Gaas wafer, gaas wafer group, and method for producing gaas ingot
Номер патента: EP4411031A1
Опубликовано: 07-08-2024
Автор(ы): Akira Akaishi, Naoya Sunachi, Ryuichi Toba
Принадлежит: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-08-2024
Автор(ы): Akira Akaishi, Naoya Sunachi, Ryuichi Toba
Принадлежит: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
MIIIN based materials and methods and apparatus for producing same
Номер патента: US6784085B2. Автор: Jerome J. Cuomo,N. Mark Williams,Andrew David Hanser,Eric Porter Carlson,Darin Taze Thomas. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2004-08-31.