• Главная
  • Bistable physical unclonable function circuit based on subthreshold leakage current deviation

Bistable physical unclonable function circuit based on subthreshold leakage current deviation

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bistable physical unclonable function circuit based on subthreshold leakage current deviation

Номер патента: US20240137019A1. Автор: Gang Li,Hao YE,Pengjun WANG,Yuanfeng Xie. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2024-04-25.

Stability-enhanced physically unclonable function circuitry

Номер патента: US09577637B2. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Physically unclonable function design

Номер патента: US09966954B1. Автор: Kaiyuan Yang,David Theodore Blaauw,Dennis Michael Chen Sylvester. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated physical unclonable function device

Номер патента: US12052376B2. Автор: Benoit Froment,Jean-Marc Voisin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Physically unclonable function using materials and devices

Номер патента: US11507703B2. Автор: Saptarshi Das,Akhil DODDA. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-11-22.

Integrated physical unclonable function device

Номер патента: US20210377058A1. Автор: Benoit Froment,Jean-Marc Voisin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-12-02.

Physically unclonable function using materials and devices

Номер патента: US20210103681A1. Автор: Saptarshi Das,Akhil DODDA. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-08.

Physically unclonable circuit having a programmable input for improved dark bit mask accuracy

Номер патента: US09806719B1. Автор: Vikram B. Suresh,Sanu K. Mathew,Sudhir K. Satpathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with leakage current compensating circuit

Номер патента: EP1657615A2. Автор: Masaru NEC Electronics Corp. Hasegawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-17.

Flip-flop circuit and leakage current suppression circuit utilized in a flip-flop circuit

Номер патента: US20110241745A1. Автор: Shen-Iuan Liu,Yun-Ta TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-10-06.

System and method for generating and authenticating a physically unclonable function

Номер патента: US20210250188A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-12.

Connected synthetic physically unclonable function

Номер патента: US20210234710A1. Автор: Sylvain Guilley,Adrien FACON. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2021-07-29.

Physical unclonable function device with phase change

Номер патента: US11844293B2. Автор: Takashi Ando,Franco Stellari,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Current-mode puf circuit based on reference current source

Номер патента: US20190097632A1. Автор: Gang Li,Pengjun WANG,Huihong ZHANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated circuits with reduced leakage current

Номер патента: WO2007022491A2. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Novelics. Дата публикации: 2007-02-22.

On-chip power regulator for ultrta low leakage current

Номер патента: WO2006026627A2. Автор: Ge Song,Yuwen Wang,Chengyun Gao,Yihe Huang. Владелец: Fangtek, Inc.. Дата публикации: 2006-03-09.

A passive leakage management circuit for a switch leakage current

Номер патента: US20170230043A1. Автор: Peter James Handy,Nicholas George Tembe. Владелец: GE Aviation Systems Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

A passive leakage management circuit for a switch leakage current

Номер патента: EP3180857A1. Автор: Peter James Handy,Nicholas George Tembe. Владелец: GE Aviation Systems Ltd. Дата публикации: 2017-06-21.

A passive leakage management circuit for a switch leakage current

Номер патента: WO2016023841A1. Автор: Peter James Handy,Nicholas George Tembe. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2016-02-18.

Puf circuit based on ztc point of mosfet

Номер патента: US20160079982A1. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-03-17.

Physically unclonable function device

Номер патента: US12143108B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-11-12.

Generating physical unclonable function data from a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20240113715A1. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US09628080B2. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US20140002172A1. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

SR flip-flop based physical unclonable functions for hardware security

Номер патента: US11861050B2. Автор: Srinivas Katkoori,Rohith Prasad Challa,Sheikh Ariful Islam. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods and devices for measuring leakage current

Номер патента: US20220057446A1. Автор: Pravesh Kumar Saini,Shashawat. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-02-24.

Reconfigurable multi-port physical unclonable functions circuit

Номер патента: US20140266296A1. Автор: Jianrui LI,Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for generating a physical unclonable function response

Номер патента: WO2022106491A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2022-05-27.

Method for generating a physical unclonable function response

Номер патента: EP4248610A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-09-27.

Memory in logic physical unclonable function

Номер патента: US11671100B2. Автор: Swarup Bhunia,Christopher Vega,Shubhra Deb Paul. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for generating a physical unclonable function response

Номер патента: US20230344656A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Physically unclonable function device

Номер патента: US20220321124A1. Автор: Jimmy Fort,Mathieu Lisart,Nicolas Borrel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-10-06.

Physically unclonable function device

Номер патента: US11804842B2. Автор: Jimmy Fort,Mathieu Lisart,Nicolas Borrel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory in logic physical unclonable function

Номер патента: US20220077858A1. Автор: Swarup Bhunia,Christopher Vega,Shubhra Deb Paul. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Environmentally dependent physically unclonable function device

Номер патента: US12052377B2. Автор: Michael Beck,Timothy John Palmer. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2024-07-30.

Lightweight secure physically unclonable functions

Номер патента: US20110050279A1. Автор: Farinaz Koushanfar,Miodrag Potkonjak. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2011-03-03.

Physically unclonable function cell and operation method of same

Номер патента: US11967351B2. Автор: Chia-Che Chung,Chee-Wee Liu,Ya-Jui Tsou,Chia-Jung TSEN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-04-23.

Physically unclonable function cell and operation method of the same

Номер патента: US20240212732A1. Автор: Chia-Che Chung,Chee-Wee Liu,Ya-Jui Tsou,Chia-Jung TSEN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

Physically unclonable function device

Номер патента: US11374569B2. Автор: Jimmy Fort,Mathieu Lisart,Nicolas Borrel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-06-28.

Physically unclonable function device

Номер патента: US20220052691A1. Автор: Jimmy Fort,Mathieu Lisart,Nicolas Borrel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-02-17.

Physical unclonable function (PUF)-based method for enhancing system reliability

Номер патента: US11626881B2. Автор: Zhigang JI,Yongkang Xue. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-04-11.

Physical unclonable function (puf)-based method for enhancing system reliability

Номер патента: US20220085817A1. Автор: Zhigang JI,Yongkang Xue. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-03-17.

Environmentally dependent physically unclonable function device

Номер патента: GB2617279A. Автор: Beck Michael,John Palmer Timothy. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2023-10-04.

Multi-port PUF circuit based on NMOS zero temperature coefficient point

Номер патента: US09948464B1. Автор: Gang Li,Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Huihong ZHANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-04-17.

Physical unclonable function circuit structure

Номер патента: US20180191353A1. Автор: CHAO Yue,Gang Chen,Yan HOU,Linlin Su,Jinggang Sheng,Yimin Ding,Qiulin Xu. Владелец: Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Temperature compensation of analog cmos physically unclonable function for yield enhancement

Номер патента: EP4402804A1. Автор: Krishna Shivaram. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-24.

A supply voltage and temperature insensitive physically unclonable function circuit

Номер патента: WO2020068205A1. Автор: Rachel PARKER,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

Supply voltage and temperature insensitive physically unclonable function circuit

Номер патента: US20200106625A1. Автор: Kuan-Yueh Shen,Rachael Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Toothed-rack physical unclonable function

Номер патента: US09608634B1. Автор: Randal Scott Williamson,Gary Allen Denton. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Temperature compensation of analog cmos physically unclonable function for yield enhancement

Номер патента: WO2023044197A1. Автор: Krishna Shivaram. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-03-23.

Stable probing-resilient physically unclonable function (PUF) circuit

Номер патента: US09515835B2. Автор: Sanu K. Mathew,Sudhir K. Satpathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Temperature compensation of analog CMOS physically unclonable function for yield enhancement

Номер патента: US11888467B2. Автор: Krishna Shivaram. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-30.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Authenticatable device with reconfigurable physical unclonable functions

Номер патента: US09806718B2. Автор: John Ross Wallrabenstein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Low off-leakage current switch

Номер патента: US20220393645A1. Автор: Kerry Brent Phillips,Yukihisa Handa,Matthew Thomas Juszkiewicz. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Injection-Molded Physical Unclonable Function

Номер патента: US20190143570A1. Автор: James Paul Drummond,Gary Allen Denton,Kelly Ann Killeen. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US11849054B2. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Injection-Molded Physical Unclonable Function

Номер патента: US20190143569A1. Автор: James Paul Drummond,Gary Allen Denton,Kelly Ann Killeen. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US20240089125A1. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrierte Schaltung für eine Physically Unclonable Function und Verfahren zu deren Betrieb

Номер патента: DE102021105189A9. Автор: Sungung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US20210399905A1. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Photovoltaic inverter and leakage current detection apparatus

Номер патента: EP4435454A1. Автор: Yufang Xiao,Hui Shi,Tianqi HU,Libin HUI,Chengfei SUN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Detection and compensation of multiplexer leakage current

Номер патента: WO2011028247A2. Автор: Jason Harold Rud,Andrew James Bronczyk,Charles Edwin Goetzinger. Владелец: Rosemount Inc.. Дата публикации: 2011-03-10.

Leakage current detection device for appliances

Номер патента: US09535106B2. Автор: Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Oscillator based on leakage current delay unit

Номер патента: LU502411B1. Автор: Guohao Zhang,Kai Yu,Dingxin LI,Sizhen Li. Владелец: Synergy Innovation Inst Of Gdut Heyuan. Дата публикации: 2023-07-10.

Leakage current-based delay circuit

Номер патента: US09667241B2. Автор: Bum-man Kim,Tae-Young Chung,Jaesup Lee,Dae-Chul JEONG. Владелец: Poshtech Academy-Industry Foundation. Дата публикации: 2017-05-30.

