. Дата публикации: 2010-12-09.

Structure for optical device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1667242A3. Автор: Hye Jin Kim,Ki Chul Kim,Sang Hyeob Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-10-03.

Structure for optical device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060118783A1. Автор: Sang Kim,Ki Kim,Hye Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220065737A1. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A9. Автор: John D Porter,Roger W Barton,Theodore S Fahlen,Bob L Mackey,George B Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Photovoltaic cell and methods of fabricating same.

Номер патента: AU2023250513A1. Автор: DI Yan,James Bullock,Heping SHEN,Sieu Pheng PHANG,Leiping DUAN,Kylie Catchpole,Daniel Harold MACDONALD,Rabin BASNET,Josua Andreas STÜCKELBERGER,Jose de Jesus IBARRA MICHEL. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11747234B2. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Dopant ink composition and method of fabricating a solar cell there from

Номер патента: US09799783B2. Автор: Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa,Kahn Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of transmitting a reference signal from a base station to a user equipment in a wireless communication system and apparatus therefor

Номер патента: US09794037B2. Автор: Kitae Kim,Hyunsoo Ko,Jaehoon Chung,Jinmin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus for sputtering and a method of fabricating a metallization structure

Номер патента: US09644261B2. Автор: Juergen Weichart,Mohamed Elghazzali,Dennis Minkoley,Stefan Bammesberger. Владелец: EVATEC ADVANCED TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element

Номер патента: US09433108B2. Автор: Yung-Ching Lin,Ta-Han Lin,Chih-Kuie Yang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

High Density 3 Dimensional Gate All Around Memory

Номер патента: US20220328500A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Laser apparatus and a method of fabricating thereof

Номер патента: WO2003003530A9. Автор: Alexander A Betin,Hans W Bruesselbach,David Sumida. Владелец: David Sumida. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: US20060058170A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: WO2004060829A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: NIKKO COMPANY. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Guided-mode laser apparatus with improved cladding structure and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20030012534A1. Автор: David Sumida,Hans Bruesselbach,Alexander Betin. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230209984A1. Автор: HUI Li,Weili Li,Mingxing Liu,Shuaiyan GAN,Haohan ZHANG. Владелец: Hefei Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

High density electrode for electric dual layer capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922774B2. Автор: Jin Sik SHIN,Dal Woo SHIN,Mun Soo LEE. Владелец: Korea Jcc Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of fabricating a solar cell

Номер патента: US09899562B2. Автор: Po-Chuan YANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-20.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Graphene-nano particle composite having nano particles crystallized therein at a high density

Номер патента: US09714171B2. Автор: Steven Kim,Sun-Yong Choi,Kyu-Hang Lee,Byung-Koo Son,Myoung-Sun Shin,Sung-Hun Ryu. Владелец: Cheorwon Plasma Research Institute. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09698290B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Device structure and methods of making high density MOSFETs for load switch and DC-DC applications

Номер патента: US09484453B2. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof

Номер патента: US7368924B2. Автор: Daniel Peter Morris,Brian Samuel Beaman,Keith Edward Fogel,Paul Alfred Lauro,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020089344A1. Автор: Keith Fogel,Daniel Morris,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih,Paul Lauro,Brian Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Microlens, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20090059391A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US20240125599A1. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device

Номер патента: US12041830B2. Автор: Jong Hyun Choung,Hong Sick Park,Jae Uoon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of making a high density slider clamp fixture

Номер патента: US11307028B2. Автор: Glenn P. Gee,Darrick T. Smith,Anthony M. Bagus,Teodosio B. Quilapquilap, JR.,Sharon C. Agtina. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US11703330B2. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-18.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of fabricating light emitting body protection glass for quantum dot display

Номер патента: US10351468B1. Автор: Taehwan Kim,Hyunyoung Lim. Владелец: JINWOO ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

A method of fabricating a single photon source

Номер патента: EP2250530A1. Автор: Steven Prawer,Steven Trpkovski,David Allan Simpson,Eric Ampem-Lassen,Brant Cameron Gibson. Владелец: University of Melbourne. Дата публикации: 2010-11-17.

Nanoshell, method of fabricating same and uses thereof

Номер патента: US09991458B2. Автор: Yakov Roizin,Simon Litsyn,Gil Rosenman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US09911694B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating group III nitride with gradually degraded crystal structure

Номер патента: US09822465B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09790616B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Graphene-nano particle composite having nanoparticles crystallized therein at a high density

Номер патента: US09711256B2. Автор: Steven Kim,Sun-Yong Choi,Kyu-Hang Lee,Byung-Koo Son,Myoung-Sun Shin,Sung-Hun Ryu. Владелец: Cheorwon Plasma Research Institute. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09640685B2. Автор: Myoung Seok Sung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating a circuit board

Номер патента: US09560774B2. Автор: Joel R. Goergen,Greg Hunt. Владелец: Force10 Networks Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09416439B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Sang-Wook Sin,Il-sang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09362449B2. Автор: Kenji Shimoyama,Dae Sung Cho,Ki Bum Nam,Jong Kyun You,Chang Yeon Kim,Takahide Joichi,Young Wug Kim,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

High-density polyethylene compositions, preparation methods thereof, articles made therefrom, and method of making said articles

Номер патента: RU2444545C2. Автор: Дейл М. ЭЛЛИ-БРИСТОУ,Уилльям Дж. МИЧИ,Стефани М. УАЙТЕД,Томас В. КЕЙ,Дэвид Т. ГИЛЛЕСПИ,Лонни Дж. ХЭЗЛИТТ. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-03-10.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: WO2019205130A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of fabricating temperature control device

Номер патента: US6848171B2. Автор: Kazuya Kuriyama,Yoichi Yasue. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2005-02-01.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: US20210354435A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: EP3788653A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Machine for stacking and bonding sub-boards of a multilayer board for a printed circuit and method of fabrication of a multilayer board

Номер патента: WO2002067644A9. Автор: Amedeo Candore. Владелец: Amedeo Candore. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of patterning wall and phosphor well matrix utilizing glass

Номер патента: US6834431B1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of fabricating crystal unit, crystal unit fabrication mask, and crystal unit package

Номер патента: US20140158292A1. Автор: Masakazu Kishi,Hajime Kubota,Masayuki Itoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of fabricating wafer level package

Номер патента: US20130344627A1. Автор: Eun-Kyoung Choi,Sang-Won Kim,Sang-uk Han,Jong-Youn Kim,Ji-Seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12046526B2. Автор: Jin-woo Park,Jung-Ho Park,Jae Gwon Jang,Gwang Jae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Electronic assembly with high capacity thermal interface and methods of manufacture

Номер патента: EP1342268A2. Автор: Gregory M. Chrysler,Abhay A. Watwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of Fabricating an RF Substrate with Selected Electrical Properties

Номер патента: US20070117403A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: WO2005043681A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: CA2542132A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Hybrid element and method of fabricating the same

Номер патента: US12087754B2. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Inspection method, inspection system, and method of fabricating semiconductor package using the same

Номер патента: US20180101940A1. Автор: Younghoon Sohn,Yusin Yang,Ilsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Current collector for electrical energy storage device and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2024205487A1. Автор: Koichi Fukuda,Yoshihiko Kinoshita,Chang Chieh Hang. Владелец: Sodion Energy Pte. Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing ceramic LED packages with higher heat dissipation

Номер патента: US09842973B2. Автор: Xiantao Yan. Владелец: Ledengin Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating pedestal based memory devices using pocket integration

Номер патента: US12142310B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a heat sink

Номер патента: US09791219B2. Автор: Preben Bonde,Gorm Gamborg. Владелец: Schneider Electric IT Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of generating plasma in remote plasma source and method of fabricating semiconductor device using the same method

Номер патента: US09685346B2. Автор: Sangheon Lee,Gon-Jun KIM,Sam Hyungsam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating an integrated circuit with a pattern density-outlier-treatment for optimized pattern density uniformity

Номер патента: US09552964B2. Автор: BURN JENG LIN,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Cheng-Hung Chen,Jyuh-Fuh Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating polarizing member, and method of fabricating liquid crystal display including polarizing member

Номер патента: US09541789B2. Автор: Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Jung-Gun NAM,Dae-Hwan JANG,Kang-Soo Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor cleaners

Номер патента: US09529366B2. Автор: Frank Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a FinFET device having a stepped profile

Номер патента: US09514991B2. Автор: Yuan-Shun Chao,Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating a metal wrap through solar cell

Номер патента: US09455360B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana,Kramadhati V. Ravi,Somnath Nag. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, injection molded articles made therefrom, and method of making such articles

Номер патента: CA2656845C. Автор: Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Dale M. Elley-Bristow,Nathan J. Wiker. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-22.

Method of production of texturised electrical steel sheet with high magnetic flux density

Номер патента: RU2552562C2. Автор: Гобао ЛИ,Хай ЛЮ,Дэцзюнь СУ,Ци СЮЙ,Каньи ЧЭНЬ,Вэйчжун ЦЗЮ,Бинчжан ЦЗЮ,Жэньбяо ЧЖАН. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-06-10.

Information recording medium, device and method of recording information, device and method of information reproduction, device and method of information recording and reproduction

Номер патента: RU2355050C2. Автор: Масанори НАКАХАРА,Такеси КОДА,Нобуюки ТАКАКУВА,Такао САВАБЕ,Тохру КАНЕГАЕ,Ясуко ФУКУДА,Акира ИМАМУРА. Владелец: Пайонир Корпорейшн. Дата публикации: 2009-05-10.

Intra-module spare routing for high density electronic packages

Номер патента: US5414637A. Автор: Claude L. Bertin,Christopher P. Miller,David J. Perlman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Electrodeposition method of forming a probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface

Номер патента: US8486250B2. Автор: Daniel Peter Morris,Brian Samuel Beaman,Keith Edward Fogel,Paul Alfred Lauro,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A3. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A2. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K. Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-03-28.

