Procede de fabrication d'un circuit integre comprenant des transistors mos moyenne tension
Номер патента: FR2624653A1
Опубликовано: 16-06-1989
Автор(ы): Philippe Boivin
Принадлежит: SGS Thomson Microelectronics SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-06-1989
Автор(ы): Philippe Boivin
Принадлежит: SGS Thomson Microelectronics SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
Номер патента: EP4386826A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-19.