Leakage current detection device for appliances

Номер патента: US20160252557A1. Автор: Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Leakage current detection circuit and leakage current comparison circuit

Номер патента: US20100188121A1. Автор: Gun-Ok Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Leakage current detection circuit and leakage current comparison circuit

Номер патента: US7705656B2. Автор: Gun-Ok Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Leakage current detection circuit and leakage current comparison circuit

Номер патента: US20070025030A1. Автор: Gun-Ok Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

Capacitor charging circuit with low sub-threshold transistor leakage current

Номер патента: US20140197806A1. Автор: Anand Kumar Sinha,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

Leakage current compensation circuit

Номер патента: US9163954B2. Автор: Yannick Guedon,Chee Weng Cheong. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Shutdown mode for bandgap and bias circuit with voltage comparator to reduce leakage current

Номер патента: US11942779B2. Автор: Bang Li LIANG,Tom Taoufik Bourdi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device including functional circuits

Номер патента: US9438226B2. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including functional circuits

Номер патента: US09438226B2. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

GOA circuit based on the LTPS and a display apparatus

Номер патента: US9805675B2. Автор: Yafeng Li,Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Goa circuit based on the ltps and a display apparatus

Номер патента: US20170124970A1. Автор: Yafeng Li,Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Leakage-current compensation

Номер патента: US20220038090A1. Автор: David Hany Gaied MIKHAEL,Bernd Hans GERMANN,Ricardo DOLDAN LORENZO. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Level shift driver circuit capable of reducing gate-induced drain leakage current

Номер патента: US09548122B2. Автор: Po-Hao Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Leakage current compensated system

Номер патента: US7545200B2. Автор: Eugene J. Kreda. Владелец: Xinetics Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Leakage current detection circuit and fluxgate driver

Номер патента: EP4075150A1. Автор: Kang-Shuo Chang,I-Cheng Lu. Владелец: Isentek Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Physically unclonable function circuit using resistive memory device

Номер патента: US09916884B2. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Cryptographic device having physical unclonable function

Номер патента: US20180241557A1. Автор: Geert Jan Schrijen,Roel Maes,Erik Van Der Sluis. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2018-08-23.

Cryptographic device having physical unclonable function

Номер патента: EP3332402A1. Автор: Geert Jan Schrijen,Roel Maes,Erik Van Der Sluis. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2018-06-13.

Physical Unclonable Function Device and Operation Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20240171411A1. Автор: Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US11895236B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20210167957A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20240171384A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Physical unclonable function device and operation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290401A1. Автор: Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Secure physically unclonable function (PUF) error correction

Номер патента: US09703989B1. Автор: Bruce Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Physically unclonable function (puf) generation

Номер патента: US20240305481A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Cheng-En Lee,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Secure physically unclonable function (puf) error correction

Номер патента: US20170295015A1. Автор: Bruce Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Physically unclonable function with precharge through bit lines

Номер патента: US20210328817A1. Автор: Jeffrey L. Sonntag,Gang Yuan,Hatem M. Osman. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Physically unclonable function (puf) generation

Номер патента: US20210314175A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Cheng-En Lee,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Physically unclonable function (PUF) generation

Номер патента: US12022014B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Cheng-En Lee,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Fast soft data by detecting leakage current and sensing time

Номер патента: US09589655B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir,Namoh Hwang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

An adc circuit based signal digitization device and method thereof

Номер патента: US20230370078A1. Автор: Xiao Han,Zhi Zhang,Rongzhao TANG. Владелец: Suzhou Mi Tu Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multiplication and accumulation circuit based on radix-4 booth code and differential weight

Номер патента: US12112143B2. Автор: Rui Xiao,Kejie Huang,Haibin Shen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-08.

Low power consumption integrating circuit based on adaptive current regulation

Номер патента: US20200201371A1. Автор: Fang Tang. Владелец: Chongqing Paixinruwei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Compensation device for leakage currents

Номер патента: US20210099005A1. Автор: Daniel Spesser,Tim Pfizenmaier. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2021-04-01.

Power amplification circuit based on envelope tracking technology and design method

Номер патента: EP4451557A1. Автор: QIN Xia,Jinlong RUAN. Владелец: Shaanxi Reactor Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Enhanced cyclical redundancy check circuit based on galois-field arithmetic

Номер патента: US09935653B2. Автор: Mark A. Schmisseur,Sivakumar Radhakrishnan,Sin S. Tan,Kenneth C. Haren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Device and method of detecting leakage current generation condition in usb interface

Номер патента: US20210088599A1. Автор: Je-kook Kim,Eun-Hye Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Fast soft data by detecting leakage current and sensing time

Номер патента: US9881678B2. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir,Namoh Hwang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Fast soft data by detecting leakage current and sensing time

Номер патента: US20170133098A1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir,Namoh Hwang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Photovoltaic Inverter and Leakage Current Detection Apparatus

Номер патента: US20240339914A1. Автор: Yufang Xiao,Hui Shi,Tianqi HU,Libin HUI,Chengfei SUN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Square-function circuit

Номер патента: WO2009023719A3. Автор: Qunying Li. Владелец: Qunying Li. Дата публикации: 2009-04-23.

Square-function circuit

Номер патента: US20090045865A1. Автор: Qunying Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Square-function circuit

Номер патента: WO2009023719A2. Автор: Qunying Li. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Phase Lock Loop Circuit Based Signal Generation in an Optical Measurement System

Номер патента: US20220116048A1. Автор: Sebastian SORGENFREI,Ryan Field,Bruno Do Valle,Jacob Dahle,Rong Jin. Владелец: HI LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Phase Lock Loop Circuit Based Signal Generation in an Optical Measurement System

Номер патента: US20210297084A1. Автор: Sebastian SORGENFREI,Ryan Field,Bruno Do Valle,Jacob Dahle,Rong Jin. Владелец: HI LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

System and method for leakage current control for programmable gain amplifiers

Номер патента: US09729117B2. Автор: Chandrashekar Reddy. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus and methods for amplifier input-overvoltage protection with low leakage current

Номер патента: US12132452B2. Автор: Arthur J. Kalb,Yoshinori Kusuda. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Driver output pad leakage current compensation

Номер патента: US20130088276A1. Автор: Sumantra SETH,Jagdish Chand Goyal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Filter circuit based on a mos field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US20190067272A1. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Physically unclonable functions

Номер патента: GB2599634A. Автор: Steven Wright Craig,Owen Davies Jack. Владелец: nChain Holdings Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

On-chip finFET structures to implement physical unclonable function for security application

Номер патента: US09666582B1. Автор: Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Tolerant of absolute offsets physical unclonable function device

Номер патента: US20170134175A1. Автор: Michael Chen,Wei-Che Wang,Joseph P. Skudlarek. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Image sensors with a physical unclonable function

Номер патента: US20220132062A1. Автор: Peter SPIESSENS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-04-28.

Device and method with physical unclonable function

Номер патента: US09502356B1. Автор: Pirooz Parvarandeh. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Secure data storage based on physically unclonable functions

Номер патента: US09646178B2. Автор: Edwin Kan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Physically unclonable functions based on non-linearity

Номер патента: WO2013184562A1. Автор: Michael Orshansky. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2013-12-12.

Physical unclonable function based mutual authentication and key exchange

Номер патента: US12047519B2. Автор: YUE Zheng,Wenye Liu,Chip Hong CHANG. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus to create a physically unclonable function

Номер патента: US12050495B2. Автор: Clive Bittlestone,Manish Goel,Joyce Kwong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Countermeasures to frequency alteration attacks on ring oscillator based physical unclonable functions

Номер патента: US20190384915A1. Автор: Laszlo Hars. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-12-19.

Optical physical uncloneable function

Номер патента: US09729317B2. Автор: Fedor Pikus. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method, apparatus and system to compensate for drift by physically unclonable function circuitry

Номер патента: US09501664B1. Автор: Jason Hamlet. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Physically unclonable function pattern matching for device identification

Номер патента: EP3053297A1. Автор: Xu Guo,Yafei Yang,David Merrill Jacobson,Brian Marc Rosenberg,Adam John Drew. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-10.

Systems and methods for authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US09621359B2. Автор: Scott Edward Jones,Christophe Tremlet. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Physical unclonable function device and method

Номер патента: US20240296253A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: US09489999B2. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Resistor based physical unclonable function

Номер патента: EP4354793A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Jose Bernardo Din. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-04-17.

Manufacturer cloneable physical uncloneable functions

Номер патента: EP4241418A1. Автор: Catherine White,Samuel CATER. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2023-09-13.

Method and apparatus for binding stacked die using a physically unclonable function

Номер патента: US20180262353A1. Автор: Sebastien Riou. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-09-13.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: WO2016085629A1. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Method, chip, and system for managing a physically unclonable function chip public key

Номер патента: US20240297799A1. Автор: Yannick Teglia,Alexandre BERZATI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-09-05.

Cryptographic key configuration using physical unclonable function

Номер патента: US20240305455A1. Автор: Didier Hunacek,Jerome Perrine,Marco Macchetti. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-09-12.

Physically unclonable function generating systems and related methods

Номер патента: US09985791B2. Автор: Bertrand Cambou. Владелец: Northern Arizona University. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing a helical physical unclonable function

Номер патента: US09524456B1. Автор: Adam Jude Ahne. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Identification of devices using physically unclonable functions

Номер патента: EP2191410A2. Автор: Pim T. Tuyls,Jorge Guajardo Merchan,Geert J. Schrijen,Shankaran S. Kumar. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Identification of devices using physically unclonable functions

Номер патента: WO2009024913A4. Автор: Pim T. Tuyls,Jorge Guajardo Merchan,Geert J. Schrijen,Shankaran S. Kumar. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2010-03-18.

Manufacturer cloneable physical uncloneable functions

Номер патента: WO2022096403A1. Автор: Catherine White,Samuel CATER. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2022-05-12.

Physical unclonable function with improved start-up behavior

Номер патента: EP2625640A1. Автор: Geert Jan Schrijen,Pim Theo Tuyls,Erik Van Der Sluis,Petrus Wijnandus Simons. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2013-08-14.

Magnetic helical physical unclonable function measured adjacent to flight

Номер патента: US09665748B1. Автор: Roger Steven Cannon,Graydon Randall Dodson,Adam Jude Ahne. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnetic helical physical unclonable function measured above flight

Номер патента: US09542576B1. Автор: Graydon Randall Dodson,Adam Jude Ahne. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

3d printed physically unclonable wireless systems (puws)

Номер патента: US20220278856A1. Автор: Huseyin Arslan,Gokhan Mumcu. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2022-09-01.

Method and apparatus to provide memory based physically unclonable functions

Номер патента: US20200403813A1. Автор: Manoj Sachdev,Vikram B. Suresh,Sanu K. Mathew,Sudhir K. Satpathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US20210351943A1. Автор: Robert Abbott,Peter Noel,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Edible unclonable functions

Номер патента: US20240146547A1. Автор: Young L KIM,Jung Woo LEEM. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Edible unclonable functions

Номер патента: EP4045010A1. Автор: Jung Woo LEEM,Young L. Kim. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-08-24.