Atom and ion sources and sinks, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180098411A1. Автор: Jonathan J. Bernstein. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240162128A1. Автор: Gi Jo Jung. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method of fabricating an RF substrate with selected electrical properties

Номер патента: US20050087284A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: WO2011109058A2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Fabricating a gate oxide

Номер патента: US8501562B1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of fabricating printed circuit board (pcb) substrate having a cavity

Номер патента: US20150090688A1. Автор: Jack Ajoian. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of fabricating self-aligned polysilicon via plug

Номер патента: US6291338B1. Автор: JHY-JYI SZE,Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of fabricating dry electrode

Номер патента: US20240282905A1. Автор: Hyun Jin Kim,Geun Ho Choi,Han Nah Song. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: EP1678789A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2006-07-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Methods of fabricating passive element without planarizing and related semiconductor device

Номер патента: US20080054393A1. Автор: Timothy Dalton,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed,Anil Chinthakindi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved pfet device performance

Номер патента: US20080045039A1. Автор: Kwong Wong,Richard Conti,Daewon Yang,Anita Madan,Michael Smits,Ronald Bourque,Nancy Klymko,Roy Tilghman. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved pfet device performance

Номер патента: US20080036007A1. Автор: Kwong Wong,Richard Conti,Daewon Yang,Anita Madan,Michael Smits,Ronald Bourque,Nancy Klymko,Roy Tilghman. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Structure and method of fabricating high-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: WO2006110781A2. Автор: Herbert Ho,Jack Mandelman,Yoichi Otani,Tak Ning. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved PFET device performance

Номер патента: US7804136B2. Автор: Richard A. Conti,Kwong Hon Wong,Daewon Yang,Anita Madan,Nancy R. Klymko,Ronald P. Bourque,Michael C. Smits,Roy H. Tilghman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US09960170B1. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Jemin PARK,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating semiconductor device with an overlay mask pattern

Номер патента: US09812364B2. Автор: Jong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating sputtering target, sputtering target using the method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the sputtering target

Номер патента: US09598764B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Il-sang Lee,Sang-Wook Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09412649B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: US09406821B2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of high-voltage pulse system operation

Номер патента: RU2710432C1. Автор: Юрген КАЛЬКЕ,Райнхарт МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of fabricating thin film transistors

Номер патента: US6077730A. Автор: Yong-Min Ha,Sang-Gul Lee,Ju-Cheon Yeo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2000-06-20.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of fabricating wiring board

Номер патента: US8387241B2. Автор: Hironori Sato,Masao Izumi,Kenji Nishio,Masaki Muramatsu,Kazunaga Higo,Takuya Torii. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabricating gate

Номер патента: US6448605B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US20140170801A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: EP2932802A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating a pre-lithiated electrode and lithium-ion battery cell

Номер патента: US20240170643A1. Автор: Felix Scheile,Armin ADER,Roman KRAFFT,Tanja Zünd,Richard Rauen. Владелец: Lilium eAircraft GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of fabricating magnetic bubble memory device

Номер патента: US4556583A. Автор: Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Teruaki Takeuchi,Ryo Imura,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-03.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: EP1709676A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-10-11.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: WO2005074022A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of fabricating a capacitor

Номер патента: US20240162279A1. Автор: Vincent Caro,Quentin Paoli. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Photoelectric device, method of fabricating the same and packaging apparatus for the same

Номер патента: US8093078B2. Автор: Chester Kuo,Hung Chin Lin. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of fabricating gate

Номер патента: US20020052103A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic el display device and method of manufacturing an organic el display device

Номер патента: US20170287998A1. Автор: Satoshi Maruyama. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US7544265B2. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US20070077729A1. Автор: Olivier Rayssac,Pierre Rayssac,Gisele Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of fabricating memory devices including b-site dopants and logic devices through wafer bonding

Номер патента: US20240276734A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Fabrication method of nanocrystals using a focused-ion beam

Номер патента: US20020081848A1. Автор: Young Park,Tae Kim,Seung Kang,Eun Kim,Jae Shim,Dong Choo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of fabricating electronic device including a sensor module

Номер патента: US20230290175A1. Автор: Shinya Onoue,Dongjin Jeong,Jin HYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating a halide perovskite

Номер патента: US20240170591A1. Автор: Wei Wang,You Meng,Chung Yin Johnny Ho,Zhengxun Lai. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

System and method of fabricating objects using additive manufacturing with reduced interference and noise

Номер патента: US20240324106A1. Автор: Richard Neill. Владелец: Advanced Printed Electronic Solutions LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20180047585A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332268A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Carrier substrate having a plurality of fluid passages and method of fabricating display apparatus utilizing the same

Номер патента: US09997547B2. Автор: Yueping Zuo,Chien Hung Liu,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09947771B2. Автор: Byoung-Keon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a tunable schottky diode with depleted conduction path

Номер патента: US09899500B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer

Номер патента: US09781843B2. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US09779963B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and processing apparatus for fabricating a magnetic resistive random access memory device

Номер патента: US09761795B2. Автор: Kiwoong Kim,Sechung Oh,Sangyong Kim,Yongsung PARK,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09685582B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US20160319397A1. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2016-11-03.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US09822430B2. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

High Al-content steel sheet excellent in workability and method of production of same

Номер патента: US09616411B2. Автор: Hiroaki Sakamoto,Toru Inaguma,Takayuki Kobayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: WO2004071179A2. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Roslin Institute (Edinburgh). Дата публикации: 2004-08-26.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: CA2514678A1. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: EP1592969A2. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Roslin Institute Edinburgh. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: US20060257846A1. Автор: Stephen Bishop,Elizabeth Glass. Владелец: Roslin Institute Edinburgh. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of assaying for high performance mammals

Номер патента: WO2004071179A3. Автор: Stephen Christopher Bishop,Elizabeth Janet Glass. Владелец: Elizabeth Janet Glass. Дата публикации: 2004-12-23.

High dielectric compositions for particle formation and methods of forming particles using same

Номер патента: US09796830B2. Автор: Evan Koslow,Angela Kim,Jocelyn Tindale,Chitral Angammana,Tatiana Lazareva,Ryan Gerakopulos. Владелец: Gabae Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing powder having high surface area

Номер патента: US09676034B2. Автор: Chan-Hwa Chung,Myung Gi Jeong. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of determining the amount of cholesterol in a high-density lipoprotein

Номер патента: US5691159A. Автор: Akira Miike,Tetsumi Irie,Hiroyuki Sugiuchi,Kaneto Uekama,Kazuhito Miyauchi,Eiko Shutoh,Susumu Ohsawa. Владелец: Kyowa Medex Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-25.

Method of determining the amount of cholesterol in a high-density lipoprotein

Номер патента: CA2162289C. Автор: Akira Miike,Tetsumi Irie,Hiroyuki Sugiuchi,Kaneto Uekama,Kazuhito Miyauchi,Eiko Shutoh,Susumu Ohsawa. Владелец: Kyowa Medex Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-18.

Method of manufacturing nano-template for a high-density patterned medium and high-density magnetic storage medium using the same

Номер патента: US20080176109A1. Автор: Hae sung KIM,Myung bok LEE,Jin Seung Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of manufacturing nano-template for a high-density patterned medium and high-density magnetic storage medium using the same

Номер патента: US7662491B2. Автор: Hae sung KIM,Myung bok LEE,Jin Seung Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-16.

Method of manufacturing nano-template for a high-density patterned medium and high-density magnetic storage medium using the same

Номер патента: US20100102028A1. Автор: Hae sung KIM,Myung bok LEE,Jin Seung Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Fire resistive method of high strength concrete using a high density fire resistive sprayer

Номер патента: KR101146223B1. Автор: 송영찬,송종은,김우철,김욱종,김용로. Владелец: 주식회사 성현케미칼. Дата публикации: 2012-05-15.

A method of manufacturing a mirror for a high energy laser, and a mirror provided by the method

Номер патента: GB8605304D0. Автор: . Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 2009-11-25.

Method of iterative recursive flattening of a high level verification language hierarchy

Номер патента: US20060212850A1. Автор: Matthew Potts. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-09-21.

Methods of treating cancers characterized by a high expression level of spindle and kinetochore associated complex subunit 3 (ska3) gene

Номер патента: EP3796914A4. Автор: Benjamin Haibe-Kains,David CESCON. Владелец: University of Health Network. Дата публикации: 2022-03-02.

Methods of and systems for adding a high viscosity gypsum additive to a post mixer aqueous dispersion of calcined gypsum

Номер патента: IL186156A0. Автор: . Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 2008-01-20.

Improved method of abrading or slicing off a high point of a surface

Номер патента: GB201619623D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

METHOD OF SELECTING MICROORGANISM ISOLATES ON A HIGH-DENSITY GROWTH PLATFORM

Номер патента: US20200347337A1. Автор: Christey Peter,Hallock Alexander,Villancio-Wolter Maria. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Construction exterior panel and manufacturing method of construction exterior panel using a high density polystyrene

Номер патента: KR101757730B1. Автор: 미 라 김. Владелец: (주)돔하우스코리아. Дата публикации: 2017-07-26.

Method of selecting microorganism isolates on a high-density growth platform

Номер патента: CA3148918A1. Автор: Alexander Hallock,Peter CHRISTEY,Maria VILLANCIO-WOLTER. Владелец: General Automation Lab Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

High-strength hot-dip galvanized steel sheet and hot-dip galvannealed steel sheet having fatigue resistance, corrosion resistance, ductility and plating adhesion, after severe deformation, and a method of producing the same

Номер патента: CA2449604C. Автор: Nobuhiro Fujita,Akihiro Miyasaka,Manabu Takahashi,Yasuhide Morimoto,Masafumi Azuma,Masao Kurosaki. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

High-strength hot-dip galvanized steel sheet and hot-dip galvannealed steel sheet having fatigue resistance corrosion resistance ductility and plating adhesion after servere deformation and a method of producing the same

Номер патента: US20040202889A1. Автор: Nobuhiro Fujita,Akihiro Miyasaka,Manabu Takahashi,Yasuhide Morimoto,Masafumi Azuma,Masao Kurosaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of selecting microorganism isolates on a high-density growth platform

Номер патента: IL286231A. Автор: . Владелец: Gen Automation Lab Tech Inc. Дата публикации: 2021-10-31.

