Structure of flash memory
Номер патента: US20030006451A1
Опубликовано: 09-01-2003
Автор(ы): Kent Chang
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-01-2003
Автор(ы): Kent Chang
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Flash memory process with high voltage LDMOS embedded
Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.