Optical fiber generating in use a physical unclonable function

Номер патента: WO2024000066A1. Автор: Raman Kashyap,Frédéric MONET. Владелец: POLYVALOR, LIMITED PARTNERSHIP. Дата публикации: 2024-01-04.

Authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US11777747B2. Автор: Robert Abbott,Peter Noel,Saman M. I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Secure authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US11700246B2. Автор: Christophe Tremlet. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US20230396452A1. Автор: Robert Abbott,Peter Noel,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Edible unclonable functions

Номер патента: WO2021076217A1. Автор: Jung Woo LEEM,Young L. Kim. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods and apparatus to derive and verify virtual physical unclonable keys

Номер патента: EP4199415A1. Автор: Boon Khai Ng,Tat Kin Tan,Siew Chin Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Reliability enhancement methods for physically unclonable function bitstring generation

Номер патента: US20170364709A1. Автор: James Plusquellic. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-12-21.

Challenge-response protocol based on physically unclonable functions

Номер патента: US20230379175A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2023-11-23.

Challenge-response protocol based on physically unclonable functions

Номер патента: EP4183104A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2023-05-24.

Physical unclonable function for mram structures

Номер патента: US20210305499A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Security device including physical unclonable function cells and operation method thereof

Номер патента: US20200358609A1. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Secure authentication based on physically unclonable functions

Номер патента: US20230353550A1. Автор: Christophe Tremlet. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Device security with physically unclonable functions

Номер патента: US20200219085A1. Автор: Yue Yang,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Kamran Sharifi,Max Joseph Guise,Bertram Leesti. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Generating an identity for a computing device using a physical unclonable function

Номер патента: EP3949257A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Physically unclonable function circuit and key enrolling method thereof

Номер патента: KR20160065297A. Автор: 김용수,최윤혁,이용기,카르핀스키보단. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-09.

Physically unclonable functions storing response values on a data store

Номер патента: US20230362019A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Automatic self checking and healing of physically unclonable functions

Номер патента: WO2022170142A1. Автор: Yan He,Kaiyuan Yang. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2022-08-11.

Security device including physical unclonable function cells and operation method thereof

Номер патента: US20200396069A1. Автор: Sung Ung Kwak,Sungkyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Encoder and decoder using physically unclonable functions

Номер патента: US11818248B2. Автор: Siarhei ZALIVAKA,Alexander IVANIUK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Physically unclonable functions

Номер патента: WO2022069132A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2022-04-07.

Automatic self checking and healing of physically unclonable functions

Номер патента: US20240106664A1. Автор: Yan He,Kaiyuan Yang. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2024-03-28.

Security device including physical unclonable function cells and operation method thereof

Номер патента: US11418332B2. Автор: Sung Ung Kwak,Sungkyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Device security with physically unclonable functions

Номер патента: US20230401561A1. Автор: Yue Yang,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Kamran Sharifi,Max Joseph Guise,Bertram Leesti. Владелец: Block Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

One time programmable anti-fuse physical unclonable function

Номер патента: EP4107906A1. Автор: Xiaojun LU. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Monitoring a physical unclonable function

Номер патента: EP4162645A1. Автор: William Holland,Jonathan Hurwitz,George Spalding. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-04-12.

Authentication system and device including physical unclonable function and threshold cryptography

Номер патента: EP3265943A1. Автор: John Ross Wallrabenstein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-01-10.

Physical unclonable functions related to inverter trip points

Номер патента: US20190165953A1. Автор: Joseph Shor,Roi Levi,Yoav Weizman. Владелец: BAR ILAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-30.

Systems and methods using physically unclonable functions without a challenge-response database

Номер патента: US20240056317A1. Автор: Daniel Gauthier,Andrew Joseph POMERANCE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

Authentication system and device including physical unclonable function and threshold cryptography

Номер патента: US09946858B2. Автор: John Ross Wallrabenstein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Physically unclonable functions

Номер патента: US20240015033A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-01-11.

Optical interferometric-based physically unclonable function device

Номер патента: US11889001B2. Автор: A. Matthew Smith. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2024-01-30.

Magnetic helical physical unclonable function measured above flight

Номер патента: CA3027363C. Автор: Adam J. Ahne,Graydon R. Dodson. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Correcting physical unclonable function errors based on short integers solutions to lattice problems

Номер патента: US11804971B2. Автор: Chiraag Juvekar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of implementing a physical unclonable function

Номер патента: US20230327891A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and methods of physically unclonable function (puf)-based key derivation function

Номер патента: EP4327502A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-28.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US11984160B2. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Resistor based physical unclonable function

Номер патента: US20240121113A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Jose Bernardo Din. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-04-11.

Physical unclonable function configuration and readout

Номер патента: WO2022028927A1. Автор: William Holland,Jonathan Hurwitz,George Spalding. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-02-10.

Physical unclonable function configuration and readout

Номер патента: EP4162643A1. Автор: William Holland,Jonathan Hurwitz,George Spalding. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-04-12.

Physically unclonable all-printed carbon nanotube network

Номер патента: US11948709B2. Автор: Jin-Woo Han,Meyya Meyyappan,Dong-il MOON. Владелец: UNIVERSITIES SPACE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2024-04-02.

Cryptographic device comprising a physical unclonable function

Номер патента: EP3207539A1. Автор: Erik Van Der Sluis,Marten VAN HULST. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2017-08-23.

Method of implementing a physical unclonable function

Номер патента: EP4218198A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-08-02.

Physically unclonable function device

Номер патента: US12015723B2. Автор: Michael Beck,Timothy John Palmer. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2024-06-18.

Printed physical unclonable function patterns

Номер патента: US12014534B2. Автор: Biby Esther Abraham,Warren Jackson,Ethan Shen,Yujie Zhu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of implementing a physical unclonable function

Номер патента: WO2019081138A1. Автор: Benjamin Duval,Alexandre BERZATI,Olivier FOURQUIN. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2019-05-02.

Challenge screening method for improving stability of strong physical unclonable function

Номер патента: US20240171412A1. Автор: Ziyu Zhou,Yijian Shi,Hao YE,Pengjun WANG. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods, protocols, and apparatuses of quantum physical unclonable functions

Номер патента: US20240333536A1. Автор: Yuping Huang,Lac Thi Thanh NGUYEN. Владелец: Stevens Institute of Technology . Дата публикации: 2024-10-03.

Physically unclonable function assisted memory encryption device techniques

Номер патента: US09875378B2. Автор: Olivier Jean BENOIT,Rosario Cammarota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Physical unclonable function using augmented memory for challenge-response hashing

Номер патента: US09787481B2. Автор: Daniel E. Holcomb,Kevin Fu. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-10-10.

Elongated physical unclonable function

Номер патента: US09608828B1. Автор: James Paul Drummond,Randal Scott Williamson,Gary Allen Denton,Brian Anthony Reichert. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Physically unclonable function and helper data indicating unstable bits

Номер патента: US09584329B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Fast cryptographic key generation from memristor-based physical unclonable computed functions

Номер патента: US20210314176A1. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Northern Arizona University. Дата публикации: 2021-10-07.

Physically unclonable all-printed carbon nanotube network

Номер патента: US20220310289A1. Автор: Jin-Woo Han,Meyya Meyyappan,Dong-II MOON. Владелец: UNIVERSITIES SPACE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2022-09-29.

Physical unclonable function (PUF) security key generation

Номер патента: US11856115B2. Автор: Peter Noel,Shih-Lien Linus Lu,Saman M. I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Physically unclonable all-printed carbon nanotube network

Номер патента: US20200194149A1. Автор: Jin-Woo Han,Meyya Meyyappan. Владелец: UNIVERSITIES SPACE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2020-06-18.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US20230267998A1. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Device security with physically unclonable functions

Номер патента: US11775958B2. Автор: Yue Yang,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Kamran Sharifi,Max Joseph Guise,Bertram Leesti. Владелец: Block Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Highly reliable physically unclonable function

Номер патента: US11784142B1. Автор: Jinwoo Park,Hyungjin Kim. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated Circuit Provisioning Using Physical Unclonable Function

Номер патента: EP2874135A3. Автор: Heyun Zheng,Paul D. Ducharme. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2015-05-27.

Isa accessible physical unclonable function

Номер патента: EP4156006A1. Автор: Prashant Dewan,Vedvyas Shanbhogue,Siddhartha Chhabra,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Physically unclonable function (puf) generation

Номер патента: US20190058603A1. Автор: Chih-Yu Lin,Shih-Lien Linus Lu,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Asymmetric Device Attestation Using Physically Unclonable Functions

Номер патента: US20190305973A1. Автор: Prashant Dewan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Cryptographic key configuration using physical unclonable function

Номер патента: US11985236B2. Автор: Didier Hunacek,Jerome Perrine,Marco Macchetti. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2024-05-14.

Cryptographic key configuration using physical unclonable function

Номер патента: US20210160065A1. Автор: Didier Hunacek,Jerome Perrine,Marco Macchetti. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2021-05-27.

Identification of devices using physically unclonable functions

Номер патента: WO2009024913A9. Автор: Pim T. Tuyls,Jorge Guajardo Merchan,Geert J. Schrijen,Shankaran S. Kumar. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2010-06-03.

Physical unclonable function (puf) security key generation

Номер патента: US20240089127A1. Автор: Peter Noel,Shih-Lien Linus Lu,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Optical interferometric-based physically unclonable function device

Номер патента: US20200304320A1. Автор: A. Matthew Smith. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-09-24.

Asymmetric device attestation using physically unclonable functions

Номер патента: US11825000B2. Автор: Prashant Dewan,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Physical unclonable function device and method

Номер патента: US12001593B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Correcting physical unclonable function errors based on short integers solutions to lattice problems

Номер патента: EP3952203A1. Автор: Chiraag Juvekar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Optical physical unclonable function based on multimode optical waveguide

Номер патента: EP3658970A2. Автор: Dimitris Syvridis,Charis MESARITAKIS. Владелец: Eulambia Advanced Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-06-03.