Method of inputting optical radiation into speed photochronographic recorder for applying timestamps

Номер патента: RU2727088C1. Автор: Андрей Евгеньевич Захаров,Виктор Михайлович Кузин,Олег Николаевич Дулин,Владимир Геннадьевич Каменев,Виталий Николаевич Туркин,Алексей Сергеевич Шубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2020-07-17.

Method and apparatus for prepping surfaces with a high-frequency forced pulsed waterjet using a rotatable nozzle

Номер патента: CA2880203C. Автор: Mohan M. Vijay,Andrew Hung Tieu,Wenzhuo Yan,Bruce R. Daniels. Владелец: VLN Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of welding thermoplastic resin

Номер патента: GB2198082A. Автор: Hitoshi Futagawa. Владелец: Nissho Corp. Дата публикации: 1988-06-08.

High dielectric compositions for particle formation and methods of forming particles using same

Номер патента: EP2906615A1. Автор: Evan Koslow,Jocelyn Tindale,Chitral Angammana,Tatiana Lazareva,Angela Ki,Ryan Gerakopulos. Владелец: Gerakopoulos Ryan. Дата публикации: 2015-08-19.

Preparation method of instant bone milk and device thereof

Номер патента: US20200205432A1. Автор: Wei Jia,Chunhui Zhang,Hongru ZHANG,Xiaojie QIN,qingshan Shen. Владелец: Institute of Food Science and Technology of CAAS. Дата публикации: 2020-07-02.

Manufacturing method of gypsum by using biosulfur and oxidation reaction and uses of gypsum

Номер патента: EP4371941A1. Автор: Young Min Kim,Sung Hyun Cho,Hyo Soon Song,Pyeong Su Lee,Myong Shin Song,Woong Geol Lee. Владелец: Ecobio Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Preparation method of instant bone milk and device thereof

Номер патента: NL2022787A. Автор: Zhang Chunhui,Jia Wei,QIN Xiaojie,SHEN Qingshan,ZHANG Hongru. Владелец: Institute Of Food Science And Tech Chinese Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2019-04-15.

Preparation method of instant bone milk and device thereof

Номер патента: NL2022787B1. Автор: Zhang Chunhui,Jia Wei,QIN Xiaojie,SHEN Qingshan,ZHANG Hongru. Владелец: Institute Of Food Science And Tech Chinese Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2020-02-10.

Preparation Method of Bifunctional Dextrin with High Embedding Rate and Rapid Absorption

Номер патента: US20230340163A1. Автор: Chao Yuan,Bo Cui,Wentao Ma,Wenfang YUE. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Method of processing steel material having high austenitic grain-coarsening temperature

Номер патента: US3865636A. Автор: Takeshi Ueda,Akira Suzuki,Shushi Kinoshita. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1975-02-11.

Method of welding galvanized steel

Номер патента: US3969604A. Автор: Edward Lund Baardsen. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1976-07-13.

A kind of preparation method of the purple dye bleeding agent of high density acrylic fabric

Номер патента: CN109252401A. Автор: 盛婷婷. Владелец: Tongxiang Puyuan Woolen Knitting Technology Service Center. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of and apparatus for deriving a high pressure, high temperature plasma jet with a dielectric capillary

Номер патента: US5033355A. Автор: Yeshayahu S. A. Goldstein,Derek A. Tidman. Владелец: GT Device. Дата публикации: 1991-07-23.

A kind of method of fancy carp cement pit breeding and high density seed rearing

Номер патента: CN110269011A. Автор: 陈成勋,张震,胡建中,孙学亮,方珍珍,曹鑫盛,张奇杰,石洪玥. Владелец: Tianjin Longjin Aquaculture Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of controlling and system for manufacturing multimodal high density polyethylene

Номер патента: EP3472211B1. Автор: Frans VISSCHER,Job Daniel GUZMAN-CARRAZCO,Maryam TAMMADONI. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of controlling and system for manufacturing multimodal high density polyethylene

Номер патента: EP3472211A1. Автор: Frans VISSCHER,Job Daniel GUZMAN-CARRAZCO,Maryam TAMMADONI. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Method of producing flow lines in a sanitary product

Номер патента: CA2219140C. Автор: Karl Kristian Kobs Kroyer (Deceased). Владелец: KROYER INGELISE KOBS. Дата публикации: 2001-12-04.

Method of manufacturing ethylene oxide from ethylene and oxygen

Номер патента: CA2517359C. Автор: Marek Matusz,Wayne Errol Evans,Arend Jan Tee Raa. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2012-09-25.

The cultural method of seed cell and its application in high density inoculated and cultured

Номер патента: CN109576212A. Автор: 廖元霆,代争. Владелец: Hangzhou Yian Jishi Biopharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

HIGH-TEMPERATURE HEAT PUMP AND METHOD OF USING WORKING MEDIUM IN A HIGH-TEMPERATURE HEAT PUMP

Номер патента: US20140245763A1. Автор: Schäfer Jochen,GROMMOLL Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

An infrared retroreflecting device used for a high-aspect-ratio optical touch panel, the method of manufacturing the same and a high-aspect-ratio touch panel using such device

Номер патента: WO2010141395A2. Автор: Lok-Man Ng. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2010-12-09.

An infrared retroreflecting device used for a high-aspect-ratio optical touch panel, the method of manufacturing the same and a high-aspect-ratio touch panel using such device

Номер патента: WO2010141395A3. Автор: Lok-Man Ng. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2011-03-10.

An infrared retroreflecting device used for a high-aspect-ratio optical touch panel, the method of manufacturing the same and a high-aspect-ratio touch panel using such device

Номер патента: KR20120027427A. Автор: 록-만 응. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니. Дата публикации: 2012-03-21.

Method of making siloxane compositions

Номер патента: CA2062333C. Автор: Jean De La Croi Habimana,Stephen Westall. Владелец: Dow Corning Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Gradient index optical waveguide and method of making

Номер патента: US4358181A. Автор: George W. Scherer,Suresh T. Gulati. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1982-11-09.

Method Of Flight Plan Optimization Of A High Altitude Long Endurance Aircraft

Номер патента: US20220212789A1. Автор: Bart Dean Hibbs,Derek Lisoski. Владелец: AeroVironment Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of coating metal surfaces with a highly hydrophilic, biologically resistant odorless coating exhibiting high resistance to corrosion

Номер патента: CZ216697A3. Автор: William H Morton,Thomas P Muehl,Douglas K Parker,Charles E Tomlinson. Владелец: Circle Prosco. Дата публикации: 1997-12-17.

A method of storing electrical energy in a high voltage power module for a vehicle and high voltage power module for storing electrical energy

Номер патента: DE102019002781A1. Автор: Martin Schäffler. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of simulating bidirectional signals in a modeling system

Номер патента: US7934185B1. Автор: L. James Hwang,Jeffrey D. Stroomer,Nabeel Shirazi,Jonathan B. Ballagh,Roger Brent Milne. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-04-26.

Train and method of cleaning a railhead

Номер патента: CA3222108A1. Автор: Tanya Ball,Marco Linde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of manufacturing a part with a high quality surface finish and complex internal geometry

Номер патента: US20150093590A1. Автор: Sarah J. Montplaisir,Matthew S. Theobald. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Train and method of cleaning a railhead

Номер патента: AU2022289139A1. Автор: Tanya Ball,Marco Linde. Владелец: Consus Ant Stationary Cutting Solutions GmbH. Дата публикации: 2024-01-04.

Train and method of cleaning a railhead

Номер патента: EP4351836A1. Автор: Tanya Ball,Marco Linde. Владелец: Consus Ant Stationary Cutting Solutions GmbH. Дата публикации: 2024-04-17.

METHODS OF TREATING CANCERS CHARACTERIZED BY A HIGH EXPRESSION LEVEL OF SPINDLE AND KINETOCHORE ASSOCIATED COMPLEX SUBUNIT 3 (SKA3) GENE

Номер патента: US20210290624A1. Автор: Haibe-Kains Benjamin,Cescon David. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

A method of obtaining effective reagents with a high absorption rate of hydrogen sulfide and stable mercaptans at low temperatures

Номер патента: RU2016145978A. Автор: Руслан Адгамович Вагапов,Ильдус Файрусович Мингазетдинов. Владелец: Ильдус Файрусович Мингазетдинов. Дата публикации: 2018-05-23.

METHOD OF OPTIMIZING THE POSITIONING OF A HIGH HEAD DISPLAY

Номер патента: FR3060139B1. Автор: Denis Miglianico,Luc Moyart. Владелец: Alstom Transport Technologies SAS. Дата публикации: 2019-07-26.

Method of flight plan optimization of a high altitude long endurance aircraft

Номер патента: WO2020263393A2. Автор: Bart Dean Hibbs,Derek Lisoski,Ryan ALLFORD. Владелец: AeroVironment, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of controlling the operation of a high-speed door

Номер патента: WO2006032766A1. Автор: Bernard Kraeutler. Владелец: NERGECO. Дата публикации: 2006-03-30.

Method of manufacturing rack frames of a high-frequency choke reactor with slots for turns of coils

Номер патента: RU2664011C1. Автор: Александр Юрьевич Поздняков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронные информационные системы" (ЗАО "НПП "ЭИС"). Дата публикации: 2018-08-14.

METHOD OF OPTIMIZING THE POSITIONING OF A HIGH HEAD DISPLAY

Номер патента: FR3060139A1. Автор: Denis Miglianico,Luc Moyart. Владелец: Alstom Transport Technologies SAS. Дата публикации: 2018-06-15.

Method of cutting soft materials with a high speed jet of liquid

Номер патента: DE1949583A1. Автор: Franz Norman C. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-04-09.

Methods of and systems for adding a high viscosity gypsum additive to a post-mixer aqueous dispersion of calcined gypsum

Номер патента: CN101184703A. Автор: 詹姆斯·R·维特博尔德,W·戴维·宋. Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 2008-05-21.

