e-Flash Si dot nitrogen passivation for trap reduction
Номер патента: US09929007B2
Опубликовано: 27-03-2018
Автор(ы): Chia-Shiung Tsai, Chih-Ming Chen, Chung-Yi Yu, Szu-Yu Wang, Tsu-Hui Su
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-03-2018
Автор(ы): Chia-Shiung Tsai, Chih-Ming Chen, Chung-Yi Yu, Szu-Yu Wang, Tsu-Hui Su
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
e-Flash Si Dot Nitrogen Passivation for Trap Reduction
Номер патента: US20160190349A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Yu Chung-Yi,CHEN Chih-Ming,WANG SZU-YU,Su Tsu-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.