Manufacturer cloneable physical uncloneable functions

Номер патента: US20230412401A1. Автор: Catherine White,Samuel CATER. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2023-12-21.

Encoding variables using a physical unclonable function module

Номер патента: EP4060932A1. Автор: David Garcia POLO. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-09-21.

Cryptographic key configuration using physical unclonable function

Номер патента: EP3815296A1. Автор: Didier Hunacek,Jerome Perrine,Marco Macchetti. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2021-05-05.

Cryptographic key configuration using physical unclonable function

Номер патента: WO2020002146A1. Автор: Didier Hunacek,Jerome Perrine,Marco Macchetti. Владелец: Nagravision S.A.. Дата публикации: 2020-01-02.

Asymmetric Device Attestation Using Physically Unclonable Functions

Номер патента: US20220271955A1. Автор: Prashant Dewan,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Temperature independent physically unclonable function device

Номер патента: US12034876B2. Автор: Michael Beck,Timothy John Palmer. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2024-07-09.

Error correction circuit for physical unclonable function (puf) circuit

Номер патента: US20190065734A1. Автор: Xiaoxu Yao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-02-28.

Physically unclonable function based on a phase change material array

Номер патента: US12099616B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Secure chip with physically unclonable function

Номер патента: US09570403B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Secure key storage using physically unclonable functions

Номер патента: US09544141B2. Автор: Anand Rajan,Ram Krishnamurthy,Ernie Brickell,Jiangtao Li,Roel Maes,Sanu K Mathew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Defense against attacks on ring oscillator-based physically unclonable functions

Номер патента: US09444618B1. Автор: Stephen M. Trimberger,Austin H Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

System for generating a cryptographic key from a memory used as a physically unclonable function

Номер патента: US09430406B2. Автор: Erik Van Der Sluis,Marten VAN HULST. Владелец: Intrinsic ID BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Physically unclonable function (PUF) with improved error correction

Номер патента: US09396357B2. Автор: Vincent Van Der Leest,Bart Karel Benedikt PRENEEL,Erik Van Der Sluis. Владелец: Intrisic Id BV. Дата публикации: 2016-07-19.

Physically unclonable functions using pulse width chaotic maps

Номер патента: US11811954B2. Автор: Seth D. Cohen. Владелец: Kratos SRE Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Physically unclonable functions using pulse width chaotic maps

Номер патента: US20220353095A1. Автор: Seth D. Cohen. Владелец: Kratos SRE Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Physically unclonable functions using pulse width chaotic maps

Номер патента: US20240129142A1. Автор: Seth D. Cohen. Владелец: Kratos SRE Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method, chip, and system for managing a physically unclonable function chip public key

Номер патента: EP4268218A1. Автор: Yannick Teglia,Alexandre BERZATI. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-11-01.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US11869852B2. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-01-09.

Reliability enhancement methods for physically unclonable function bitstring generation

Номер патента: EP3234857A1. Автор: James Plusquellic. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-10-25.

Challenge response based enrollment of physical unclonable functions

Номер патента: EP2456121A2. Автор: Ventzislav Nikov,Philippe Teuwen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-23.

Survey mechanism for a physically unclonable function

Номер патента: US20210328818A1. Автор: Jeffrey L. Sonntag. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Physically unclonable function-based key management system and method of operating the same

Номер патента: TWI769961B. Автор: 劉用翔,吳孟益,楊青松. Владелец: 熵碼科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-01.

Physical unclonable function encoder

Номер патента: US11632256B2. Автор: Gary Allen Denton,Scott Richard Castle,Robert Henry Muyskens,Samuel Leo Rhodus. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Physically unclonable functions storing response values on a blockchain

Номер патента: US20230370288A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Physical unclonable functions with silicon-rich dielectric devices

Номер патента: US11935843B2. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

Photoresist collapse method for forming a physical unclonable function

Номер патента: US20160071742A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Kai D. Feng,Zhijian Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Printed physical unclonable function patterns

Номер патента: EP4074516A1. Автор: Biby Esther Abraham,Warren Jackson,Ethan Shen,Yujie Zhu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Technologies for physically unclonable functions with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2018063570A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Embedded test circuit for physically unclonable function

Номер патента: WO2017001650A1. Автор: Jean-Luc Danger,Sylvain Guilley,Rachid DAFALI,Florent Lozac'h. Владелец: SECURE-IC SAS. Дата публикации: 2017-01-05.

Embedded test circuit for physically unclonable function

Номер патента: US10855476B2. Автор: Jean-Luc Danger,Sylvain Guilley,Rachid DAFALI,Florent Lozac'h. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2020-12-01.

Selbst-test einer physical unclonable function

Номер патента: WO2014048631A1. Автор: Rainer Falk. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2014-04-03.

Optical physically unclonable functions

Номер патента: WO2023217469A1. Автор: Catherine White. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2023-11-16.

Compact and reliable physical unclonable function devices and methods

Номер патента: US20190229933A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Device of physically unclonable function with floating gate transistors, and manufacturing method

Номер патента: US11546177B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-03.

Elongated physical unclonable function

Номер патента: US20170104601A1. Автор: James Paul Drummond,Randal Scott Williamson,Gary Allen Denton,Brian Anthony Reichert. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Temperature independent physically unclonable function device

Номер патента: US20220239505A1. Автор: Michael Beck,Timothy John Palmer. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2022-07-28.

Physically unclonable function device

Номер патента: EP3725027A1. Автор: Edward Leigh BEAN,Gaishun SERGEY. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2020-10-21.

Physically unclonable function device

Номер патента: CA3123502A1. Автор: Edward Leigh BEAN,Gaishun SERGEY. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2019-06-20.

Physically unclonable function device

Номер патента: US11469910B2. Автор: SERGEY Gaishun,Edward Leigh BEAN. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2022-10-11.

Reducing helper data size for physical unclonable function device

Номер патента: US11917089B2. Автор: Björn FAY. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-27.

Physical unclonable function using message authentication code

Номер патента: WO2019125720A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for fabricating physically unclonable function device

Номер патента: US20230260827A1. Автор: Ping-Chia Shih,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Ching-Hua Yeh,I-Hsin Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Device authentication using a physically unclonable functions based key generation system

Номер патента: EP2939171A1. Автор: Jiangtao Li,Patrick Koeberl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Method and unique cryptographic device with a physically unclonable function

Номер патента: US20140376717A1. Автор: Marco Macchetti,Claudio Favi. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2014-12-25.

Adjustable physical unclonable function

Номер патента: US20180294981A1. Автор: Oliver Willers. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-10-11.

Isa accessible physical unclonable function

Номер патента: EP4020180A1. Автор: Prashant Dewan,Vedvyas Shanbhogue,Siddhartha Chhabra,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Reconfigurable in-memory physically unclonable function

Номер патента: US20230046138A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Isa accessible physical unclonable function

Номер патента: EP4020182A1. Автор: Prashant Dewan,Siddhartha Chhabra,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Isa accessible physical unclonable function

Номер патента: EP4020877A1. Автор: Prashant Dewan,Siddhartha Chhabra,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US20200381372A1. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-03.

Physical unclonable functions with silicon-rich dielectric devices

Номер патента: US20210175185A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-10.

Physically unclonable functions storing response values on a blockchain

Номер патента: EP4183103A1. Автор: Craig Steven WRIGHT,Jack Owen DAVIES. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2023-05-24.

Physical unclonable function failure protection and prediction

Номер патента: US20230344624A1. Автор: Sourin Sarkar,Vamshikrishna KOMURAVELLI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Multi-state unclonable functions and related systems

Номер патента: EP3377977A1. Автор: Bertrand Francis Cambou,Fatemeh Afghah. Владелец: Northern Arizona University. Дата публикации: 2018-09-26.

Physically Unclonable Function device

Номер патента: GB2624089A. Автор: Palmer Tim,Beck Mike. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2024-05-08.

Physical unclonable function using message authentication code

Номер патента: US20190199525A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Reducing helper data size for physical unclonable function device

Номер патента: US20230094237A1. Автор: Björn FAY. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Monitoring of a local environment using a physical unclonable function

Номер патента: EP4346161A1. Автор: Eckhard Grass,Ulrich Rührmair,Lara WIMMER. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2024-04-03.

ISA accessible physical unclonable function

Номер патента: US12022013B2. Автор: Prashant Dewan,Siddhartha Chhabra,Baiju Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Physical unclonable functions with silicon-rich dielectric devices

Номер патента: US20240213182A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods, protocols, and apparatuses of quantum physical unclonable functions

Номер патента: EP4374360A1. Автор: Yuping Huang,Lac Thi Thanh NGUYEN. Владелец: Stevens Institute of Technology . Дата публикации: 2024-05-29.

Erzeugung einer Physically Unclonable Function (PUF)

Номер патента: DE102018118782A1. Автор: Chih-Yu Lin,Shih-Lien Lu,Chien-Chen Lin,Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Method and system for detecting an attack on a physically unclonable function (puf)

Номер патента: US20210099314A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-04-01.

Physical unclonable function using augmented memory for challenge-response hashing

Номер патента: US10038564B2. Автор: Daniel E. Holcomb,Kevin Fu. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-07-31.

Multi-state unclonable functions and related systems

Номер патента: US20170141929A1. Автор: Bertrand Francis Cambou,Fatemeh Afghah. Владелец: Northern Arizona University. Дата публикации: 2017-05-18.

Temperature independent physically unclonable function device

Номер патента: GB2621658A. Автор: Beck Michael,John Palmer Timothy. Владелец: TTP Plc. Дата публикации: 2024-02-21.

Monitoring a physical unclonable function

Номер патента: WO2022028928A1. Автор: William Holland,Jonathan Hurwitz,George Spalding. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-02-10.

Reusing memory arrays for physically unclonable function (puf) generation

Номер патента: EP4362021A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Reusing memory arrays for physically unclonable function (PUF) generation

Номер патента: US12001674B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Reliability and accuracy in physically unclonable device

Номер патента: US20200119931A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Reusing memory arrays for physically unclonable function (puf) generation

Номер патента: US20240143167A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Random number generator that includes physically unclonable circuits

Номер патента: US20180293052A1. Автор: Vikram B. Suresh,Sanu K. Mathew,Sudhir K. Satpathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Systems and methods for hybrid physical unclonable functions

Номер патента: WO2022232115A1. Автор: Duncan L. MacFarlane,William V. Oxford,Mitchell A. Thornton. Владелец: Anametric, Inc.. Дата публикации: 2022-11-03.