Method of flight plan optimization of a high altitude long endurance aircraft

Номер патента: WO2020263393A9. Автор: Bart Dean Hibbs,Derek Lisoski,Ryan ALLFORD. Владелец: AeroVironment, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

METHODS OF TREATING A SUBJECT WITH A HIGH GLEASON SCORE PROSTATE CANCER

Номер патента: US20200056244A1. Автор: Noerholm Mikkel,Skog Johan Karl Olov. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

METHOD OF MANUFACTURING A CRANKSHAFT FROM A HIGH SHRINK METAL ALLOY

Номер патента: US20160084295A1. Автор: Romblom Edward R.,Tkac Ronald M.,Murrish Dale Edward,McClory Brian J.,Perella Donald J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD OF MANUFACTURING A PART WITH A HIGH QUALITY SURFACE FINISH AND COMPLEX INTERNAL GEOMETRY

Номер патента: US20150093590A1. Автор: Theobald Matthew S.,MONTPLAISIR Sarah J.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-04-02.

Methods of position-location determination using a high-confidence range, and related systems and devices

Номер патента: US20140333482A1. Автор: Rajendra Singh,George Ron Olexa. Владелец: TELCOM VENTURES LLC. Дата публикации: 2014-11-13.

METHOD OF AND SYSTEM FOR PRODUCING A HIGH VALUE ANIMAL FEED ADDITIVE FROM A STILLAGE IN AN ALCOHOL PRODUCTION PROCESS

Номер патента: US20160374364A1. Автор: Lee Chie Ying. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

System and method of charging electronic-cash to a high-pass card using a mobile communication unit

Номер патента: KR100837058B1. Автор: 박준동,남덕영. Владелец: (주) 엘지텔레콤. Дата публикации: 2008-06-11.

METHOD OF IDENTIFYING A TARGET USING A HIGH RESOLUTION INBOARD CAMERA

Номер патента: FR3074595A1. Автор: Martial Lecourt. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2019-06-07.

Method of manufacturing a crankshaft from a high shrink metal alloy

Номер патента: CN105436418A. Автор: D.E.默里什,E.R.龙布洛姆,B.J.麦克洛里,R.M.特卡克,D.J.佩雷拉. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-03-30.

Method of producing monocalcium phosphate containing a high p2o5 content

Номер патента: US2514973A. Автор: William L Robinson. Владелец: Monsanto Chemicals Ltd. Дата публикации: 1950-07-11.

Method of manufacturing glass articles having a high mechanical strength

Номер патента: US3293016A. Автор: Cornelissen Johannes. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1966-12-20.

System and method of manufacturing a structure with a high performance metal alloy

Номер патента: CA2790839A1. Автор: Stephen K. Bishop,Stephen S. Swenson,Crystal L. Wilson,Paulette D. Lemond. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2013-04-14.

Spray nozzle assembly for gas dynamic cold spray and method of coating a substrate with a high temperature coating

Номер патента: US8192799B2. Автор: Albert Kay,Jeganathan Karthikeyan. Владелец: ASB Industries Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

injectable botulinum toxin formulations and methods of using them that have a high response rate and long lasting effect

Номер патента: BR112020011098A2. Автор: Roman RUBIO. Владелец: Revance Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of and system for operating a high-speed forging press

Номер патента: US3447349A. Автор: Paul Lippke. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-06-03.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

System and method of manufacturing a structure with a high performance metal alloy

Номер патента: EP2581160A3. Автор: Stephen K Bishop,Stephen S Swenson,Crystal L Wilson,Paulette D Lemond. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2013-05-29.

METHOD OF MANUFACTURING A DEVICE FOR A HIGH-TEMPERATURE HEAT TRANSFER CONTAINING A POLYMERIC COMPOSITION CONTAINING A CRAZY MATTER, OR CONTAINING IT, OR ITS ITEMS

Номер патента: EA201792439A1. Автор: Катарина Томик. Владелец: ДСМ АйПи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2018-04-30.

Method of manufacturing a valve with a high mechanical and heat resistance, also against heat corrosion, for a combustion engine using heavy oil

Номер патента: DE3661956D1. Автор: Welf Dr Ing Amende,Wolfram Dr Ing Lausch. Владелец: MAN B&W Diesel GmbH. Дата публикации: 1989-03-02.

Method of protecting metal heated to a high temperature against oxidation

Номер патента: US1358161A. Автор: Herman B Kipper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1920-11-09.

METHOD OF DESIGNING AND FABRICATING A MICROLENS ARRAY

Номер патента: US20180209030A1. Автор: WANG Qi,Ghosh Amalkumar P.,Ali Tariq,KHAYRULLIN Ilyas I.,TICE Kerry,WACYK IHOR,DONOGHUE Evan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Method of producing high-density and high-energy rocket and aviation fuel based on 2-vinyl norbornane (versions)

Номер патента: RU2739190C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,Александр Викторович Кулик,Константин Борисович Рудяк,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Максим Владимирович Бермешев,Сергей Валерьевич Шорунов,Екатерина Сергеевна Пискунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-21.

Method of fabricating a lithographic master

Номер патента: US4612269A. Автор: Virgil W. Westdale,James L. Hanrahan. Владелец: Multigraphics Inc. Дата публикации: 1986-09-16.

High-density warp-fiber woven fabric and methods of manufacturing the same

Номер патента: GB2583568A. Автор: Kumar Jain Mohit. Владелец: Indo Count Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: WO2004017313A1. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of fabricating a part by selective melting or selective sintering of powder beds by means of a high energy beam

Номер патента: US09707718B2. Автор: Thomas Vilaro,Olivier Chantoiseau,Sebastien Rix. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating a biocompatible material having a high carbide phase and such material

Номер патента: US09776246B2. Автор: Haitong Zeng,Aiguo Wang,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A9. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A1. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of cultivating intensive apple tree on tall and medium-growing stocks

Номер патента: RU2731089C1. Автор: Татьяна Григорьевна Причко,Виталий Георгиевич Ермоленко,Евгений Алексеевич Егоров,Ирина Львовна Ефимова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский федеральный научный центр садоводства, виноградарства, виноделия". Дата публикации: 2020-08-28.

Method of manufacture of an absorbent soundproofing element and absorbent soundproofing element of automobile panelling

Номер патента: RU2744359C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Хельмут БЕККЕР,Фолькер КУРШ,Маурицио ТАРЕЛЛО. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2021-03-05.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of fabricating rails

Номер патента: RU2336336C2. Автор: Масахару УЕДА,Акира КОБАЯСИ,Нориаки ОНОДЕРА,Таку САТОХ,Такуя САТОХ,Казуо ФУДЗИТА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2008-10-20.

Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof

Номер патента: US09968903B2. Автор: Robert Hess,Tanya S. Kanigan,John Linton,Colin Brenan,Can Ozbal. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond structure

Номер патента: US20120000136A1. Автор: Mohammad N. Sani. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Micro structure, micro actuators, method of fabricating micro structure and micro actuators

Номер патента: US20130141769A1. Автор: Jungwook CHOI,Jae-Ik Lee,Jongbaeg Kim,Youngkee EUN,Youngsup SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of making sintered body, and powder compact

Номер патента: US12076791B2. Автор: Takayuki Tashiro,Munehiro Noda,Tomoyuki Ishimine,Shigeki Egashira,Kazunari Shimauchi. Владелец: Sumitomo Electric Sintered Alloy Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and system for calibrating a rotary encoder and making a high resolution rotary encoder

Номер патента: WO2008079577A3. Автор: Wei Wang,Levent Biyikli,Luis A Aguirre. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-08-28.

Wood-board material (embodiments) and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2766898C1. Автор: Виктор Владимирович Тихонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «СВЕЗА». Дата публикации: 2022-03-16.

Preparation method of sm non-woven fabrics for roof anti-slip

Номер патента: US20240263371A1. Автор: Weidong Zhang,Yujia Liu,Wensheng Huang,Zhiguo Huang,Weifeng Sun,Guodong Xie,Jinjing QIU. Владелец: Dongying Jofo Filtration Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making nuclear reactor microfuel rods

Номер патента: RU2603358C1. Автор: Николай Викторович Морозов,Андрей Владимирович Белеевский,Игорь Евгеньевич Голубев,Андрей Анатольевич Перцев. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of analysis of mammary gland cancerous diseases

Номер патента: RU2492243C2. Автор: Ситхартхан КАМАЛАКАРАН,Роберт ЛУСИТО,Джеймс Брюс ХИКС,Сяоюэ ЧЖАО,Джуд КЕНДАЛЛ. Владелец: Колд Спринг Харбор Лэборетери. Дата публикации: 2013-09-10.

Framed laminated fiberglass panel and method of manufacture

Номер патента: US12006683B2. Автор: Michael J. Lembo,Luigi BARTELLA,Srirathakrishna Sivapathasuntharam. Владелец: Certainteed Canada Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Framed laminated fiberglass panel and method of manufacture

Номер патента: US20240328156A1. Автор: Michael J. Lembo,Luigi BARTELLA,Srirathakrishna Sivapathasuntharam. Владелец: Certainteed Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of improving the yield of a nozzle plate fabrication process

Номер патента: US09630411B2. Автор: Paul Van Der Sluis,Jeroen Herman Lammers,Alwin Rogier Martijn Verschueren,Adrianus Antonius Johannes OP 'T HOOG. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Novel high-density microcarrier retention device for perfusion culture and method of use thereof

Номер патента: EP4189057A1. Автор: Jianjun Yang,Hongyan Yang. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Liquid crystal materials, methods of fabricating liquid crystal display panels and liquid crystal display panels

Номер патента: US20180105750A1. Автор: Song LAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

A method of high-density foil fabrication

Номер патента: WO2002004151A3. Автор: Vinod K Sikka,Craig A Blue,Evan K Ohriner. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2003-04-10.

