System to enable photolithography on severe structure topologies
Номер патента: US20020168589A1
Опубликовано: 14-11-2002
Автор(ы): Eric Johnson, Michael Harley-Stead
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-11-2002
Автор(ы): Eric Johnson, Michael Harley-Stead
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nanoscale sensor, system to manufacture the sensor, and method to manufacture the sensor
Номер патента: US20170356867A1. Автор: Thomas Michael Daunais. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-14.