Systems and methods for hybrid physical unclonable functions

Номер патента: AU2022266767A1. Автор: Duncan L. MacFarlane,William V. Oxford,Mitchell A. Thornton. Владелец: Anametric Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for hybrid physical unclonable functions

Номер патента: EP4331177A1. Автор: Duncan L. MacFarlane,William V. Oxford,Mitchell A. Thornton. Владелец: Anametric Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Differential leakage current measurement for heater health monitoring

Номер патента: CA3063951A1. Автор: Cuong Tho Huynh,Magdi A. Essawy,Dennis A. Quy. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-11-29.

Leakage current detection and protection device

Номер патента: US09871366B1. Автор: Chengli Li,Guolan Yue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-16.

Power supply for compensating for current deviation and operating method thereof

Номер патента: US10468962B2. Автор: Jaejin Lee,Jeonggyu Park,Kwansung MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Power supply for compensating for current deviation and operating method thereof

Номер патента: US20190068048A1. Автор: Jaejin Lee,Jeonggyu Park,Kwansung MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Key distribution for a physical unclonable encryption system

Номер патента: EP4256452A1. Автор: Lothar Seidemann,Holger Kai Peter JELICH. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2023-10-11.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Dual communication circuit device selecting communication circuit based on communication activity history

Номер патента: US09544418B2. Автор: Manthan Shah. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and method for detecting resistive leakage current in surge arrester

Номер патента: US11726144B2. Автор: Jeong Woo Lee,Kwang Ho Lee,Song Yop HAN. Владелец: Korea Water Resources Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Electronic protection device against earth leakage currents and related detection procedure

Номер патента: EP2208271A1. Автор: Antonio Curra',Antonio Fares. Владелец: ABB SpA. Дата публикации: 2010-07-21.

Electronic protection device against earth leakage currents and related detection procedure

Номер патента: WO2009059912A1. Автор: Antonio Curra',Antonio Fares. Владелец: ABB S.p.A.. Дата публикации: 2009-05-14.

Differential leakage current measurement for heater health monitoring

Номер патента: EP3745141A1. Автор: Cuong Tho Huynh,Dennis A. Quy,Magdi ESSAWY. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-12-02.

Photovoltaic system and leakage current control method for photovoltaic system

Номер патента: EP4064502A1. Автор: Haibin GUO,Xiaoqian Meng,Yongbin Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Secure identity card using unclonable functions

Номер патента: EP4011031A1. Автор: Martin Kaufmann. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2022-06-15.

Key distribution for a physical unclonable encryption system

Номер патента: WO2022117626A1. Автор: Lothar Seidemann,Holger Kai Peter JELICH. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2022-06-09.

Apparatus and method for compensating current deviation

Номер патента: US8981652B2. Автор: Sun Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Apparatus and method for compensating current deviation

Номер патента: US20130175935A1. Автор: Sun Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

GOA circuit based on P-type thin film transistors

Номер патента: US09786239B2. Автор: Shangcao CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT

Номер патента: US09729143B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT

Номер патента: US09640124B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT

Номер патента: US09553577B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT

Номер патента: US09552788B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT

Номер патента: US09530367B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Leakage current protection device with automatic or manual reset after power outage

Номер патента: US20210210946A1. Автор: Long Chen,Chengli Li,Guolan Yue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-08.

Leakage current detection and interruption device for power cord

Номер патента: US20200366083A1. Автор: Chengli Li,Yongsen Li,Shengyun NIE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-19.

Four-dimensional non-equilibrium hyperchaotic system and analog circuit, based on five simplest chaotic systems

Номер патента: US20170168987A1. Автор: Zhonglin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for driving led backlight driving circuit based on low-potential-end switch control

Номер патента: US20240371333A1. Автор: Jing Wang,Lingxin Kong,Guanou Yang. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

3 phase electric leakage current circuit breaker with electric shock protection

Номер патента: US09923361B2. Автор: Song-Yop Hahn. Владелец: LL CO Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Leakage-current abatement circuitry for memory arrays

Номер патента: US09542993B2. Автор: Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US11391773B2. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US20200333395A1. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Electronic circuit for compensating voltage based on auto zeroing operation

Номер патента: US20200266695A1. Автор: Hyunseok Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Led lighting circuit, temporal dimmer circuit and control method based on pwm

Номер патента: US20240023216A1. Автор: Xiaohui Zhu,Xunran JI. Владелец: Swit Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Led driving circuit based on t-shaped lamp tube

Номер патента: CA3109152C. Автор: Jianhui Chen,Yiguang Zhu,Di HUANG,Jiang XIE. Владелец: Foshan Electrical and Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

System and method for leakage current protection

Номер патента: US10749331B2. Автор: Te-Hua Lee,Wen-Ming Hsieh. Владелец: Aver Information Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

System and method for leakage current protection

Номер патента: US20180316177A1. Автор: Te-Hua Lee,Wen-Ming Hsieh. Владелец: Aver Information Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Apparatus for generating a self-check leakage current

Номер патента: EP4447246A1. Автор: FENG Lu,Han Wang,Jie Feng,Xiaohang Chen,Jianwei Tian,Yangfeng SONG,Wanlong BAI. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-10-16.

GOA circuit based on LTPS semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09935094B2. Автор: Yafeng Li,Jinfang Wu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09858880B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Adaptive antenna tuning based on measured antenna impedance

Номер патента: US09825364B2. Автор: Stephen O'driscoll. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Current clamp circuit based on BCD technology

Номер патента: US09755427B2. Автор: Yunfeng Li. Владелец: SI-EN TECHNOLOGY (XIAMEN) Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Detection of a leakage current comprising a continuous component in a vehicle

Номер патента: US09733291B2. Автор: Boris Bouchez,Pierre Sardat. Владелец: Valeo Systemes de Controle Moteur SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Leakage current detection device with self-testing function

Номер патента: US09547047B2. Автор: Chengli Li,Guolan Yue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Varistors based on nanocrystalline powders produced by mechanical grinding

Номер патента: AU8846998A. Автор: Sabin Boily,Robert Schulz,Andre Van Neste,Houshang Alamdari,Alain Joly. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 1999-03-08.

Low leakage current LED drive apparatus with fault protection and diagnostics

Номер патента: EP2161968A2. Автор: Balakrishnan V. Nair. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-10.

Device for detecting leakage current and memory device

Номер патента: US20180190360A1. Автор: Sung Whan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

An improved electronic earth leakage current device

Номер патента: EP1247319A1. Автор: Willy Schwarz,Salvatore Brandonisio,Walter Patruno,Paolo Antonello,John Samuel Beniston. Владелец: ABB Service SRL. Дата публикации: 2002-10-09.

An improved electronic earth leakage current device

Номер патента: AU2003401A. Автор: Willy Schwarz,Salvatore Brandonisio,Walter Patruno,Paolo Antonello,John Samuel Beniston. Владелец: ABB Service SRL. Дата публикации: 2001-07-16.

Power distribution for functional circuit blocks

Номер патента: US20190327004A1. Автор: Mikael Yves Marie RIEN,Subbayya Chowdary Yanamadala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Power distribution for functional circuit blocks

Номер патента: WO2019202286A1. Автор: Mikael Yves Marie RIEN,Subbayya Chowdary Yanamadala. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-24.

Leakage current blocking circuit and leakage current blocking method for decoupling capacitor

Номер патента: US11777302B2. Автор: Hung-Der Su. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Appliance with leakage current compensation

Номер патента: US12063718B2. Автор: John Kenneth Hooker. Владелец: Midea Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Ground leakage current power supply

Номер патента: US20200375009A1. Автор: Matthew B. O'Kelley,Jeffrey G. Reh. Владелец: Fabriq Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Testing procedure for evaluating diffusion and leakage currents in insulators

Номер патента: NZ561181A. Автор: Lucas Kumosa,Daniel Armentrout,Macieji Kumosa. Владелец: Univ Denver. Дата публикации: 2010-10-29.

Method for controlling lamp circuit based on temperature and amplified current and lamp circuit applying the same

Номер патента: US11805582B2. Автор: Won Seok CHAE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Output power based on communication bands

Номер патента: EP3744134A1. Автор: Cheng-Fang Lin,Ren-hao CHEN,Huai-Yung YEN,Lo-Chun TUNG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-12-02.

Leakage current detection in cable tray

Номер патента: US11914000B2. Автор: Guruprasad Narayan Solapurkar,Hemraj Keda Thorat,Anish Haridass. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Battery protection chip, polling detection circuit and method based on battery protection chip

Номер патента: US20230408592A1. Автор: ZHUO Li,Hairong Qian. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for controlling lamp circuit based on temperature and amplified current and lamp circuit applying the same

Номер патента: EP4132227A1. Автор: Won Seok CHAE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for controlling lamp circuit based on temperature and amplified current and lamp circuit applying the same

Номер патента: US20230045435A1. Автор: Won Seok CHAE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Leakage current suppression method for string-type photovoltaic system

Номер патента: AU2023339759A1. Автор: Yiming Wang,Wenping Zhang,Wanshuang LIN,Po Xu. Владелец: Ginlong Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride-based transistors having structures for suppressing leakage current

Номер патента: US20150162428A1. Автор: TAKEYA Motonobu. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Charging system capable of reducing leakage current

Номер патента: US20200180461A1. Автор: Hong Geuk PARK,Nam Koo HAN,Ho Joon Shin,Heon Young Kwak,Sang Yoo LEE. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Device for limiting leakage current of power transmission line

Номер патента: PH12019000316A1. Автор: Jin Seong LEE. Владелец: Vision Tech Inc. Дата публикации: 2020-07-13.

MOSFET with reduced leakage current

Номер патента: US5801424A. Автор: Thomas Luich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Apparatus and method for compensating for leakage current

Номер патента: GB2626078A. Автор: ENDRES Stefan,Spesser Daniel,Pfizenmaier Tim,Mayer Florian. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2024-07-10.