High density fiber terminator/connector

Номер патента: US20030202769A1. Автор: Roman Gutierrez,Tony Tang. Владелец: Siwave Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Master substrate and method of manufacturing a high-density relief structure

Номер патента: CA2584102A1. Автор: Erwin R. Meinders,Rolf A. Loch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Apparatus and methods of running casing in a dual gradient system

Номер патента: US09657548B2. Автор: Michael LoGiudice,Brent J. Lirette,Marcel Budde. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Preparation method of printing plate for alignment film

Номер патента: US09381733B1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Systems and methods for fabricating a microchannel vascular network device and seeding a microchannel

Номер патента: WO2020257539A1. Автор: Craig Neville,Joseph P. Vacanti,Batzaya BYAMBAA,Matthew James Hancock,Carly COMER,Tyler LIEBERTHAL,Tatevik SAHAKYANTS,Andrew Paul SPANN. Владелец: 3D Biolabs, Llc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of fabricating solid freeform fabrication object and device for fabricating solid freeform fabrication object

Номер патента: US20180264717A1. Автор: Hiroyuki Naito,Yoshihiro Norikane,Kenji Sugiura,Yoshihito Shimada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

HIGH DENSITY LIPOPROTEIN BINDING PROTEIN (HDLBP/VIGILIN) iRNA COMPOSITIONS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20220202847A1. Автор: Muthiah Manoharan,Markus Stoffel,Mehrpouya Balaghy Mobin. Владелец: Alnylam Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

HIGH DENSITY LIPOPROTEIN BINDING PROTEIN (HDLBP/VIGILIN) iRNA COMPOSITIONS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20190038658A1. Автор: Muthiah Manoharan,Markus Stoffel,Mehrpouya Balaghy Mobin. Владелец: Alnylam Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

High density lipoprotein binding protein (hdlbp/vigilin) irna compositions and methods of use thereof

Номер патента: EP3445855A1. Автор: Muthiah Manoharan,Markus Stoffel,Mehrpouya Balaghy Mobin. Владелец: Alnylam Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Method of fabricating diffractive backlight

Номер патента: US12124073B2. Автор: ZHEN Peng,David A. Fattal,Ming Ma,Thomas HOEKMAN. Владелец: Leia Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Erosion shield, method of fabricating a shield, and method of fabricating an article having a shield

Номер патента: US09695697B2. Автор: II Theodore William FANDREI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Concrete reinforcing guide and method of constructing concrete reinforcing guide

Номер патента: WO2008033991A3. Автор: Gloria Marie Buley. Владелец: Gloria Marie Buley. Дата публикации: 2008-07-31.

Thermal Interface Material Compound and Method of Fabricating the same

Номер патента: US20080061267A1. Автор: Ming-Chang Liu,Kuo-Len Lin,Wen-Jung Liu,Tien-Chih Tseng. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of deriving etching correction values for petterns of photomask and method of fabricating photomask

Номер патента: US20080124632A1. Автор: Chao-Lung Lo,Sunwook Jung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods of forming polycrystalline compacts

Номер патента: US09889542B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,Danny E. Scott. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Polycrystalline compacts and methods of formation

Номер патента: US09522455B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,Danny E. Scott. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of fabricating three-dimensional object and apparatus for fabricating three-dimensional object

Номер патента: US20230271256A1. Автор: Yunsheng Sun,Shozo Sakura,Yohei Osanai,Kohichiroh TANAKA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Drug-transfer device, drug-delivery system incorporating the same, methods of fabricating the same, and methods of enabling administration of a drug

Номер патента: US20100326020A1. Автор: Scott Albert Uhland,Philipp Helmut Schmaelzle. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Transmission diffraction device for high diffraction order and method of fabricating the same

Номер патента: WO2010064776A1. Автор: Kazuhiro Hane,Jae-Young Joo,Sun-Kyu Lee,Do-Kyun Woo,Cha-Bum Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-06-10.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20080273128A1. Автор: Moon Youn Jung,Chang Auck Choi,Se Ho Park,Young Jun Kim,Dong Ho Shin,Hyeon Bong Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating a composite material part with improved intra-yarn densification

Номер патента: US09988750B2. Автор: Arnaud Fillion,Eric Philippe,Eric Bouillon,Francois Charleux. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating a steak from subscapularis and product obtained by such method

Номер патента: US09615590B2. Автор: Jacob Lee Nelson,Antonio Mata. Владелец: Oklahoma State University. Дата публикации: 2017-04-11.

LED light timing in a high growth, high density, closed environment system

Номер патента: US09565812B2. Автор: James G. Wilson. Владелец: Crop One Holidings Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing high-density, including optical, ceramics using electrophoretic deposition of nanoparticles

Номер патента: RU2638205C1. Автор: Максим Геннадьевич Иванов,Елена Григорьевна Калинина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacture of the laminated paper of the high density and with the high oxygen permeability and the paper of the high-density produced by this method

Номер патента: RU2299812C2. Автор: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Владелец: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Дата публикации: 2007-05-27.

Feeding device for particles separator, separator for particles separation and method of particles separation

Номер патента: RU2734813C2. Автор: Кевин Патрик Гэлвин. Владелец: Ньюкасл Инновейшн Лимитед. Дата публикации: 2020-10-23.

Method of producing a mesh filter, a mesh filter and an ejector assembly comprising such a mesh filter

Номер патента: RU2740653C2. Автор: Франсуа КОРМАН. Владелец: Зодиак Аэротекникс. Дата публикации: 2021-01-19.

Method for determining high-density metals in plants

Номер патента: RU2675379C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Туган Аланович Дулаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2018-12-19.

Master substrate and method of manufacturing a high-density relief structure

Номер патента: CA2584101A1. Автор: Erwin R. Meinders,Rolf A. Loch. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of fabricating one or more crocheted characters

Номер патента: US20220081813A1. Автор: Veronica F. Patterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Information recording medium, optical information recording and reproducing apparatus, optical information recording and reproducing method and manufacturing method of information recording medium

Номер патента: US20120113772A1. Автор: Noboru Yamada,Teruhiro Shiono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20060030030A1. Автор: Young Kim,Se Park,Dong Shin,Chang Choi,Hyeon Pyo,Moon Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of fabricating a multiple holographic lens

Номер патента: WO1990004797A1. Автор: Benjamin J. Pernick,Douglas S. Hobbs,Nils J. Fonneland,Stephen J. Caputi,John V. Fine, Sr.. Владелец: Grumman Aerospace Corporation. Дата публикации: 1990-05-03.

A thermal microactuator for a suspension arm of a hard disk drive and a method of fabricating the thermal microactuator

Номер патента: WO2012011874A1. Автор: Pantelis Alexopoulos,Jiaping YANG,Cheng Peng Tan. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating molds for forming waveguides and related systems and methods using the waveguides

Номер патента: US20240359372A1. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Marlon Edward Menezes,David James Lentz,Yanhua Wang. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of constructing high-frequency vibratory stress relief device for eliminating residual stress of small work-piece

Номер патента: US12128504B2. Автор: PING Wang,Siqi Wang,Xiong HU,Zhipeng HUO,Jiayi Zhuang,Zhongshan WANG,Haoran Wu,Bangping Gu. Владелец: Shanghai Maritime University. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods for removing contaminants from high density completion fluid

Номер патента: US09758717B2. Автор: William D. Woodul. Владелец: WDWTECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a wooden perch

Номер патента: US09718210B1. Автор: Michael Sazhin. Владелец: Parrot Wizard Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Alignment exposure method and method of fabricating display substrate

Номер патента: US09715173B2. Автор: Bin Wu,Kun Li,Xuequan Yu,Wenjun Shen,Lizhi Ren,Yadong Gao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating a prescription label bag

Номер патента: US09561883B1. Автор: Stefan Jerzy Debski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond compact

Номер патента: US09453270B1. Автор: Michael A. Vail,Kenneth E. Bertagnolli. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Disposable underwear with solution of continuity and methods of production

Номер патента: RU2336064C2. Автор: Юнг Х. ХУАНГ,ГОМПЕЛЬ Пол Т. ВАН,Расселл Е. ТОРСОН,Кеннет Дж. ВАГНЕР,Джин Ф. НИМАЙЕР,Джудит А. МЬЮЗИЛ,Хайди К. ВУДИ,Бриджет А. БЭЛОГ,Синди МААС,Джером Стив ВЕЙТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2008-10-20.

Modular method of improving quality and system for improving quality of oil shale in high-density coal beds

Номер патента: RU2698754C1. Автор: Бо Чжан,Лян ДУН,Чэньлун ДУАНЬ,Юэминь ЧЖАО,Сюйчэнь ФАНЬ,Чэньян ЧЖОУ,Цзинфэн ХЭ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of regenerating material from high-density polyethylene (hdpe) by thermal fusion and regenerated products from hdpe

Номер патента: RU2735016C1. Автор: ОСОРИО Габриэль Игнасио БАРАОНА,ПАЭС Сильвия Монсеррат БРУНА. Владелец: Сосьедад Комерсиаль Арут Спа. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of producing calcined tincal by calcination using autogenic crushing and separation in one step

Номер патента: RU2443628C2. Автор: Орхан ЙИЛМАЗ,Ючел ЙАЛЧИНОГЛУ,Танзер ЕРГУЛ,Тумей УЛУДАГ,Билал СЕНТУРК,Хасан АКЧИН,Ибрагим КАЙАНДАН,Челал ДЕМИРБАГ. Владелец: Эти Маден Ислетмелери Женел Мудурлугу. Дата публикации: 2012-02-27.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Driving device for double-cylinder pump for high-density materials and method of its operation

Номер патента: RU2358154C2. Автор: Манфред ШВАРЦ,Георг МЮЛЛЕР,Йозеф-Фридрих ШНИТТКЕР. Владелец: Швинг Гмбх. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of manufacturing base fabric containing a waist component, and disposable panty product made thereof

Номер патента: RU2683739C1. Автор: Лукас БЕК,Карин ЛЬЮНГБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин энд Хелт АБ. Дата публикации: 2019-04-01.

Conduits for transporting fluids and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210270405A1. Автор: John P. Leuer,Tony DI CARLO,Brian T. Vaniman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Zirconia granule, green compact, and methods of production thereof

Номер патента: US20240059579A1. Автор: Kirihiro NAKANO,Yoshihisa Ito,Nobusuke Kashiki,Yasutaka KUDO. Владелец: Kuraray Noritake Dental Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Thermally drawn chemically active fibre device and a method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022157539A1. Автор: Fabien Sorin,Bastien Schyrr. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2022-07-28.

