Method for an amorphous boron nitride layer and associated amorphous boron nitride layers
Номер патента: US20240327982A1
Опубликовано: 03-10-2024
Автор(ы): Gaurav Pathak, Mikko Ruoho, Ming Liu, Viljami J. Pore
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-2024
Автор(ы): Gaurav Pathak, Mikko Ruoho, Ming Liu, Viljami J. Pore
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for enhancing p-type conductive doping of boron nitride film by nitrogen-rich atmosphere
Номер патента: CN109518278B. Автор: 刘国振,蔡端俊,王跃锦,郝卓然. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-08.