Control of leakage currents in systems with a plurality of parallel inverters

Номер патента: WO2013024496A1. Автор: David Martini,Massimo Valiani,Andrea Marcianesi. Владелец: Power-One Italy S.p.A.. Дата публикации: 2013-02-21.

Ground leakage current power supply for microprocessor

Номер патента: US20210400792A1. Автор: Matthew B. O'Kelley,Jeffrey G. Reh. Владелец: Fabriq Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Electrical wire having leakage current limiting function

Номер патента: US20240282487A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Electrical outlet having leakage current limiting function

Номер патента: US20240275097A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Plug having leakage current limiting function

Номер патента: US20240275095A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Movable distribution board having leakage current limiting function

Номер патента: US20240291269A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Distribution board bus bar module having leakage current limiting function

Номер патента: US20240305072A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-phase terminal block having leakage current limiting function

Номер патента: US20240305020A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit breaker terminal box having leakage current blocking function

Номер патента: US20240290564A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Leakage current detection in 3D memory

Номер патента: US09905307B1. Автор: Chang SIAU,Gopinath Balakrishnan,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Kapil Verma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Control of leakage currents in systems with a plurality of parallel inverters

Номер патента: US09866145B2. Автор: David Martini,Massimo Valiani,Andrea Marcianesi. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Leakage current detecting circuit-breaker with a flexible shield cord

Номер патента: US09640977B2. Автор: Yunxiang Wu,Suhong Li. Владелец: Hunan Xiangyi Railroad Locomotive Electric Equip. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Leakage current cancelling circuit for use with electrosurgical instrument

Номер патента: US3946738A. Автор: David W. Newton,John M. Adan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-03-30.

Power cord with a leakage current detection conductor

Номер патента: US7518063B2. Автор: Long Zhang,Chengli Li. Владелец: Shanghai ELE Manufacturing Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Circuit breaker for protection against leakage current

Номер патента: RU2741568C1. Автор: Вэйбин ЦЮ,Хунлян ВАН. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2021-01-27.

Leakage current thermostat

Номер патента: US4092520A. Автор: Richard D. Holmes,Cheng L. Wang. Владелец: Baxter Travenol Laboratories Inc. Дата публикации: 1978-05-30.

Power supply device of switching mode with leakage current protection circuit

Номер патента: US6094365A. Автор: Po-Lun Chiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-25.

Low leakage current switch controller

Номер патента: US10838446B2. Автор: Gregory Edward Babcock,Bang Li LIANG,Peter Harris Robert Popplewell. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Method and device for reducing leakage currents

Номер патента: US11289891B2. Автор: Daniel Spesser,Tim Pfizenmaier. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-03-29.

Leakage current compensating circuit for semiconductor image sensor

Номер патента: US3814849A. Автор: H Bucher,D Wartburg. Владелец: Ball Brothers Research Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Leakage current control device and related control apparatus and electrical appliance employing the same

Номер патента: US20240088648A1. Автор: Aijun Yang,Erjian SONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Relay-type leakage current protection device

Номер патента: US20210075211A1. Автор: Long Chen,Chengli Li,Shengyun NIE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-11.

Calculation method of eddy current loss in magnetic materials based on magnetic-inductance

Номер патента: US11790132B2. Автор: Wei Qin,Zheng Wang,Ming Cheng,Xinkai ZHU. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-17.

Current sampling circuit based on bridge circuit

Номер патента: EP4120530A1. Автор: Qiang He,Dinggang PING,Chenting XU,Sili TAO. Владелец: Zhejiang Ev Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Power cord with leakage current detection and interruption function

Номер патента: US11973334B2. Автор: Long Chen,Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-30.

An improved electronic earth leakage current device

Номер патента: EP1247318A1. Автор: Willy Schwarz,Salvatore Brandonisio,Walter Patruno,Paolo Antonello,John Samuel Beniston. Владелец: ABB Service SRL. Дата публикации: 2002-10-09.

Led lighting circuit, temporal dimmer circuit and control method based on pwm

Номер патента: EP4258820A1. Автор: Xiaohui Zhu,Xunran JI. Владелец: Swit Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Power cord with leakage current detection and interruption function

Номер патента: US20230268729A1. Автор: Long Chen,Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Power plug with leakage current protection and adapted to be assembled with a power cord

Номер патента: US12034257B2. Автор: Fei Lin,Xiaoming Zhang,Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with reduced memory leakage current

Номер патента: US7095074B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-22.

Enhancement-Mode GaN MOSFET with Low Leakage Current and Improved Reliability

Номер патента: US20140094005A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for reducing leakage current in a vacuum field emission display

Номер патента: US20070097567A1. Автор: Bernard Coll,Emmett Howard,Kenneth Dean,Lyndee Tisinger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Gallium nitride (gan) device with leakage current-based over-voltage protection

Номер патента: US20140054601A1. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Capacitive leakage current cancellation for heating panel

Номер патента: WO1997004622A1. Автор: Steven M. Dishop,Johan Kallgren,Donald A. Coates,Sanjay Shukla. Владелец: White Consolidated Industries, Inc.. Дата публикации: 1997-02-06.

Method for reducing leakage current in a vacuum field emission display

Номер патента: WO2007053313A3. Автор: Bernard F Coll,Kenneth A Dean,Emmett M Howard,Lyndee L Tisinger. Владелец: Lyndee L Tisinger. Дата публикации: 2008-09-25.

Reducing leakage currents in memories with phase-change material

Номер патента: US20060063297A1. Автор: Daniel Xu,Tyler Lowery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Wearable device including leakage current prevention structure

Номер патента: US20220123347A1. Автор: Jong Ook Jeong,Seung Bum CHO. Владелец: Atsens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Terminal block having leakage current restricting function

Номер патента: US20230299513A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Leakage current suppression circuit and AC-to-DC power supply incorporating the same

Номер патента: US09929635B2. Автор: Yeh Guan,I-Chao Chiu. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Controller with leakage current protection of a diode and operation method thereof

Номер патента: US09621055B2. Автор: Yi-Chuan Tsai. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

LED driving circuit for controlling leakage current

Номер патента: US9930745B1. Автор: Jun Zeng. Владелец: Dongguan Pan American Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Leakage current power supply

Номер патента: US5909365A. Автор: Dennis L. Stephens,Jeffrey D. Merwin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Multiplexer with leakage current compensation

Номер патента: US4891807A. Автор: Frederick S. Hutch. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Method for manufacturing a transistor having a low leakage current

Номер патента: US6080607A. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Sheng Shih,Chun Yen Chang,Hsiao-Yi Lin. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for the manufacture of a display screen based on thin-film transistors and capacitors

Номер патента: US4563806A. Автор: Joseph Richard,Francois Morin,Pierre Coissard. Владелец: Pierre Coissard. Дата публикации: 1986-01-14.

Detector for electric earth- leakage currents, and method of detecting such currents

Номер патента: GB2110016A. Автор: Ernest Campbell Bartle. Владелец: Bicc Plc. Дата публикации: 1983-06-08.

Leakage current monitor

Номер патента: US7532444B2. Автор: Kenneth J. Brown,Steve Campolo,Carlos G. Ramirez. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2009-05-12.

Leakage current detection and interruption device, electrical connector and electrical appliance

Номер патента: US20240097426A1. Автор: Long Chen,Chengli Li,Guolan Yue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Charging apparatus capable of reducing low-frequency leakage current

Номер патента: US20200195129A1. Автор: Hyun Wook Seong,Dong Gyun Woo,Hui Sung Jang,Gyu Tae Choi. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuits with leakage current test structure

Номер патента: US20130048980A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Motor leakage current detector, devices using same and related methods

Номер патента: US11841403B2. Автор: Philip Anthony Mayleben,Cristian Codreanu. Владелец: Wayne Scott Fetzer Co. Дата публикации: 2023-12-12.

Earth leakage breaker having leakage current limiting function

Номер патента: US11489334B2. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Four-dimensional non-equilibrium hyperchaotic system and analog circuit, based on five simplest chaotic systems

Номер патента: US10261975B2. Автор: Zhonglin Wang. Владелец: BINZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-16.

System, method and test layout for detecting leakage current

Номер патента: US20170082673A1. Автор: Fei Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-23.

Motor leakage current detector, devices using same and related methods

Номер патента: US20240168103A1. Автор: Philip Anthony Mayleben,Cristian Codreanu. Владелец: Grid Connect, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Earth leakage breaker having leakage current limiting function

Номер патента: US20210408785A1. Автор: Ho Seok Lee. Владелец: Vision Tech Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Devices, systems, and methods for reducing leakage current

Номер патента: US20240060675A1. Автор: Thomas Reed,John Hughes,James T. VerShaw,David Williams, JR.. Владелец: Trane International Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and device for provision of service based on location

Номер патента: RU2470485C2. Автор: Андреас ХОФФМАНН,Самули МАТТИЛА. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-20.

Executive device based on electroactive material

Номер патента: RU2762347C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Ахим ХИЛЬГЕРС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-12-20.

Suppression of acoustic echo based on noise environment

Номер патента: RU2464723C2. Автор: Цзиньчэн У,Джоэль А. КЛАРК. Владелец: Моторола Мобилити, Инк.. Дата публикации: 2012-10-20.

Method for analyzing surface discharge based on nonlinear characteristics of leakage current of ice-covered insulator

Номер патента: LU505915B1. Автор: Yong Liu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2024-06-27.

Identity card with physical unclonable function

Номер патента: US09495626B2. Автор: Manfred Paeschke,Olga Kulikovska,Frank Morgner,Walter Fumy. Владелец: BUNDESDRUCKEREI GMBH. Дата публикации: 2016-11-15.

Raw read based physically unclonable function for flash memory

Номер патента: US20210055912A1. Автор: Siarhei ZALIVAKA,Alexander IVANIUK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Identity card with physical unclonable function

Номер патента: WO2014060126A1. Автор: Manfred Paeschke,Olga Kulikovska,Frank Morgner,Walter Fumy. Владелец: BUNDESDRUCKEREI GMBH. Дата публикации: 2014-04-24.

Identity card with physical unclonable function

Номер патента: US09953253B2. Автор: Manfred Paeschke,Olga Kulikovska,Frank Morgner,Walter Fumy. Владелец: BUNDESDRUCKEREI GMBH. Дата публикации: 2018-04-24.