Repeatedly recyclable-polymer mimics of high-density polyethylene

Номер патента: WO2024133402A1. Автор: Robbert Duchateau,Maria Soliman,Lidia JASINSKA-WALC,Ganesh Kannan,Alexander Stanislaus,Sivadinarayana Chinta,Ravichander Narayanaswamy,Bart Albertus Hubertus ESSCHERT VAN DEN,Girish KORIPELLY,Kaiwalya SABNIS. Владелец: Sabic Global Technologies B.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Hydrogen gas sensor and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20190212293A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of fabricating mask for forming wood grain patterns

Номер патента: US20090155482A1. Автор: Min Su Kim,Jong Seo Park. Владелец: Moltex Yangsan Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Actuatable optical device, method of fabricating the device, and use of a magnetic substance

Номер патента: US20210221059A1. Автор: Harald Giessen,Simon Thiele,Chris Jung,Alois M. Herkommer. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Rotary magnetic recording/reproducing apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: EP1037200A3. Автор: Shun Kayama,Junichi Ogasawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-04.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20070231715A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-04.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20110244376A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of fabricating three-dimensional structure and method of manufacturing substrate with spacer

Номер патента: US20090244126A1. Автор: Kazuaki Okamori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of fabricating a device, device, and deposition apparatus

Номер патента: WO2024132142A1. Автор: Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim,Alexander Everardus Maria SMINK. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Dendrimer delivery system and methods of use thereof

Номер патента: AU2022221454B2. Автор: Kannan Rangaramanujam,Siva Pramodh Kambhampati,Rishi Sharma,Zhi Zhang,Sujatha Kannan,Anjali Sharma. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: US12117630B2. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP4439156A2. Автор: Mauro MELLI, Christophe PEROZ, Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Systems, assemblies, and methods of fabrication of radio-frequency coil assemblies of a magnetic resonance system

Номер патента: US20240369656A1. Автор: Jana M. Vincent,Fraser J.L. Robb. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Chute for cement truck and method of fabricating a chute for a cement truck

Номер патента: US09925690B2. Автор: Sylvain Morrissette. Владелец: Groupe PPD Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of fabricating COA type liquid crystal display panels and COA type liquid crystal display panels

Номер патента: US09897882B1. Автор: JI Li,Xiaolong Ma. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same

Номер патента: US09857502B2. Автор: Myoung Soo Ahn,Myung Jun Kim,Yun Gu Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of fabricating a glass ribbon

Номер патента: US09790121B2. Автор: Sean Matthew Garner,Xinghua Li,Anatoli Anatolyevich Abramov,James William Brown,Chester Hann Huei Chang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a composite material casing for a gas turbine engine, and a casing obtained thereby

Номер патента: US09784122B2. Автор: Antoine Jean-Philippe BEAUJARD,Elric Georges Andre Fremont. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of fabricating a precoated steel plate

Номер патента: US09676061B2. Автор: Aurelien Pic,Rene Vierstraete,Pascal Verrier,Bernd Thommes,Wolfram Ehling,Jean-Francois Canourgues. Владелец: ArcelorMittal France SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a liquid crystal polymer film

Номер патента: US09617205B2. Автор: Nelson V. Tabirian,Sarik R. Nersisyan,Brian R. Kimball,Diane M. Steeves,Rafael O Vergara. Владелец: Beam Engineering for Advanced Measurements Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of fabricating photonic crystal

Номер патента: US09593429B2. Автор: Moon Gyu Han,Chul-joon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a foamed, injection molded component with improved ductility and toughness

Номер патента: US09555564B2. Автор: Xiaofei Sun,Lih-Sheng Turng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

Radial shaft sealing ring, and method of fabricating a radial shaft sealing ring

Номер патента: US09441736B2. Автор: Wolfgang Schmitt. Владелец: BRUSS Sealing Systems GmbH. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of producing high-density pellet powder

Номер патента: RU2655362C2. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Юрий Владимирович Алексеев,Татьяна Александровна Енейкина,Любовь Анатольевна Чистякова,Наталья Николаевна Ермилова,Елена Александровна Абакумова,Роза Фаттыховна Гатина. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химических продуктов" (ФКП "ГосНИИХП"). Дата публикации: 2018-05-25.

Method of fabricating a magnetic head having a CPP sensor with ELG fabrication and a partially milled stripe height

Номер патента: US20080186626A1. Автор: Ying Hong,David John Seagle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Toner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080057429A1. Автор: YOSHIAKI Akazawa,Yoshinori Yamamoto,Masao Suzuki,Satoshi Ogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of preparation of products which absorb water intermolecularly

Номер патента: WO1999021897A1. Автор: George N. Valkanas. Владелец: Innoval Management Limited. Дата публикации: 1999-05-06.

Method of fabricating a fluid ejection device having a data storage structure

Номер патента: US7669314B2. Автор: Satya Prakash,James A Feinn,Lawrence White,Terry Mcmahon,Donald W Schulte,Adam Ghozeil. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-03-02.

Magnetic recording medium, magnetic recording device, and method of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: US20040131893A1. Автор: Junichi Sato,Kunio Kojima,Hiroshi Fuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-08.

A truss and a method of fabricating same

Номер патента: WO2001096679A1. Автор: Murray Ellen. Владелец: Bigspace Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: US20030040180A1. Автор: Leigh Canham,Christopher Reeves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: EP1242334A1. Автор: Leigh Trevor Canham,Christopher Leslie Reeves. Владелец: pSiMedica Ltd. Дата публикации: 2002-09-25.

Method of fabricating a bare aluminum conductor

Номер патента: US20040211588A1. Автор: Graham Stratford,Rosaire Begin,Danny Elder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US7856128B2. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2010-12-21.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US20070230751A1. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of fabricating optical fiber preform

Номер патента: US20090211300A1. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US20240337780A1. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US12135445B2. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of fabricating probe cards including nanotubes

Номер патента: US09851378B2. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Wentworth Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating wavelength conversion device

Номер патента: US09606420B2. Автор: Keisuke Ota. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of printing on plates

Номер патента: RU2598308C2. Автор: Дитер ДЁРИНГ. Владелец: Кроноплюс Техникаль АГ. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabrication of nickel strip

Номер патента: RU2561629C2. Автор: Теодор ШТУТ. Владелец: Теодор ШТУТ. Дата публикации: 2015-08-27.

Cylindrical paper drum and method of fabricating the same

Номер патента: EP1136249B1. Автор: Motoharu Kasuya. Владелец: Taiyo Sealpack Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Sheet member, high-density region-containing sheet manufacturing method and disposable diaper using sheet member

Номер патента: EP2039504A4. Автор: Satoru Sakaguchi. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Adjustable Width Steam Box For Fabric Processing And Method Of Using The Same

Номер патента: US20140033560A1. Автор: Barry Defoy Miller,Mark Troy West. Владелец: Tubular Textile Machinery Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Adjustable width steam box for fabric processing and method of using the same

Номер патента: US9365965B2. Автор: Barry Defoy Miller,Mark Troy West. Владелец: Tubular Textile Machinery Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of fabricating test probe

Номер патента: WO2024136242A1. Автор: Donghoon Park,Chaeyoon Lee,Seungha BAEK,Jinsik SON. Владелец: LEENO INDUSTRIAL INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a mailbox

Номер патента: US20040244176A1. Автор: James Madara,Charles Lanyon,Richard Shreiner. Владелец: Spring City Electrical Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of determining a concentration of hydrogen gas with a hydrogen gas sensor

Номер патента: US20200064304A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-02-27.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1487751A1. Автор: Ranjan Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. SEN,Mrinmay Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAL,Mukul C. Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAUL,Shyamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. BHADRA,Somesh Cent. Glass & Ceramic Res.Inst CHATTERJEE,Kamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. DASGUPTA. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-12-22.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: WO2003082756A1. Автор: Mrinmay Pal,Ranjan Sen,Mukul Chandra Paul,Shyamal Kumar Bhadra,Kamal Dasgupta,Somesh Chatterjee. Владелец: Ministry Of Information Technology. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of fabricating inkjet nozzles having associated ink priming features

Номер патента: US20070080133A1. Автор: Kai Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Mode size converters and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2015176024A1. Автор: Jibin Sun,Haipeng Zhang,Sandeep Razdan,Nicola PUGLIANO, (Nick). Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of fabricating liquid crystal display

Номер патента: US20020036737A1. Автор: Hyeon Son,Ku Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Method of fabricating a printhead having isolated nozzles

Номер патента: US20060209134A1. Автор: Kia Silverbrook,Gregory Mcavoy. Владелец: KIA SILVERBROOK AND GREGORY JOHN MCAVOY. Дата публикации: 2006-09-21.

Inkjet printhead and method of fabricating color filter

Номер патента: US20070037075A1. Автор: Sang-Il Kim,Seung-Joo Shin,Sung-Woong Kim,Jung-yong Lee,Kye-Si Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of Fabricating a Uranium-Bearing Foil

Номер патента: US20100282375A1. Автор: Jackie G. Gooch,Amy L. DeMint. Владелец: Babcock and Wilcox Technical Services Y 12 Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627516A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Blank mask and method of fabricating the same

Номер патента: US20240345467A1. Автор: Tae Wan Kim,Tae Young Kim,Hyung Joo Lee,Min Gyo Jeong,Geon Gon LEE. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Variable immersion lobe mixer for turbofan jet engine exhaust and method of fabricating the same

Номер патента: US09995245B2. Автор: Mustafa Dindar,Vaughn Ray Kunze. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating a mask using common bias values in optical proximity correction

Номер патента: US09952499B2. Автор: Moon-gyu JEONG,So-Rang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09803587B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating scaffold for tissue engineering

Номер патента: US09795710B2. Автор: Katsuyuki Yamanaka,Yusuke Shigemitsu,Yuuhiro Sakai. Владелец: GC Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09753201B2. Автор: Min Hyuck KANG,Su Mi LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating a composite engineered wood material floor board

Номер патента: US09616650B2. Автор: Francois Roy. Владелец: BOA-FRANC SENC. Дата публикации: 2017-04-11.

Polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09594200B2. Автор: Tae Woo Kim,Seung Won Park,Dae Ho Yoon,Moon Gyu LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09587582B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of fabricating graphene using alloy catalyst

Номер патента: US09359211B2. Автор: Hyun-Jong Chung,Sun-Ae Seo,David Seo,Jin-Seong Heo,Yun-sung Woo,Sae-ra Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of fabrication of billets of coins

Номер патента: RU2383657C2. Автор: Адриан КЕМПСТЕР. Владелец: Диффьюжн Эллойс Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Bonding technique of fabric units for paper manufacturing and duck fabric to each other, manufactured by these methods

Номер патента: RU2334034C2. Автор: Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ,Джозеф Дж. О`КОННОР,Чарлз И. КРАМЕР,Морис ПАКУИН,Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ (US),Чарлз И. КРАМЕР (US),Джозеф Дж. О`КОННОР (US),Морис ПАКУИН (US). Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of producing pgm-enriched alloy

Номер патента: RU2722840C1. Автор: Феликс ШТОФФНЕР,Крис ХОББС. Владелец: ХЕРАЕУС ПРЕШИС МЕТАЛС НОРТ АМЕРИКА ЭлЭлСи.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabrication of cooling plate and cooling plate fabricated by this method

Номер патента: RU2338790C2. Автор: Никола МУСЕЛЬ,Ги ТИЙЕН,Роберт ШМЕЛЕР. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of individual quantitative evaluation of development of coronary heart disease

Номер патента: RU2642923C1. Автор: Александр Михайлович Дыгай,Михаил Юрьевич Котловский,Ольга Сергеевна Котловская,Юрий Васильевич Котловский,Наталья Валерьевна Аксютина,Лариса Юрьевна Котловская,Анна Владимировна Якименко,Инесса Юрьевна Якимович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Томский национальный исследовательский медицинский центр Российской академии наук" (Томский НИМЦ). Дата публикации: 2018-01-29.

Method of manufacturing a heat-resistant filled high density foam

Номер патента: RU2651156C1. Автор: Евгений Владимирович Седов,Ирина Юрьевна Андреева,Галина Васильевна Котко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2018-04-18.

Method of fabricating inert anode for production of aluminium by means of electrolisis in melt

Номер патента: RU2336369C2. Автор: Арман ГАБРИЭЛЬ,Вероник ЛОРАН. Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of fabricating a liquid crystal display device and a liquid crystal display device

Номер патента: US20220197084A1. Автор: Michel Sagardoyburu,Simon Springer. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for fabricating a hydrophobic coating for corrosion protection

Номер патента: US20200140697A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-05-07.

Hydrophobic coating for corrosion protection and method of fabrication

Номер патента: WO2019010300A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of fabricating resistive touch panel

Номер патента: US20080001868A1. Автор: Chun-Hao Wang,Chien-Chung Kuo. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Apparatus for and method of generating optical recording pulse

Номер патента: US20020114246A1. Автор: Jin gyo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of fabricating a catalyst converter

Номер патента: US20020133947A1. Автор: Yasuhiro Nogami,Fumihisa Yamaguchi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating a composite membrane containing a metal ion adsorbent

Номер патента: US20150034860A1. Автор: Lin-Hsiang Huang,Wein-Duo Yang,Zen-Ja Chung. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2015-02-05.

Shaped fabric banks and a method of producing a fabric product

Номер патента: GB2597586A. Автор: Johnson Simon,GROVER Shruti. Владелец: Pattern Project Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

A method of fabricating a cantilever structure and a cantilever structure

Номер патента: WO2010011186A9. Автор: Yee Chong Loke,Kuan Song Yeong,Erik Johansson Cox. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2010-04-22.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating foil brazing member

Номер патента: US20070090158A1. Автор: Sumio Susa,Haruhiko Watanabe,Masaki Harada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve

Номер патента: US5324549A. Автор: Katsumi Adachi,Akitsugu Hatano,Takashi Hayakawa,Shiro Narikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of fabricating suspended beam in a MEMS process

Номер патента: US20070082422A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Fluid ejection devices and methods of fabrication

Номер патента: WO2008013748A1. Автор: Jeremy Harlan Donaldson,Bradley D. Chung,Michael Hager,Thomas R. Strand. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of Fabricating High Light Transmission Zirconia Blanks for Milling Into Natural Appearance Dental Appliances

Номер патента: US20160332918A1. Автор: Robin A. Carden. Владелец: James R Glidewell Dental Ceramics Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of fabricating magnetic head slider including partial removal step of protecting film

Номер патента: US20100291294A1. Автор: Kunihiro Ueda,Hong Xin Fang,Dong Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Woven irrigation tubing, apparatus and method of making same

Номер патента: US20220372674A1. Автор: Michael Mitchell. Владелец: Delta Plastics Of South. Дата публикации: 2022-11-24.

Woven Irrigation Tubing, Apparatus and Method of Making Same

Номер патента: US20220080685A1. Автор: Michael Mitchell. Владелец: Delta Plastics Of South. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20050066512A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Sure Foot Ind Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20060123618A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Robot skin apparatus, method of fabricating a robot skin apparatus, and a system including a robot skin apparatus

Номер патента: US20230130680A1. Автор: ZHONG YANG,Dan O. Popa,Joshua R. Baptist,Mohammad Nasser Saadatzi,Ruoshi Zhang. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627517A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of fabricating high light transmission zirconia blanks for milling into natural appearance dental appliances

Номер патента: WO2013181018A2. Автор: Robin A. Carden. Владелец: James R. Glidewell Dental Ceramics, Inc.. Дата публикации: 2013-12-05.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024126496A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024125774A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabrication polymer waveguide

Номер патента: US09910217B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a timepiece component and component obtained from this method

Номер патента: US12124223B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Clare Golfier,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabrication of laminates of elastic material suitable for dielectric elastomer sensing

Номер патента: US09816800B2. Автор: Benjamin Marc O'brien,Todd Alan Gisby,Antoni Edward HARBUZ,Samuel SCHLATTER. Владелец: Stretchsense Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating high light transmission zirconia blanks for milling into natural appearance dental appliances

Номер патента: US09790129B2. Автор: Robin A. Carden. Владелец: James R Glidewell Dental Ceramics Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Touch sensor including nanowire array and method of fabricating the same

Номер патента: US09740323B2. Автор: Myung-Han Yoon,Jaehyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating reflective photomask

Номер патента: US09726970B2. Автор: Choong Han RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of predicting high risk of formation of adeno-tonsillar system chronic pathology in rri children

Номер патента: RU2548782C1. Автор: Татьяна Александровна Нагаева,Елена Александровна Фурманова. Владелец: государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО СибГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2015-04-20.

Method of monitoring protective efficiency of high-efficiency particulate air filter of biological safety cabinet

Номер патента: RU2443996C1. Автор: Владимир Андрианович Алёшкин,Станислав Степанович Афанасьев,Андрей Владимирович Алешкин,Елена Александровна Воропаева,Халил Мингалиевич Галимзянов,Олег Васильевич Рубальский,Максим Станиславович Афанасьев,Денис Станиславович Афанасьев,Валерий Васильевич Григорьев,Галина Валерьевна Григорьева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию (ГОУ ВПО АГМА Росздрава). Дата публикации: 2012-02-27.

Method of preparing applied catalysts by method of pulse surface thermal synthesis

Номер патента: RU2549906C1. Автор: Юлия Сергеевна Котолевич,Павел Григорьевич Цырульников,Андрей Николаевич Загоруйко,Сергей Алексеевич Лопатин,Светлана Сергеевна Сигаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2015-05-10.

An Improved Method of Driving Paddle Wheel Steamers.

Номер патента: GB190823600A. Автор: Christoph Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-01.

The method of amplitude-phase modulation of a high-frequency signal and device for its implementation

Номер патента: RU2014144650A. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-27.

The method of cleaning the wires of a high voltage power line using a squib with remote control

Номер патента: RU2016136119A. Автор: Александр Васильевич Дегтярев. Владелец: Александр Васильевич Дегтярев. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of and systems for adding a high viscosity gypsum additive to a post-mixer aqueous dispersion of calcined gypsum

Номер патента: ZA200708577B. Автор: James R Wittbold,Song W David. Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 2008-11-26.

Method of producing lactic acid from high-lignin fibrous material source

Номер патента: MY169346A. Автор: Yang-Cheng Kuo,Chun-An Wang,Gia-Luen Guo,Wen-Song Hwang,Shou-Fu Yuan,Teng-Chieh Hsu. Владелец: Institute Of Nuclear Energy Res Atomic Energy Council Executive Yuan. Дата публикации: 2019-03-21.

Improvements in or relating to methods of applying a layer containing a high-melting point metal to a ceramic article

Номер патента: AU4606964A. Автор: JOHANNES BOYDEN JOHANNES THEODORUS KLOMP and ADRIANUS JOHANNES CORNELL VANDER VEN THEODOOR PETER JOHANNES BOYDEN. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-23.

Method of producing exposure masks mth a high contrast

Номер патента: AU1154166A. Автор: HENNINGS and HANS JURGEN SCHUTZE KLAUS. Владелец: . Дата публикации: 1968-03-28.

Method of producing exposure masks mth a high contrast

Номер патента: AU410038B2. Автор: HENNINGS and HANS JURGEN SCHUTZE KLAUS. Владелец: . Дата публикации: 1968-03-28.

Improvements in or relating in methods of manufacturing glass articles having a high mechanical strength

Номер патента: AU288984B2. Автор: Cornelissen Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1973-05-22.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass articles having a high mechanical strength

Номер патента: AU5388465A. Автор: Cornelissen Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1966-07-14.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass articles having a high mechanical strength

Номер патента: AU4611364A. Автор: Cornelissen Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1966-01-06.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass articles having a high mechanical strength

Номер патента: AU291774B2. Автор: Cornelissen Johannes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1966-07-14.

Integration fabrication method of a CMOS device with a high-k layer

Номер патента: TW200625541A. Автор: Chih-Wei Yang,Cheng-Tzung Tsai,Wen-Tai Chiang,Wei-Min Lin,Yi-Sheng Hsieh,Wei Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

Method of producing magnetic material having a high initial permeability

Номер патента: AU1281847A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1947-08-14.

Method of producing magnetic material having a high initial permeability

Номер патента: AU140200B2. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1947-08-14.

Method and apparatus for prepping surfaces with a high-frequency forced pulsed waterjet

Номер патента: CA2672441C. Автор: Mohan M. Vijay,Andrew Hung Tieu,Wenzhuo Yan,Bruce R. Daniels. Владелец: VLN Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-11.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

Operation of a high speed paper making machine

Номер патента: CA1202806A. Автор: Victor E. Hansen. Владелец: Jwi Ltd. Дата публикации: 1986-04-08.

Contact assembly for high voltage fuse and method of assembly thereof

Номер патента: CA1087226A. Автор: Bruce A. Biller,Henry W. Scherer. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 1980-10-07.

Modular system and method of classification and classification pre-pallettization of high density of storage and modular equipment of classification and grouping corresponding preparedness

Номер патента: BR102016002002A2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2017-08-01.

STRUCTURE, DESIGN STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A STRUCTURE HAVING VIAS AND HIGH DENSITY CAPACITORS

Номер патента: US20120061801A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of producing thin-wall conjugated parts from high-density polyethylene

Номер патента: SU771125A1. Автор: Валентин Михайлович Листков,Иосиф Элюкимович Шехтмейстер. Владелец: Предприятие П/Я В-2913. Дата публикации: 1980-10-15.

INFRARED RETROREFLECTING DEVICE USED FOR A HIGH-ASPECT-RATIO OPTICAL TOUCH PANEL, THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND A HIGH-ASPECT-RATIO TOUCH PANEL USING SUCH DEVICE

Номер патента: US20120097854A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

An infrared retroreflecting device used for a high-aspect-ratio optical touch panel, the method of manufacturing the same and a high-aspect-ratio touch panel using such device

Номер патента: TW201043997A. Автор: Lok-Man Ng. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-12-16.

Improvements in the Means for and Methods of Humidifying the Air of Rooms.

Номер патента: GB189919013A. Автор: Edward Turner Whitelow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-08-11.

The method of obtaining portland cement with a high content of Alita

Номер патента: SU63267A1. Автор: П.П. Будников. Владелец: П.П. Будников. Дата публикации: 1943-11-30.

The method of cleaning the wires of a high voltage power line using a squib with remote control

Номер патента: RU2017133172A. Автор: Александр Васильевич Дегтярев. Владелец: Александр Васильевич Дегтярев. Дата публикации: 2017-12-29.

Method of determination of components of a high-temperature superconductor

Номер патента: SU1682920A1. Автор: Анатолий Иванович Каменев,Ирина Петровна Витер. Владелец: Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1991-10-07.

Method of adjusting the speed of a high frequency alternator for wireless telegraphy

Номер патента: FR569231A. Автор: . Владелец: Societe Francaise Radio Electrique. Дата публикации: 1924-04-09.

The method of blocking the inclusion of a high-voltage switch of the power facility

Номер патента: SU513444A1. Автор: Сергей Яковлевич Петров,Георгий Александрович Славин,Нормунд Евгеньевич Рибель,Татьяна Николаевна Мамонтова. Владелец: Ордена Октябрьской Революции Всесоюзный Государственный Проектно-Изыскательский И Научно-Исследовательский Институт Энергетических Систем И Электрических Сетей "Энергосетьпроект". Дата публикации: 1976-05-05.

METHOD OF KERATOPLASTY IN PATIENTS WITH A HIGH RISK OF TRANSPLANT REFUSION

Номер патента: RU2003129112A. Автор: Аркадий Александрович Каспаров,Ирина Викторовна Аладинская,Сергей Владимирович Труфанов,Вартан Рафаэлович Мамиконян,Аркадий Александрович Каспаров (RU),Ирина Викторовна Аладинска (RU),Сергей Владимирович Труфанов (RU),н Вартан Рафаэлович Мамикон (RU). Владелец: Аркадий Александрович Каспаров (RU). Дата публикации: 2005-03-27.

SYSTEM AND METHOD OF TRANSISTOR SWITCH BIASING IN A HIGH POWER SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20120007654A1. Автор: Fuh Hanching,Lam Lui (Ray). Владелец: SIGE SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD OF PRODUCING AN INDUCTOR WITH A HIGH INDUCTANCE

Номер патента: US20120131792A1. Автор: Tseng Shih-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

SPRAY NOZZLE ASSEMBLY FOR GAS DYNAMIC COLD SPRAY AND METHOD OF COATING A SUBSTRATE WITH A HIGH TEMPERATURE COATING

Номер патента: US20120193450A1. Автор: Kay Albert,Karthikeyan Jeganathan. Владелец: ASB INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

SYSTEM AND METHOD OF TRANSISTOR SWITCH BIASING IN A HIGH POWER SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20120202438A1. Автор: Huang Chun-Wen Paul,Doherty Mark,Antognetti Philip Michael. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor Device and Method of Forming an IPD over a High-Resistivity Encapsulant Separated from other IPDS and Baseband Circuit

Номер патента: US20120292738A1. Автор: Lin Yaojian,Chen Kang,Fang Jianmin,Cao Haijing. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-11-22.

SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING A STRUCTURE WITH A HIGH PERFORMANCE METAL ALLOY

Номер патента: US20130094919A1. Автор: Bishop Stephen K.,Swenson Stephen S.,Wilson Crystal L.,Lemond Paulette D.. Владелец: Bell Helicopter Textron Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD OF MEASURING PRINCIPLE PRESSURE IN A HIGHLY CONCENTRATED HETEROGENEOUS SYSTEM

Номер патента: SU381738A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-05-22.

Method of mobile watering pastures from a high-volume water source

Номер патента: SU120054A1. Автор: З.И. Метельский,С.Л. Миркин. Владелец: С.Л. Миркин. Дата публикации: 1958-11-30.

A method of preparing antishock polypropylene having a high ethylene content

Номер патента: CN106565882A. Автор: 王兴仁,笪文忠,徐宏彬,杭卫军,刘克,柴子斌. Владелец: Sinopec Yangzi Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-19.

METHOD OF MEASURING HYDROSTATIC PRESSURE IN A HIGH PRESSURE CHAMBER

Номер патента: SU1766162A1. Автор: А.С. Ким. Владелец: Пермский государственный университет им.А.М.Горького. Дата публикации: 2000-04-20.

The method of conditioning coal waste with a high moisture and ash content

Номер патента: RU2015146807A. Автор: Михаил Викторович Темлянцев,Евгений Валентинович Протопопов,Марк Борисович Школлер,Степан Александрович Казимиров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2017-05-18.

Improvements in or relating to methods of applying a layer containing a high-melting point metal to a ceramic article

Номер патента: AU285926B2. Автор: JOHANNES BOYDEN JOHANNES THEODORUS KLOMP and ADRIANUS JOHANNES CORNELL VANDER VEN THEODOOR PETER JOHANNES BOYDEN. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-23.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric.

Номер патента: GB201518419D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2015-12-02.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF EVALUATING REPRODUCE SIGNAL AND OPTICAL DISC DEVICE

Номер патента: US20120002526A1. Автор: Minemura Hiroyuki,Eto Soichiro,Kurokawa Takahiro,Kusaba Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating helical rotor pump stator

Номер патента: RU2325557C1. Автор: Виталий Григорьевич Тамурка,Аркадий Николаевич Карпов,Александр Владимирович Алтынов,Марина Владимировна Алтынова,Олег Аркадьевич Карпов,Виталий Григорьевич Тамурка (RU),Александр Владимирович Алтынов (RU),Марина Владимировна Алтынова (RU),Аркадий Николаевич Карпов (RU),Олег Аркадьевич Карпов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное научно-конструкторское бюро" (ФГУП "ЦНКБ"). Дата публикации: 2008-05-27.

Method of achieving combination of high hardness and crack resistance of high-density nanostructured tungsten carbide articles

Номер патента: RU2548252C2. Автор: Юрий Вячеславович Благовещенский,Владимир Николаевич Чувильдеев,Сергей Викторович Шотин,Максим Сергеевич Болдин,Никита Владимирович Сахаров,Алексей Владимирович Нохрин,Анна Владимировна Москвичева,Наталья Вячеславовна Исаева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2015-04-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Composite based on aluminosilicate glass ceramics and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2534229C2. Автор: Людмила Алексеевна Орлова,Наталья Васильевна Попович,Анна Сергеевна Чайникова,Евгений Геннадьевич Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

Detection method of dna of tuberculosis causative agent with simultaneous identification of its genotype and determination of genetic determinants of multiple and wide drug resistance, oligonucleotide microchip, set of primers and set of oligonucleotide probes, which are used in method

Номер патента: RU2562866C1. Автор: Дмитрий Александрович Грядунов,Данила Вадимович Зименков. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Молекулярной Биологии Им. В.А. Энгельгардта Российской Академии Наук (Имб Ран). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of producing carbon-carbon composite material based on carbon fibre filler and carbon matrix

Номер патента: RU2568495C1. Автор: Сергей Анатольевич Колесников,Михаил Юрьевич Бамборин,Дмитрий Владимирович Ярцев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2015-11-20.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of high resolution electrostatic transfer of a high density image to a nonporous and nonabsorbent conductive substrate

Номер патента: CA1295652C. Автор: David P. Bujese,Gary W. Schmidt. Владелец: Olin Hunt Specialty Products Inc. Дата публикации: 1992-02-11.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of gravity concentration and device to this end

Номер патента: RU2511310C1. Автор: Виктор Витальевич Кармазин,Владимир Александрович Измалков,Петр Николаевич Лобов,Магомедгаджи Магомедович Раджабов,Евгений Яковлевич Тагунов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Магнетит". Дата публикации: 2014-04-10.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of automatic balancing adjustment of rotors

Номер патента: RU2234068C1. Автор: В.М. Козин. Владелец: Институт машиноведения и металлургии ДВО РАН. Дата публикации: 2004-08-10.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rapidly quantifying hydroxymethylated DNA

Номер патента: US20120003663A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of fabric production

Номер патента: RU2516855C2. Автор: Сергей Борисович Шилов. Владелец: Сергей Борисович Шилов. Дата публикации: 2014-05-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ISOLATION AND PURIFICATION OF TRYPSIN FROM PRONASE PROTEASE AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003691A1. Автор: Tauer Christa,Mitterer Artur,Reiter Manfred,Mundt Wolfgang. Владелец: Baxter Healthcare S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20120004322A1. Автор: . Владелец: MORINAGA & CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.