Genetic physical unclonable functions and methods of use thereof

Номер патента: US20230183749A1. Автор: Yi Li,Georgios Makris,Leonidas Bleris. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-06-15.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Genetic physical unclonable functions and methods of use thereof

Номер патента: EP4153740A2. Автор: Yi Li,Georgios Makris,Leonidas Bleris. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-29.

Genetic physical unclonable functions and methods of use thereof

Номер патента: WO2021236740A2. Автор: Yi Li,Georgios Makris,Leonidas Bleris. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-11-25.

Plasmonic physically unclonable functions

Номер патента: WO2024033416A1. Автор: Aykutlu Dana. Владелец: Meta Materials Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods and apparatus for detecting leakage current

Номер патента: EP3622305A1. Автор: Anthony Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2020-03-18.

Methods and apparatus for detecting leakage current

Номер патента: WO2018208511A1. Автор: Anthony Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods and apparatus for detecting leakage current

Номер патента: US20180321296A1. Автор: Anthony Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory system with physical unclonable function

Номер патента: US20230317160A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Optically readable physical unclonable functions

Номер патента: GB2619068A. Автор: Robinson Benjamin,Speed Phillip,James Young Robert,Ian Howarth David,Lamantia Angelo. Владелец: Quantum Base Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Genetic physical unclonable functions and methods of use thereof

Номер патента: WO2021236740A3. Автор: Yi Li,Georgios Makris,Leonidas Bleris. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory system with physical unclonable function

Номер патента: US11990183B2. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory circuit including write control unit wherein subthreshold leakage may be reduced

Номер патента: US5796650A. Автор: Thomas R. Wik,Shahryar Aryani. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Methods and apparatus for detecting leakage current

Номер патента: US20200150190A1. Автор: Anthony Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and system for designing circuit based on reinforcement learning

Номер патента: US20240220701A1. Автор: Taehyun Kim,Hyunjoong Kim,Jichull Jeong,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic host allocation of physical unclonable feature operation for resistive switching memory

Номер патента: US12087397B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reading resistive random access memory based on leakage current

Номер патента: US09583183B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Tianhong Yan,Omer FAINZILBER. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Configurable nonlinear activation function circuits

Номер патента: US20230078203A1. Автор: Ren Li,Suren Mohan,Aaron Douglass Lamb,Prajakt Kulkarni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Static leakage current and power estimation

Номер патента: US10318681B1. Автор: Fu-Hing Ho,Johnie Au. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Gate driving circuit having a low leakage current control mechanism

Номер патента: US20100085083A1. Автор: Lee-Hsun Chang,Wen-Pin Chen,Je-Hao Hsu,Chiu-Mei Yu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-08.

Leakage current detection device and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US09903901B2. Автор: Byung-Gil Jeon,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Low-power bandgap reference voltage generator using leakage current

Номер патента: US09671811B2. Автор: Jong Mi LEE,Jae Yoon Sim,Young Woo JI. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-06.

Configurable nonlinear activation function circuits

Номер патента: EP4396699A1. Автор: Ren Li,Suren Mohan,Aaron Douglass Lamb,Prajakt Kulkarni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Intelligent analysis method of leakage current data for chip classification

Номер патента: US20130191058A1. Автор: Chia-Ling Chang,Charles Hung-Pin Wen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-07-25.

Arrangement for detecting a leakage current or defect current

Номер патента: US20060114000A1. Автор: Guenter Herrmann,Frank Scholl. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2006-06-01.

Display drive method based on frame data, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240290241A1. Автор: PENG Wang,Yue DING,Yanling Liu,Yanfeng JIA,Jiehua TANG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Battery diagnosis apparatus and method for leakage current detection

Номер патента: EP4414727A1. Автор: Chung Yong Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Controlling a vehicle based on detected movement of an object

Номер патента: EP4250042A2. Автор: Chua Zarrin,Martin Kearney-Fischer. Владелец: Aurora Flight Sciences Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and apparatus for testing high-speed circuits based on slow-speed signals

Номер патента: US20020075730A1. Автор: Hua Zheng,Kamin Fei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Gate driver circuit basing on IGZO process

Номер патента: US09489907B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method For Boundary Scan Inspection And Functional Circuit Test Of Motherboard And Device Using The Same

Номер патента: US20210156912A1. Автор: Xiao-Yu Long. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Device and method for detecting a surge arrester resistive leakage current to reduce computational load

Номер патента: US20230160974A1. Автор: Kwang Ho Lee,Song Yop Hahn. Владелец: Surge Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Designing photonic integrated circuits based on arrays of inverse-designed components

Номер патента: US20230385499A1. Автор: Cyril Bortolato. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Controlling a vehicle based on detected movement of an object

Номер патента: EP3974933A1. Автор: Martin Kearney-Fischer,Zarrin Chua. Владелец: Aurora Flight Sciences Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Test data volume reduction based on test cube properties

Номер патента: US8996941B2. Автор: Janusz Rajski,Xijiang Lin. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Test Data Volume Reduction Based On Test Cube Properties

Номер патента: US20130332786A1. Автор: Janusz Rajski,Xijiang Lin. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for adjusting a reference voltage based on a band-gap circuit

Номер патента: US20130043859A1. Автор: Yves Theoduloz,Richard Stary,Petr Drechsler. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-02-21.

Path delay prediction method for integrated circuit based on feature selection and deep learning

Номер патента: US20240265190A1. Автор: Xu Cheng,Tai Yang,Peng CAO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Path delay prediction method for integrated circuit based on feature selection and deep learning

Номер патента: US12093634B2. Автор: Xu Cheng,Tai Yang,Peng CAO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-17.

Gate driver circuit basing on IGZO process

Номер патента: US09472155B2. Автор: Juncheng Xiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Interactive circuit based on the use of devices with touch screen technology

Номер патента: WO2013121453A1. Автор: Carlalberto STEFANI. Владелец: Stefani Carlalberto. Дата публикации: 2013-08-22.

Interactive circuit based on the use of devices with touch screen technology

Номер патента: EP2815368A1. Автор: Carlalberto STEFANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-24.

Operational mode control in serial-connected memory based on identifier

Номер патента: WO2009092163A1. Автор: Hong-Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-30.

Leakage Current Noise Reduction for Ionization Chamber Based Alarms

Номер патента: US20240304078A1. Автор: Arthur Eck,Jonathan Corbett,Patrick McFarland. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Leakage current noise reduction for ionization chamber based alarms

Номер патента: WO2024187185A1. Автор: Arthur Eck,Jonathan Corbett,Patrick McFarland. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Leakage current detection circuit

Номер патента: US20240125848A1. Автор: Young Kwan Lee,Suk Hwan CHOI,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG,Kyeong Hwan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Arithmetic devices for neural network including a function storage circuit and an activation function circuit

Номер патента: US11954457B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Display driving method based on frame data, and electronic device and storage medium

Номер патента: EP4177875A1. Автор: PENG Wang,Yue DING,Yanling Liu,Yanfeng JIA,Jiehua TANG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Leakage-current start-up reference circuit

Номер патента: US20150153758A1. Автор: Chao-Jen Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-06-04.

Bitline pull-up circuit for compensating leakage current

Номер патента: US20020075729A1. Автор: Jung Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Emergency braking control circuit based on coupler coupling detection

Номер патента: US11708056B2. Автор: Xun Mao,Pengcheng DAI,Juan XUE,Haixia HUANG. Владелец: CRRC Nanjing Puzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Leakage current detection device for appliances

Номер патента: US09857448B1. Автор: Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

GOA circuit based on LTPS semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09841620B2. Автор: Yafeng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09767751B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Leakage current calculation device and method for calculating leakage current

Номер патента: US09465065B2. Автор: Kenya Matsushita,Masakatsu Sawada. Владелец: Tanashin Denki Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrosurgical apparatus with dynamic leakage current compensation and dynamic rf modulation

Номер патента: EP4342404A2. Автор: Nikolay Dimitrov SHILEV,Viktor Tomov TOMOV. Владелец: Apyx Medical Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Estimating leakage currents based on rates of temperature overages or power overages

Номер патента: US20150073611A1. Автор: Alexander J. Branover,Ashish Jain. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Device leakage current model and method for extracting the same

Номер патента: US20240232468A1. Автор: Yuanyuan Wu,Qingwen Wang,Ganbing SHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Correction for stress induced leakage current in dielectric reliability evaluations

Номер патента: US20150061724A1. Автор: Ernest Y. Wu,Steven W. Mittl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

System and methods for controlling patient leakage current in a surgical system

Номер патента: US12017251B2. Автор: Patrick Cobler,Adam Darwin Downey,Scott Rhodes. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Low-leakage current sources and active circuits

Номер патента: EP1907913A2. Автор: Octavian Florescu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Low-leakage current sources and active circuits

Номер патента: WO2007002418A2. Автор: Octavian Florescu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for measuring surface leakage current of sample

Номер патента: US20020030504A1. Автор: Yoshihiro Notani,Shinichi Miyakuni,Koichiro Ito,Taisei Hirayama,Ryo Hattori,Yoshitugu Yamamoto. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Apparatus for identifying state-dependent, defect-related leakage currents in memory circuits

Номер патента: US20030098693A1. Автор: Klaus Enk. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Instrumented Bearing Incorporating a Leakage Current Collector and a Magnetic Shield

Номер патента: US20230084943A1. Автор: Etienne Vandamme. Владелец: NTN SNR Roulements SA. Дата публикации: 2023-03-16.

Low-leakage current sources and active circuits

Номер патента: WO2007002418A3. Автор: Octavian Florescu. Владелец: Octavian Florescu. Дата публикации: 2007-12-21.

Leakage current calculation device and leakage current calculation method

Номер патента: US10782359B2. Автор: Tsuyoshi Takeuchi,Takanori Kuwahara. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

System And Methods For Controlling Patient Leakage Current In A Surgical System

Номер патента: US20240299979A1. Автор: Patrick Cobler,Adam Darwin Downey,Scott Rhodes. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Fault recovery system for functional circuits

Номер патента: US12105583B2. Автор: Neha Srivastava,Hemant NAUTIYAL,Andres Barrilado Gonzalez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrosurgical apparatus with dynamic leakage current compensation and dynamic rf modulation

Номер патента: EP4342404A3. Автор: Nikolay Dimitrov SHILEV,Viktor Tomov TOMOV. Владелец: Apyx Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: EP3769308A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Electrosurgical apparatus with dynamic leakage current compensation and dynamic RF modulation

Номер патента: US11844493B2. Автор: Nikolay Dimitrov SHILEV,Viktor Tomov TOMOV. Владелец: Apyx Medical Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: US20200227094A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Configurable nonlinear activation function circuits

Номер патента: WO2023244905A1. Автор: Ren Li,Suren Mohan,Aaron Douglass Lamb,Prajakt Kulkarni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-21.

Configurable nonlinear activation function circuits

Номер патента: WO2023034698A1. Автор: Ren Li,Suren Mohan,Aaron Douglass Lamb,Prajakt Kulkarni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-09.

Modifying circuits based on timing reports for critical paths

Номер патента: US20190311085A1. Автор: Alex Raphayevich,Rina Kipnis,Vadim Liberchuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory device for reducing leakage current

Номер патента: US20200090724A1. Автор: Artur ANTONYAN,Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for physical placement of an integrated circuit based on timing constraints

Номер патента: US20070055952A1. Автор: Stephen Cadieux. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Nonlinear mass sensors based on electronic feedback

Номер патента: WO2019118233A1. Автор: George Tsu-Chih Chiu,Nikhil Bajaj,Jeffrey Frederick Rhoads. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Device and method for enhancing accuracy of detecting leakage current

Номер патента: CA3070340C. Автор: Hyun Chang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-26.

Apparatus and method for sensing leakage current of battery

Номер патента: US20110199223A1. Автор: VOLODYMYR Akimov,Ju-Hyun Kang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Memory device detecting leakage current and operation method thereof

Номер патента: US11908533B2. Автор: Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Controlling a vehicle based on detected movement of an object

Номер патента: EP4250042A3. Автор: Chua Zarrin,Martin Kearney-Fischer. Владелец: Aurora Flight Sciences Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Wearable device and method for adjusting display state based on environment

Номер патента: US20220342220A1. Автор: Shih-Min Wu,Yi-Fa Wang,Ping-Chen Ma. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Leakage current detection device for appliances

Номер патента: US20180011161A1. Автор: Chengli Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor integrated circuit with configurable setting based on temperature information

Номер патента: US11835399B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device with leakage current verifying circuit for minimizing leakage current

Номер патента: US11798642B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Switchgear leakage current monitoring system for a high voltage or medium voltage switchgear

Номер патента: EP3929607A1. Автор: Martin Stefanka,Rolf Disselnkoetter. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-12-29.

Circuit and method for reducing leakage current within an electronic system

Номер патента: US20020167351A1. Автор: Remi Gerber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Leakage current detection apparatus and detection method thereof

Номер патента: US20190064245A1. Автор: Ju-An Chiang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Correction for stress induced leakage current in dielectric reliability evaluations

Номер патента: US20120303303A1. Автор: Ernest Y. Wu,Steven W. Mittl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Wearable device and method for adjusting display state based on environment

Номер патента: US11977232B2. Автор: Shih-Min Wu,Yi-Fa Wang,Ping-Chen Ma. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

System and method for optimizing integrated circuit layout based on neural network

Номер патента: US20230186007A1. Автор: Jong Min Lee,Chang Eun JANG. Владелец: Asicland Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

System for monitoring leakage currents in high-voltage cables

Номер патента: EP4390408A1. Автор: Espen Doedens,Nils-Bertil FRISK,Quentin EYSSAUTIER. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Designing photonic integrated circuits based on arrays of inverse-designed components

Номер патента: WO2023235233A1. Автор: Cyril Bortolato. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Leakage current variability based power management

Номер патента: US20160004288A1. Автор: Ezekiel Kruglick. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-01-07.

Super leakage current cut-off device for ternary content addressable memory

Номер патента: US20090161399A1. Автор: Wei Hwang,Wen-Yen Liu,Po-Tsang Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Functional circuit block harvesting in integrated circuits

Номер патента: US12061855B2. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Configurable nonlinear activation function circuits

Номер патента: WO2024167600A1. Автор: Ren Li,Suren Mohan,Aaron Douglass Lamb,Prajakt Kulkarni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for sheet resistance and leakage current density measurements on shallow semiconductor implants

Номер патента: US20110320144A1. Автор: Christian L. Petersen. Владелец: Capres AS. Дата публикации: 2011-12-29.

Method and device for determining a maximum leakage current

Номер патента: US20120206148A1. Автор: Oliver Schaefer. Владелец: DIPL ING W BENDER GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-08-16.

Detection of leakage current in flash memory

Номер патента: US20240363179A1. Автор: Guanyu Sha. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Leakage current variability based power management

Номер патента: US09671850B2. Автор: Ezekiel Kruglick. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus for testing input pin leakage current of a device under test

Номер патента: CA1300228C. Автор: Edward Anderson Ostertag. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 1992-05-05.

Electronic circuit arrangement for temperature measurement based on a platinum resistor as a temperature sensing resistor

Номер патента: US5096303A. Автор: Marek Jeziorowski. Владелец: Norapp As. Дата публикации: 1992-03-17.

Leakage current reduction in standard cells

Номер патента: US6941525B2. Автор: Dhrumil Gandhi. Владелец: Artisan Components Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Leakage current sensor for suspension type insulator

Номер патента: EP2798359A1. Автор: Andrew John Phillips,Chris ENGELBECHT,Bob LYNCH. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 2014-11-05.

Leakage current management systems, devices, and methods

Номер патента: EP4267976A1. Автор: Mark F. Smith. Владелец: Nxstage Medical Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Testkey and testing system which reduce leakage current

Номер патента: US11614486B2. Автор: Chang-Ting Lo,Po-Wei Tsou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Leakage current analyzing apparatus, leakage current analyzing method, and computer product

Номер патента: US20090222773A1. Автор: Katsumi Homma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Polynomial synthesis based on galois field diagram decomposition

Номер патента: WO2008053239A2. Автор: Abusaleh M. Jabir. Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for detecting leakage current of biometric information measurement device

Номер патента: US20240019500A1. Автор: Jin Won Lee,Young Jae Kang,Jung Uk HA. Владелец: I Sens Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Leakage current management systems, devices, and methods

Номер патента: US11860197B2. Автор: Mark F. Smith. Владелец: Nxstage Medical Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-channel leakage current monitoring system

Номер патента: US20130158902A1. Автор: Hyung Kyu Kim. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Discharge circuit for diode reverse leakage current

Номер патента: US20170364116A1. Автор: Tsung-Liang Hung,Yeu-Torng Yau,Ping-Hsun Chu. Владелец: Asian Power Devices Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Low leakage current operation of integrated circuit using scan chain

Номер патента: US20130139013A1. Автор: Siddhartha Jain,Himanshu Goel,Himanshu Kukreja. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Circuit based on digital domain in-memory computing

Номер патента: US20240168718A1. Автор: LIANG Chen,Qiang Wu,Liang Chang,Xin Si,Zhao Hui Shen. Владелец: Nanjing Houmo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device with leakage current verifying circuit for minimizing leakage current

Номер патента: US20240006003A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Testkey and testing system which reduce leakage current

Номер патента: US20230020783A1. Автор: Chang-Ting Lo,Po-Wei Tsou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US11940479B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polynomial synthesis based on galois field diagram decomposition

Номер патента: WO2008053239A3. Автор: Abusaleh M Jabir. Владелец: Abusaleh M Jabir. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for detecting leakage current of biometric information measurement device

Номер патента: EP4242678A1. Автор: Jin Won Lee,Young Jea Kang,Jung Uk HA. Владелец: I Sens Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Pass device leakage current correction circuit for use in linear regulators

Номер патента: US20020130709A1. Автор: David Grant,John Teel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Memory and reading method of the memory for compensating leakage current

Номер патента: US12027216B2. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods of segmenting medical images based on anatomical landmark-based features

Номер патента: RU2699499C2. Автор: Сяо ХАНЬ,Янь ЧЖОУ. Владелец: Электа, Инк.. Дата публикации: 2019-09-05.

Functional circuit board carrier based on RFID technology

Номер патента: CN213069834U. Автор: 田军,杨斌,陈志龙. Владелец: Zhuo Neng Electronics Taicang Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Interacting with Peer Devices Based on Machine Detection of Physical Characteristics of Objects

Номер патента: US20120001724A1. Автор: Belimpasakis Petros. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mosfet with reduced leakage current

Номер патента: WO1996025762A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-11-07.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display of Devices on an Interface based on a Contextual Event

Номер патента: US20120001723A1. Автор: Hunter Jim. Владелец: MOTOROLA MOBILITY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING SIGNAL INTERFERENCE IN WIRELESS RELAY NETWORK BASED ON SYNCHRONOUS HARQ

Номер патента: US20120002597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE INTERPOLATING METHOD BASED ON DIRECTION DETECTION AND DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120002902A1. Автор: Zhou Jin,Liu Qifeng. Владелец: POWERLAYER MICROSYSTEMS HOLDING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Binding Moieties Based On Shark IgNAR Domains

Номер патента: US20120003214A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Dynamic Changes to a User Profile Based on External Service Integration

Номер патента: US20120003931A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinkable Materials Based On Organosilicon Compounds

Номер патента: US20120004364A1. Автор: . Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Vaccines Based on Targeting Antigen to DCIR Expressed on Antigen-Presenting Cells

Номер патента: US20120004643A1. Автор: . Владелец: BAYLOR RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

IDENTIFYING A LEAD RELATED CONDITION BASED ON MOTION-BASED LEAD IMPEDANCE FLUCTUATIONS

Номер патента: US20120004699A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHOD FOR VOLITIONAL CONTROL OF JOINTED MECHANICAL DEVICES BASED ON SURFACE ELECTROMYOGRAPHY

Номер патента: US20120004736A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDIATION OF TASKS BASED ON ASSESSMENTS OF COMPETING COGNITIVE LOADS AND NEEDS

Номер патента: US20120004802A1. Автор: . Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR COMPUTING NECESSARY TIME FOR TRAVEL BASED ON WAITING TIME

Номер патента: US20120004840A1. Автор: . Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.